#伯恩斯坦
輝達對“晶片指數”罕見折價13%:伯恩斯坦稱處於10年“第一百分位”
一、“折價13%”到底在比什麼:相對估值的含義先把可以被核實的數字攤開。伯恩斯坦分析師 Stacy Rasgon 在最新研報中指出,按遠期市盈率(forward P/E)計算,輝達當前相對費城半導體指數(PHLX Semiconductor Index,簡稱 SOX)大約有 13% 的折價,而且這一相對估值水平落在過去 10 年的第 1 百分位——也就是說,在過去十年裡,只有 13 個交易日 輝達相對 SOX 比現在更“便宜”。這裡有兩個關鍵點:比的不是“絕對估值”,而是 輝達的估值 / SOX 整體的估值;用的是“遠期市盈率”,即基於未來 12 個月盈利預期的 P/E,而不是歷史 P/E。SOX 是一個覆蓋美國主要半導體公司的指數,成分股包括輝達、AMD、美光、博通等。對很多機構資金而言,“我買 SOX 還是買 NVDA”是一個真實存在的選擇題:如果單買輝達的估值長期比指數貴很多,資金更可能通過買指數來享受整個類股;當龍頭反而相對折價,主動加倉單股的動力就會增加。因此,“13% 折價 + 第一百分位”,傳遞的資訊不是“輝達跌慘了”,而是:在 AI 龍頭這條賽道里,它相對同業的溢價被明顯壓縮了。二、表面不便宜、歷史卻偏低:伯恩斯坦怎麼看“25倍”這件事如果只看絕對數,輝達目前大約 不到 25 倍的 12 個月遠期市盈率,乍一看並不“便宜”——標普 500 指數當前的遠期 P/E 大概在 20 倍上下。伯恩斯坦的說法更精細一些:把輝達過去 10 年的遠期 P/E 做一個分佈,25 倍附近落在第 11 百分位;換句話說,在過去十年,有接近 90% 的時間,這家公司是以 更貴 的估值在交易。這就解釋了一個容易混淆的點:從全市場角度看,25 倍不算白菜價;但從輝達自己的歷史來看,25 倍屬於 “這家公司過去很少這麼便宜” 的區間。伯恩斯坦還補了一句頗具爭議的統計:過去十年裡,只要輝達的遠期 P/E 跌到 25 倍以下,之後一年持有的平均回報超過 150%,而且沒有出現過負收益的樣本。這當然是典型的“回測敘事”:它告訴你歷史上在類似估值買入的結果,但不能保證未來照抄。更謹慎的解讀方式是:當前的估值區間,在這家公司的歷史語境裡,屬於風險回報比相對友好的檔位。三、為什麼會出現“漲了但跑輸”的局面:情緒與預期在變如果只看年初到現在的股價,輝達 2025 年迄今仍然 上漲了約 30% 出頭,但 SOX 指數漲幅超過 40%,輝達實際是 “漲了但跑輸”。同時,自 7 月以來股價基本橫盤,和 2023 年那種單邊上行相比,節奏明顯不同。公開報導和券商評論裡,比較常見的幾類擔憂是:AI 資本開支會不會“見頂”?雲廠商、網際網路大廠在 2023–2024 年大舉投入 GPU 資料中心,外界開始擔心:當第一波基礎設施鋪設接近尾聲,後續預算是否會放緩。競爭與自研晶片的威脅AMD 在資料中心 GPU 上的追趕,以及大型雲廠商自研 AI 加速晶片(如 TPU 等),常被拿來討論“輝達的壁壘到底有多厚”。對華出口與監管的不確定性美國對向中國出口高端 AI 晶片的限制反覆調整,最近又傳出對先進 H200/HX 系列對華銷售啟動審查的新消息;國會裡也有進一步收緊高端 GPU 出口的提案。“AI 投入能不能算得過帳”不少機構開始算帳:花在算力上的每一美元,能不能換回足夠清晰的商業回報?如果下遊客戶的回報率被證明沒有想像中高,上游晶片廠的估值溢價也會被重新評估。這些擔憂不一定都成立,但會直接作用在估值上:當大家對 未來盈利增速 的預期更謹慎,而股價在前兩年已經透支了很多樂觀,最自然的結果就是——股價橫著走,估值慢慢往下修。輝達這次“相對折價+估值分位下探”,本質上就是 “預期降溫” 與 “盈利仍在” 之間的拉扯。四、伯恩斯坦的邏輯鏈:低相對估值為何“往往預示更好回報”回到這份研報本身,伯恩斯坦的邏輯大致可以拆成三層:第一層:當前估值罕見偏低。相對 SOX 折價約 13%,處在 10 年第一百分位;遠期 P/E 不到 25 倍,在自身 10 年歷史裡處在 第 11 百分位。第二層:歷史經驗支援在這個區間買入。在過去十年、類似估值水平下買入輝達,一年後平均回報超過 150%,沒有出現負收益;相對 SOX 折價明顯時,之後的相對回報也往往優於類股。第三層:基本面仍在,折價更多來自情緒與風險溢價。公司剛剛交出創紀錄的季度營收(年化數百億美元),AI 資料中心晶片仍是行業絕對龍頭;2026 年的 Rubin 平台、GTC 大會等被視作潛在催化劑;在他看來,市場現在更像是在給“AI 周期可能放緩”的風險打折,而不是在否定輝達的長期增長軌跡。這是 分析師視角下的邏輯鏈,也有它的邊界:回測樣本只有 10 年,期間輝達從“成長股”一路進化成“平台級龍頭”,未來是否還會複製同樣的斜率,沒人能保證;當前環境裡,多了地緣政治、出口管制、能源與電力供給等新變數,這些在歷史樣本中並不充分;多數機構回測只統計“區間內買入、持有一年”的平均結果,並不能告訴你中途會經歷多大波動。更穩妥的理解方式是:伯恩斯坦在強調“性價比改善”,而不是承諾“必然大漲”。五、真正該盯的三類變數:產品周期、需求強度、政策約束對於關心這家公司但又不想被短期情緒牽著走的讀者,更實用的做法是找一套“觀察框架”,而不是糾結於某一個目標價。結合公開資訊和主流討論,接下來幾件事情值得持續關注(以下屬於基於事實的推理與整理,不構成投資建議):1. 產品與技術周期Rubin 等下一代平台的性能、功耗與軟體生態,會決定輝達在 2026–2027 年的技術領先幅度;GTC 等技術大會上,輝達如何講新的產品路線圖、如何把 GPU、網路、軟體與服務打包,會影響市場對“它到底是一家晶片公司還是基礎設施公司”的認知。2. 需求與客戶預算的持續性大型雲廠商、網際網路公司、AI 創業公司在資料中心算力上的預算強度,會決定 GPU 出貨和價格的天花板;更細一點,可以關注:傳統企業、政府與科研機構是否開始成為新的需求來源,而不是只有“AI 大廠”在買。3. 政策與出口管制的約束美國對向中國等市場出口高端 AI 晶片的審批與限制,仍在不斷調整;一方面有放鬆 H200 等晶片銷售的決定,另一方面也有國會推動更嚴格封堵的聲音;類似騰訊通過日本雲服務使用高端 GPU 的“監管縫隙”案例,也在倒逼政策進一步收緊。這些都會影響輝達在中國乃至全球的需求分佈。這三類變數合在一起,才構成輝達未來兩三年盈利與估值的真正底層——估值只是表盤,產品、需求和政策才是齒輪。 (視界的剖析)
伯恩斯坦:全球儲存市場--超級周期還有上漲空間嗎?
伯恩斯坦更新了儲存器及行業模型(包括高頻寬儲存器(HBM)、動態隨機存取儲存器(DRAM)、快閃記憶體(NAND)、三星、SK 海力士、美光及鎧俠的模型)。即將到來的資本支出增加或於 2026 年底推動儲存器價格 “正常化”。近期訊號顯示,三星、SK 海力士及美光將大幅增加 DRAM 資本支出,因此,隨著 2026 年底新增產能釋放,儲存器價格或將開始走軟。我們認為,HBM 的增長具備結構性特徵,因此其價格在 2027 年底僅會 “正常化”(而非 “暴跌”)至本輪上漲啟動前的水平。成本下降將維持高利潤率,造就史上最強周期。儘管價格最終會回落至起點,但此期間的成本下降將支撐利潤率維持高位。我們預測,2026 年四季度行業 DRAM 毛利率將達到 77% 的歷史新高,2027 年四季度僅小幅回落至 62%,這意味著本輪周期將成為行業史上表現最佳的周期。歷史交易規律顯示,當前 “下車” 仍為時過早。資本支出增加及中國競爭對手 IPO 可能構成利空訊號,但在以往周期中,只有當儲存器現貨 / 合約價格實際開始下跌時,相關股票才會開啟回呼。中國競爭對手將提升市場份額,但短期內不足以扭轉供需短缺格局。憑藉產能擴張、技術升級及良率提升,我們預測長鑫儲存(DRAM 領域)與長江儲存(NAND 領域)的位元市場份額將從 2025 年的 8%、12%,分別提升至 2027 年的 10%、15%。儘管從低基數來看增速可觀,但未來兩年其新增供給規模仍不足以推動市場從短缺轉向過剩。DRAM 資本支出大幅增加,NAND 增幅有限。我們預計 2026 年 DRAM 行業資本支出將增長 40%,以支援裝置及基礎設施建設;NAND 資本支出雖也將增長,但基數極低,且總體規模仍將顯著低於 2022 年及之前水平。結構性邏輯不變,但需警惕短期波動。儲存器類股票貝塔係數較高,估值易受宏觀風險偏好及 AI 泡沫擔憂影響。我們近期研究進一步印證了 “儲存器是資料經濟基石” 的觀點,但投資者仍需謹慎對待此類股票。註:加粗部分為目標價調整 / 預期調整;評級說明:O - 跑贏大盤,M - 與大盤持平,U - 跑輸大盤,NR - 未評級,CS - 暫停覆蓋;美光的 EPS 為調整後資料,市盈率為調整後市盈率(倍),基準年份為 2025 年。詳細分析即將到來的資本支出增加或於 2026 年底推動儲存器價格 “正常化”,成本下降將維持高利潤率,造就史上最強周期隨著雲服務商需求日益明確,我們認為儲存器供應商或將在 2026 年大幅增加資本支出,以把握當前供需短缺及價格飆升的機遇。因此,我們預計相關企業將在即將發佈的財報中披露 2026 年資本支出大幅增加的計畫;若未披露,晶圓廠裝置(WFE)供應商也可能在其下一次財報中釋放類似訊號。然而,由於裝置訂單到儲存器產能釋放存在時滯,2026 年大部分時間新增產能難以實質貢獻供給,直至 2026 年底新增產能逐步上市,並在 2027 年進一步擴大。因此,短期記憶體儲器短缺局面仍將持續,價格或繼續上漲;2026 年下半年起,價格漲幅將逐漸縮小,2027 年底趨於平穩。2027 年隨著更多產能釋放,價格將出現回落(詳見圖表 1 - 圖表 2)。但我們預計價格不會重現 2019 年的暴跌態勢,因潔淨室空間限制將制約產能擴張幅度;同時,2027 年 HBM 需求仍將保持強勁,使得傳統 DRAM 產能相對緊張。因此,我們認為 2027 年儲存器價格更多是 “正常化”,預計 2027 年底傳統 DRAM 價格將回落至 2025 年三季度末本輪上漲啟動前的水平(詳見圖表 3 - 圖表 4)。短期內價格大幅上漲也將推動利潤率攀升,預計 2026 年下半年利潤率達到峰值,水平接近甚至超過 2018 年的高點。2027 年價格雖將回落,但成本同步下降,我們預測 2027 年底 DRAM 毛利率仍將高於當前水平。如圖表 5 - 圖表 6 所示,本輪周期將成為行業史上最強周期:上行階段推動毛利率創歷史新高,下行階段僅為 “正常化” 而非 “調整” 或 “崩盤”,使得 2027 年底毛利率仍維持在高位。圖表 1:預計 DRAM 價格將持續上漲,直至 2026 年底開始走軟圖表 2:NAND 價格預計呈現類似走勢,但漲幅或不及 DRAM 顯著圖表 3:2026 年底及 2027 年更多產能釋放後,DRAM 價格有望回落至本輪上漲前水平圖表 4:雖對 NAND 需求持續性信心不足,但預計供給增長將保持克制,因此價格或於 2026 年底開始正常化,並在 2027 年進一步延續圖表 5:預計 2026 年底行業 DRAM 毛利率將創歷史新高,即便後續平均售價正常化,2027 年底毛利率仍將維持高位圖表 6:預計行業 NAND 毛利率也將升至新高,並在後續維持強勁水平上調 HBM 及晶圓代工(CoWoS)預期:供應商擴產以滿足強勁需求鑑於過去數月宣佈的 AI 項目及下游積極訊號,我們預計台積電、日月光(未覆蓋)、安靠(未覆蓋)將擴大 CoWoS 產能(詳見我們近期關於台積電的報告);同理,三星、SK 海力士、美光也將增加 HBM 供給,以支撐這些 AI 項目。例如,輝達若要實現 5000 億美元營收目標,就需要更多 HBM 供給;未來若有更多下游項目公佈,供給缺口或進一步擴大。因此,我們上調 HBM 位元出貨量預期,預計 2026 年增長 100%,2027 年再增長 35%(詳見圖表 23)。2026 年 HBM 與傳統儲存器均將面臨供給緊張,因此 HBM 價格有望保持堅挺 ——HBM3E 價格下跌將被 HBM4 的溢價部分抵消。我們預測,明年起 HBM3E 價格將下跌 20% 以上,但 HBM4 價格較 HBM3E 將有 40% 以上的溢價;綜合來看,2025-2026 年 HBM 綜合平均售價同比僅小幅下跌 5%(詳見圖表 24 - 圖表 25)。這意味著 2026 年 HBM 總收入將增長 91%,達到 750 億美元(詳見圖表 26)。不過,由於傳統 DRAM 價格及收入大幅飆升,2026 年 HBM 在整體 DRAM 收入中的佔比或出現下滑;2027 年隨著傳統 DRAM 價格正常化,HBM 佔比有望回升至約 40%(詳見圖表 27)。鑑於 HBM 對整體 DRAM 平均售價的支撐作用增強,我們預測 2027 年底 DRAM 綜合平均售價仍將高於當前水平(詳見圖表 3)。從晶圓消耗量來看,預計到 2027 年,HBM 晶圓消耗量將佔 DRAM 行業總消耗量的近 30%,或超過傳統伺服器 DRAM,成為 DRAM 晶圓最大應用領域(詳見圖表 29)。如前所述,HBM 晶圓消耗量的擴大將繼續制約傳統 DRAM 產能,因此我們僅預測 DRAM 平均售價 “正常化”,且 2027 年底 DRAM 毛利率仍將維持在可觀水平。相比之下,我們認為三星在 HBM 領域的地位將從 HBM3E 時代向 HBM4 時代提升 —— 其更先進的 DRAM 及基底晶片製造技術,使其既能滿足輝達對更高速度的要求,又能保持良好良率。此外,三星的潔淨室空間限制小於 SK 海力士和美光,在當前供給短缺的市場中可釋放更多產能以提升份額。因此,我們預測 2026 年三星在 HBM 市場的份額將出現回升(詳見圖表 30)。圖表 23:上調 HBM 預期,預計 2026 年 HBM 位元出貨量增長 100%圖表 24:HBM3E 價格下跌將被 HBM4 溢價大幅抵消圖表 25:隨著張量處理單元(TPU)需求升溫,預計 2026 年 HBM3E 及 HBM4 位元出貨量佔比僅為 27%圖表 26:總體來看,預計明年 HBM 總收入將接近翻倍,達到 750 億美元圖表 27:2026 年受傳統 DRAM 價格強勁上漲影響,HBM 收入佔比或下滑;2027 年有望回升圖表 28:預計 2026 年 HBM 位元出貨量佔比將顯著提升,並在 2027 年繼續增長圖表 29:預計 2027 年 HBM 晶圓消耗量將佔 DRAM 行業總消耗量的 28%,或超過傳統伺服器 DRAM圖表 30:預計三星在 HBM 市場的份額將提升 —— 既因 HBM3E 產能釋放,也因 HBM4 時代競爭地位較 HBM3E 時代改善短期與長期需求明確,預計 2026 年 DRAM 資本支出大幅增加,NAND 增幅有限美光首席財務官在近期會議中明確暗示將大幅增加資本支出;我們從供應鏈也獲悉,三星和 SK 海力士也計畫顯著提高資本支出。據此,我們預測 2026 年三星、SK 海力士、美光的 DRAM 資本支出同比增幅將達 30%-65%,整個 DRAM 行業資本支出同比增長 40%,用於晶圓廠裝置採購及基礎設施持續建設(詳見圖表 31)。值得注意的是,資本支出增加的訊號主要集中在 DRAM 領域,NAND 領域相關訊號則弱得多。我們瞭解到,三星甚至計畫將一座 NAND 工廠改造為 DRAM 工廠。這與我們對 NAND 市場的長期謹慎立場一致,因此預測 2026 年 NAND 資本支出同比增長 30%,但基數極低,且總體支出仍將顯著低於 2022 年及之前水平(詳見圖表 32)。圖表 31:預計 2026 年 DRAM 行業資本支出將增長 40%,再創歷史新高DRAM 行業資本支出圖表 32:預計 NAND 資本支出增速較慢,且總體規模仍將顯著低於 2022 年及之前水平NAND 行業資本支出中國企業借力 IPO 擴產,但明年不足以扭轉供需短缺中國正抓住當前供給短缺的機遇擴大生產、提升市場份額,甚至可能借助儲存器價格飆升獲得可觀盈利。我們瞭解到,長江儲存和長鑫儲存正將現有潔淨室空間下的產能提升至接近滿產狀態。隨著製程遷移及良率改善,預計 2026 年兩家企業的位元產出將增長 40%-50%。此外,兩家企業均在尋求 A 股 IPO(詳見相關連結),預計通過股權市場融資後,將啟動新工廠建設,未來兩年內完成並釋放新增產能。儘管如此,中國企業的增長基數仍較低,明年新增供給規模不足以扭轉市場短缺格局。尤其值得注意的是,長鑫儲存或需供應 HBM 以支援中國本土 AI 晶片生產,這將進一步減少其傳統 DRAM 的可用產能。因此,我們預測未來兩年中國企業市場份額將逐步提升,但幅度有限,尤其是在 DRAM 領域(詳見圖表 33)。長期來看,NAND 技術迭代無需極紫外光刻(EUV)裝置,中國在出口管制背景下仍能獲得足夠的本土裝置支援以擴大產能,因此我們認為中國企業是現有 NAND 供應商的長期威脅,這也是我們對 NAND 市場持結構性謹慎立場的原因之一。圖表 33:預計未來兩年長鑫儲存(CXMT)和長江儲存(YMTC)市場份額將提升,但基數較低,幅度有限(長鑫儲存尤為明顯)各企業位元出貨量市場份額總結:雖對 DRAM 持結構性樂觀、對 NAND 持結構性悲觀,但需警惕儲存器股票的高貝塔屬性我們一直主張 “儲存器是資料經濟的基石”然而,傳統儲存器價格的快速波動及對 AI 泡沫的擔憂,仍將導致相關股票波動率高企。因此,儘管我們對 DRAM 持結構性樂觀、對 NAND 持結構性悲觀態度,但仍建議投資者謹慎對待此類股票。 (大行投研)
伯恩斯坦上調預期:比特幣或衝擊百萬美元 Hyper 成關鍵驅動因素
全球投資機構 AllianceBernstein(伯恩斯坦)這次不拐彎抹角:他們認為比特幣(BTC)仍在朝著 100 萬美元“硬沖”,而且時間點可能比大多數人想的更早。該機構最新預測顯示,儘管市場近期回檔將 BTC 從歷史高點 12.6 萬美元打到 8.4 萬美元,但 BTC 仍有望最早在 2026 年觸及 15 萬美元。投資者認為,能把 BTC 推向這一目標的關鍵專案是Bitcoin Hyper (HYPER)。作為目前開發中的“最快比特幣 Layer-2”,Bitcoin Hyper 想實現其他鏈都沒做到的事——讓比特幣在應用裡跑出 Solana 級別的速度,同時最終仍在比特幣主網安全結算。在很多人看來,這正是缺失的“催化劑”:一旦 BTC 獲得真正的交易速度與更廣泛的經濟活動承載能力,需求曲線會迅速上移,估值自然被抬高。而投資者顯然不打算等。作為生態系統核心燃料的 HYPER 代幣,預售已吸引 2927 萬美元資金,買家普遍認為現在的價格相較未來在主流交易所上市(CEX listing)時的潛在定價仍是“地板價”。目前 HYPER 報價為 0.013405 美元,但這個價位只會維持接下來 39 小時,隨後預售進入下一輪更高定價階段。訪問 Bitcoin Hyper 官網比特幣的結算層不是問題——缺的是執行層伯恩斯坦預測:BTC 將在 2026 年達到 15 萬美元、2027 年達 20 萬美元,並最終在 2033 年沖上 100 萬美元。從當前約 9.2 萬美元水準算起,這意味著:明年上漲約 63%;到 2027 年再增長約 33.3%;未來八年實現約 34.9% 的年化回報,從而抵達百萬美元目標。https://twitter.com/TheCryptoLark/status/1998460164375011427當然,在比特幣最近一波下跌之後,這些目標看起來可能越來越遙不可及。但原因在於:當下形態的比特幣在功能上仍然存在底層限制。多年來,BTC 更像是“藏在枕頭底下的牙齒”——你把它收起來、捂住不動,期待未來某天它會“自動變貴”。換句話說,比特幣絕大多數是被持有(HODL),而不是被使用。儘管比特幣最初的設計目標是點對點電子現金,但由於主網輸送量低、極度去中心化且以安全優先的架構,使得比特幣 Base Layer 更適合擔當“結算網路”,而不是高頻交易貨幣。但即便結算層再強,如果結算在其上的活動以“冰川速度”推進,經濟影響也會非常有限。這正是 Bitcoin Hyper 的切入點。它在比特幣之上構建一個高吞吐 Layer-2,在保留 BTC 價值根基的同時——去中心化、安全性、不可篡改性——讓比特幣終於可以以接近現代公鏈的速度與成本完成轉移與流通。每秒數千筆交易(TPS),且最終全部回到比特幣主網結算執行層Bitcoin Hyper 的核心使命,是讓比特幣真正像“貨幣”一樣運轉,而不僅僅是長期價值儲藏。它把比特幣主鏈繼續放在最擅長的位置:作為結算層,負責所有最終確認。而在此之上,Bitcoin Hyper 引入一個高速執行層,讓 BTC 以主鏈無法支援的方式進行轉帳與交易。該執行層是完全可程式設計的,由 Solana Virtual Machine(SVM)驅動——這可能是目前全球最快的執行環境之一。也就是說,開發者可以構建行為體驗類似 Solana dApps 的應用:超快、低成本,並能承載從 DeFi 協定到鏈遊、再到現實世界應用的一切場景。比特幣與這一高速環境之間缺失的關鍵一環,則是 Bitcoin Hyper 的官方/規範橋。其運作方式是:真實的 BTC 會被鎖定在比特幣主網上,同時在 Bitcoin Hyper 生態內鑄造出等量的封裝版本。這個封裝 BTC 與 SVM 相容,因此可以在 Bitcoin Hyper 的各類應用之間自由流通,並作為驅動這些應用的實際“鏈上貨幣”。也就是說,比特幣在誕生 16 年後第一次真正“能跑起來”。不再是主鏈上每 10 分鐘才轉一次,而是在把 BTC 當作原生幣應用裡,以每秒上千次(TPS 級)進行支付、交易和交互。這也是為什麼早期投資者在押注一波“效用爆發”而提前佈局 HYPER。因為要讓這些 BTC 交易在 L2 上真正運轉,HYPER 充當 Gas 代幣。它是這個“雙引擎生態”的另一半:BTC 是錢,HYPER 是燃料,負責讓整台機器高速運轉。Here’s How to Buy HYPER如何購買 HYPER隨著預售資金已突破 2920 萬美元,不少投資者認為 Bitcoin Hyper 可能正進入最後幾輪,也就是說,以預售價拿到 HYPER 的視窗或許很快關閉。但就目前而言,早期參與者仍可在專案上線並進入公開市場價格發現前鎖定籌碼。參與方式很簡單:訪問 Bitcoin Hyper 官網,用 SOL、ETH、USDT、USDC、BNB 甚至信用卡購買 HYPER。為了更順暢地管理資產,Bitcoin Hyper 推薦使用 Best Wallet——這是一款口碑不錯的加密/比特幣錢包,HYPER 已在其“即將上線代幣”專區展示,方便用戶一鍵買入、跟蹤,並在代幣正式上線後領取。投資者也可以加入 Bitcoin Hyper 官方Telegram與X(推特)社區,獲取最新動態與公告。更多完整資訊請以專案官網披露為准免責聲明:本內容為通訊社發佈的新聞稿,僅供參考。我們未對其中的資訊進行獨立驗證,亦不對其準確性或所述服務承擔任何責任。本內容不構成投資建議或推薦,亦不應被視為此類建議。我們強烈建議您在參與任何金融活動或投資決策前,諮詢合格且受監管的專業財務顧問,以確保自身權益。