本文內容基於《MS-CPO 供應鏈更新，深度解讀玻璃橋技術》（英文標題：CPOSupply Chain Updates; More on GlassBridge）整理，報告發佈機構：摩根士丹利，發佈時間：2026 年 7 月 5 日。本文僅作產業資訊交流與學術研究參考，不構成任何投資建議。文中所有觀點均來自原報告，不代表本公眾號立場。市場有風險，投資需謹慎。 GlassBridge 能不能掀翻 FAU 現有格局 摩根士丹利這份剛出的 CPO 供應鏈調研，把最近行業裡討論很多的 GlassBridge 技術掰得很透。核心結論很明確：這是個有長期潛力的技術路線，但距離大規模量產還有很遠的距離，短期根本動搖不了現有 FAU 供應鏈的基本盤。反而 CPO 本身的產業化進度比很多人預想的要紮實，台積電的 PIC 產能、晶圓測試效率都在按節點推進，2026 年下半年就能看到首批規模交付。 GlassBridge 的本質不是下一代 FAU 是全新的連接架構

被業界稱為矽光子元年的台積電光引擎COUPE 將整合共同封裝光學（CPO）解決方案，今日在技術論壇宣佈重大成果，搭載COUPE 技術的全球首個200Gbps 微環調變器（MRM），將於2026 年進入量產，並實現低於1E-08 的位元誤差率。 台積電表示，與傳統銅線相比，基板上搭載COUPE的CPO可提供4 倍的功耗效率及減少90%的延遲，公司正朝在中介層（interposer）上使用COUPE 技術，效能可進一步提升，實現10倍的功耗效率與延遲減少95%的卓越表現。 台積電強調，搭載COUPE 技術的全球首個200Gbps 微環調變器（MRM）將於2026 年進入量產，採用COUPE 技術的MRM 在優異的製程控制下，實現低於1E-08 的位元誤差率外，公司也持續擴展，以讓400Gbps的調變器、多波長技術與多列光纖陣列單元，於2030年實現4Tbps/mm 的頻寬密度。 除此之外，台積電也宣佈非揮發性記憶體技術正朝向MRAM 和RRAM（ 電阻式隨機存取記憶體） 發展，而且製程將40/28/22 奈米縮小至16/12奈米。