三星電子成功實現全球首個900層V級NAND原型技術，向“千層NAND時代”又邁進了一步。在與競爭對手激烈的堆疊技術競爭中，三星電子憑藉這一突破迅速確立了顯著的技術領先優勢，備受讚譽。 據半導體行業25日報導，三星電子近期成功實現了採用“單元多重鍵合（CMB）”技術的900層V級NAND整合系統，該技術將兩片450層單元晶圓鍵合為一體。 NAND快閃記憶體是人工智慧伺服器、智慧型手機和資料中心固態硬碟（SSD）的核心元件，用於儲存資料。如同建造公寓樓一樣，堆疊層數越多，容量越大，在有限的晶片尺寸內即可儲存更多資料，同時最大限度地提高能效。這項技術被認為是三星電子在人工智慧伺服器和終端人工智慧市場佔據主導地位的關鍵，因為在這些市場中，高容量和高效率的元件至關重要。 目前，SK海力士憑藉其321層的4D NAND快閃記憶體在量產市場佔據層數最高的地位。然而，三星電子通過同時推進其第十代V-NAND（V10，超過400層）的量產，並在研發階段迅速突破900層大關，從而在下一代NAND市場中佔據了有利地位。

2026年3月21日，華為在深圳把Ascend 950PR AI處理器投向了市場，單卡FP4算力到了1.56 PFLOPS。隔了兩個多月，其企業級儲存又更新了OceanDisk 1800系列。這個系列用上了一種叫“Die-on-Board”（DoB）的裸片直焊技術，在快閃記憶體顆粒本身還是232層3D NAND的前提下，把一塊企業級SSD的容量拉到122.88TB。 5月，硬體分析網站hardwareanalytic.com進一步披露，華為向一批核心客戶私下展示了到2028年的Ascend晶片路線圖，計畫用950、960、970三代產品，保持一年一代、每代算力翻倍的節奏。 不到一個季度，儲存、AI晶片、路線圖連續曝光。在美國仍死死卡著高頻寬記憶體（HBM）和先進製程裝置的當口，華為的半導體策略看上去已經從被動替代，轉向了多條線同時主動出擊。 122TB盤怎麼用232層NAND做到逼近400層效果

分享Omidia 2026 年 NAND 快閃記憶體市場報告。2026 年 Q1 消費終端表現超預期，但增長源於提前備貨，受儲存成本上漲壓力影響，Q2 起消費端出貨將下滑。AI 與資料中心 NAND 需求持續強勁，高端手機市場具備韌性，有效對沖消費端疲軟。供給端，中國頭部廠商持續擴產，Solidigm 加碼高密度 NAND 產能，行業為長期需求備貨。價格層面，Q2 漲價趨勢延續但增速放緩，SLC/MLC 等傳統節點產品月環比暴漲近 50%，TLC/QLC 主流產品漲幅 15%-20%，廠商間漲幅分化。資料顯示，2026 年 Q1 NAND 營收 444.47 億美元，環比大增 82.9%，單價大幅上漲；2026 年全年營收逐季攀升，2027 年 Q1 達峰值後小幅回落。eMMC、eMCP、UFS、uMCP 等移動儲存產品價格同步上行，2027 年 Q2 部分產品價格小幅回呼。 報告主要內容 市場核心評論 消費端 Q1 表現與 Q2 起下滑預期

國內NAND Flash快閃記憶體龍頭長江儲存（YMTC）的IPO終於來了。 5月19日，中國證監會官網披露，長江儲存母公司長江儲存控股股份有限公司（以下簡稱“長江儲存控股”）啟動上市輔導備案，輔導機構為中信證券股份有限公司和中信建投證券股份有限公司。 針對長江儲存控股為何選擇在此時啟動上市輔導以及募集資金的投入方向，《中國經營報》記者向長江儲存方面諮詢採訪。截至發稿，長江儲存方面未就上市相關事宜作出回應。 不過記者留意到，長江儲存啟動IPO輔導的消息在A股市場持續發酵，多家通過間接途徑參股該公司的上市公司5月20日股市表現活躍。其中，養元飲品（603156.SH）盤中一度大漲近10%，市北高新（600604.SH）、大眾交通（600611.SH）等觸及漲停，此外半導體概念股5月20日亦集體走強。

隨著NAND快閃記憶體價格短期內飆升，供應短缺的跡象開始顯現。據市場研究公司DRAMeXchange 4月14日發佈的資料顯示，自2月底以來的大約六周內，NAND快閃記憶體現貨價格已上漲近80%。SLC 2Gb固態硬碟的價格從2月底的2.10美元上漲了約62%，至4月初的3.41美元；而SLC 1Gb固態硬碟的價格則從1.75美元上漲了約64%，至2.87美元。同期，MLC 64Gb產品價格從8.37美元飆升約79%至15.00美元，32Gb產品價格也從5.25美元上漲約65%至8.67美元。現貨價格是分銷市場形成的指標；雖然波動性很大，但它們被認為是反映供需變化的先行指標。由於此次價格上漲涵蓋了從低容量到中容量的整個產品範圍，一些人將其解讀為供需結構轉變的初始階段，而不僅僅是簡單的庫存調整。首先，供應方面仍然存在限制。由於主要儲存器製造商將裝置和投資集中於高頻寬記憶體（HBM）的生產，NAND的擴張仍然有限。分析表明，三星電子和SK海力士也在調整其生產比例，以專注於高利潤的HBM快閃記憶體和企業級固態硬碟，這一過程正在減少通用NAND快閃記憶體的供應，加劇了供應緊張的局面。與此同時，需求正在結構性地增長。這是因為隨著人工智慧（AI）行業從以學習為中心的方法轉向以推理為中心的方法，資料儲存需求正在激增。隨著企業級固態硬碟（SSD）在資料中心和伺服器中的應用不斷擴大，NAND快閃記憶體的需求基礎正在迅速重塑。全球投資銀行摩根大通在近期的一份報告中分析指出，“未來三年，受企業級固態硬碟（SSD）需求增長的推動，NAND市場將以年均30%的速度增長”，並補充道，“NAND正在從以消費者為中心的儲存領域轉型為人工智慧基礎設施的核心領域。”美國金融投資公司Evercore ISI也評估認為，“NAND正在從周期性儲存領域轉型為受益於人工智慧的結構性產業”，並指出“至少到2028年，NAND的供應仍將保持有限，而需求卻在加速增長。”這種環境促使雲公司與儲存裝置製造商之間的戰略合同不斷增多。隨著包含價格底線和預付款等條款的合同結構日益普及，市場波動性也呈現出緩解的跡象。三星電子的“QLC第九代V-NAND”產品。全球NAND廠商正在研發的下一代技術——高頻寬快閃記憶體（HBF）技術也備受關注。去年，SanDisk 在一次投資者簡報會上公佈了其 HBF 開發路線圖。HBF 是一種將 TSV 堆疊技術應用於 NAND 快閃記憶體的結構，旨在提高頻寬和擴展容量；目前該技術正在開發中，目標是在年內交付樣品，並在 2027 年實現全面應用。在韓國，被譽為“HBM 之父”的韓國科學技術院 (KAIST) 金正浩教授於去年二月發表了題為“HBF 技術開發成果、路線圖及商業化戰略”的演講，介紹了該技術路線圖。金教授解釋說：“如果說 CPU 是 PC 時代的關鍵，低功耗是智慧型手機時代的關鍵，那麼記憶體就是人工智慧時代的關鍵。”他補充道：“HBM 決定速度，而 HBF 決定容量。” (大話晶片)

蘋果擬牽手長江儲存，國產快閃記憶體或將打入中國版 iPhone據行業爆料，蘋果計畫在中國市場銷售的 iPhone 搭載長江儲存 NAND 快閃記憶體晶片。此舉旨在應對儲存晶片漲價，緩解利潤壓力。去年下半年以來，全球儲存晶片進入漲價周期。手機行業整體利潤被嚴重擠壓。此前受美國禁令限制。蘋果儲存晶片供應高度依賴三星、SK 海力士。蘋果在供應鏈中幾乎沒有議價主動權。為保障供應穩定，蘋果接受了三星 100% 的漲價合約。而三星最初漲價預期僅為 80%。目前蘋果單顆 LPDDR5X 記憶體晶片採購成本已達 70 美元。高額成本持續壓縮 iPhone 利潤。國產晶片技術已實現重大突破。長江儲存自研 Xtacking4.0 技術，已量產 300 層以上 3D NAND 快閃記憶體。產品性能對標三星 286 層、SK 海力士 321 層旗艦產品。可滿足蘋果嚴苛的品控要求。《日經亞洲》報導：中國設定半導體行業自給率提升至 80% 的戰略目標。國產儲存廠商的技術突破是國產化處理程序的核心體現。行業分析認為：蘋果僅在中國市場機型採用長江儲存晶片。這是兼顧成本與風險的最優選擇。既能通過本土供應鏈降低成本、保住利潤。也能規避美國國內輿論與政策壓力。新供應商的加入將打破韓系廠商供應壟斷。蘋果在供應鏈談判中將重獲主動權。此次合作屬於雙贏：蘋果可在行業波動中鞏固市場優勢；國內半導體供應鏈國產化處理程序也將進一步加速。 (深科技)

電腦手機都買好了嗎？韓國媒體《先驅報》報導，根據市場調研機構 Counterpoint Research 在11日舉行的線上研討會上的最新報告，全球記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND）價格正迎來史詩級暴漲，部分通用產品的價格甚至在短短一個季度內翻了三倍。Counterpoint 的資料顯示，受 AI 基礎設施建設對算力的極度飢渴影響，儲存市場的供需天平已徹底失衡。以春節為節點，伺服器常用的 64GB DDR5 模組價格較前一季度飆升了 150%，手機端的 12GB LPDDR5X 漲幅達 130%。更令人錯愕的是，即便是不再是主流的筆記本用 8GB DDR4 記憶體，其價格也由於產能向高端轉移而暴漲了 180%。不僅是 DRAM，NAND 快閃記憶體系列產品的漲幅也維持在 130% 至 150% 之間，這種全線飄紅的態勢在行業史上極其罕見。針對這一困局，Counterpoint 認為即便三星電子和 SK 海力士今年砸下近 90 兆韓元（約合 4900 億人民幣）進行產能擴張，依然無法在短期內填平缺口。分析師黃敏成指出，雖然各大巨頭今年的生產規模將增長約 25%，但真正的有效供應量釋放要等到 2027 年下半年。這意味著，這場“晶片荒”可能還要持續兩年之久，價格在今年下半年幾乎沒有回呼的可能。在備受關注的 HBM 領域，競爭格局也在發生微妙變化。SK 海力士在 HBM3e 時代曾佔據約 60% 的市場份額，但在下一代 HBM4 的爭奪中，三星電子似乎正憑藉更早的量產進度和認證優勢實現反超。海力士由於在部分高性能產品的適配上遭遇技術調整，目前正處於追趕狀態。此外，報告還特別警告了我們國記憶體儲勢力的崛起，CXMT 長鑫的市佔率有望在 2028 年突破 10%，而NAND製造商 YMTC 長江儲存已經佔據了全球13% 的市場份額，成為老牌巨頭們不可忽視的競爭對手。《先驅報》還指出，由於雲服務商（Hyperscalers）的採購需求依然維持在高位，儲存廠商已開始將主要精力轉向高利潤的 AI 定製化產品，甚至不惜壓縮部分通用記憶體的生產計畫。對於普通消費者而言，在“晶片漲價潮”與“電費普漲”的雙重壓力下，未來一兩年的電子產品購買成本恐怕將持續維持在高位。 (AMP實驗室)

外媒在近一段時間的報導中已多次提到，去年下半年持續上漲的儲存晶片價格，在今年仍將持續，已有多家市場研究機構給出了持續上漲的預期，終端裝置製造商也將因此面臨更大的成本壓力。而從外媒最新的報導來看，儲存晶片的價格，如市場研究機構此前預計的那樣仍在上漲，1月份的價格較去年12月份就有明顯上漲，DRAM和NAND快閃記憶體均是如此。外媒的報導顯示，在DRAM方面，DDR4這一主要產品的單價，在1月份超過了11美元，自去年4月份以來連續10個月上漲，是有資料記錄以來最高的；PC方面主要的DDR4 8Gb的平均固定合約價格，在1月份是11.5美元，較此前一個月上漲了23.66%。與DRAM相比，NAND快閃記憶體在1月份的漲幅更大，外媒稱1個月飆升超過60%。而外媒在報導中還提到，有市場研究機構預計PC DRAM的合約價格在今年一季度將上漲105%到110%，這大機率也就意味著在他們看來，2月份和3月份的漲幅也不會低。 (TechWeb)