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RexAA
2026/09/28
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InP基板供需缺口超70%!
中國InP(磷化銦)基板廠商在今年夏季明顯強化了對價格上漲的表述。 7月16日,雲南鍺業向投資者表示,InP晶圓價格“有所上漲”,同時提醒未來存在“較大不確定性”。到了9月11日,公司進一步表示,InP價格正在“明顯上漲”,且量價齊升,此前的風險提示也已經消失。 更多產能正在路上。X博主Carriorresearch指出,雲南鍺業目前年產能約為15萬片(2英吋至4英吋),正在擴產至45萬片4英吋等效晶圓/年。該項目於4月啟動,建設周期約18個月,預計到2027年10月左右實現滿產。今年7月,公司還與一家未披露名稱的客戶簽訂了價值5.7億至8.55億元人民幣的InP訂單,約合8500萬至1.27億美元,交付將持續至2027年底。 與此同時,光智科技已獲批建設年產40噸InP晶圓項目,並表示已經獲得一家全球領先客戶的6英吋訂單。
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#InP基板
#InP價格上漲
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老馬記
2026/08/19
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磷化銦襯底調研:成本風暴下的國產替代博弈
當AI算力需求引爆光模組產業,上游的磷化銦襯底卻遭遇了一場“成本風暴”。銦價飆升,紅磷進口價翻五倍,襯底價格直逼2000元大關。這場漲價潮的背後,是供應鏈的重新洗牌,還是一場國產替代的突圍戰? 作為光模組核心材料——磷化銦(InP)襯底的上游,多晶原料價格已經翻倍,甚至接近三倍。而在整個產業鏈中,最受衝擊的,正是那些依賴襯底的光模組企業。 “目前三吋片襯底價格,有些廠家能賣到接近2000元,之前達不到這個水平。” 一位行業專家在調研中透露。當被問及市場上“三吋片已經衝到六七千元”的說法時,專家表示:“個人認為目前的價格確實有些偏高……價格達到4000元是有可能的,但六七千元就顯得有些誇張了。” 這場漲價風暴是如何形成的?它又將如何影響整個產業鏈?
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美股艾大叔
2026/08/06
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諾基亞收購NXP工廠,擴產InP
諾基亞正在收購一家美國半導體工廠,以生產用於人工智慧(AI)資料中心的光學半導體。對於一家電信裝置製造商而言,超越零部件採購,直接收購半導體工廠並開始直接生產,實屬罕見。諾基亞正尋求在人工智慧時代從一家電信裝置製造商轉型為一家資料中心基礎設施公司。 據諾基亞5日發佈的消息,該公司在今年第二季度財報中宣佈,“已簽署最終協議,收購恩智浦半導體位於美國亞利桑那州錢德勒市的半導體工廠”。諾基亞計畫將該工廠改造為磷化銦(InP)半導體生產線,並通過租賃部分廠房,於明年初開始量產。此次收購預計將於2029年第一季度完成。諾基亞指出,“收購錢德勒工廠將進一步增強我們的半導體製造能力。” 磷化銦(InP)是一種與矽類似的半導體材料。與執行計算和記憶體功能的矽半導體不同,InP半導體能夠將電訊號轉換為光訊號,並將光訊號轉換為電訊號。因此,它們被稱為光半導體。它們是光通訊裝置的關鍵元件,隨著資料中心內部通訊從銅(Cu)轉向光纖,近期對InP的需求激增。此前,廉價的銅線一直用於資料傳輸,但隨著人工智慧的普及推動了資料流量的爆炸式增長,頻寬和速度領先的光通訊技術脫穎而出。 諾基亞之所以選擇自主生產磷化銦(InP)半導體,是因為幾乎沒有其他廠商能夠生產這種半導體。目前只有少數幾家晶圓廠(工廠)能夠生產InP半導體,例如美國的Coherent和Lumentum公司,因此沒有代工廠(晶片代工製造)能夠以足夠的規模可靠地滿足人工智慧資料中心的需求。由於InP半導體的供應不穩定,諾基亞無法滿足客戶的光學裝置訂單,因此選擇直接獲取產能。首席執行長賈斯汀·霍塔德(Justin Hotard)也從這個角度解釋了此次收購,他表示:“這是為了確保額外的產能來滿足我們自身的需求,同時考慮到市場供應的限制,也是為了確保我們擁有更大的選擇餘地。”
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RexAA
2026/08/04
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「InP短缺將比內存更嚴峻」!Lumentum、SemiAnalysis警告:光互聯成AI新瓶頸
AI引爆光互聯需求,不可替代的發光材料磷化銦(InP)或正掐住算力擴張的咽喉。Lumentum CEO表示,其目前運營五座InP晶圓廠,但出貨量仍比客戶需求低逾30%。SemiAnalysis也指出用於近封裝光互聯的連續波分佈反饋(CW DFB)InP雷射器供應尤為緊張。 磷化銦(InP)正在成為AI基礎設施擴張鏈條上最薄弱的一環。隨著數據中心對光互聯需求呈數量級增長,這一不可替代的化合物半導體材料正面臨比內存更為嚴峻的供應缺口。 Lumentum首席執行長Michael Hurlston在本月巴黎舉行的RAISE峰會上明確警告:磷化銦的短缺程度將超過當前內存市場所經歷的危機。他表示,Lumentum目前運營五座InP晶圓廠,但出貨量仍比客戶需求低逾30%,且這一缺口較上季度進一步擴大。"我認為我們兩家加在一起,也無法滿足輝達和其他客戶向我們提出的需求,"Hurlston說,"磷化銦的短缺將比內存市場的情況更為嚴峻。" 市場研究機構SemiAnalysis亦於近日發出類似預警,指出用於近封裝光互聯的連續波分佈反饋(CW DFB)InP雷射器供應尤為緊張,行業晶圓尺寸仍普遍停留在2至4英吋階段,與矽基CMOS的12英吋工藝相去甚遠,產能擴張面臨結構性制約。
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