半導體儲存器泡沫是否已至？昨夜今晨，美股半導體、儲存類股重挫，引發日韓科技電子股低開大跌，還掀起全球軟體股拋售潮，間接壓制中概科技股。美股風格輪動延續，科技權重回呼致納指連續兩日跌超 1%，標普 500 收跌但超七成成分股上漲。連續兩日下跌後，納指也跌破了100日均線。1、美股儲存、半導體類股核心表現美股儲存類股 “儲存四巨頭” 集體下跌，閃迪跌 15.95%，美光科技跌 9.55%；西部資料跌超8%；希捷科技跌超5%。美股半導體類股深夜重挫，AI 算力晶片公司 AMD 發佈業績後暴跌 17.31%，為核心下跌標的；半導體相關科技巨頭表現疲軟，台積電跌 2.98%、博通盤中跌 3.83%，但博通因 Alphabet 超預期資本支出（用於 TPU 生產），盤後漲超 5%。英特爾下跌1.32%，陳立武官宣加大AI GPU研發！2、日韓半導體類股聯動下跌日股科技電子股大跌，軟銀集團跌超 4%（受子公司 Arm Holdings 隔夜下跌拖累），日本電氣跌近 5%，愛德萬測試跌 4%；韓股半導體巨頭成下跌主力，SK 海力士跌 4.89%，三星電子跌超 3.6%，拖累韓國 KOSPI 指數跌近 2%。(芯榜+)

半導體儲存器DRAM指標產品2025年11～12月的大宗交易價格與9月相比上漲了4成，與2024年12月相比漲幅超過3倍。由於AI投資競爭持續升溫，大型企業優先向AI用途供貨，而PC等民生領域的產品供應不足，部分終端產品面臨漲價……DRAM的大型企業優先向AI用途供貨（reuters）半導體儲存器DRAM的價格進一步上漲。指標產品2025年11～12月的大宗交易價格與在9月的上一輪談判達成的價格相比上漲了4成。全球大型企業優先向資料中心的人工智慧（AI）伺服器供貨，用於個人電腦（PC）等民生領域的指標產品供應不足。需求方難以確保所需數量。DRAM被安裝於PC、智慧型手機和資料中心的伺服器裝置等，用於資料的臨時儲存。大宗交易價格由作為賣方的儲存器廠商、與作為買方的裝置廠商和模組製造商按月或按季度協商確定。由於供不應求，2025年10月出現了無法形成大宗交易價格的罕見事態。雖然11～12月確定了價格，但“未能採購到希望的數量”（電子商社的高管）。也有人指出，DDR5及上代產品DDR3在2025年10～12月分別比前一季度上漲了4成～2倍，以及2～4倍。另一家商社的負責人表示：“波及指標品以外的空前的半導體儲存器泡沫已經到來”。從2025年11～12月的大宗交易價格來看，作為指標的DDR4 8GB以6.36美元左右達成協議。容量較小的4GB也定在4.84美元左右。均比9月高出4成，與2024年12月相比漲幅超過3倍。以超大規模雲服務商(Hyperscaler)為中心，AI的投資競爭持續升溫。韓國的三星電子、SK海力士、美國的美光科技等3大DRAM廠商將生產轉向面向AI的產品。這些廠商在停止和縮減DDR4生產的同時，正在加強下一代產品DDR5和用於AI伺服器的“高頻寬儲存器（HBM）” 的生產。從DDR4來看，在3大廠商停產後，主要由台灣的南亞科技等公司供應，但尚未完全滿足需求。由於DRAM價格上漲，部分終端產品不得不漲價。DRAM根據品種不同，用途也不同，DDR4和DDR5用於PC等。除了Mouse Computer（東京千代田區）從1月開始陸續提高產品價格之外，日本惠普的社長岡戶伸樹也表示：“本公司產品受到DRAM價格上漲的影響”，對於今後發售的新產品稱：“存在價格上漲的可能性”。美國調查公司IDC預測稱，在悲觀的情景下，2026年PC的供貨量將比上年減少8.9%。也有市場相關人士指出，使用低功耗產品LPDDR的智慧型手機“在低價機型上明顯受到DRAM價格上漲的影響”（美國調查公司Omdia的高級諮詢總監南川明）。AI市場的擴大也正在對身邊產品的供給和價格產生影響。 (日經中文網)

2025年，美光成為了半導體行業關注度最高的公司之一。他們也成為儲存晶片市場最大黑馬。這家曾在 HBM 賽道上明顯落後的儲存廠商，市值在數月內上漲超過 40%。2025 財年第四季度，美光實現淨利潤 32 億美元，淨利潤率達到 28.3%，這是其自 2017—2019 年伺服器記憶體景氣周期以來的最佳表現。更具標誌性的是，美光正式躋身輝達 H200 GPU 的 HBM3E 記憶體供應鏈，其 HBM 業務早已進入高速增長通道。而時間撥回三年前，HBM 市場的主角仍是 SK 海力士與三星：兩者在代際演進和客戶繫結上持續推進，而美光的市場份額一度下滑至約 10%，在關鍵技術節點上落後競爭對手整整一代，存在感近乎消失。這場戲劇性的逆轉背後，是一個關於誤判、掙扎、轉型與重新定位的故事。HMC的失利要理解美光在HBM早期的掉隊，需要回到2011年那個充滿雄心的起點。那一年，美光技術專家Thomas Pawlowski在Hot Chips上發佈了HMC（混合記憶體立方體）技術方案，直指JEDEC標準制定機制的低效——“最低公分母”式的妥協導致DRAM頻寬革新步履維艱。HMC採用全新的高速SERDES資料鏈路架構，第一代原型即實現160 GBps總吞吐量，能效比下一代DDR4高出約3倍。這是一次技術上頗為超前的嘗試。美光試圖繞開JEDEC的標準化流程，建立自己主導的HMCC聯盟，用封閉生態取代開放標準。但問題在於，HMC的領先優勢只有一到兩年，而成本卻高得驚人——即便美光從未公開具體價格，但業內共識是其遠超同樣昂貴的HBM。更致命的是時機判斷。2013年AMD和海力士聯合推出HBM時，這項技術迅速被納入JEDEC標準體系，獲得了GPU生態的全面支援。輝達和AMD先後採用HBM作為顯示卡記憶體，而HMC除了少數天文學項目、超級電腦和英特爾定製版Xeon Phi協處理器外，幾乎沒有大規模商業化應用。美光在HMC上投入了整整七年。2018年8月，當公司正式宣佈放棄HMC、轉向HBM時，韓國雙雄已經開始佈局HBM2E，而美光甚至連第二代HBM都尚未量產。這場技術路線的豪賭，讓美光在AI算力爆發前夜錯失了關鍵窗口期。但HMC的失敗並非單純的技術選擇錯誤。更深層的問題在於，美光對HBM戰略地位的判斷出現了根本性偏差——公司長期將其視為補充性高端產品，而非決定DRAM產業結構的關鍵變數。這種認知滯後，導致美光在先進封裝協同、與GPU/加速器廠商的聯合驗證，以及定製化產品響應速度上全面落後。2020年3月，當美光的HBM2姍姍來遲時，市場格局已基本定型：SK海力士佔據50%份額，三星佔據40%，留給美光的只有10%的殘羹冷炙。這不僅是市場份額的差距，更是在AI訓練算力基礎設施中話語權的缺失。HBM3E的轉折真正的轉折發生在HBM3E階段，這次轉折的標誌不僅是產品本身，更是美光內部完成的一次明確戰略校準。前期失利帶來的痛苦反思，迫使美光重新定義HBM在公司戰略中的位置——它不再是邊緣產品，而是與製程節點、資本開支和客戶結構強繫結的核心方向。這種認知轉變帶來的第一個決策，就是直接跳過HBM3代際，全力研發HBM3E。2023年9月，美光宣佈推出HBM3 Gen2（即HBM3E），這是一次高風險的技術跨越。跳代開發意味著美光必須在更短時間內解決堆疊良率、功耗控制和頻寬最佳化等一系列複雜問題，同時還要與輝達等頭部客戶建立深度協同設計機制。這場豪賭的回報在2024年顯現。美光成為輝達H200 GPU的HBM3E供應商，這不僅是訂單本身的價值，更意味著美光重新獲得了進入AI訓練核心生態的入場券。與此前HBM2時代被動等待客戶驗證不同，美光在HBM3E階段顯著加快了產品響應節奏，在功耗、頻寬和堆疊可靠性上對標甚至局部超越主流方案。2025財年第四季度，美光HBM記憶體銷售額接近20億美元，環比增長17.7%，同比增長3.78倍。更重要的是，公司預計到2026財年第三季度，其HBM市場份額將達到約20%，與整體DRAM市場份額持平——這意味著美光正在將其在通用DRAM領域的競爭力複製到HBM賽道。但HBM3E的意義不止於此。這一代產品的成功，標誌著美光在技術判斷、客戶協同和產能調配上形成了新的能力閉環。公司將常規DRAM產能轉向1γ製程後，釋放出1β製程產能專門生產HBM堆疊DRAM——這種精細化的產能管理，既保證了HBM良率的穩定性（採用相對成熟的製程技術），又避免了新製程低良率對高成本堆疊產品的致命打擊。更值得關注的是美光在HBM4佈局上的策略轉變。與HBM3階段的跳代不同，這次美光選擇同時佈局HBM4和後續的HBM4E產品，引腳速度提升至11 Gb/s，單堆疊總頻寬達2.8 TB/s。首席執行長Sanjay Mehrotra公開表示，這將是市面上速度最快的HBM4記憶體。而在HBM4E階段，美光更進一步提供定製化基底裸片，支援記憶體子系統的部分計算功能——這宣告了美光正在學習SK海力士，加速向系統級能力滲透。從賣記憶體到參與系統架構如果說HBM3E是美光重返主賽道的敲門磚，那麼SOCAMM（Socket Capable Advanced Memory Module）等新型記憶體形態的佈局，則反映出了其在產品形態和參與方式上的變化。相較於傳統標準化記憶體，美光正在更多介入面向 AI 模組與系統層級的記憶體方案設計。SOCAMM 並非單一器件層面的創新，而是一種面向 AI 伺服器與 PC 的模組化記憶體標準。該方案基於 1c DRAM 製程，重點最佳化能效表現，其頻寬水平低於 HBM，但在功耗和成本方面更具優勢。當前，輝達、Google、OpenAI 以及亞馬遜 AWS 等公司正在開發整合大量通用 DRAM 的定製化 AI 加速器與計算平台。隨著 AI 應用由訓練向推理階段擴展，對高能效、可規模部署的通用 DRAM 需求正在提升，SOCAMM 與這一技術方向具有較高匹配度。在具體合作層面，美光是輝達 Grace CPU 的 LPDDR5 記憶體供應商，並預計將繼續為下一代基於 Arm 架構的處理器平台提供板載記憶體支援。這類合作模式使美光能夠在產品定義階段參與系統設計，對記憶體形態、功耗預算和封裝方式進行協同規劃，而不再僅限於後期供貨。與此同時，美光與客戶之間的技術協作方式也在發生變化。在 HBM 早期階段，記憶體廠商主要依據 GPU 或加速器廠商提出的規格進行產品開發；而在 SOCAMM、CXL 記憶體等新方向上，記憶體廠商與系統廠商更多採用聯合定義的方式，共同確定介面形式、性能目標及應用場景。這種協作機制提升了記憶體在系統層級中的適配度。這種系統級協同能力的積累，也對美光在 HBM 領域形成支撐作用。當公司能夠同時提供 HBM、LPDDR5、SOCAMM 等多種記憶體方案，並參與異構計算架構的整體設計時，其在技術溝通和產品組合上的靈活性隨之提高。這一背景下，美光在 HBM3E 階段獲得主要 AI 客戶的採用，更符合長期技術協作逐步深化的結果，而非單一產品節點的偶然突破。製程、產能與業務收縮技術路線的調整需要資源支撐，美光再推進技術的同時的，近兩年也在通過製程、產能與資本配置，來為其 HBM 戰略提供源源不斷的“子彈”。在製程層面，美光持續推進 1γ 節點的研發與匯入。該節點的應用有助於提升 DRAM 的能效和良率，並為後續 HBM4 及更高代際產品提供工藝基礎。同時，美光將部分常規 DRAM 產能遷移至 1γ 製程，將 1β 製程產能更集中地用於 HBM 生產，通過區分不同製程節點的應用場景，實現對規模化產品與高複雜度堆疊產品的平行支援。在產能佈局上，美光正進行跨區域的產能重組。公司在美國愛達荷州、紐約州，日本廣島，以及台灣等地推進晶圓廠的新建或擴建計畫。其中，愛達荷 ID1 晶圓廠預計於 2027 年上半年投產，台灣 A5 工廠則側重於 HBM 相關的後段堆疊能力。此外，近期美光宣佈收購力積電位於台灣的晶圓廠資產，該舉措使其在當地直接獲得成熟的 300mm DRAM 製造能力，縮短了新增產能的爬坡周期，也降低了在 HBM 相關產品上對外部代工資源的依賴。資本支出方面，美光 2025 財年資本開支為 138 億美元，2026 財年預計提升至約 180 億美元，投入強度已接近晶圓代工廠水平。與此同時，美光對業務結構進行了系統性調整。自 2025 年起，公司陸續終止移動 NAND 產品開發、縮減消費級品牌業務，並逐步退出 DDR4 等成熟產品線，將研發和製造資源進一步集中於資料中心相關儲存產品。這一調整反映出其對未來需求結構的判斷，即資料中心將成為中長期內最具確定性的需求來源。從財務表現看，不同業務線之間的盈利能力差異明顯。2025 年上半年，美光資料中心儲存產品的毛利率約為 42%，而消費級儲存產品毛利率約為 14%。在此背景下，美光對產線用途進行了重新分配，例如在博伊西晶圓廠將原本面向消費級產品的多條生產線改造為 HBM 和資料中心用 DRAM 產線，以支援與主要 AI 客戶簽訂的長期供貨協議。與三星和 SK 海力士相比，美光在業務聚焦上的力度更為集中。前兩者仍保留一定規模的消費級儲存業務，以平衡周期波動；而美光則選擇進一步收縮低利潤領域，將資本開支與工程資源集中於 HBM 和資料中心 DRAM。這種策略在一定程度上提高了對單一市場景氣度的敏感性，但在當前 AI 驅動的需求環境下，已對其營收結構和盈利能力產生了直接影響。從追趕者到競爭者隨著 HBM 產業由 HBM3E 向 HBM4 過渡，美光的地位也在悄然發生變化。目前，SK 海力士仍以約 60% 的市場份額處於領先位置，其優勢來自較早進入 HBM 量產階段、較高的良率水平以及與輝達等頭部客戶形成的穩定供貨關係；三星電子則因在 1c DRAM 製程上的推進不及預期，HBM 市場份額自 2024 年以來明顯下滑。在此過程中，美光的市場地位發生了顯著變化，其 HBM 份額已由此前的個位數提升至約 20% 左右，成為當前 HBM 市場中增速最快的廠商之一。多家投行預計，2025 年 SK 海力士、三星和美光在 HBM 市場的份額結構將逐步穩定在約 5:2:2 的區間，美光份額有望達到 18%–21%。與 2022 年約 10% 的水平相比，其在高端儲存市場中的存在感明顯提升。美光也在財報中多次強調，HBM 已成為其資料中心業務中增長最快的產品線之一，並預計在 2025 財年貢獻數十億美元等級的收入。不過，與市場份額提升平行的，是產能約束帶來的現實限制。當前，美光在 HBM 相關 TSV 工藝和晶圓加工能力上，仍明顯落後於韓國廠商。公開資料顯示，其月度 HBM 晶圓級產能約為 5–6 萬片，而三星和 SK 海力士分別在 15–16 萬片區間。這一差距意味著，美光即便在技術和客戶認證層面取得突破，短期內也難以通過放量迅速改寫整體市場結構。為解決這一瓶頸，美光正在對產能結構進行系統性調整。一方面，公司加快在日本廣島推進新一代 HBM 晶圓廠建設，計畫在 2026 年前後形成新增產能；另一方面，現有 DRAM 產線正逐步向 HBM 和資料中心用 DRAM 傾斜。按照規劃，到 2026 年底，美光 HBM 相關產能有望提升至約 10 萬片/月，新增產能增幅高於同期 DRAM 總體產能的增長幅度，顯示出公司在資源配置上的明確取向。與 SK 海力士的穩定擴張路徑相比，美光的節奏更具階段性特徵。前者通過成熟製程和長期供貨協議鎖定了 2026 年前後的需求可見性；三星則仍在 1c DRAM 良率、HBM4 客戶認證之間進行調整。而美光的戰略重心，已由“是否具備 HBM 能力”轉向“如何在有限產能下提升高端產品佔比，並為下一代產品預留擴張空間”。綜合來看，美光已完成從 HBM 市場邊緣參與者向有效競爭者的轉變，其在 HBM3E 節點切入主流 AI 平台，標誌著其技術路線和客戶策略開始發揮實際效果。但在 HBM4 周期中，美光能否進一步提升份額，仍取決於三個關鍵變數：一是 HBM4 產品的量產進度和性能驗證結果，二是新增產能的落地節奏，三是與頭部 AI 客戶在長期供貨層面的持續繫結程度。這些因素，將共同決定其在下一階段 HBM 競爭中的上限。巔峰還是新起點？我們回到最初的問題：美光是否重返巔峰？如果將“巔峰”定義為市場份額第一、技術絕對領先，那麼答案顯然是否定的。SK海力士和三星在HBM領域的先發優勢、客戶繫結深度以及產能規模，仍然是美光短期內難以踰越的壁壘。美光2025財年的財務表現雖然亮眼，但這更多是AI熱潮下整個儲存行業的紅利，而非美光單獨的結構性優勢。但如果將“巔峰”理解為重新確立關鍵競爭者的位置、建立可持續的技術與市場競爭力，那麼美光確實正在經歷一次深刻的戰略重生。從HMC的慘痛失敗到HBM3E的成功突圍，從被動追隨到主動參與系統架構設計，從泛化的產品組合到激進的業務聚焦，美光在過去五年完成的不僅是技術補課，更是對自身在AI時代儲存產業中角色的重新定義。美光當前的位置，或許更像是一個新的起點，而非傳統意義上的巔峰迴歸。它已經證明了自己有能力在技術路線失誤後實現戰略校準，有決心通過激進的資源騰挪聚焦核心賽道，有實力在HBM等關鍵領域重新獲得競爭資格。但要真正站上行業之巔，美光還需要在技術持續迭代、生態話語權建構、產能規模化擴張等維度，完成更長期的積累。巔峰或許還很遙遠，但至少，美光已經重新回到了通往巔峰的道路上。 (半導體行業觀察)

Future Horizons 認為，全球半導體行業未來一年將面臨高度不確定性，預計2026 年市場增長率將在正負 12% 左右。該研究公司最新發佈的市場報告指出，2025年22%的增長率過於集中，並不代表整個行業的全面復甦。Future Horizons 表示，如果人工智慧基礎設施需求疲軟，智慧型手機和汽車等傳統市場未能反彈，半導體行業今年可能面臨急劇下滑。雪上加霜的是，關於晶片出貨量何時恢復、平均售價能否繼續上漲以及對傳統節點晶圓廠（尤其是在中國）的過度投資將如何影響市場等問題仍懸而未決。該研究公司將當前的AI熱潮與2020-2021年疫情引發的激增相比較，並警告稱，正如那輪周期戛然而止一樣，這一輪也可能如此。全球最大的晶片製造商台積電本周發表了更為樂觀的言論，稱人工智慧的繁榮是“真實的”，人工智慧驅動的需求“無論如何都將在未來很多年裡持續下去”。AI泡沫，可能在兩年內破裂目前強勁的半導體市場正受到人工智慧應用的推動。麥肯錫的一項調查顯示，到2025年，88%的企業將使用人工智慧，而2023年這一比例僅為55%。據Inc.com報導，在2025年第三季度財報電話會議上，標普500指數成分股公司中有306家提及了人工智慧，而三年前的2022年第三季度，提及人工智慧的公司僅有53家。世界半導體行業協會（WSTS）2025年12月的預測顯示，繼2024年增長20%之後，2025年半導體市場將增長22%，2026年將增長26%。這一增長主要由儲存器和邏輯器件兩大類別推動。儲存器預計在2025年增長28%，2026年增長39%；邏輯器件預計在2025年增長37%，2026年增長32%。剔除儲存器和邏輯器件類別後，半導體市場其他類別在2024年下降了3%，預計2025年僅增長6%。過去兩年，所有儲存器公司都將人工智慧（AI）視為其主要增長動力。最大的AI半導體公司輝達（Nvidia）在2024年的收入增長了114%，並預計2025年將增長63%。輝達的大部分AI半導體產品都屬於邏輯器件類別。人工智慧熱潮能持續多久？半導體市場又將走向何方？我們可以從以往半導體市場的泡沫中尋找線索。PC氣泡1981年IBM PC的問世引發了PC市場的繁榮。由於IBM為PC硬體和軟體樹立了標準，企業紛紛放心投資PC。1983年PC出貨量增長了85%，1984年增長了29%。PC的繁榮帶動了半導體市場的蓬勃發展，尤其是記憶體和英特爾微處理器。然而，PC的繁榮在1985年戛然而止，PC出貨量下降了11%。1985年的疲軟是由多種因素造成的。康柏、戴爾和惠普等廠商推出的IBM PC相容機擾亂了市場。此外，美國GDP增速也從1984年的7%放緩至1985年的4%。1985年個人電腦市場崩盤導致半導體市場下滑17%。記憶體銷量下降38%，英特爾營收下降16%。但這種下滑趨勢是短暫的。1986年，個人電腦出貨量增長22%，半導體銷量增長23%。1987年，記憶體和英特爾的營收恢復強勁增長。網際網路泡沫20世紀90年代，隨著大型企業建立網路連線，全球資訊網制定標準並實現瀏覽，網際網路的使用開始呈爆炸式增長。1995年和1996年，網際網路使用者數量幾乎每年翻一番。從1997年到2000年，使用者數量每年增長約50%。2001年，網際網路使用者增長率放緩至21%。網際網路的快速發展催生了眾多由風險投資推動的網際網路公司。到2000年初，利率上升以及大多數網際網路初創公司缺乏盈利能力導致投資大幅下滑。納斯達克100指數（該指數權重主要由網際網路公司構成）從2000年3月到2002年10月下跌了78%。許多網際網路公司的倒閉導致電信公司在網際網路基礎設施方面出現產能過剩。作為最大的網際網路基礎設施硬體供應商，思科的收入在1999年和2000年實現了超過50%的增長，但在2001年卻下降了23%。2001年，半導體市場下滑了32%，其中儲存器市場下滑了49%。半導體和儲存器市場在2003年恢復了兩位數的增長。人工智慧泡沫？下圖展示了個人電腦泡沫時期（藍線）、網際網路泡沫時期（紅線）以及當前人工智慧時期（綠線）半導體市場的變化。在個人電腦和網際網路泡沫時期，半導體市場經歷了兩年強勁增長，增速在19%至46%之間，隨後泡沫破裂，市場大幅下滑。在當前周期中，預計2024年半導體市場增速為20%，2025年為23%，2026年為26%。問題不在於人工智慧泡沫是否會破裂，而在於何時破裂。基本上，所有重大的新技術在最初幾年都會經歷一段強勁的增長期。許多新公司湧現出來，試圖利用這項新技術，這主要得益於風險投資基金的推動。最終，新技術的增長速度會放緩甚至下降。投資資金也隨之減少。支撐這項新技術的硬體公司的收入下降，導致半導體市場下滑。歷史經驗表明，人工智慧泡沫可能在未來一兩年內破裂。泡沫並非新技術的終結，而是一種調整。誠然，個人電腦和網際網路是重要的經濟驅動力，它們已經徹底改變了企業和消費者的生活方式。人工智慧也有望帶來重大變革。然而，這種變革能否順利實施，還有待觀察。 (半導體行業觀察)

一、全球儲存公司梳理：總覽（按市佔率）三星電子、海力士在DRAM、HBM、NAND、SSD等領域市佔率均較高，為全球儲存龍頭公司；其次為美光，產品矩陣全面，但市佔率略低於三星、海力士；SanDisk、鎧俠聚焦於NAND、SSD領域，西部資料、希捷科技聚焦於HDD領域；從地域來看，全球儲存公司主要集中在韓國、美國、中國（包括台灣）、日本。圖1：全球儲存公司總覽（25Q2各產品市佔率情況）二、全球儲存公司梳理：三星電子三星電子：全球NAND、DRAM領先企業。三星電子業務包括消費電子產品、儲存產品（NAND&DRAM等）、OLED手機面板以及Harman（音響產品）等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DX部門（TV、手機、空調等）、DS部門（DRAM、NAND、移動Aps等）、SDC（OLED手機面板）、Harman（智能座艙、汽車音響等）收入佔比分別為55%、33%、8%、4%，儲存業務為公司第二大業務，僅次於消費電子業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，三星電子市佔率為33.2%，全球第二；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率34.0%，全球第一；25Q2全球HBM市場，三星電子市佔率17.0%，全球第二；25Q2全球SSD市場三星電子市佔率為32.0%，全球第一，在消費級、企業級SSD均具備競爭優勢。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1969年成立，最初主要生產電子電器類產品，1874年通過收購韓國半導體進軍半導體業務；1983年開始發力DRAM領域，1984年研發成功64kDRAM；1988年公司在韓國推出第一部手機；1998年開發出第一款128MB Flash快閃記憶體，2004年公司研發出全球首款8GB NAND快閃記憶體，2005年開始進入晶圓代工行業，2011年出售HDD業務，專注發展儲存晶片，2016年收購Harman，強化自身在汽車晶片、車載娛樂領域優勢。2）從DRAM產品發展歷史來看：1984年研發成功64k DRAM，1996年首次提出DDR概念，1998年發佈全球第一個商用DDR晶片，2003年量產DDR2，2008年開始DDR3，2013年量產DDR4，2021年量產DDR5。3）從HBM產品發展歷史來看：2016年量產HBM2，2020年量產HBM2E，2023年量產HBM3，2024年量產HBM3E。4）從NAND產品發展歷史來看：1998年開發出第一款128NM Flash快閃記憶體，2013年開始進入3D V-NAND階段（24層），後堆疊層數持續增長，2024年第九代VNAND（300+層）量產。圖2：三星電子HBM產品lineup圖3：三星電子NAND產品發展圖4：三星電子SSD產品發展圖5：三星電子收入結構（25Q3）三、全球儲存公司梳理：海力士海力士：全球NAND、DRAM領先企業。海力士主要從事NAND、DRAM的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM、SSD等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND（包括SSD）、其他業務收入佔比分別為78%、20%、2%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，海力士市佔率為39.1%，全球第一；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率22.0%，全球第二；25Q2全球HBM市場，海力士市佔率67.0%，全球第一；25Q2全球SSD市場海力士市佔率為19.6%（包括Solidigm，收購的英特爾的NAND業務），其中海力士優勢在消費級SSD領域，市佔率為9.15%，全球第四，Solidigm 優勢在企業級SSD領域，市佔率23.18%，全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1983年成立，最初名為現代電子，以DRAM的生產製造為主；1998年收購LG半導體，2001年改名為海力士，2003年從現代集團完成剝離，2004年出售非儲存業務，將重心轉向半導體儲存；公司於2012年併入SK集團，改名為SK海力士；2021年SK海力士收購英特爾的NAND業務，成立了Solidigm；2023年開發並大規模生產全球最高規格的HBM3E。2）從DRAM產品發展歷史來看：1985年，公司256kb DRAM量產，整合LG半導體後於2001年推出128MB DDR SDRAM；2003年底512MB DDR2通過英特爾認證，2004年開始量產；2007年開發出業內首款DDR3並獲得英特爾認證；2011年成功研發2GB DDR4；2018年完成DDR5研發，2020年正式量產；2013年與AMD聯合開發全球首款HBM1，2017年發佈HBM2，2019年發佈HBM2E，2021年發佈HBM3，2023年量產HBM3E。3）從NAND產品發展歷史來看：2004年開始進軍快閃記憶體領域，開發了512MB NAND快閃記憶體，2014年正式進軍3D NAND領域，推出24層3D NAND晶片，2018年業內率先實現4D NAND商業化突破，發佈96層4D NAND快閃記憶體，2024年開始量產全球首款321層4D NAND快閃記憶體。圖6：海力士NAND產品發展圖7：海力士HBM產品發展四、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：美光美光：全球DRAM、NAND領先企業。美光主要從事DRAM、NAND的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND、其他業務收入佔比分別為76%、23%、1%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，美光市佔率為22.8%，全球第三；25Q2全球NAND市場，美光市佔率13.8%，全球第四；25Q2全球HBM市場，美光市佔率16.0%，全球第三；25Q2全球SSD市場美光市佔率為11.1%，全球第三。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1978年成立，以DRAM的生產製造為主，1981年量產64KB DRAM；1998年收購TI(德州儀器）全球儲存業務，躋身全球儲存前列；同年，併購Rendition，進入3D圖形晶片領域；1999年發佈產業內第一款DDR晶片；2002年美光收購日本東芝在美國的DRAM工廠，生產能力進一步提升；2005年美光與英特爾合資成立IM FlashTechnologies，開進發力NAND領域，2006年又收購了Lexar Media，進一步開拓消費級儲存卡和SSD市場；2009年收購奇夢達持有的華亞科技全部股份，2015年收購華亞科技全部股份，改名為台灣美光；2013年美光完成對爾必達的收購，改名為美光日本；2015年美光與英特爾聯合發佈3D NAND技術；2018年美光放棄HMC技術，開始轉向HBM產品的研發，2020年美光開始提供HBM2產品。2）從DRAM產品發展歷史來看：1981年，公司64KB DRAM量產，通過收購TI儲存業務、華亞科技、爾必達，DRAM產品能力持續提升；1991年推出DDR1，2003年推出DDR2，2007年推出DDR3，2014年推出DDR4，2020年推出DDR5；3）從HBM產品發展歷史來看：美光最初專注於HMC技術，2011年發佈第一代HMC，2018年放棄HMC，開始轉向HBM技術，2020年推出HBM2,後持續迭代；4）從NAND產品發展歷史來看：2005年通過和英特爾合資公司進軍快閃記憶體領域，2015年和英特爾聯合發佈3D NAND技術，2024年232層NAND已經大批次量產。圖8：美光發展歷史圖9：美光收入結構（FY2025）五、全球儲存公司梳理：SanDiskSanDisk：全球消費級NAND領先企業。SanDisk主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，在消費級儲存市場具有領先優勢。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，公司產品主要包括儲存卡、USB快閃記憶體驅動器、SSD，FY2025公司消費端、商業端、雲端產品收入佔比分別為56%、31%、13%。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2SanDisk市佔率為12.1%，全球市佔率第五；從全球SSD市場來看，25Q2SanDisk市佔率為11.8%，全球市佔率第三名；從消費級SSD市場，25Q2SanDisk市佔率分別為19.0%，市佔率全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1988年公司成立，1991年推出首款基於快閃記憶體的固態硬碟，2016年被西部資料收購，2025年西部資料剝離快閃記憶體業務，獨立上市；2）從NAND和SSD產品發展歷史來看：1991年SanDisk為IBM生產了首款基於快閃記憶體的SSD；1992年推出FlashDisk，可以插入筆記型電腦的拓展槽中；1994年發佈CF卡，成為早期數位相機和可攜式電子裝置的主流儲存方案；2000年，公司正式推出SD儲存卡格式；2001年，公司與東芝聯合發佈全球首款商業化的NAND MLC快閃記憶體技術；2004年，作為核心推動者參與制定microSD儲存卡標準；2005年發佈首款基於快閃記憶體的MP3播放器SanDisk Sansa e100，開始進入數字音訊播放器領域；2011年，公司收購固態硬碟製造商Pliant Technology；2012年，發佈首款SATA SSD產品，發力消費級SSD市場；2013年，公司收購面向企業市場的SSD製造商SMART Storage Systems；2014年，公司收購企業資料中心快閃記憶體製造商Fusion-io，開始佈局企業級SSD市場；2019年SanDisk主導發佈SD Express標準，通過PCIe NVMe將介面速度大幅提升；2024年SanDisk發佈microSD Express儲存卡。圖10：SanDisk產品發展歷史圖11：SanDisk收入結構（FY2025）六、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：西部資料西部資料：全球HDD領先企業。西部資料主要從事硬碟（HDD）的開發、生產和銷售，覆蓋資料中心級、商業級、消費級HDD產品。從收入結構來看：根據西部資料財報披露資料，HDD為其核心產品，FY2025財年西部資料Cloud（雲）、Client（商業級）、Consumer（消費級）收入佔比分別為88%、6%、6%，資料中心等級HDD貢獻主要收入。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，其中希捷、西部資料市佔率合計達80.8%，呈現雙寡頭壟斷格局。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1970年西部資料成立，為全球知名的儲存解決方案提供商，1990年開始確立“硬碟主業”戰略，2011年收購日立環球儲存科技，擴張企業級HDD市場，2016年收購SanDisk，確立“HDD+快閃記憶體”雙核心業務，2025年完成對SanDisk分拆，正式剝離NAND快閃記憶體業務，目前全面聚焦於HDD領域；2）從HDD產品發展歷史來看：1988年收購Tandon，切入硬碟製造領域；1992年發佈Caviar驅動器，獲得市場認可；1999年，同IBM合作，推出Expert系列驅動器；2001年，西部資料成為第一家提供8MB磁碟緩衝區的主流ATA硬碟驅動器製造商；2003年收購磁頭製造商Read-Rite，推出首款10,000轉SATA硬碟WD Raptor；2005年，開始進入筆記本HDD市場，推出Scorpio系列硬碟；2006年推出採用垂直磁記錄（PMR）技術的硬碟；2009年，推出全球首款2TB硬碟WD Caviar Green；2012年，完成對HGST收購，成為全球最大的傳統硬碟製造商，並獲得HGST在企業級HDD和氦氣硬碟技術優勢；2013年，發佈全球首款商用氦氣硬碟Ultrastar He；2017年，展示MAMR（微波輔助磁記錄）技術原型；2020年，發佈ePMR技術(Energy-Assist PMR)。圖12：西部資料產品發展圖13：西部資料收入結構（FY2025）七、大模型對儲存的需求：訓練&推理全球儲存公司梳理：希捷科技希捷科技：全球HDD領先企業。希捷科技主要從事硬碟及儲存產品的開發、生產和銷售，核心產品為HDD硬碟，此外亦覆蓋系統、SSD等產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司HHD、系統&SSD&其他產品收入佔比分別為93%、7%，HDD產品業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年HDD市場希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，希捷為全球龍頭；SSD產品全球佔比較低。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司成立於1978年，1980年發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，後成為IBM PC主要供應商，1989年收購CDC旗下的儲存部門ImprimisTechnology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1996年，公司與Conner Peripherals合併，成為當時全球最大的獨立儲存裝置製造商；2003年發佈Momentus系列產品，重回筆記本HDD市場；2006年收購Maxtor，整合其消費級產品線，市場份額進一步提升；2011年，為應對西部資料收購HSFT，希捷收購三星旗下硬碟業務；2013年佈局SSD市場，2014年收購LSI快閃記憶體業務；2020年公司HAMR技術開始商業化，HDD容量大幅提升。2）從HDD產品發展歷史來看：1980年公司發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，為個人電腦提供了首個標準儲存解決方案，1981年發佈10MB版本ST-412，以此獲得IBM主要OEM供應商合同，後出貨量快速增長；1989年收購CDC旗下的儲存部門Imprimis Technology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1992年發佈全球首款7200RPM硬碟BarraCuda（酷魚），1996年發佈全球首款10000RPM硬碟Cheetah系列，鞏固其在企業級儲存領域地位；2003年發佈Momentus系列硬碟，重回筆記本硬碟領域；2005年收購Maxtor，整合其消費級產品線FreeAgent等，擴大消費級市場份額；2011年收購三星旗下硬碟業務，進一步提升市場份額；2020年HAMR技術開始商業化，2022年推出基於HAMR技術的Exos M系列硬碟，2025年推動第二代HAMR技術開發，目標容量提升到30TB以上。圖14：通過HAMR技術，希捷產品容量持續提升圖15：希捷科技收入結構（FY2025）八、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：鎧俠鎧俠：全球NAND快閃記憶體領先企業。鎧俠主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，覆蓋企業儲存產品、個人消費儲存產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，2025H1公司SSD&儲存、智能裝置、其他業務收入佔比分別為53%、31%、16%，SSD&儲存業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2三星、海力士、鎧俠、美光、SanDisk佔比分別為34.0%、22.0%、13.9%、13.9%、12.1%，鎧俠僅次於三星、海力士；從全球SSD市場來看，25Q2三星、Solidigm、SanDisk、美光、鎧俠市佔率分別為28.7%、12.6%、11.8%、11.2%、8.1%，全球市佔率第五名。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1987年東芝公司發明NAND快閃記憶體，2017年鎧俠前身東芝儲存器集團從東芝公司剝離，2019年公司改名為鎧俠；2）從NAND產品發展歷史來看：1987年公司發明NAND快閃記憶體，1991年發佈全球首個4MB NAND快閃記憶體（全球第一個商業化NAND產品），2001年鎧俠和SanDisk聯合開發，推出首款1GB MLC NAND產品（首次在NAND中使用MLC技術，實現每單元儲存2位資料），2007年率先發佈三維(3D)快閃記憶體層疊技術，2014年發佈全球首款15nm工藝NAND產品，2015年發佈全球首款256GB（48層）TLC BICS FLASH，實現了3D NAND技術的商業化突破，2019年全球首次實現量產96層QLC 3D NAND產品，後續堆疊層數、容量持續提升；3）從SSD產品發展歷史來看：2001年發佈首個PATA SSD，2007年發佈第一代SATA介面SSD（128GB），2010年首款SAS SLC企業級SSD發佈，2012年發佈首款SAS MLC企業級SSD+QSBC技術（錯誤矯正技術），2016年面向消費級市場推出SATA介面TLC SSD產品，2018年發佈全球首款採購96層BiCS4 FLASH的NVMe SSD。圖16：鎧俠產品發展圖17：鎧俠收入結構（2025H1）(AI雲原生智能算力架構)

半導體儲存品牌企業一、單日暴漲 20%！江波龍踹開千億市值大門10 月 27 日 A 股儲存類股徹底沸騰！江波龍（301308）以19.82% 的瘋狂漲幅直衝漲停，收盤價定格在讓整個行業矚目的位置 —— 總市值暴增至 1114.93 億元，硬生生闖進半導體儲存類股市值前十！這那是普通上漲，簡直是中國國產儲存龍頭的 “加冕時刻”！點選看：吐血整理！儲存晶片全景解析：10大上市公司、產業鏈地圖、行業競爭一覽！一圖讀懂！撐起千億市值的，是能打穿地板的業績硬實力！2025 年上半年狂攬 102 億元營收，同比暴漲 12.8%；Q2 淨利潤更狠，直接飆出 80% 的同比增幅！要知道，這可是在全球半導體行業還在震盪的背景下，江波龍直接交出 “翻倍級” 盈利答卷，韌性直接拉滿！更關鍵的是，整個儲存行業都在給江波龍 “喂彈藥”！三星、SK 海力士兩大巨頭抬手就把記憶體價格漲了 30%，部分晶圓廠乾脆暫停報價，全球儲存晶片供需缺口肉眼可見地擴大！而手握 “設計 + 封裝 + 測試” 全產業鏈能力的江波龍，簡直是坐在價格上漲的 “火箭” 上 —— 旗下 Lexar 品牌穩坐全球獨立儲存市佔率第二，單一個 U 盤就拿下 15% 的全球市場，這基本盤穩得能抗住地震！二、AI 儲存炸了！江波龍憑三大殺器吃定行業紅利江波龍能飆到千億，靠的不是運氣，是能啃下硬骨頭的核心競爭力！技術上直接拉滿 “全端 buff”，自研的 WM7400 主控性能比行業主流產品強 20%，五大生產基地年封裝產能衝破 300 萬片，不管是技術還是產能，都能接住全球客戶的 “爆單” 需求！點選看：雷軍：記憶體漲價實在太多！、三星、SK海力士：記憶體價格上調30%、漲瘋了！消息：部分儲存晶圓廠已暫停報價！最炸的是 AI 儲存賽道！江波龍的 SOCAMM2 產品直接成為輝達產業鏈首款中國國產模組，功耗砍到標準產品的 1/3，頻寬卻飆了 2.5 倍，現在已經批次供應 AI 伺服器客戶 。要知道，2024 年中國企業級 SSD 市場規模就暴漲 187.9%，江波龍直接在這個賽道里 “開掛”，2024 年企業級收入狂增 6 倍，2025 年上半年還保持 130% 的增速，這那是增長，簡直是 “吞金”！點選看：業內首款！江波龍推出mSSD：整合封裝、SKU多合一、革新 SSD 形態再加上 “十五五” 規劃直接把儲存晶片列為重點支援領域，中國國產替代的風口正往江波龍身上吹！現在的江波龍，一邊吃著全球儲存價格上漲的 “周期紅利”，一邊攥著中國國產替代的 “長期門票”，千億市值根本不是終點，接下來怕是要朝著更高的目標猛衝，中國國產儲存的 “王者之路” 才剛剛開始！ (深科技)

大宗交易價格出現暴漲的是DDR4產品。中國的儲存器製造商長鑫儲存（CXMT）的DDR4產品停產預期加強，根據中國政府加強AI和雲端半導體生產的方針，將轉向高端產品。推高了行情……半導體儲存器之一DRAM的價格正在暴漲。用於個人電腦（PC）和家電的指標產品的6月份大宗交易價格在一個月內漲至2倍。面臨與美國貿易戰的中國將推進半導體自給。認為中國製造商將致力於高性能產品的供應、分階段結束指標產品的生產的預期推高了行情。DRAM嵌入PC、智慧型手機、資料中心伺服器機器等，用於資料的臨時儲存。大宗交易由作為賣方的儲存器製造商和作為買方的裝置製造商按月或按季度磋商價格。目前流通的DRAM主要是屬於指標產品的DDR4和資料傳輸速度快、耗電量少的DDR5。調查公司BCN總研（東京千代田）的調查顯示，台式電腦中DDR4佔約6成，DDR5佔4成。從6月份的交易價格來看， 8GB DDR4為4.12美元左右，4GB為3.14美元左右。均漲至上個月的2倍。連續3個月上漲。4GB達到2021年7月以來的最高水平。兩種產品“在1個月內漲至2倍尚屬首次”（日本電子商社）。有觀點認為7月份的價格也上漲了數個百分點。中國的儲存器製造商長鑫儲存（CXMT）的停產預期加強，對指標產品供不應求的擔憂增強。中國政府在半導體方面，正在推進不易受美國製裁影響的自主供應鏈的建構。在以提高半導體的國產自給率為目標的同時，支援人工智慧（AI）不可或缺的半導體生產。在DRAM等儲存器領域正在支援長鑫儲存，政策性半導體基金等將向該公司的母公司出資。中國媒體報導稱，長鑫儲存根據中國政府加強AI和雲端半導體生產的方針，將轉向高端產品。中國證券巨頭中信證券透露，長鑫儲存已於2024年將DDR5推向市場，正在推進量產計畫。被認為全面量產要到2025年下半年。有分析認為，由於生產使用了DDR4的工廠，因此導致該儲存器的產量減少。據悉，除部分產品之外，DDR4將於2026年上半年停產。美國調查公司Omdia的資料顯示，從2025年第二季度的DRAM供應份額（以銷售額為準）來看，世界大型企業韓國三星電子、SK海力士和美國美光科技等3家企業佔據了9成。三大企業受價格競爭影響，指標產品的盈利情況惡化。有觀點認為，韓國企業力爭轉向DDR5和AI驅動所需的高頻寬儲存器（HBM），將減少DDR4的生產。由於供應緊張，DDR4從初春開始價格上漲。又疊加了中國企業也將分階段轉向生產高性能產品的預期。除美韓三大企業和中國廠商之外，提供DDR4的僅限於台灣的南亞科技等。“長鑫儲存停止生產也在意料之外，市場動盪加劇”（電子商社）當前，買方認為將持續缺貨，正在加緊採購，賣方在談判中佔優勢。另一家日本電子商社的高管透露，“為了確保大量採購，不得不以要價購買”。據稱DRAM在最終產品成本中所佔的比例為5～10%。如果指標產品的高價持續下去，有可能波及到櫃檯價格。個人電腦廠商VAIO（長野縣安曇野市）解釋稱，“大宗交易價格的上漲作為風險已經顯現，正在苦思如何應對”。今後的影響“正在評估中”。部分製造商也發出討論提價的聲音。另一方面，PC大型企業華碩電腦表示，對於依賴供應不足的零部件的部分型號，正在調整生產計畫，沒有調價的計畫。聯想集團旗下的NEC個人電腦（東京千代田區）表示“沒有近期突然提價的計畫”。 (日經中文網)

開篇：一個江湖的誕生 20世紀70年代，全球半導體行業剛剛起步，儲存晶片市場迅速成為一個兵家必爭之地。當時的矽谷是這片江湖的中心，美國企業主導著技術創新和市場佈局。1970年，英特爾發佈全球首款商用DRAM——1103晶片，並以高性能和低成本的優勢取代了笨重的磁芯儲存器，成為電腦行業的標準組態。憑藉1103的成功，英特爾迅速崛起，成為儲存江湖中的“天王巨星”。 不僅僅是英特爾，德州儀器、摩托羅拉等美國企業也在儲存市場中佔據重要地位。70年代末，美國企業幾乎壟斷了全球儲存市場，市場份額超過90%。彼時，矽谷正以絕對的技術優勢和強大的資本力量，主導著儲存行業的未來。 但在這片繁榮的江湖中，一股新的力量正在暗流湧動。日本企業開始嶄露頭角，他們以低調卻堅定的步伐進入儲存市場，並最終改變了全球競爭格局。