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北風窗
前天 11:31
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長江記憶體IPO創紀錄,武漢憋了二十年的大招
前不久長鑫記憶體上市,合肥國資帳面浮盈超兆,“最牛風投”的名聲更響亮了。但很多人忽略了武漢。 最近長江記憶體科創板IPO獲受理,擬募資330億,超過長鑫科技的擬募資295億,創下科創板擬募資規模之最。這家全球NAND快閃記憶體份額前三的公司,總部在武漢光谷。 十年前,武漢在光谷劃出一片地搞記憶體晶片,那時候沒人看好。長江記憶體從挖人、建廠、啃技術,一路被美國制裁,一路殺到全球前三。現在要上市了,武漢的“晶片局”終於要兌現。 事實上,武漢的晶片佈局不止長江記憶體。從記憶體到光通訊到顯示,武漢在半導體產業鏈上卡了好幾個關鍵位置。有人好奇,武漢憑什麼在晶片產業上跑出來了?武漢的晶片產業版圖到底有多大?
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北風窗
2026/10/03
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9張圖,看遍中國河流之最
9張圖,看遍中國河流之最 中國的河流, 可以有多少個“之最”? 它們從高原出發,
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北風窗
2026/09/27
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《研報》長鑫記憶體、長江儲存、兆易創新、瀾起科技、江波龍深度商業解讀:從DRAM、NAND到主控與SSD,讀懂中國儲存產業鏈價值分工
研究對象:長鑫儲存(DRAM IDM)、長江儲存(3D NAND IDM)、兆易創新(NOR+SPI NAND Fabless)、瀾起科技(記憶體介面晶片Fabless)、江波龍(儲存模組/SSD系統整合) 核心命題:五家企業並非同業競爭,而是儲存產業鏈上五個完全不同的價值節點。長鑫與長江是底層晶圓顆粒製造(IDM);兆易是小容量非易失儲存晶片設計;瀾起是伺服器記憶體互連配套晶片;江波龍是把顆粒、主控、PCB組裝成記憶體條、SSD、嵌入式儲存模組的系統整合商。 底層邏輯:儲存產業鏈的價值分配,遵循「裝置材料>晶圓製造IDM>專用晶片設計>模組整合」。儲存週期波動傳導順序:上游裝置材料→儲存原廠顆粒→模組廠商。國產儲存的突圍不是單點突破,而是顆粒、配套晶片、主控、模組、韌體、測試全鏈條協同。 第一卷 緒論:大眾最容易混淆的概念——DRAM、NAND、NOR、記憶體介面晶片、SSD模組
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2026/09/24
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美光被裁定侵權!
9月23日消息,近日德國慕尼黑法院就長江存儲訴美光專利侵權案作出裁決,認定美光侵犯長江存儲兩項德國實用新型權,並頒發禁令,判令美光停止在德國銷售相關侵權產品! 這是雙方專利戰自 2023 年 11 月全面爆發以來,長江存儲在全球範圍內取得的首個實質性禁令勝利。此次裁決涉及的兩項德國實用新型分別為: DE202020006166U1,名稱為“三維儲存器件的階梯結構”(案件號 7 O 12615/25); DE202021004551U1,名稱為“三維 NAND 儲存器中字線接觸的阻擋層”(案件號 7 O 12614/25)。
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北風窗
2026/09/24
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長江記憶體這下要爆了!
9月23日,儲存行業傳來重磅司法進展,長江儲存與美光的全球專利戰迎來關鍵轉折。 德國慕尼黑法院完成案件裁決,認定美光侵犯長江儲存兩項實用新型專利。 法院正式頒布銷售禁令,限制美光在德國市場售賣相關侵權儲存產品。 本次判決是2023年11月雙方專利爭端全面爆發後,長存斬獲的首個實質性海外禁令。
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RexAA
2026/09/23
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長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍到底有什麼區別?從DRAM、NAND到主控和SSD,看懂中國記憶體產業鏈真正的價值分工
上一篇文章我們聊HBM時提到:未來記憶體行業競爭,不會只是“誰能製造DRAM”。 而會變成:記憶體製造能力、先進封裝能力、高速介面能力以及系統解決方案能力的綜合競爭。 這也帶來一個問題:中國記憶體產業裡面,到底誰真正受益? 很多時候,市場會把:長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍、佰維記憶體放在一起討論。
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2026/09/19
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路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線:AI儲存短缺窗口裡,長江儲存已送樣DRAM,雙雄互攻核心市場
2026年9月18日,路透社報導了一條消息。 長鑫記憶體計畫在北京新廠,建一條NAND Flash研發產線。 它還在北京設立研究院,項目包括NAND開發。 三名知情人士對路透社透露了這些資訊。
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2026/09/19
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長鑫記憶體據報進軍快閃記憶體市場,將挑起與三星、長江儲存的競爭
路透援引三位知情人士透露,長鑫記憶體正準備進入由三星電子等外國競爭對手主導的處於爆發期的快閃記憶體晶片市場。在全球記憶體晶片短缺的大背景下,此舉將進一步擴大其客戶群體。這也意味著,這家動態隨機存取記憶體器(DRAM)晶片領域的專家將與國內競爭對手長江記憶體展開正面交鋒,正式跨入半導體行業增長最為迅速的細分領域之一。 人工智慧伺服器的強勁需求導致了全球記憶體晶片短缺,行業高管普遍認為這一現象將至少持續至2027年。SK海力士CEO在7月份表示,從供應角度來看,2027年可能會是該行業最為嚴峻的一年;而集邦諮詢(TrendForce)則預計,NAND快閃記憶體的供應緊張狀況要到明年下半年才有可能有所緩解。 兩位知情人士透露,長鑫記憶體計畫在其位於北京的新廠房內建立一條NAND快閃記憶體研發生產線。另有一位知情人士表示,該公司還在北京設立了一家研究院,其中的研究項目就包括NAND快閃記憶體的開發。第三位知情人士透露,長鑫記憶體已與其客戶討論了NAND快閃記憶體發展計畫,其中包括一家新成立的初創公司,該公司打算採購長鑫記憶體的NAND晶片,用於AI系統及超級電腦所需的記憶體產品中。不過,該知情人士拒絕透漏這家初創公司的名稱。目前尚不清楚該研發生產線將於何時投入運行,也不清楚長鑫記憶體是否打算從研發和試產逐步過渡到大規模的商業化量產。 根據研究機構集邦諮詢的資料,按營收計算,三星電子在第二季度是全球最大的NAND快閃記憶體供應商,市場份額達到29.3%。SK海力士排名第二,緊隨其後的是美國的美光科技。 (格隆匯電報)
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