美光科技計劃在今年年底前將HBM月產能大幅提升至約10萬片晶圓，較去年接近翻倍，以此縮小與SK海力士和三星電子的產能差距。公司正加速量產面向輝達「Vera Rubin」架構的HBM4 12層產品，預計其產能佔比將在年底提升至50%，力圖打破當前18%市場份額的偏後格局。

$美光科技 (MU.US)$正大舉擴張高帶寬內存（HBM）生產能力，劍指全球AI內存市場更大份額。

據韓聯社4日援引業內知情人士透露，美光計劃在今年年底前將HBM月產能提升至約10萬片晶圓，較去年增幅接近一倍，屆時與三星電子和SK海力士之間的產能差距有望縮小至目前的一半左右。與此同時，該公司正加速推進最新一代HBM4 12層產品的量產爬坡，以匹配輝達新一代AI加速器的需求。今日美股開盤，美光科技升近4%。

這一動向折射出AI內存市場需求持續旺盛的底色。以輝達為代表的AI晶片廠商對HBM的需求居高不下，供給仍追趕不上需求節奏。對於市場份額僅18%、長期位居第三的美光而言，此輪產能擴張既是爭奪市場地位的關鍵一役，也是將AI內存需求紅利轉化為實際營收的必要之舉。

產能目標：年底前月產能衝擊10萬片

據業內知情人士向媒體透露，美光計劃在今年年底前新增最多月6萬片晶圓的HBM產能。去年該公司HBM月產量約為4至5萬片，這意味著新增產能將超過原有基數，總產能規模有望達到約月10萬片。

為實現上述目標，美光正向多家HBM製造設備供應商增加採購訂單，相關設備持續運入其中國臺灣和新加坡工廠。目前，美光HBM封裝業務主要在中國臺灣銅鑼廠和新加坡兀蘭廠推進，日本廣島工廠的設備投資也在籌備之中。

在產品結構上，美光正快速向HBM4 12層傾斜。目前其HBM產量仍以HBM3E 12層為主，但據悉HBM4 12層的佔比將從今年初的20%至30%，提升至年底的最高50%。

HBM4 12層是輝達最新AI加速器"Vera Rubin"的配套內存，美光已於今年第二季度啓動該產品量產。美光CEO Sanjay Mehrotra在今年6月的2026財年第三季度業績發佈會上表示，HBM4 12層的量產爬坡速度約為HBM3E 12層的兩倍，HBM4累計出貨收入已突破10億美元。

市場格局：三強差距或顯著縮小

儘管美光是全球三大HBM製造商之一，但其產能與三星電子、SK海力士相比仍存在明顯差距。業內普遍認為，三星和SK海力士各自的HBM月產能約為15至20萬片，分別是美光的3至4倍。若美光無法縮小這一差距，將難以改變長期位居第三的市場格局。

根據市場調研機構Counterpoint Research數據，今年第二季度全球HBM市場份額中，SK海力士以50%位居首位，三星電子佔32%，美光佔18%。若產能擴張目標如期實現，美光與兩大競爭對手之間的產能差距有望壓縮至目前的一半水平，市場份額的重新分配或將隨之而來。 (華爾街見聞)

2026年6月29日，韓國總統李在明在青瓜台迎賓館主持召開了名為"大韓民國大躍進三大超級項目國民報告會"的會議，主題定為"超越復甦,邁向大躍進,超差距大韓民國"——這場會議的核心目的，正是向國民匯報企業界圍繞半導體、物理AI（機器人）、AI資料中心這三大超級項目的投資計畫，以及政府相應的配套支援方案。

會上，韓國產業通商資源部長官金正官正式宣佈："計畫在西南圈第二半導體生產基地投資800兆韓元,建設四座半導體晶圓廠。"三星電子會長李在鎔與SK集團會長崔泰源一同出席，並與總統握手確認了這項計畫。

拆解這800兆韓元（約合5800億美元）的投資版圖，可以看到幾個清晰的層次：

三星電子和SK海力士將各自在韓國西南部（湖南地區）建設兩座記憶體晶片工廠，兩家企業的具體出資額分別約為425兆韓元（三星電子）和470兆韓元（SK海力士），合計約800兆韓元投向西南圈。除此之外，忠清圈還將獲得81兆韓元投資，用於培育半導體封裝產業叢集——這意味著，包含忠清圈在內的全國範圍新增半導體投資規模已超過900兆韓元。

三星電子會長李在鎔透露，繼器興、華城、平澤之後,龍仁半導體產業園區的投資時間表也已提前,而在眾多候選地區中,公司正計畫將電力、用水、人力資源等基礎設施配套激勵條件最具優勢的光州（全南光州統合特別市）作為西南圈新廠的候選地。SK集團會長崔泰源則表示，記憶體晶片需求正呈指數級增長，SK海力士將在滿足各項條件的地區建廠。

這項計畫不只是"另起爐灶"，也包括對現有產能佈局的加速——三星電子平澤工廠的5號線與6號線將同步開工建設；SK海力士推進的龍仁半導體投資，投產時間比原計畫提前12年；三星電子參與的龍仁國家產業園區，投產時間也提前7年。李在明總統對此解釋道："現有以龍仁和平澤為中心的空間,在電力、用水等方面已逐漸逼近極限,為應對不斷增長的半導體需求,必須一邊加快完成正在進行中的生產基地建設,一邊通過西南圈等大規模新增投資提前鎖定供給能力。"

這個細節值得特別關注：這不是一項全新的投資計畫，而是把原定要到2040年代中期才完成的產能規劃，硬生生壓縮提前了十幾年。SK海力士龍仁項目原計畫2045-2047年才能全面達產，如今提前至2033-2040年區間。這種壓縮幅度，在半導體這種典型的重資產、長周期行業裡極為罕見——放在正常年份，晶片廠從選址、環評、動工到量產至少需要數年時間，跨度十年以上的規劃提前調整通常意味著整個產業對未來需求的判斷髮生了根本性改變。

按照韓國產業通商資源部提出的"3S+1F"（Speed速度、Stronghold據點、Spearhead先鋒、Full Support全力支援）戰略框架，預計全球記憶體晶片產能將在未來五年內翻倍——這與此前提到的"HBM 2026年產能已售罄、2027年產能也已被提前預訂"的行業現狀完全吻合：韓國兩大記憶體巨頭顯然判斷，AI驅動的記憶體需求將是一場持續多年的長期競賽，而非短期周期性行情，值得用壓縮十年規劃周期的代價去搶佔先機。

後段封裝，HBM產能瓶頸的另一手佈局

除了前段晶圓製造，這輪投資也覆蓋了後段封裝環節——這一點尤其關鍵，因為HBM的核心技術壁壘很大程度上就在先進封裝。忠清圈將獲得81兆韓元投資，用於擴充應對激增的先進半導體需求的後段封裝生態：三星電子的後段封裝基地溫陽、天安將建設新的高頻寬記憶體（HBM）工廠，SK海力士的清州HBM封裝工廠投資也將同步推進。

這項佈局補上了此前記憶體超級周期分析中的一個關鍵拼圖——此前提到"HBM工藝複雜度限制了實際產量、是這輪漲價的核心瓶頸之一"，而韓國這輪投資恰恰是在從製造端（前段晶圓產能翻倍）和封裝端（HBM專屬封裝基地擴建）兩個方向同時發力，試圖從根本上緩解這個供給約束。

不止半導體，十年4755兆韓元的國家級豪賭

如果把視野拉得更遠，會發現800兆韓元只是冰山一角。三星和SK兩大集團宣佈,在未來十年內,將圍繞半導體、人工智慧、機器人等下一代尖端產業,各自投入超過2000兆韓元，合計國內投資總額高達**4755兆韓元**。其中，三星電子和SK海力士為打造"湖南圈半導體產業叢集"，各自計畫投入約400余兆韓元；三星電子也確認將光州列為繼首都圈器興、華城、平澤之後的下一代生產基地候選地。與此同時，三星電子還計畫向既有的平澤、龍仁半導體產業叢集等中長期追加投入2030兆韓元。

有分析將這場投資潮解讀為一場"雙向奔赴"：**因AI需求暴增而急需擴大產能的"半導體雙雄"，與推行地區均衡發展戰略的李在明政府，以數千兆韓元規模的國內投資達成了利益契合**——政府需要產業投資落地非首都圈地區來兌現區域平衡發展的政治承諾，企業需要政府在電力、用水、土地、審批等核心基礎設施層面提供國家級支援來突破產能瓶頸，雙方一拍即合。

不過，把這項計畫完全當作"板上釘釘"也不夠嚴謹。據相關報導梳理的十個關鍵問題指出：**三星電子和SK海力士的官方公告均明確將相關數字定性為"指引"（guideline），且明確尚未經過董事會最終決議**。具體選址和開工時間表，兩家公司目前均未正式公開，業界預計最快可能在2026年7月內公佈細節選址和推進時間表。青瓦台方面提出的目標是"4年內投產"，但從土地補償、行政許可、電力和用水基礎設施先行建設，到董事會最終決議，仍有多個環節有待完成。

政治層面也存在雜音：在野黨方面提出了一種觀點，認為這更像是企業在政府投資壓力下做出的禮節性表態**，實際執行與否，很大程度上仍將取決於全球記憶體器需求走勢、電力和用水基礎設施建設速度，以及企業自身經營環境的變化。(銳芯聞)

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美光HBM產能年底前有望翻倍，追趕三星、SK海力士步伐

韓國百年一遇！三星、海力士擬斥資800兆韓元建四座新廠