🔷當電晶體尺寸縮放逼近極限，應變工程成為提升晶片性能的關鍵技術路徑 🔷從晶格調控到器件增強，揭秘SiGe、Si:C如何突破MOSFET性能瓶頸 當晶片製程不斷逼近物理極限，單純依靠電晶體尺寸縮小已經越來越難以帶來性能躍升。那麼，下一代晶片性能提升的突破口在那裡？ 最近深入研究這份關於應變矽MOSFET（Strained Silicon MOSFET）技術的資料後，我發現一個非常關鍵的趨勢：先進電晶體的競爭，正在從“尺寸微縮”轉向“材料工程與結構創新”。

加密市場波動與瘋狂加息節奏，正在沖垮一批銀行。 當地時間3月8日，掙扎已久的加密銀行Silvergate（SI.N）宣布“關張大吉”，將所有存款退還客戶。 當地時間3月9日，專門為矽谷科技公司提供金融服務的矽谷銀行Silicon Valley Bank (母公司SVB Financial，美股代碼SIVB，以下簡稱“SVB”）宣佈出售210億美元的可銷售證券，遭受了18億美元的虧損，疑似出現流動性問題，受該消息影響，SVB股價當日暴跌超過60%，市值蒸發94億美元。 眼瞧著SVB走上Silvergate的“不歸路”，恐慌情緒也隨之迅速蔓延。