高盛歐洲TMT專家Johnstone認為，HBM與DRAM訂單雖已售罄至2027年，但價格漲幅邊際放緩已成趨勢，市場定價重心正從「稀缺性溢價」轉向「漲速放緩」預期。輝達評估削減HBM用量、蘋果測試中國記憶體晶片，均是這一壓力的直接體現。絕對價格仍將上漲至2027年中，但最容易賺的錢已經過去。 記憶體晶片是當前市場最大的多空博弈戰場，高盛歐洲TMT專家Sean Johnstone給出了他的判斷。 Sean Johnstone在最新報告中指出，HBM（高帶寬內存）和DRAM的訂單已售罄至2027年，長期協議（LTA）設有價格下限，毛利率仍維持在70%中高段水平，AI結構性需求將供給持續壓緊至2028年。這是多頭的底氣所在。 但空頭盯住的是另一個維度——價格漲幅的"二階導數"。Johnstone指出，價格環比漲幅已在減速，預計將在2027年二季度至三季度見頂，隨後甚至出現溫和小幅回落。與此同時，毛利率一旦觸及80%中段，客戶就開始重新設計方案以降低對記憶體的依賴——這是一個自然的市場反饋機制。

美銀美林調研顯示，三星電子將60%-70%記憶體銷售納入長期協議，條款明顯偏向供應端：降價幅度受限（單季不超5%），漲價空間基本不設上限。在AI算力需求激增、擴產受限背景下，三星借長協鎖定大客戶並保留提價彈性。DRAM與NAND現貨價格在四季度旺季前持續反彈，AI資本開支與補庫周期共同支撐記憶體價格上行。 AI 服務器需求持續增長，持續支撐記憶體價格上行，頭部記憶體廠商定價主動權顯著提升。 據美銀美林8月1日發佈的調研報告，$三星電子 (005930.KR)$已將60%至70%的記憶體器銷售納入長期協議（LTA）體系，合同條款明顯偏向供應端：價格下調幅度被限制，而上漲空間基本不設上限。在AI算力建設帶動高端記憶體需求增長、供應擴產仍受限的背景下，三星通過長期協議鎖定大客戶需求，並保留價格上行彈性。 報告預計，DRAM與NAND現貨價格將在四季度旺季前繼續反彈。TrendForce數據顯示，7月DRAM合約價格環比上漲約10%，季度漲幅達到30%至50%；服務器DRAM價格持續創歷史新高。報告認為，AI服務器需求增長、客戶補庫存以及終端新品備貨，將繼續支撐記憶體價格上行。

作為半導體產業的三大支柱之一，存儲芯片的重要性無需多言，在消費電子、智能終端、數據中心等諸多領域有著非常廣泛的應用。 但從市場層面來看，在經歷了前兩年半導體行業“缺芯潮”的火熱需求之後，存儲市場逐漸冷卻。2022年開始，尤其是下半年以來，存儲芯片市場下行趨勢愈發明顯，急速反轉的供需關係、直線下滑的需求，讓整個供應鏈都措手不及，數家芯片巨頭紛紛拉響業績警報。 直到2023年，半導體市場仍面臨下行壓力。為緩解庫存，存儲芯片原廠相繼實行減產和降價策略。近一年來，存儲芯片價格持續下跌，較高點幾近腰斬。 在經歷了漫長的行業下行週期之後，近期存儲賽道釋放出了多個樂觀信號，庫存減少、訂單見長、原廠醞釀漲價等一系列反轉跡像都在表明——整個存儲行業的周期底部越來越明顯，存儲芯片行業拐點將至。