#半導體製程
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英特爾最新工藝對標台積電！

英特爾代工業務負責人納加·錢德拉塞卡蘭近日向投資銀行KeyBanc透露，英特爾下一代14A（1.4納米級）製程技術的性能預計將在台積電A14（1.4納米級）節點的“5%以內”。這一表述引發了業界對英特爾未來製程競爭力的廣泛討論，因為“5%以內”既可以理解為14A領先A14不超過5%，也可以理解為落後不超過5%，其具體含義尚不明確。 從兩家公司已公佈的資料來看，這一保守預期與現有資訊存在一定出入。英特爾官方表示，相較於其已量產的18A製程，14A將在同等功耗下提供15%至20% 的性能提升，或在同等頻率和電晶體數量下降低25%至35% 的功耗。台積電則預計其A14在同等功耗下比N2快10%至15%，或在同等頻率和電晶體數量下降低25%至30% 的功耗。 實際產品資料進一步提供了參考。目前，英特爾Core Ultra X9 388H“Panther Lake”處理器的最高頻率可達5.10 GHz，而台積電N2製程的AMD EPYC 9586F單核最高頻率為5.00 GHz，蘋果M6則為4.78 GHz。儘管不同處理器的架構、電壓和散熱設計各異，不能直接換算為製程性能差距，但這些資料表明，現有N2產品並未在頻率上對18A形成顯著優勢。 若以這些實際頻率為起點，結合兩家公司公佈的iso-power性能提升資料，可以推算出14A相對A14的潛在優勢區間。以Core Ultra X9 388H和EPYC 9586F為基準，在最保守情景下（英特爾14A僅提升15%，台積電A14提升15%），14A仍領先約2%；而在最樂觀情景下（14A提升20%，A14提升10%），領先幅度可達11.3%。若以蘋果M6作為N2的參照，14A的隱含優勢區間則為6.5%至16.2%。
英特爾最新工藝對標台積電！
美股#英特爾#半導體製程#1.4納米
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1.4nm技術對決！台積電遙遙領先

台積電先進製程藍圖明確，在埃米世代可望再度完勝三星。 三星原定2027年量產1.4nm的時間點，將延後至2029年，比台積電A14晚一年量產。 業界看好，台積電將持續享有領先者紅利。 台積電已提出埃米級製程計畫，以A16為首發代表，預計2026年下半年生產就緒。
1.4nm技術對決！台積電遙遙領先
科技#1.4nm#半導體製程#埃米世代
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向0.2nm工藝邁進

隨著邏輯製程微縮排入埃米時代，基於原子級超薄二維（2D）半導體的垂直堆疊互補場效應電晶體（CFETs）為器件微縮突破A2節點提供了潛在路徑。本文建構了針對A2節點、接觸多晶矽間距（CPP）為36奈米、柵長（Lg）為10奈米的整合工藝流，並對若干關鍵工藝模組進行了初步驗證。儘管二維柵極全環繞（GAA）CFETs採用原子級超薄溝道，但在A2節點下，其接觸多晶矽間距微縮優勢並未優於矽基GAA CFETs，這是因為接觸形成的限制條件使得兩者的最小CPP均約為36奈米。 此外，本文結合關鍵評估與多尺度功耗-性能-面積（PPA）評估框架，該框架涵蓋量子輸運模擬、緊湊模型生成、面向A2節點的二維CFET柵極全環繞整合工藝流定義、寄生參數提取以及電路級基準測試。分析結果表明，二維GAA CFETs的預期性能優勢受非理想效應的嚴重制約，尤其是高接觸電阻和佔主導地位的佈局寄生電容。 儘管架構最佳化可提升電容-電阻比值，但絕對電容的相應增加會限制電路層面的性能提升。要實現實質性突破，需對接觸結構、輸運特性和寄生參數進行協同最佳化，同時研發適配二維材料的CFET新型架構。 介紹
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BJT、CMOS、DMOS等半導體製程技術

隨著半導體製程製程不斷突破，業界流傳著一個被稱為「摩爾定律」的著名論點。它是英特爾創始人之一戈登·摩爾在1965年提出的，其核心內容為：集成電路上可以容納的晶體管數目在大約每經過18個月到24個月便會增加一倍。這項定律不僅是對產業發展趨勢的一種分析預測，同時也成了半導體製程發展的動力——一切都是為了做出更小尺寸且性能穩定的電晶體。從五十年代至今約70年的時間，總共發展了BJT、MOSFET、CMOS、DMOS以及混合型的BiCMOS和BCD等製程製程技術。 1. BJT 雙極性結型電晶體（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管。電晶體中的電荷流動主要是由於載子在PN結處的擴散作用和漂移運動，由於同時涉及電子和電洞兩種載子的流動，因此它被稱為雙極性元件。 回溯它所誕生的歷史。由於存在著用固體放大器代替真空三極管這一想法，1945年夏，Shockley提出開展半導體基礎研究的建議，1945年下半年，貝爾實驗室成立了以Shockley為組長的固體物理學研究小組。在這小組裡，不僅有物理學家，也有電路工程師和化學家，包括作為理論物理學家的Bardeen和實驗物理學家B rattain。1947年12月，一件被後世認為是里程碑式的事件璀璨地發生了－Bardeen和Brattain成功發明了世界上第一個具有電流放大作用的鍺點接觸晶體管。
BJT、CMOS、DMOS等半導體製程技術
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