2024-2027年中國大陸300mm晶圓廠數量將從現有29座快速成長至71座，佔全球239座總量的29.71%，成為全球300mm晶圓產能擴張的核心驅動力。這項爆發式成長背後，是國內半導體產業鏈對先進製造、特色工藝及儲存領域的持續加碼，也標誌著中國在全球半導體製造版圖中的地位進一步提升。圖片來源於：百度圖庫四大產業群聚分工明確涵蓋邏輯、儲存、研發與產能基地國內已形成分工清晰的四大半導體產業群聚：長三角以上海、無錫為核心，聚集中芯國際、華虹集團等龍頭企業，重點佈局邏輯晶片與特色工藝；珠三角以深圳、廣州為支點，聚焦存儲與化合物半導體產線，適配消費電子與汽車晶片需求；京津冀著重先進研發，北京承載長鑫儲存DRAM技術突破與中芯國際先進製程試驗；中西部以武漢、合肥、重慶為節點，長江儲存、長鑫儲存等儲存巨頭在此建構規模化產能基地。投資規模爆發式成長單項目超50億元成常態國內半導體製造領域的投資規模正呈現爆炸性成長，單一項目投資超50億元已成為產業常態。以2025年上海臨港新片區為例，區域內共有59個產業科技類在建項目，總投資達5067億元，其中半導體製造相關項目佔超三成，大額資本的持續湧入為產能擴張提供了堅實支撐。300mm高階產線密集落地中芯、華虹等龍頭加速擴產在300mm高階產線（12吋）領域，國內龍頭企業擴產動作頻頻。今日半導體瞭解到，中芯國際多基地同步推進擴產：北京基地聚焦14nm先進工藝，深圳基地月產能4萬片專攻​​28nm及以上成熟製程，京城項目投資76億美元建設12英吋產線，西青項目投資75億美元規劃月產能10萬片，預計2026英吋整體產能有177年。華虹無錫二期投資67億美元，瞄準65/55-40nm車規級晶片，2024年12月已實現投片，2026年將達8.3萬片/月產能；北電整合12英吋產線總投資330億元，覆蓋28-55nm多工藝，規劃總產能5萬片/月，計畫2026年底量產；台積電南京基地則聚焦0.35/0.25μm、16nm、28nm工藝，生產電源管理晶片與汽車電子控制晶片，深度對接長三角設計企業需求。化合物半導體產線加速投產車規級與射頻領域成重點國內化合物半導體產線建設也迎來密集收穫期。三安意法重慶8吋碳化矽晶圓廠投資230億元，年產48萬片8吋碳化矽晶圓，2025年2月已通線，四季將進入批次生產；芯粵能廣州碳化矽工程投資75億元，第一期年產24萬片6/8吋級晶片；海寧砷化鎵/氮化鎵項目投資50億元，年產36萬片6吋微波射頻晶片及裝置，2024年12月已通線；長光華芯先進化合物半導體光電子平台建設項目投資10億元，年產1億顆化合物半導體光電晶片，2025年總投產。特色製程與儲存產線持續加碼聚焦工業、車規級需求在特色工藝與儲存領域，國內企業也持續擴大產能。今日半導體獲悉，長江儲存武漢基地將持續擴充3D NAND FLASH產能，進一步鞏固國產存儲龍頭地位；粵芯半導體三期投資162.5億元，新增4萬片/月180-90nm產能，2024年12月已通線，重點聚焦工業級與車規級模擬晶片；增芯科技廣州計畫一期投資70億元，佈局55-130nm工藝，月產能2萬片，2024年6月已通線，主要服務MEMS感測器與ASIC晶片需求。這些項目的落地，將進一步完善國內半導體製造的產品矩陣，滿足多角化市場需求。 （半導體材料與製程設備）

當地時間8月29日，根據美國《聯邦公報》發佈的通知顯示，美國商務部工業與安全域（BIS）修訂《出口管理條例》（EAR），將英特爾半導體（大連）有限公司（已被SK海力士收購，按原計畫今年3月完全完成移交)、三星中國半導體有限公司以及SK海力士半導體（中國）有限公司從對中華人民共和國（PRC）現有經驗證終端使用者（VEU）授權名單中移除。這些企業的豁免將在120天後到期，之後若要繼續進口美系半導體製造裝置，必須逐案申請許可。美國商務部表示，美國將批准許可證以保障企業現有工廠繼續運轉，但不會允許擴大產能或升級先進技術。這項規則的改變，除了會影響三星、SK海力士在華晶圓廠的擴產和技術升級之外，可能還將會對美國裝置製造商科磊公司 (KLA)、泛林集團 (Lam Research) 和應用材料公司 (Applied Materials) 的在華銷售造成負面影響。值得一提的是，台積電在華晶圓廠似乎沒有受到影響，其之前獲得的永久豁免依然有限。這可能與其此前追加1000億美元對美投資有關。撤銷“無限期豁免”，裝置供應將受限早在2022年10月7日，美國出台了新的對華半導體出口管制政策，限制了位於中國大陸的晶圓製造廠商獲取先進邏輯製程晶片、128層NAND快閃記憶體晶片、18nm半間距或更小的DRAM記憶體晶片所需的製造裝置的能力，除非獲得美國商務部的許可。三星、SK海力士、台積電等外資企業在中國大陸的晶圓廠也受到了該政策的影響。不過，在數日之後的，三星電子、SK海力士、台積電均獲得了美國商務部頒發的1年豁免期許可，使得他們在之後的1年內，美系裝置廠無需辦理任何額外的許可，即可向他們位於中大陸的晶圓廠供貨。2023年10月，在1年豁免期即將到期之際，美國商務部又同意向三星電子、SK海力士和台積電位於中國大陸的晶圓廠提供“無限期豁免”，使得他們無需再擔心受到美國對華半導體裝置供應限制政策的影響。這也將使得他們在中國的晶圓廠能夠繼續正常營運。目前主流的NAND Flash晶片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM晶片也在進入10奈米級。而三星和SK海力士在中國都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產能，台積電南京廠也有一定的16/12nm邏輯晶片代工產能，如果無法獲得美系先進的半導體裝置及零部件供應，那麼不僅現有的產線營運可能將受影響，未來也將無法繼續進行技術升級和擴大產能，這勢必將會影響到他們在華工廠的正常營運，以及未來的產能佈局和市場競爭力。雖然這一負面影響在短時間內不會立刻顯現。三星、SK海力士在華產能佔比較高資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有儲存晶片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要製造3D NAND快閃記憶體晶片。截至2024年年中，西安廠兩期項目總投資已高達270億美元。資料顯示，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英吋晶圓，佔三星全球NAND快閃記憶體晶片總產量的42%。2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，並於2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM晶片全球生產總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位於韓國青州的8英吋成熟製程晶圓代工廠M8遷至了無錫，但是該晶圓廠去年已經被出售給了中企。研調機構TrendForce資料顯示，2025年一季度的全球DRAM市場，SK海力士以36%市場份額位居第一，三星以33.7%的份額居第二。而在2025年一季度的全球NAND Flash市場，三星以31.9%的份額位居第一，SK海力士以16.6%的份額居第二。也就是說，三星與SK海力士一起佔據了全球近70%的DRAM市場和近50%的NAND Flash市場。另有資料顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠，投片量佔該公司 NAND Flash總產能的 42.3%，全球產能佔比也高達 15.3%。SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能在中國大陸。小結:顯然，美國撤銷對於三星和SK海力士在華晶圓廠的豁免，改為逐案許可，且限制技術升級和產能擴充，這將使得他們在華晶圓廠未來的營運和投資將會受到很大的影響。因為他們現有的在華產能如果未來長期無法進行技術升級的話，可能會逐步走向萎縮。不過，如果中國本土半導體裝置能夠獲得突破，則有望打破美國對於三星、SK海力士在華晶圓廠的限制。 (芯智訊)

當地時間6月20日，據《華爾街日報》引述知情人士的話報導稱，負責美國商務部工業和安全域（BIS）的商務部副部長傑弗裡·凱斯勒（Jeffrey Kessler） 已經通知三星電子、SK海力士、台積電等在中國大陸擁有晶圓廠的晶圓製造商，美國計畫取消允許它們在中國半導體裝置的豁免計畫。美國商務部發言人在一份聲明中表示，“晶片製造商仍將能夠在中國營運。晶片的新執行機制反映了適用於其他向中國出口的半導體公司的許可要求，並確保美國擁有平等和互惠的程序。”撤銷“無限期豁免”，裝置供應將受限早在2022年10月7日，美國就推出了新的對華半導體出口管制政策，限制了位於中國大陸的晶圓製造廠商取得先進邏輯製程晶片、128層NAND快閃記憶體晶片、18nm半間距或更小的DRAM記憶體晶片所需的製造裝置的能力，除非獲得美國商務裝置的許可。三星、SK海力士、台積電等外資企業在中國大陸的晶圓廠也受到了該政策的影響。不過，在數日之後的，三星電子、SK海力士、台積電均獲得了美國商務部頒發的1年豁免期許可，使得他們在之後的1年內，美系裝置廠無需辦理任何額外的許可，即可向他們位於中大陸的晶圓廠供貨。2023年10月，在1年豁免期即將到期之際，美國商務部又同意向三星電子、SK海力士和台積電位於中國大陸的晶圓廠提供“無限期豁免”，使得他們無需再擔心受到美國對華半導體裝置供應限制政策的影響。這也將使得他們在中國的晶圓廠能夠繼續正常運作。目前主流的NAND Flash晶片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM晶片也在進入10奈米級。而三星和SK海力士在中國都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產能，台積電南京廠也有一定的16/12nm邏輯晶片代工產能，如果無法獲得美系先進的半導體裝置及零部件供應，那麼不僅現有的產線營運可能將佈局，未來也將無法繼續進行技術升級和擴大產能，這將影響到他們在未來的生產能力和生產能力的生產能力。雖然這一負面影響在短時間內不會立刻顯現。三星、SK海力士在華產能佔比較高，取消豁免將衝擊全球供應鏈資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有儲存晶片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要製造3D NAND快閃記憶體晶片。截至2024年中，西安廠兩期項目總投資已高達270億美元。資料顯示，三星西安工廠每月產能將達到26.5萬張12吋晶圓，佔三星全球NAND快閃記憶體晶片總產量的42%。 2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1,000億元。SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，並於2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM晶片全球生產總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位於韓國青州的8英吋成熟過程晶圓代工廠M8遷至了無錫，但是該晶圓廠去年已經被出售給了中企。研調機構TrendForce資料顯示，2025年第一季的全球DRAM市場，SK海力士以36%市場份額位居第一，三星以33.7%的份額居第二。而在2025年第一季的全球NAND Flash市場，三星以31.9%的份額位居第一，SK海力士以16.6%的份額居第二。也就是說，三星與SK海力士一起佔據了全球近70%的DRAM市場和近50%的NAND Flash市場。另外資料顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠，投片量佔該公司NAND Flash總產能的42.3%，全球產能佔比也高達15.3%。 SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能在中國大陸。顯然，如果美國撤銷對三星和SK海力士在華晶圓廠的豁免，不僅他們在華晶圓廠未來的營運將會受到很大的影響，全球的儲存晶片供應可能也會受到衝擊。至於台積電，目前在中國大陸的南京廠僅擁有每月2萬片先進製程產能，主要以16nm及12nm為主。雖然這部分的先進製程產能可能將受到美國撤銷「無限期豁免」的負面影響，但相對於台積電全球龐大的先進製程產能來說，影響可能並不大。由於美系成熟製程裝置對華出口目前不受限，所以台積電在南京廠的28nm產能及松江廠的成熟製程產能則不會受到影響。這可能只是一個談判籌碼需要指出的是，目前撤銷對於三星電子、SK海力士、台積電在華晶圓廠的“無限期豁免”，還處於計畫階段，尚未正式實施。而且即便實施，三星電子、SK海力士、台積電也可能被允許向美國政府尋求逐案許可，以供應他們在中國大陸的晶圓廠。《華爾街日報》也透露，參與該規則討論的人表示，撤銷豁免並不是一個既定的決議。凱斯勒的部門——美國商務部工業和安全域（BIS）——還沒有得到美國政府其他部門的支援，例如美國國防部。因為，美國政府中的反對者擔心，取消對於三星電子、SK海力士、台積電在華晶圓廠的“豁免”，最終會提振中國的半導體裝置及零部件公司，並最終讓中國供應鏈掌控這些晶圓廠。畢竟，三星電子、SK海力士、台積電等半導體巨頭不會坐視自己在華利益受損，所以他們在華晶圓廠如果無法獲得美系半導體裝置的供應，那麼必然會推動他們轉向採用中國本土或其他非美系的半導體裝置來進行替代，而這無疑有助於中國發展國產化及非美化半導體供應鏈。同時，美國此舉也必然會影響其與韓國等盟友之間的合作關係。對韓國來說，中國也是其最大的晶片出口國。資料顯示，韓國晶片廠商將大約60% 的晶片出口到了中國大陸，韓國晶片製造商在中國工廠的產能也遠高於其他國家和地區的晶片製造商。總結來看，這次事件很可能是美國川普政府為獲得關稅談判籌碼而「無中生有」的策略。雖然先前在5月12日，中美雙方達成了初步的關稅協議，但是有保留有暫停90天的24%的關稅需要繼續談判。美國此番計畫撤銷對三星電子、SK海力士、台積電等外資企業在華晶圓廠使用美國技術的豁免，可能是為了增加美國與中國進行關稅談判的籌碼。同時，目前中國對於稀土的出口管制政策，正頗為令美國的汽車等依賴於稀土材料的相關產業頭疼。美國政府也可能想藉此來換取中國對於稀土的出口許可。《華爾街日報》報導稱，白宮官員表示，美國此舉並非新的貿易升級，而是旨在使半導體製造裝置的許可制度類似於中國對稀土材料的許可制度。此外，對於美國政府來說，利用撤銷該“豁免”的威脅，對於韓國兩大半導體巨頭三星電子和SK海力士，以及台灣晶圓代工龍頭廠商台積電的“拿捏”，也有助於美國政府與韓國及台灣的關稅談判。 （芯智訊）

隨著數十家晶圓廠在中國建設並在未來幾年上線，中國已準備大幅擴大其晶片製造能力。這些晶圓廠中的大多數將使用成熟的製程技術生產晶片，使中國能夠在這些節點上佔領晶片市場。 同時，市場研究公司TrendForce的專家警告稱，這可能會導致產能供過於求，使晶圓代工廠降低報價，有些公司可能會破產。 中國目前有44家晶圓廠，其中不包括7家不活躍的晶圓廠。據TrendForce稱，其中25家是300毫米晶圓廠，5家是200毫米晶圓廠，4家是150毫米晶圓廠。 到2024年底，中芯國際、華虹、晶合等公司計劃再增加10家晶圓廠，其中包括9家300毫米晶圓廠和1家200毫米晶圓廠。還有23個晶圓廠正在建設中，包括15個300毫米晶圓廠和8個200毫米晶圓廠，使新晶圓廠總數達到32個，預計所有晶圓廠都將在未來幾年內投產。