在AI大模型對海量吞吐與超大容量記憶體需求爆炸式增長的當下，半導體記憶體晶片正面臨數十年來最嚴峻的微縮瓶頸。傳統的平面微縮紅利幾乎耗盡，平面 DRAM 的 6F² 單元架構逼近物理極限，而 3D NAND 單晶圓堆疊也撞上了薄膜應力與電流衰減的硬牆。在剛剛落幕的半導體頂級盛會“2026 VLSI Symposium”上，記憶體巨頭們給出了清晰的破局方案：SK海力士用垂直通道 4F² 架構硬核接棒，三星電子率先堆出 16 層 3D DRAM，鎧俠（Kioxia）則聯合閃迪（Sandisk）拋出晶圓鍵合新方案，直奔 1000 層 3D NAND 大關而去。記憶體晶片的競爭維座，已徹底從“二維平面微雕”全面轉向“三維立體攻堅”。 1. DRAM突破二維物理極限：SK海力士亮出4F²，三星攻下16層VS-DRAM 在易失性高速記憶體（DRAM）賽道，微縮的難度遠高於邏輯晶片。為了在極小面積內維持電容電荷與電晶體性能，韓系雙雄各自展示了通往下一代 DRAM 的終極路線。 SK海力士：垂直通道 4F² 架構壓榨平面極限傳統的 6F²（F為特徵尺寸）DRAM 單元在繼續下探時面臨嚴重的電磁干擾與漏電問題。SK海力士在論文中披露了其最新的 4F² 單元 DRAM 技術。該方案將電晶體通道改為了垂直方向，使電晶體與電容垂直相連，並在字線與位線的交叉點直接配置記憶體單元。

[股市開盤評論] 3日的日本股市開盤後賣盤先行，隨後市場走勢或將圍繞半導體股的堅挺程度展開。7月31日美國市場，紐約道指上漲276點，納斯達克指數上漲251點。亞馬遜因業績表現優異股價飆升逾15%，推動了紐約道指上揚。儘管原油價格上漲，且聯準會鷹派言論一度構成壓力，但繼前一日之後，半導體及AI相關股票再度出現買盤迴流。芝加哥日經225指數期貨較大阪收盤價下跌450日元，報63270日元。日元兌美元匯率維持在1美元兌157日元80日分附近。 日經平均股價可能因向芝加哥期貨價格靠攏而以賣盤先行開局。日經225指數期貨在夜間盤中一度漲至64310日元，但在美國市場開盤後走軟，盤中一度跌至62630日元。此外，鎧俠控股（股票代碼：285A）在31日收盤後公佈了業績，並在場外交易系統（PTS）中遭到拋售，可能導致部分半導體及AI相關股票出現獲利了結佔優的局面。 不過，鎧俠控股已宣佈實施股票回購和拆股，預計在賣壓釋放後，市場逢低買入意願將較爲強勁。若開盤後迅速展開反彈，或將帶動資金轉向其他半導體及AI相關股票。此外，據媒體報導，美國前總統川普在其社交媒體上發文稱已同意停止對伊朗的攻擊，這可能促使市場關注原油價格回落風險，進而提振風險偏好情緒。

根據，日本共同社報道，鎧俠半導體與西部數據即將完成合併，合併之後新的公司將成為全球最大的NAND 快閃記憶體製造商。 大家知道，在全球半導體產業中，美國佔據絕對主導地位，在EDA、IP授權、IC設計、設備等方面都處於產業鏈的頂端；韓國以存儲晶片和晶圓製造為主，佔據一席之地；日本在晶圓設備、半導體材料以及封測工具等方面佔一定的優勢；歐洲主要以車載晶片、IP授權佔據一定的優勢，尤其在圍繞車載半導體領域在全球領先；台灣主要以晶圓製造、封測等佔據主導；大陸目前佔一定優勢主要在封測領域，以及部分IC設計、晶圓製造等。 因此，對於鎧俠與西部數據的合併影響最大的無疑就是韓國了。 一、記憶體晶片新巨擘誕生，威脅韓國記憶體晶片