AI 算力的競爭，說到底最後拼的就是儲存的產能和技術。尤其是現在 HBM 已經成為整個 AI 產業鏈最緊俏的環節，全球儲存市場的格局，直接決定了未來 AI 算力的供給格局。 這張最新的全球儲存排名，直觀地反映了當前全球儲存市場的真實格局，讓我們一起來看看吧！ 覺得內容有用的話，歡迎點選上方藍字「 AI 算力空間」關注我們，持續獲取最新算力產業分析~ (Ai算力空間)

要理解企業級SSD、DDR5（DRAM的一種）和HBM4的區別與作用，我們必須建立一個極其重要的電腦底層物理概念：金字塔型儲存層級。 為什麼會有金字塔？因為物理學和經濟學決定了：人類至今無法發明出一種“速度極快、容量極大、斷電不丟資料且極其便宜”的完美儲存介質。只能用不同的材料相互妥協、相互配合。 我們用“廚房做菜”的比喻，為你進行一場降維打擊式的科普： 一、 角色與物理定位：“大廚房”裡的三個關鍵區域

一、全球儲存公司梳理：總覽（按市佔率）三星電子、海力士在DRAM、HBM、NAND、SSD等領域市佔率均較高，為全球儲存龍頭公司；其次為美光，產品矩陣全面，但市佔率略低於三星、海力士；SanDisk、鎧俠聚焦於NAND、SSD領域，西部資料、希捷科技聚焦於HDD領域；從地域來看，全球儲存公司主要集中在韓國、美國、中國（包括台灣）、日本。圖1：全球儲存公司總覽（25Q2各產品市佔率情況）二、全球儲存公司梳理：三星電子三星電子：全球NAND、DRAM領先企業。三星電子業務包括消費電子產品、儲存產品（NAND&DRAM等）、OLED手機面板以及Harman（音響產品）等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DX部門（TV、手機、空調等）、DS部門（DRAM、NAND、移動Aps等）、SDC（OLED手機面板）、Harman（智能座艙、汽車音響等）收入佔比分別為55%、33%、8%、4%，儲存業務為公司第二大業務，僅次於消費電子業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，三星電子市佔率為33.2%，全球第二；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率34.0%，全球第一；25Q2全球HBM市場，三星電子市佔率17.0%，全球第二；25Q2全球SSD市場三星電子市佔率為32.0%，全球第一，在消費級、企業級SSD均具備競爭優勢。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1969年成立，最初主要生產電子電器類產品，1874年通過收購韓國半導體進軍半導體業務；1983年開始發力DRAM領域，1984年研發成功64kDRAM；1988年公司在韓國推出第一部手機；1998年開發出第一款128MB Flash快閃記憶體，2004年公司研發出全球首款8GB NAND快閃記憶體，2005年開始進入晶圓代工行業，2011年出售HDD業務，專注發展儲存晶片，2016年收購Harman，強化自身在汽車晶片、車載娛樂領域優勢。2）從DRAM產品發展歷史來看：1984年研發成功64k DRAM，1996年首次提出DDR概念，1998年發佈全球第一個商用DDR晶片，2003年量產DDR2，2008年開始DDR3，2013年量產DDR4，2021年量產DDR5。3）從HBM產品發展歷史來看：2016年量產HBM2，2020年量產HBM2E，2023年量產HBM3，2024年量產HBM3E。4）從NAND產品發展歷史來看：1998年開發出第一款128NM Flash快閃記憶體，2013年開始進入3D V-NAND階段（24層），後堆疊層數持續增長，2024年第九代VNAND（300+層）量產。圖2：三星電子HBM產品lineup圖3：三星電子NAND產品發展圖4：三星電子SSD產品發展圖5：三星電子收入結構（25Q3）三、全球儲存公司梳理：海力士海力士：全球NAND、DRAM領先企業。海力士主要從事NAND、DRAM的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM、SSD等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND（包括SSD）、其他業務收入佔比分別為78%、20%、2%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，海力士市佔率為39.1%，全球第一；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率22.0%，全球第二；25Q2全球HBM市場，海力士市佔率67.0%，全球第一；25Q2全球SSD市場海力士市佔率為19.6%（包括Solidigm，收購的英特爾的NAND業務），其中海力士優勢在消費級SSD領域，市佔率為9.15%，全球第四，Solidigm 優勢在企業級SSD領域，市佔率23.18%，全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1983年成立，最初名為現代電子，以DRAM的生產製造為主；1998年收購LG半導體，2001年改名為海力士，2003年從現代集團完成剝離，2004年出售非儲存業務，將重心轉向半導體儲存；公司於2012年併入SK集團，改名為SK海力士；2021年SK海力士收購英特爾的NAND業務，成立了Solidigm；2023年開發並大規模生產全球最高規格的HBM3E。2）從DRAM產品發展歷史來看：1985年，公司256kb DRAM量產，整合LG半導體後於2001年推出128MB DDR SDRAM；2003年底512MB DDR2通過英特爾認證，2004年開始量產；2007年開發出業內首款DDR3並獲得英特爾認證；2011年成功研發2GB DDR4；2018年完成DDR5研發，2020年正式量產；2013年與AMD聯合開發全球首款HBM1，2017年發佈HBM2，2019年發佈HBM2E，2021年發佈HBM3，2023年量產HBM3E。3）從NAND產品發展歷史來看：2004年開始進軍快閃記憶體領域，開發了512MB NAND快閃記憶體，2014年正式進軍3D NAND領域，推出24層3D NAND晶片，2018年業內率先實現4D NAND商業化突破，發佈96層4D NAND快閃記憶體，2024年開始量產全球首款321層4D NAND快閃記憶體。圖6：海力士NAND產品發展圖7：海力士HBM產品發展四、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：美光美光：全球DRAM、NAND領先企業。美光主要從事DRAM、NAND的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND、其他業務收入佔比分別為76%、23%、1%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，美光市佔率為22.8%，全球第三；25Q2全球NAND市場，美光市佔率13.8%，全球第四；25Q2全球HBM市場，美光市佔率16.0%，全球第三；25Q2全球SSD市場美光市佔率為11.1%，全球第三。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1978年成立，以DRAM的生產製造為主，1981年量產64KB DRAM；1998年收購TI(德州儀器）全球儲存業務，躋身全球儲存前列；同年，併購Rendition，進入3D圖形晶片領域；1999年發佈產業內第一款DDR晶片；2002年美光收購日本東芝在美國的DRAM工廠，生產能力進一步提升；2005年美光與英特爾合資成立IM FlashTechnologies，開進發力NAND領域，2006年又收購了Lexar Media，進一步開拓消費級儲存卡和SSD市場；2009年收購奇夢達持有的華亞科技全部股份，2015年收購華亞科技全部股份，改名為台灣美光；2013年美光完成對爾必達的收購，改名為美光日本；2015年美光與英特爾聯合發佈3D NAND技術；2018年美光放棄HMC技術，開始轉向HBM產品的研發，2020年美光開始提供HBM2產品。2）從DRAM產品發展歷史來看：1981年，公司64KB DRAM量產，通過收購TI儲存業務、華亞科技、爾必達，DRAM產品能力持續提升；1991年推出DDR1，2003年推出DDR2，2007年推出DDR3，2014年推出DDR4，2020年推出DDR5；3）從HBM產品發展歷史來看：美光最初專注於HMC技術，2011年發佈第一代HMC，2018年放棄HMC，開始轉向HBM技術，2020年推出HBM2,後持續迭代；4）從NAND產品發展歷史來看：2005年通過和英特爾合資公司進軍快閃記憶體領域，2015年和英特爾聯合發佈3D NAND技術，2024年232層NAND已經大批次量產。圖8：美光發展歷史圖9：美光收入結構（FY2025）五、全球儲存公司梳理：SanDiskSanDisk：全球消費級NAND領先企業。SanDisk主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，在消費級儲存市場具有領先優勢。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，公司產品主要包括儲存卡、USB快閃記憶體驅動器、SSD，FY2025公司消費端、商業端、雲端產品收入佔比分別為56%、31%、13%。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2SanDisk市佔率為12.1%，全球市佔率第五；從全球SSD市場來看，25Q2SanDisk市佔率為11.8%，全球市佔率第三名；從消費級SSD市場，25Q2SanDisk市佔率分別為19.0%，市佔率全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1988年公司成立，1991年推出首款基於快閃記憶體的固態硬碟，2016年被西部資料收購，2025年西部資料剝離快閃記憶體業務，獨立上市；2）從NAND和SSD產品發展歷史來看：1991年SanDisk為IBM生產了首款基於快閃記憶體的SSD；1992年推出FlashDisk，可以插入筆記型電腦的拓展槽中；1994年發佈CF卡，成為早期數位相機和可攜式電子裝置的主流儲存方案；2000年，公司正式推出SD儲存卡格式；2001年，公司與東芝聯合發佈全球首款商業化的NAND MLC快閃記憶體技術；2004年，作為核心推動者參與制定microSD儲存卡標準；2005年發佈首款基於快閃記憶體的MP3播放器SanDisk Sansa e100，開始進入數字音訊播放器領域；2011年，公司收購固態硬碟製造商Pliant Technology；2012年，發佈首款SATA SSD產品，發力消費級SSD市場；2013年，公司收購面向企業市場的SSD製造商SMART Storage Systems；2014年，公司收購企業資料中心快閃記憶體製造商Fusion-io，開始佈局企業級SSD市場；2019年SanDisk主導發佈SD Express標準，通過PCIe NVMe將介面速度大幅提升；2024年SanDisk發佈microSD Express儲存卡。圖10：SanDisk產品發展歷史圖11：SanDisk收入結構（FY2025）六、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：西部資料西部資料：全球HDD領先企業。西部資料主要從事硬碟（HDD）的開發、生產和銷售，覆蓋資料中心級、商業級、消費級HDD產品。從收入結構來看：根據西部資料財報披露資料，HDD為其核心產品，FY2025財年西部資料Cloud（雲）、Client（商業級）、Consumer（消費級）收入佔比分別為88%、6%、6%，資料中心等級HDD貢獻主要收入。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，其中希捷、西部資料市佔率合計達80.8%，呈現雙寡頭壟斷格局。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1970年西部資料成立，為全球知名的儲存解決方案提供商，1990年開始確立“硬碟主業”戰略，2011年收購日立環球儲存科技，擴張企業級HDD市場，2016年收購SanDisk，確立“HDD+快閃記憶體”雙核心業務，2025年完成對SanDisk分拆，正式剝離NAND快閃記憶體業務，目前全面聚焦於HDD領域；2）從HDD產品發展歷史來看：1988年收購Tandon，切入硬碟製造領域；1992年發佈Caviar驅動器，獲得市場認可；1999年，同IBM合作，推出Expert系列驅動器；2001年，西部資料成為第一家提供8MB磁碟緩衝區的主流ATA硬碟驅動器製造商；2003年收購磁頭製造商Read-Rite，推出首款10,000轉SATA硬碟WD Raptor；2005年，開始進入筆記本HDD市場，推出Scorpio系列硬碟；2006年推出採用垂直磁記錄（PMR）技術的硬碟；2009年，推出全球首款2TB硬碟WD Caviar Green；2012年，完成對HGST收購，成為全球最大的傳統硬碟製造商，並獲得HGST在企業級HDD和氦氣硬碟技術優勢；2013年，發佈全球首款商用氦氣硬碟Ultrastar He；2017年，展示MAMR（微波輔助磁記錄）技術原型；2020年，發佈ePMR技術(Energy-Assist PMR)。圖12：西部資料產品發展圖13：西部資料收入結構（FY2025）七、大模型對儲存的需求：訓練&推理全球儲存公司梳理：希捷科技希捷科技：全球HDD領先企業。希捷科技主要從事硬碟及儲存產品的開發、生產和銷售，核心產品為HDD硬碟，此外亦覆蓋系統、SSD等產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司HHD、系統&SSD&其他產品收入佔比分別為93%、7%，HDD產品業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年HDD市場希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，希捷為全球龍頭；SSD產品全球佔比較低。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司成立於1978年，1980年發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，後成為IBM PC主要供應商，1989年收購CDC旗下的儲存部門ImprimisTechnology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1996年，公司與Conner Peripherals合併，成為當時全球最大的獨立儲存裝置製造商；2003年發佈Momentus系列產品，重回筆記本HDD市場；2006年收購Maxtor，整合其消費級產品線，市場份額進一步提升；2011年，為應對西部資料收購HSFT，希捷收購三星旗下硬碟業務；2013年佈局SSD市場，2014年收購LSI快閃記憶體業務；2020年公司HAMR技術開始商業化，HDD容量大幅提升。2）從HDD產品發展歷史來看：1980年公司發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，為個人電腦提供了首個標準儲存解決方案，1981年發佈10MB版本ST-412，以此獲得IBM主要OEM供應商合同，後出貨量快速增長；1989年收購CDC旗下的儲存部門Imprimis Technology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1992年發佈全球首款7200RPM硬碟BarraCuda（酷魚），1996年發佈全球首款10000RPM硬碟Cheetah系列，鞏固其在企業級儲存領域地位；2003年發佈Momentus系列硬碟，重回筆記本硬碟領域；2005年收購Maxtor，整合其消費級產品線FreeAgent等，擴大消費級市場份額；2011年收購三星旗下硬碟業務，進一步提升市場份額；2020年HAMR技術開始商業化，2022年推出基於HAMR技術的Exos M系列硬碟，2025年推動第二代HAMR技術開發，目標容量提升到30TB以上。圖14：通過HAMR技術，希捷產品容量持續提升圖15：希捷科技收入結構（FY2025）八、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：鎧俠鎧俠：全球NAND快閃記憶體領先企業。鎧俠主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，覆蓋企業儲存產品、個人消費儲存產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，2025H1公司SSD&儲存、智能裝置、其他業務收入佔比分別為53%、31%、16%，SSD&儲存業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2三星、海力士、鎧俠、美光、SanDisk佔比分別為34.0%、22.0%、13.9%、13.9%、12.1%，鎧俠僅次於三星、海力士；從全球SSD市場來看，25Q2三星、Solidigm、SanDisk、美光、鎧俠市佔率分別為28.7%、12.6%、11.8%、11.2%、8.1%，全球市佔率第五名。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1987年東芝公司發明NAND快閃記憶體，2017年鎧俠前身東芝儲存器集團從東芝公司剝離，2019年公司改名為鎧俠；2）從NAND產品發展歷史來看：1987年公司發明NAND快閃記憶體，1991年發佈全球首個4MB NAND快閃記憶體（全球第一個商業化NAND產品），2001年鎧俠和SanDisk聯合開發，推出首款1GB MLC NAND產品（首次在NAND中使用MLC技術，實現每單元儲存2位資料），2007年率先發佈三維(3D)快閃記憶體層疊技術，2014年發佈全球首款15nm工藝NAND產品，2015年發佈全球首款256GB（48層）TLC BICS FLASH，實現了3D NAND技術的商業化突破，2019年全球首次實現量產96層QLC 3D NAND產品，後續堆疊層數、容量持續提升；3）從SSD產品發展歷史來看：2001年發佈首個PATA SSD，2007年發佈第一代SATA介面SSD（128GB），2010年首款SAS SLC企業級SSD發佈，2012年發佈首款SAS MLC企業級SSD+QSBC技術（錯誤矯正技術），2016年面向消費級市場推出SATA介面TLC SSD產品，2018年發佈全球首款採購96層BiCS4 FLASH的NVMe SSD。圖16：鎧俠產品發展圖17：鎧俠收入結構（2025H1）(AI雲原生智能算力架構)

在科技浪潮奔湧的當下，全球儲存市場早已形成了涇渭分明的競爭版圖——三星、SK海力士、美光三大巨頭宛如鼎立的行業巨擘，牢牢把控著儲存行業命脈。根據TrendForce集邦諮詢資料披露，2025年第一季度資料顯示，SK海力士以36%的DRAM營收份額位居榜首，三星（33.7%）與美光（24.3%）緊隨其後，三家合計佔據全球DRAM市場94%的份額。在NAND快閃記憶體領域，三星以31.9%的市佔率領跑，SK海力士（含Solidigm）以16.6%位列第二，美光、鎧俠和閃迪則分別佔據15.4%、14.6%和12.9%的市場份額。三星電子以“儲存帝國”之姿長期霸榜，在NAND快閃記憶體與DRAM領域展開其全產業鏈佈局。憑藉垂直整合優勢與持續的研發投入，三星不僅能快速響應消費電子市場的多變需求，更在企業級儲存解決方案中佔據標竿地位，穩坐全球儲存市場頭把交椅。不過已連續30多年牢牢佔據著DRAM行業第一寶座的三星，今年第一季度被擠到第二位，SK海力士取而代之。SK海力士則另闢蹊徑，在HBM這一高性能計算的“戰略要地”率先突圍。隨著AI算力需求呈指數級爆發，這家韓國企業憑藉領先近兩代的製程工藝與穩定的產能輸出，在HBM市場佔據近七成份額，成為輝達等AI巨頭的核心合作夥伴，書寫著儲存細分領域的逆襲傳奇；美光科技則以穩健的技術迭代與多元化產品矩陣緊追不捨，其產品覆蓋從傳統儲存到先進 3D XPoint技術，在PC、智慧型手機、資料中心等主流市場保持著強勁的議價能力。然而，當我們將目光投向這看似堅不可摧的“鐵三角”背後，那些曾在儲存歷史長河中閃耀的名字正訴說著行業的滄桑變遷。英特爾作為半導體領域的老牌霸主，早年曾與美光攜手開創快閃記憶體時代，卻因戰略重心向CPU傾斜，在2025年徹底剝離NAND業務，黯然退出儲存主戰場。而日本儲存產業的興衰更堪稱行業教科書——上世紀80年代，東芝、日立等企業曾佔據全球DRAM市場半壁江山，卻因錯失3D堆疊技術先機與成本控制失利，最終在世紀之交的價格戰中全線潰敗，如今僅存的鎧俠（原東芝儲存）也只能在細分市場艱難求生。儲存市場，輸家聯盟再出發這些消逝的行業參與者，恰似儲存市場的“前朝遺珠”，既見證了技術變革的殘酷淘汰，也為當下三大巨頭的崛起提供了借鑑。當我們深入剖析當前儲存市場格局的形成軌跡，不難發現：在全球化競爭的歷史處理程序中，這裡既有技術創新的驅動，也有戰略抉擇的博弈和產業政策的深層影響。而那些隱匿在巨頭陰影中的歷史註腳，正在洞察過儲存產業興衰密碼的背後，再次躍躍欲試。當儲存市場的產業格局看似牢不可破時，一場由技術顛覆與戰略重組引發的暗戰正在悄然上演。近日，曾因戰略重心轉移而退出儲存主戰場的英特爾，與急於在AI時代重建半導體話語權的軟銀集團攜手成立合資公司Saimemory，以“低功耗儲存革命者”的姿態重新殺入賽道。這場被業界稱為“技術輸家聯盟”的合作，實則暗藏著對未來儲存生態的深度佈局。首先，我們先來回顧一下英特爾和日本在儲存產業的發展歷程和興衰始末。英特爾儲存業務：從技術先驅到戰略轉型的縮影相信熟悉英特爾的朋友都不陌生，英特爾以儲存技術起家。1970年，英特爾推出全球首款1K DRAM晶片1103，徹底顛覆磁芯儲存器的統治地位。憑藉雙軌研發策略（CMOS與雙極型技術平行）和IDM營運模式，英特爾在70年代一度佔據DRAM市場90%份額。1973年，英特爾推出的2102 SRAM更將儲存密度提升至1K，銷售額突破6600萬美元。這一時期，英特爾通過技術迭代和規模化生產，成為全球儲存晶片的標竿企業。來到1980年代，此時日本企業通過VLSI國家項目實現技術突破，NEC、東芝等廠商憑藉高良率和低價策略（64K DRAM價格一年暴跌90%）迅速搶佔市場。1981年日本在16K DRAM市場佔比達40%，1985年64K時代更升至56%，而此時的英特爾因成本劣勢陷入巨額虧損。兵敗如山倒，1985年英特爾宣佈退出DRAM市場，轉向CPU領域，這一決策被《經濟學人》稱為“半導體史上最重大的戰略轉向”。直到1988年，英特爾與美光成立合資公司IM Flash，開發NAND快閃記憶體技術，開啟快閃記憶體時代的二次探索。經過多年發展，2007年英特爾推出25奈米NAND，單個晶片容量達8GB，推動SSD普及。2015年與美光聯合發佈3D XPoint技術，品牌化為“傲騰”（Optane），宣稱性能是傳統NAND的1000倍。但好景不長，英特爾迎來商業化困境，傲騰因成本過高、生態適配不足等原因，未能打開市場。2019年第三季度儲存部門營收雖增長19%，但持續虧損導致2021年將NAND業務以90億美元出售給SK海力士，成立Solidigm，徹底退出快閃記憶體市場。傲騰也最終於2024年停產，成為技術領先但商業化失敗的典型案例。今年3月，英特爾完成了與 SK海力士的最後一筆交易，將其NAND快閃記憶體業務全面移交給SK海力士，包括智慧財產權和員工。這宣告著英特爾在2025年徹底退出了NAND業務。除了儲存業務的失敗，英特爾近年來也處於多業務受挫與戰略調整、轉型的陣痛之中。一方面，AI晶片市場持續失位，技術路線選擇與市場需求嚴重脫節；另一方面，付以眾望的晶圓代工業務同樣舉步維艱，英特爾代工服務（IFS）自2021年啟動以來，持續面臨技術延遲與客戶信任雙重危機，2024年虧損高達134億美元。此外，為緩解現金流壓力，英特爾近年加速剝離、減持Altera和Mobileye等非核心資產。這些舉措雖帶來一些現金流，但卻也暴露出其“收縮戰線”的無奈——2024年淨虧損達188億美元，創歷史新高，進而引發公司大規模裁員與企業文化危機。能看到，在多重戰略失誤下，英特爾正在經歷業務全面承壓，技術路線與生態建構的雙重困境。日本儲存產業：從巔峰到衰落的啟示錄日本儲存產業的崛起始於1970年代，其核心驅動力是國家戰略與技術整合。上文提到，1975年日本啟動VLSI項目，整合富士通、日立等五大企業，攻克光刻、刻蝕等核心技術，獲得1000多項專利，使日本在1980年代掌握全球70%的DRAM產能。當時，日本DRAM晶片的良品率比美國高30%，價格低60%。同時，日本企業聚焦全產業鏈模式，從設計到生產全流程把控，例如在清洗裝置領域通過液體材料的非標準化整合形成隱性知識壁壘等。根據1980年惠普研究顯示，美國最好企業的錯誤率是日本最差企業的6倍。1985年，日本在全球DRAM市場份額達80%，NEC、東芝、富士通等日企躋身全球半導體企業前五。但很快，備受打壓的美國開啟了反擊。1986年，《美日半導體協議》強制日本開放市場、限製出口價格，並對DRAM徵收100%關稅，協議要求美國半導體在日本市場份額達20%，貿易制裁直接削弱日本產品競爭力，導致其錯失了個人電腦市場的爆發期。1987年，美國以東芝向蘇聯出售精密機床為由，禁止其產品出口美國2-5年，進一步打擊了日本半導體產業。與此同時，隨著韓國與台灣廠商崛起，日本廠商逐漸被市場邊緣化。三星通過“逆周期投資”在價格低谷期擴產，1992年推出全球首款64M DRAM。2008年金融危機後徹底擊垮日本企業。日本企業則因過度依賴DRAM，錯失NAND快閃記憶體發展機遇，東芝雖在1984年發明快閃記憶體，但未及時商業化。另一個關鍵原因還在於，日本過於追求極致品質但忽視成本控制。例如，爾必達在2000年代仍堅持採用12英吋晶圓廠，而在市場景氣衰落時韓國已轉向14奈米製程，導致日本儲存晶片成本劣勢擴大。在多重打擊下，日本儲存產業節節衰退，隨之而來的是市場份額的崩塌。2012年爾必達破產被美光收購，標誌著日本DRAM產業徹底退出歷史舞台。2023年，日本半導體企業無一進入全球前十，DRAM市場份額不足1%。英特爾與日本儲存產業的興衰揭示了半導體行業的核心規律：技術路線決定生死：英特爾在DRAM時代因技術路線單一被日本超越，卻通過CPU生態重建霸權；日本因過度依賴DRAM的單一技術路線、錯失快閃記憶體機遇而衰落，卻在材料裝置領域保持優勢。政策與資本的關鍵作用：日本VLSI項目和韓國逆周期投資證明，國家戰略與資本投入能改變產業格局；而美日貿易制裁則凸顯地緣政治對技術競爭的深刻影響。生態系統的重要性：英特爾Optane的失敗與日本儲存產業的衰退，與其未能建構開放的技術生態密切相關，技術創新需與產業鏈協同、市場需求深度繫結，否則難以實現商業化突破。失意者惺惺相惜：軟銀的AI野心與英特爾的技術反哺當儲存巨頭三星、SK海力士、美光築起護城河時，兩個“失意者”正試圖背水一戰——曾因戰略失誤退出儲存市場的英特爾，與歷經DRAM霸權崩塌的日本儲存產業，通過英特爾與軟銀的合資公司Saimemory再度聯手，重新出發。眾所周知，目前大多數AI處理器皆使用HBM晶片，這類晶片非常適合暫存AI GPU所處理的大量資料資料，但由於HBM製程相對複雜、成本高昂，且容易過熱、耗電較多。與此同時，HBM領域還面臨SK海力士、三星、美光等儲存大廠近乎壟斷的地位。對此，英特爾與軟銀選擇另闢蹊徑——開發基於堆疊式DRAM的新型AI記憶體晶片。這種採用不同於HBM布線方式的創新設計，通過垂直堆疊多顆DRAM晶片並改進互連技術（如英特爾的EMIB橋接技術），最佳化連接方式，達到比現行先進儲存器儲存容量至少大一倍，在提升單晶片容量至512GB的同時，將功耗降低約50%，並大幅降低成本的目標。相較於HBM依賴矽通孔（TSV）技術的複雜工藝，Saimemory的方案更側重通過結構最佳化實現能效突破，預計量產成本僅為HBM的60%。同時，該技術路徑相容現有AI處理器介面，無需大規模硬體改造，降低客戶遷移成本。這一技術路線已獲得東京大學等機構的專利支援。據悉，這並非首次有半導體公司嘗試3D堆疊式DRAM技術。三星早在2024年便宣佈推出3D堆疊式DRAM，另一家公司NEO Semiconductor也正開發名為3D X-DRAM的新技術。然而，這些方案主要著眼於提升單一晶片的容量，目標為打造512GB的大容量儲存器模組。相較之下，Saimemory則聚焦於降低耗電量，這對電力需求年年攀升的AI資料中心來說，無疑是迫切的新解法。投資方面，軟銀此次注資30億日元成為最大股東，降低英特爾研發風險，同時借助日本政府補貼（預計超50億日元）分攤成本。據瞭解，Saimemory的目標是2027年前完成原型設計並評估量產可行性，力拚2030年前實現商業化。根據合作協議，若這項技術成功，軟銀將優先獲得Saimemory產品供應，用於其正在籌建的AI訓練資料中心，目標是以更低成本建構高性能計算叢集。目前全球僅有三星、SK海力士與美光三家公司能生產最新一代HBM晶片。由於AI晶片需求旺盛，HBM供應持續吃緊，Saimemory希望借由這項替代產品，搶攻日本資料中心的市場。對於英特爾而言，這既是其“IDM 2.0”戰略的延伸，也是技術資源的二次啟動：通過開放晶片堆疊、封裝等核心技術，英特爾試圖在儲存領域重建生態影響力，而非單純依賴自有製造能力。值得關注的是，該項目還獲得東京大學、日本理化學研究所等機構的技術支援，暗含日本政府推動本土半導體復興的深層訴求。這也是日本20多年來首度力圖重返儲存器晶片主要供應國之列。總體來看，此次合作瞄準AI資料中心的低功耗儲存需求，以堆疊式DRAM技術繞開HBM專利壁壘，依託日本政策補貼與軟銀算力需求，試圖在2030年前撕開市場缺口。這場“輸家聯盟”的破局之戰，既是技術路線的背水一戰，更是全球儲存格局重構的關鍵變數。攪動儲存格局的變數與隱憂進一步講，這場合作更深遠的影響在於，它標誌著儲存市場競爭維度的升級——從單純的製程競賽轉向架構創新與生態整合。當三星、SK海力士在HBM賽道你追我趕時，英特爾與軟銀的“低功耗替代方案”或許正在開闢第二戰場。正如行業專家向筆者強調：“在AI算力需求呈指數級增長的今天，任何能夠顯著降低能耗、提升資料處理效率的技術，都可能重塑市場格局。”而這場技術博弈的最終結果，或將決定下一個十年儲存產業的權力版圖。尤其是英特爾和日本企業這兩位曾經的“儲存先驅”入局，更意味著這或許不僅是頂級玩家之間的一場技術競賽，更可能引發未來幾年記憶體領域的供應鏈大洗牌。AI時代對記憶體的需求只增不減，而HBM的壟斷格局正等待被打破。Saimemory可能是這場變革中的“黑馬”，將對儲存巨頭從技術路徑、市場份額和產業生態等三個維度，帶來結構性挑戰。技術路徑分流，重構AI儲存競爭邏輯：Saimemory開發的堆疊式DRAM通過架構創新實現功耗降低40%-50%的核心突破，這直接切中AI資料中心電力成本高企的痛點。尤其是在2024年HBM價格上漲超50%，2025年仍供不應求的情況下。儘管其頻寬性能尚未明確超越HBM，但在邊緣計算、中小型AI伺服器等對功耗敏感的場景中，可能形成差異化競爭力。這種技術路線分流可能迫使三大巨頭在維持HBM性能優勢的同時，加速研發低功耗替代方案——三星已在2025年宣佈開發3D DRAM，但重點仍在容量提升；SK海力士則通過與台積電合作HBM4封裝技術強化性能壁壘。儲存市場份額博弈：Saimemory的戰略支點之一是幫助日本搶佔資料中心市場。日本政府不僅通過高校和研究院所提供技術支援，還可能通過政策傾斜幫助其打開本土市場。這對三星、SK海力士構成雙重壓力：一方面，日本曾是全球DRAM核心市場，若Saimemory實現國產化替代，可能導致韓企在亞太地區的份額下滑；另一方面，軟銀作為投資者優先獲得供應權，可能推動日本雲服務商調整採購策略，減少對韓系HBM的依賴。當前，三星、SK海力士在日本HBM市場的份額超過80%，Saimemory若能在2030年前實現量產，預計將分流市場需求。繞開HBM專利壁壘，產業生態重構：英特爾的技術開放策略可能打破現有專利壟斷格局。Saimemory整合了英特爾的EMIB封裝技術和東京大學的儲存架構專利，形成繞過HBM核心專利的技術組合。儘管三星、SK海力士持有HBM相關專利超4000項，但Saimemory的堆疊式DRAM通過布線方式創新，可能在部分應用場景中規避侵權風險。不過，英特爾與日本儲存產業的復興之路仍充滿挑戰。儘管Saimemory計畫在2030年前實現商業化，但其技術可行性與市場接受度仍存懸念。當前HBM市場正處於爆發期，SK海力士已宣佈2025年HBM產能將翻倍至54萬顆/月，三星也加速推進HBM4量產。Saimemory若想在AI儲存市場分一杯羹，需在性能指標上達到或接近HBM水平，同時證明其成本優勢。此外，代工模式的產能穩定性、專利壁壘（HBM相關專利多被三星、SK海力士掌握）以及巨頭的技術壓制，都可能成為項目落地的“攔路虎”。例如，代工模式雖能降低初期投資，但產能穩定性和良率控制存疑——SK海力士已通過與台積電合作HBM4封裝鎖定產能優勢，而三星憑藉IDM模式可快速調整產線，將HBM良率提升至90%以上。而Saimemory依賴台積電代工，若無法在2030年前將良率穩定在90%以上，量產成本可能難以低於HBM的70%。與此同時，三大巨頭還可能通過價格戰擠壓Saimemory的生存空間——2025年HBM3E價格已同比下降18%，對Saimemory成本進一步造成衝擊。此外，與現有AI處理器的相容性適配尚未完全驗證，需與輝達、AMD等晶片廠商深度協同。在產業鏈協同方面，Saimemory需建構從材料到裝置的完整生態。但相比之下，三大巨頭的生態壁壘更為堅固：三星與AMD深度繫結CXL技術，SK海力士通過CoWoS封裝與台積電形成產能協同，美光則與輝達簽訂長期供應協議。若Saimemory無法在2030年前建立類似的生態聯盟，也可能難以突破技術孤島困境。在這個過程中，各大儲存巨頭還在不斷通過產能擴張應對需求，可能擠壓Saimemory的市場空間。寫在最後這場遲來的戰略突圍，既是技術路線的博弈，更是全球產業鏈權力重構的縮影。這場博弈的最終結果將取決於技術落地速度與市場接受度，Saimemory的競爭力呈現“細分市場破局潛力大，但主流市場替代難度高”的特點。若Saimemory能在2030年前實現商業化，可能在AI儲存市場中開闢出10%-15%的“低功耗細分市場”，並推動儲存技術從單一性能競賽轉向“性能-功耗-成本”多維競爭。然而，面對三星、SK 海力士、美光等巨頭的技術迭代壁壘與生態封鎖，這場“輸家聯盟”的突圍能否打破“強者恆強”的產業鐵律？當技術理想照進商業現實，當區域政策對接全球需求，Saimemory的每一步試探，都在改寫儲存產業的可能性邊界。而屬於這場博弈的最終註腳，或許藏在2030年的量產資料裡，在巨頭們的應對策略中，更在技術與市場永恆互動的留白處，靜待時間揭曉答案。*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。 (半導體行業觀察)