9月4日，華為半導體業務部總裁何庭波在中國科學院預發佈平台 ChinaXiv 掛出一篇新論文——《Huawei's τ Chip Was Supposed to Melt?》（華為的τ晶片本該熔化？）。從標題的挑釁口吻就能嗅出火藥味：她在正面回擊一個被半導體行業奉為常識的判斷——3D 堆疊必然高熱。 這已是她不到四個月內的第三篇論文。5月25日 ISCAS 大會拋出τ定律 V1，7月3日補上 V2，9月4日又甩出這篇聚焦功耗與發熱的 V3。一個企業的高管，以如此密度、如此公開地把一套原創理論推到全球同行面前，在半導體史上都屬罕見。 這件事的價值遠不止於一項技術突破。它是一塊絕佳的樣本：當一家企業被極端封鎖、被剝奪了最先進製程的入場券，它究竟是被規則困死，還是反過來重寫規則？何庭波百日三論文，恰恰給出了華為式答案——不在別人的棋盤上廝殺，而在無人區裡另立一套坐標系。 01. 一場"晶片本該熔化"的證偽 真正的功耗藏在連線裡

什麼？手機記憶體要騎到處理器頭上了？ 近日，海力士在美國掛出了兩個新崗位，希望通過研究“3D堆疊記憶體”設計，從封裝層面解決端側AI的性能瓶頸。官方明確指出，必須是能夠與美國客戶緊密合作的優秀人才，考慮到招聘位置和過往合作歷史，這家客戶很可能是蘋果。 （圖源：trendforce） 看到這個資訊，我想大部分人都是一頭霧水，這記憶體設計和端側AI有啥聯絡啊？

2023 年先進封裝市場價值 43 億美元，預計到 2029 年將超過 280 億美元，2023-2029 年復合年增長率為 37%。細分到終端市場，最大的先進封裝市場是“電信和基礎設施”，2023 年該市場的收入佔比超過 67%。緊隨其後的是“移動和消費者”，這是增長最快的市場，復合年增長率為 50%。 就封裝單位而言，先進封裝預計將經歷 44% 的復合年增長率（2023-2029 年），從 2023 年的 6.27 億個單位增至 2029 年的 56 億個單位。這種巨大的增長是因為新晉封裝的需求正在健康增長，而且由於 2.5D 和 3D 平台推動價值從前端到後端的轉變，與不太先進的封裝相比，先進封裝的平均售價非常高。 3D 堆疊記憶體（HBM、3DS、3D NAND 和 CBA DRAM）是最重要的貢獻者，到 2029 年將佔據 70% 以上的市場份額。增長最快的平台是 CBA DRAM、3D SoC、有源 Si 中介層、3D NAND 堆疊和嵌入式 Si 橋。 先進封裝正在半導體供應鏈中掀起一波顛覆浪潮