三星電子二季度營業利潤達89.5萬億韓元，同比暴增1814%。韓國投資證券認為，五年期長期供貨協議正推動內存業務從「週期驅動」向「訂單驅動」轉型，盈利穩定性和可預見性將顯著提升。該機構指出，當前約1.3倍市淨率的估值處於嚴重低估狀態，加上明確的股東回報政策，中長期投資價值突出。

三星電子一份超預期的季度業績，加上覆蓋全球五大超大規模數據中心客戶的長期供貨協議，讓韓國投資證券（KIS）進一步堅定看多立場。

KIS在7月31日發佈的研報中，將三星電子目標價上調10%至65萬韓元，維持「買入」評級。該機構認為，市場仍以傳統週期股邏輯為三星定價，卻忽視了長期供貨協議正推動內存業務從「週期驅動」向「訂單驅動」轉型，公司盈利穩定性、業績可預測性和估值中樞均有望提升，當前股價處於「嚴重低估」狀態。

二季度，三星電子營業利潤達到89.5萬億韓元，同比增長1814%，較市場一致預期高出約5.5%。KIS同時上調了公司2026年和2027年盈利預測，並認為明確的股東回報政策進一步增強了中長期投資價值。

二季度業績全面超預期，半導體業務貢獻幾乎全部利潤

三星電子二季度實現營收171.5萬億韓元，環比增長28%，同比增長130%；營業利潤89.5萬億韓元，環比增長56%，同比大增1814%，高於市場一致預期84.8萬億韓元約5.5%。

利潤幾乎全部來自半導體業務。韓國投資證券數據顯示，二季度半導體部門營業利潤達到89.2萬億韓元，佔公司整體營業利潤約99.7%；其中內存業務營業利潤為91.5萬億韓元。

價格改善成為盈利增長的重要推動力。二季度DRAM平均售價（ASP）環比上漲40%以上，NAND平均售價上漲60%以上。與此同時，代工業務在計提員工相關費用後，也已由虧轉盈。

五年長約改變行業邏輯：從週期驅動走向訂單驅動

韓國投資證券認為，本次多年供應協議的意義遠超鎖定未來收入，更重要的是改變了內存行業長期以來的供需博弈模式。

過去，內存廠商主要依據對市場需求的預測進行資本開支，行業因此長期受到供給過剩與價格週期波動困擾。而在長期供貨協議模式下，產能規劃更多建立在客戶訂單基礎之上，行業經營穩定性和盈利可預見性顯著提升。

根據三星電子規劃，未來長期合同預計覆蓋DRAM及NAND約60%至70%的產能，其餘30%至40%仍保留現貨市場銷售，以兼顧長期訂單穩定性和市場價格上漲帶來的收益彈性。

韓國投資證券認為，這意味著三星正在逐步建立以訂單驅動為核心的新型內存商業模式。

HBM並非唯一目標，更強調長期客戶合作

韓國投資證券還指出，三星當前並未一味追求HBM產能擴張，而是在HBM與傳統DRAM之間維持相對均衡的供應策略。

在HBM盈利能力階段性低於普通DRAM的背景下，公司根據客戶需求動態調整兩類產品的生產比例，更強調長期供應穩定性和客戶合作關係，而非追求短期利潤最大化。

該機構認為，這進一步印證三星內存業務正從以價格週期為核心，轉向以客戶訂單和長期合作為核心的發展模式。

估值仍處低位，股東回報構成重要支撐

儘管基本面明顯改善，韓國投資證券認為三星電子目前估值依然偏低。

截至7月30日，公司股價報20.7萬韓元，按2027年每股淨資產（BPS）計算，對應市淨率（PBR）僅約1.3倍，處於歷史低估區間。

韓國投資證券將目標價對應估值設定為未來12個月BPS（129,892韓元）的5倍PBR，由此得出65萬韓元目標價。同時，該機構將2026年和2027年營業利潤預測分別上調3%和7%，以反映長期供貨協議帶來的盈利穩定性提升，以及2027年HBM價格上漲的潛在利好。

股東回報同樣成為估值支撐因素。三星電子重申，將以年度經營性自由現金流（FCF）的50%作為股東回報基礎。

韓國投資證券認為，當前市場估值與公司的盈利能力、現金創造能力以及明確的股東回報政策之間存在明顯背離，與其等待市場情緒改善，不如關注企業長期價值本身。

Since last month, when memory stocks hit their highs,SK Hynix Inc.(NASDAQ:SKHY) has plunged nearly 47%, andSanDisk Corp. (NASDAQ:SNDK) has lost more than 50%.Micron Technology Inc.(NASDAQ:MU) andWestern Digital Corp. (NASDAQ:WDC) have each fallen roughly 33%.

自上個月記憶體晶片股達到高點以來，SK Hynix Inc.（納斯達克：SKHY）已暴跌近47%，SanDisk Corp.（納斯達克：SNDK）跌幅超過50%。美光科技（納斯達克：MU）和Western Digital Corp.（納斯達克：WDC）各自下跌了約33%。

Memory stocks have been hammered in July as investors bet that China's rise in DRAM and fears of slowing AI investment signal the start of another semiconductor downturn. But SK Hynix's earnings this week could determine whether that pessimistic narrative is justified — or whether investors have mistaken a timing issue for a collapse in demand.

7月，內存股遭到重創，因投資者押注中國在DRAM領域的崛起以及對人工智慧投資放緩的擔憂預示著又一輪半導體下行周期的開始。但SK Hynix本周公佈的業績或將決定這一悲觀敘事是否成立——抑或投資者只是將一個時機問題誤判為需求崩潰。

Independent research firm Tessara argues investors are misreading the selloff, saying, "July traded as though memory demand had broken. We think the market is pricing the wrong failure mode."

獨立研究機構Tessara認為，投資者誤讀了此次拋售，稱：「7月的交易表現彷彿內存需求已經崩塌。我們認為市場正在為錯誤的失效模式定價。」

Shares of SK Hynix have now tumbled 41.5% thus far in July, on pace for their worst monthly performance since October 2008.

SK Hynix股價在7月迄今已下跌41.5%，正朝著2008年10月以來最差的月度表現邁進。

It's A Pricing Debate, Not A Demand Issue

The latest leg lower accelerated after Korea Investment & Securities cut its earnings forecast for SK Hynix, triggering the stock's worst trading session on record.

最近一輪下跌在韓國投資證券公司（Korea Investment & Securities）下調SK Hynix盈利預期後加速，觸發了該股有史以來最糟糕的交易日。

Investors interpreted the revision as evidence that AI memory demand was fading.

投資者將此次修正解讀為人工智慧內存需求正在減弱的證據。

Then, the second trigger was competitive rather than cyclical.

隨後，第二個觸發因素來自競爭層面，而非周期性因素。

ChangXin Memory Technologies closed its Shanghai STAR Market debut Monday more than 460% above its offer price, reviving questions about Chinese DRAM capacity.

ChangXin Memory Technologies周一在上海證券交易所科創板首日上市，收盤價較發行價上漲逾460%，再度引發市場對中國DRAM產能的質疑。

CXMT held about 7.67% of the global DRAM market in 2025, according to its IPO prospectus, against a combined share near 90% for Samsung, SK Hynix and Micron.

根據其IPO招股說明書，CXMT在2025年佔全球DRAM市場的7.67%，而三星、SK Hynix和美光合計份額接近90%。

The research argues Korea Investment's lower estimate stems primarily from assumptions about how quickly SK Hynix recognizes higher DRAM prices under long-term contracts—not from weaker demand.

該研究認為，韓國投資公司（Korea Investment）較低的預估主要源於其對SK Hynix在長期合同下多快確認更高的DRAM價格的假設——而非需求疲軟所致。

"The selloff turned a company-specific pass-through question into an industry-wide demand narrative," Tessara said.

Tessara表示：「這次拋售將一個特定於公司的價格傳導問題轉變成了整個行業的市場需求敘事。」

That distinction matters because AI memory pricing behaves differently from traditional commodity memory.

這一區別至關重要，因為AI內存的定價行為與傳統商品類內存不同。

High-bandwidth memory (HBM) contracts are typically negotiated over much longer periods, meaning reported revenue can temporarily lag spot price increases even while end-market demand remains exceptionally strong.

高帶寬內存（HBM）合同通常以更長的周期進行談判，這意味著即使終端市場需求依然異常強勁，報告的收入也可能暫時滯後於現貨價格的上漲。

Read Also:SK Hynix's Worst Month Since 2008: Should You Buy this Dip Ahead Of Earnings?

延伸閱讀：SK Hynix自2008年以來最糟糕的一個月：在業績發佈前，你應該趁此下跌買入嗎？

實際數據講述了一個不同的故事

Tessara also argues that hard export data fail to support the market's increasingly bearish interpretation.

Tessara還指出，硬性的出口數據並不支援市場日益看跌的解讀。

According to Korean customs data, memory exports rose from $39.8 billion in the first quarter to $62.3 billion in the second quarter, while June marked the strongest month on record.

根據韓國海關數據，內存出口額從第一季度的$398億增至第二季度的$623億，而六月則創下了有史以來最強勁的單月記錄。

Commodity DRAM's implied price per kilogram increased 58%, alongside a 15% rise in HBM-class shipped weight.

商品類DRAM的每公斤隱含價格上漲了58%，同時HBM級別產品的出貨重量也增加了15%。

"But it means an industry-wide Q2 demand collapse is difficult to reconcile with the physical export data."

「但這意味著，整個行業的第二季度需求驟降與實際出口數據之間難以調和。」

That conclusion echoes comments fromCounterpoint ResearchanalystMS Hwang, who recently told Benzinga that China's advance remains concentrated in commodity memory rather than the HBM chips powering Nvidia's AI infrastructure.

這一結論呼應了Counterpoint Research分析師MS Hwang的評論，他最近告訴Benzinga，中國的進展仍集中在大宗商品記憶體器上，而非為Nvidia人工智慧基礎設施提供動力的HBM晶片。

Meanwhile,Yuri Khodjamirian, chief investment officer at Tema ETFs, argued that the market continues to underestimate the structural transformation of the memory industry, saying supply remains constrained well into 2028.

與此同時，Tema ETFs首席投資官Yuri Khodjamirian認為，市場仍在低估記憶體器行業的結構性轉型，並表示供應限制將持續至2028年。

Tessara's central estimate is 66 trillion to 67 trillion won in second-quarter operating profit, or roughly $45 billion at Tuesday's exchange rate of about 1,470 won to the dollar.

Tessara的核心預測是第二季度營業利潤為66兆至67兆韓元，按周二約1,470韓元兌1美元的匯率計算，約合$450億。

The firm attaches a 65% probability to a result at or above 65 trillion won, 40% to 68 trillion or better, and 20% to 70 trillion or better.

該公司認為，有65%的機率業績達到或超過65兆韓元，40%的機率達到或超過68兆，20%的機率達到或超過70兆。

More important than the headline numbers will be management's commentary on pricing, HBM demand and customer contracts.

比起表面數據，管理層對定價、HBM需求和客戶合同的評論更為重要。

If SK Hynix confirms that AI demand remains robust and pricing is simply flowing through financial statements more slowly than investors expected, Wall Street may have spent the past month selling memory stocks for the wrong reason.

如果SK Hynix證實人工智慧需求依然強勁，而定價只是比投資者預期更緩慢地反映在財務報表中，那麼華爾街在過去一個月可能因錯誤的理由拋售記憶體器股票。

If not, the market's fears about a broader AI memory slowdown could gain credibility.

否則，市場對人工智慧記憶體器整體放緩的擔憂可能會獲得更多可信度。 (Benzinga)

糟糕的2023年已經過去，記憶體晶片市場正在醞釀一場新的爆發。

根據TrendForce統計，2023年第四季度，全球DRAM（記憶體）和NAND快閃記憶體的價格約上漲3%~8%。相對於PC市場而言，伺服器DRAM市場對成長有更大作用。

2024年，隨著運算速度的提升，DRAM和NAND閃存在各類AI應用，如智慧型手機、伺服器、筆電的單機平均搭載容量都會成長，其中，伺服器應用的成長幅度最高。

智慧型手機方面，2023年，由於供過於求，記憶體價格快速下跌，由於價格很低，推升了2023年智慧型手機DRAM單機平均搭載容量年增17.5%。 2024年，在沒有新應用推出的預期下，智慧型手機DRAM的單機平均搭載容量的成長幅度將放緩，預估為11%。

伺服器方面，伴隨AI伺服器需求持續增加，高階AI晶片陸續推出，由於訓練是目前AI市場主流，其採用的記憶體是以有助於高速運算的DRAM為主，與NAND快閃記憶體相比，DRAM的單機平均搭載容量成長幅度更高，預估年增17.3%。

筆電方面，預計搭載新款CPU的筆電要到下半年才會陸續推出，對拉高記憶體容量的幫助有限，另外，AI PC要求DRAM容量加大至16GB，預計筆電DRAM的單機平均搭載容量年增率約12.4%。

01  AI伺服器帶動DDR5和HBM加速前進

AI大模型持續迭代升級，參數持續成長，大模型的參數規模越大，算力負擔越重，AI伺服器是算力的核心。 2023年，AI伺服器（搭載GPU、FPGA、ASIC等高算力晶片）出貨量近120萬台，年增38.4%，佔整體伺服器出貨量的9%，依照這個勢頭發展下去，2026年將占到15%的市佔率。

更多的大模型參數需要大容量、高速的記憶體支持，美光在法說會上表示，一台AI伺服器的DRAM使用量是普通伺服器的6-8倍。到2026年，預計伺服器DRAM（不含HBM）市場規模可望達到321億美元。

針對AI伺服器的高效能要求，更強大的記憶體－DDR5需求隨之提升。與DDR4相比，DDR5具備更高速度、更大容量和更低能耗等特性。 DDR5記憶體的最高傳輸速率達6.4Gbps，比DDR4高出一倍。

記憶體介面晶片是伺服器記憶體模組的核心邏輯元件，作為伺服器CPU存取記憶體資料的必由通路，其主要作用是提升記憶體資料存取的速度和穩定性，滿足伺服器CPU對記憶體模組日益增長的高效能和大容量需求。

隨著DDR記憶體技術向DDR5演進，記憶體介面晶片的用量也增加。英特爾和AMD支援DDR5的新平台推出後，伺服器DDR5又出現了PMIC匹配問題，使得DDR5的市場規模無法快速提升，新平台的推出受阻，目前，DRAM原廠和PMIC廠商都已著手解決這個問題。雖然短期內原廠DDR5供應受阻，但由於PMIC供應廠商較多，切換及適配不會成為DDR5滲透率提升的瓶頸，伺服器DDR5滲透率預計今年達到30%左右。隨著AI伺服器的加速發展以及PMIC良率問題逐步解決，DDR5滲透率可望進一步提升，2026年將達到85%。

在存算一體落地前，HBM將唱主角

目前，GPU主流記憶體方案為GDDR和HBM（高頻寬記憶體）兩種，其中，GDDR在SoC周圍有大量外設，該方案已從GDDR5升級為GDDR6，以提高頻寬。但是，如果GDDR要增加1GB的頻寬，將會帶來更多耗電量，不利於系統效能提升。

HBM方案作為近存運算的典型技術，可以改善存算分離導致的「儲存牆」問題，即儲存單元的頻寬問題、儲存單元與運算單元資料傳輸的能效問題，並且，HBM中Die晶片的垂直堆疊也增加了容量。因此，在存算一體真正落地之前，HBM技術是契合當前GPU對更多記憶體、更高頻寬需求的最佳方案。

HBM的特點是大容量、高頻寬（頻寬用於衡量DRAM傳輸資料的速率，是核心技術指標），它將多個DDR晶片堆疊在一起後和GPU封裝在一起，實現大容量、高位寬的DDR組合陣列。

2013年，SK海力士率先推出HBM1，HBM1每個堆疊的頻寬為128GB/s、支援4個DRAM堆疊集成，容量為每堆疊4GB。 2017年，SK海力士推出了HBM2，它的頻寬和容量與HBM1相比實現翻倍成長。 2018年，JEDEC推出了HBM2e規範，HBM2e可以實現每堆疊461GB/s的頻寬。 SK海力士於2022上半年開始量產HBM3，頻寬達到819.2 GB/s，支援12個DRAM堆疊集成，容量達每堆疊24GB。 2023年，主流市場需求從HBM2e轉向HBM3，HBM3需求佔比提升至39%，隨著使用HBM3的加速晶片陸續放量，預計2024年HBM3的市場需求佔比將達到60%。

2023年底，英偉達發布了DGX GH200，進一步推升了AI伺服器對內存性能的需求，DGX GH200共鏈接了256個Grace Hopper超級芯片，具有144TB的共享內存，GH200單卡配備了480GB LPDDR5內存和96GB的HBM顯存，而在上一代DGX H100伺服器中，平均單一H100晶片對應256GB記憶體和80GB的HBM。二者對比，GH200方案的記憶體容量有顯著提升。

TrendForce認為，英偉達正在規劃更多HBM供應商，美光（Micron）、SK海力士、三星都已於2023年陸續提供了8hi（24GB）樣品，三星的HBM3（24GB）已經在2023年底完成驗證。三大內存原廠的HBM3e規劃與進度如下表所示。

由於HBM的驗證過程繁瑣，預計耗時兩個季度，以上三大內存原廠都預計於2024年第一季完成驗證。各原廠的HBM3e驗證結果，也將決定英偉達2024年HBM供應商的採購權重分配。

展望2024年，需觀察各AI晶片供應商的專案進度。

英偉達2023年的高階AI晶片（採用HBM的）的既有產品為A100、A800和H100、H800，2024年，除了上述型號外，該公司還將推出使用6個HBM3e的H200和8個HBM3e的B100 ，並同步整合自家基於Arm架構的CPU，推出GH200和GB200。

2024年，AMD將重點介紹MI300系列，採用HBM3，下一代MI350將採用HBM3e，將在2024下半年開始進行HBM驗證，預計大規模量產時間將出現在2025年第一季。

英特爾方面，2022下半年推出了Habana Gaudi 2，採用6個HBM2e，預計2024年新型號Gaudi 3將繼續採取HBM2e，但用量將升級至8個。

不久前，SK海力士公佈了HBM發展路線圖，該公司副總裁Kim Chun-hwan透露，計劃在2024上半年量產HBM3e，並向客戶交付8層堆疊樣品，在6層堆疊HBM3e配置中，每層堆疊可提供1.2 TB/s的通訊頻寬，8層堆疊將進一步提升HBM記憶體的頻寬。

Kim Chun-hwan表示，在不斷升級的客戶期望的推動下，儲存產業正在面臨激烈的生存競爭。隨著製程製程節點的縮小接近極限，記憶體廠商越來越關注新一代儲存架構和工藝，以提供客戶應用系統更高的效能。為此，SK海力士已經啟動了HBM4的開發，計劃於2025年提供樣品，並於隔年量產。

根據美光提供的信息，與前幾代HBM相比，HBM4每層堆疊的理論峰值頻寬將超過1.5 TB/s。為了實現這樣的頻寬，在保持合理功耗的同時，HBM4的目標是實現大約6GT/s的資料傳輸速率。

三星也有發展HBM4的時間表，計劃於2025年提供樣品，並於2026年量產。根據三星高層Jaejune Kim透露，該公司HBM產量的一半以上是客製化產品，未來，客製化HBM方案的市場規模將進一步擴大。透過邏輯集成，量身定制的HBM對於滿足客戶個人化需求至關重要。

三星和SK海力士之間的競爭正在升溫。

一些市場觀察家表示，三星在HBM晶片開發方面落後於SK海力士，為了在新介面標準CXL開發中佔據優勢地位，三星加快了技術研發和產品佈局。

三星電子執行副總裁兼美國記憶體業務主管Lee Jung-bae在一篇部落格文章中表示，該公司將擴大32GB DDR5及1TB模組產能，他表示：「我們將積極利用CXL記憶體模組(CMM) 等新型接口，這將有助於實現內存頻寬和容量可以根據運營需求無縫擴展。”

SK海力士也表示，計劃加大對高頻寬記憶體和DDR5晶片的投資，以適應人工智慧市場的成長需求。 “與2023年相比，2024年的資本支出將有所增加。…我們將最大限度地提升資金利用效率”，SK海力士副總裁兼首席財務官金宇賢表示：“在2023年投資金額的範圍內，我們根據產品優先順序調整了資本支出，2024年，我們將更多地關注轉換過程工藝，而不只是增加產能。”

金宇賢表示，SK海力士將努力擴大第四代和第五代10nm級製程記憶體晶片的比例，到2024年底，這些新品將佔據該公司DRAM產量的一半以上。不過，他表示，要達到2022年第四季的產能水平，還需要相當長一段時間。

SK海力士對引領HBM市場充滿信心，預測未來5年的年平均成長率將達到60%~80%。該公司DRAM行銷主管Park Myung-soo表示：“我們2024年的HBM3和HBM3e晶片產能已經售罄。根據客戶和市場觀察人士的說法，我們的HBM3產能份額非常高。”

根據TrendForce統計，2023年第三季度，SK海力士擠下三星電子，成為全球最大的伺服器DRAM廠商。報告顯示，2023年第三季度，SK海力士伺服器DRAM銷售額達到18.5億美元，拿下49.6%的市場份額，穩居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的伺服器DRAM銷售額為13.13億美元，市佔率為35.2%，同期內，美光的伺服器DRAM銷售額為5.6億美元，市佔率為15.0%，排名第三。

需要指出是，以上統計數字僅是傳統伺服器搭載的DDR5內存，不包括用於AI伺服器的HBM，若將HBM銷售計算在內，SK海力士領先三星電子的幅度會更大。

2024年1月24日，SK海力士發布了FY2023財報，營收為32.77兆韓元，年減27%。單看FY2023Q4表現，營收為11.31兆韓元，較去年同期成長47%，季增25%。 DRAM業務Q4營收7.35兆韓元，年增49.15%，季增20.98%。該公司在FY2023年Q4轉虧為盈，業績開始全面反彈。 SK海力士表示，自FY2023年Q4開始，該公司用於AI伺服器和行動端的產品需求都在成長，平均售價上升，記憶體市場環境有所改善。整個FY2023，該公司的DRAM憑藉技術實力積極響應了客戶需求，主力產品DDR5和HBM3的營收年增4倍和5倍。

就整體DRAM模組市場而言，三星電子仍穩居DRAM霸主地位，但SK海力士正急起直追。根據Omdia統計，2023年第三季度，三星電子在DRAM領域市佔率為39.4%，SK海力士以35%的市佔率居次位，美光排名第三，市佔率為21.5%。

排名內存行業第三位的美光也在加緊佈局AI伺服器市場，該公司計劃在2024年第一季量產HBM3e，以搶攻英偉達的超級電腦DGX GH200商機。美光技術開發事業部資深副總裁Naga Chandrasekaran表示，採用EUV技術量產的1-gamma製程產品，正在研發過程中，預計2025年量產。

業界人士指出，在HBM產品開發方面，雖然美光落後三星和SK海力士近一年時間，但在新一代HBM3e產品開發和量產進度方面，該公司加快了節奏，有望在HBM競賽中扳回一城。

透過分析全球晶片市場不同細分領域的年度銷售數據，包括記憶體、微處理器、邏輯電路、類比電路、分立元件和光電子元件，結合不同領域年度銷售額年增速的趨勢，依照一輪週期中年比增速的最小值為週期底部、同比增速的最大值為週期頂部，可以得出以下結論：2002年、2008年、2011年、2015年、2019年、2023年是半導體產業週期底部，2004年、2010年、2014年、2017年、2021年是週期頂部。全球半導體市場大約每隔4~5年經歷一輪週期，不同細分領域週期底部時間點略有差異。

在上述所有半導體細分領域中，記憶體週期波動最大，在上行週期的頂部，2010年、2017年記憶體銷售額年增率分別為55%、61%，在下行週期的底部，2002年、2019年記憶體銷售額較去年同期下降了30%、33%。根據WSTS統計，2022年全球半導體銷售額為5,741億美元，其中，記憶體銷售額為1,298億美元，佔全球半導體銷售總額的22.6%，在過去20年內，記憶體長期佔半導體銷售總額比重的20%以上。因此，記憶體是積體電路中銷售額最大的細分領域，在整個產業中佔據核心地位，記憶體市場變化週期是影響半導體週期的主要因素。

DRAM的上一輪週期在2017年12月左右見頂，在2019年12月觸底，下行週期持續時間在兩年時間，隨後經歷了一年半左右的上行週期，上一輪週期持續了3 -4年。本輪DRAM週期約在2021年4月見頂，於2023年9月觸底，10月價格反彈。本輪下行週期持續時間已達兩年半，新一輪的DRAM上行週期已經開始。

或許在2024年和2025年，記憶體市場可望掀起新一波需求熱潮，重現2017年和2018年輝煌的市場景象。（半導體產業縱橫）

彙整鉅亨號中所有使用「內存市場」關鍵字，所發布的內容 (依照時間排序，最新在前，舊的在後)`

韓國券商KIS：三星電子被「嚴重低估」，上調目標價10%至65萬韓元

SK Hynix的業績可能會決定華爾街是否誤判了AI內存市場的拋售行情

記憶體晶片的瘋狂或將在2024年重演