8月18日收盤6.47元，漲6.41%，成交額205億元，換手率9.17%，主力淨流入約9億元。總市值2397億，PE（TTM）40倍。

資金搶籌京東方，炒的不是LCD面板漲價，不是OLED放量，而是一個更性感的故事：玻璃基板。AI晶片先進封裝的下一代核心材料，英特爾已經率先量產，三星、台積電緊隨其後，而京東方是國內進度最快的玩家之一。

一家做了三十年螢幕的公司，突然被放進AI算力封裝的賽道里估值。這個故事有多少是真的，多少是炒的？玻璃基板到底是什麼，京東方做到那一步了，2397億市值裡有多少是面板、多少是玻璃基板的期權？今天這篇文章我將京東方拆開來看看。

一、玻璃基板是什麼，為什麼AI晶片需要它

先說清楚玻璃基板到底是什麼。

晶片封裝需要載板，相當於晶片的"地基"。傳統載板用有機材料（BT樹脂、ABF膜）做芯層，上面布線連接晶片和PCB。但AI晶片越來越大、電晶體越來越多，HBM堆疊層數越來越高，有機材料的物理瓶頸開始暴露：容易翹曲、表面平整度不夠、訊號傳輸損耗大、互連密度做不上去。

玻璃基板就是把有機芯層換成超薄玻璃。玻璃的優勢很明顯：平整度極高、熱膨脹係數低（不怎麼變形）、訊號損耗小、可以做更細的線路和更密的通孔。用玻璃通孔技術（TGV，Through Glass Via）替代傳統的雷射鑽孔，能把互連密度提升數倍，同時支援更大尺寸的芯粒封裝。說白了，AI晶片要把更多計算單元和HBM堆在一起，有機載板扛不住了，玻璃是目前看到的最優解。

這不是概念炒作。英特爾2026年6月正式發佈了首款搭載玻璃核心基板的Xeon 6+"Clearwater Forest"伺服器處理器，成為全球首個把玻璃基板推向大規模商業量產的企業。英特爾在亞利桑那州累計投資超過200億元人民幣，良率已突破95%。SKC旗下Absolics也在2026年上半年實現商業量產。三星電機2026年4月向蘋果交付玻璃基板樣品，計畫2027年量產。台積電將玻璃基板納入CoPoS路線圖，規劃2027年試產、2028到2029年量產。

全球半導體巨頭集體押注，2026年被視為玻璃基板商業化元年。這個市場目前滲透率幾乎為零，但據多家券商測算，2030年全球玻璃基板封裝市場規模有望達到數百億元等級。

二、京東方的玻璃基板做到那一步了

京東方做玻璃基板不是臨時蹭熱點，而是佈局了六年。

根據公司公告和投資者關係活動記錄，2020年京東方啟動玻璃基封裝載板技術預研；2022年投資3.9億元搭建玻璃基/矽基相容的晶圓級創新實驗平台；2024年追加投資9.93億元，建設國內首條板級玻璃基封裝載板試驗線；2025年完成大尺寸高層數（9-2-9結構，20層）玻璃基載板樣品開發並向客戶送樣；2026年上半年試驗線實現全自動化裝置通線，設計月產能1000片大板。

技術能力上，公司已完整打通TGV開孔、深孔填銅、低應力金屬布線、增層布線等全流程工藝，並通過了Pre-con（預處理）、TCB 1000 cycles（熱循環）等可靠性標準測試。技術路線採用"玻璃芯（Glass Core）+ABF"混合方案，即用玻璃做芯層、ABF膜做增層，兼顧玻璃的性能優勢和現有ABF產業鏈的成熟度。

客戶進展方面，公司在7月投資者活動中確認：已產出大尺寸高層數玻璃基載板樣品並給部分客戶送樣，部分客戶通過概念認證進入技術測試階段。2026年的核心目標是把良率最佳化至量產標準。5月20日，京東方與美國康寧簽署三年合作備忘錄，圍繞玻璃基封裝載板、可折疊玻璃、鈣鈦礦玻璃基板、光互連等領域合作。康寧是全球玻璃材料巨頭，這一合作為京東方提供了玻璃基材供應和技術協同。

京東方做玻璃基板有一個天然優勢：它做了三十年顯示面板，在大尺寸超薄玻璃處理、精密鍍膜、光刻、微細加工方面積累了完整的工藝能力和裝置體系。TGV工藝中的玻璃 thinning（減薄）、光刻、鍍膜，和面板製造有大量技術同源性。這也是市場認為京東方比其他國內玩家更有可能跑出來的原因。

第一，目前零營收。試驗線設計月產能1000片，還處於送樣驗證階段，沒有量產、沒有收入。公司自己在調研紀要中明確說"尚未抵達量產良率標準"。

第二，量產時間表在2027年及以後。公司規劃2027年實現高深寬比（20:1）、細微間距（8/8μm）產品的量產。從送樣到客戶認證通過再到批次採購，半導體材料的周期通常需要18到24個月，2027年能否如期量產存在不確定性。

第三，網上傳言"送樣華為韜定律V2""國內頭部客戶獨家供應""2027年投50億建月產15000片量產線"等多種說法，但公司從未官方確認，不能當作事實。

三、面板基本盤：提供現金流，但利潤仍然很薄

玻璃基板是未來，面板是現在。京東方2025年營收2045.9億元，其中絕大部分來自顯示器件。理解京東方的估值，不能只看玻璃基板的故事，還要看基本盤能提供多少現金流和安全墊。

LCD方面，京東方全球第一，中國大陸三強（京東方、TCL華星、惠科）合計佔全球約64%產能，台韓廠商持續退出，供給格局比十年前理性。2026年一季度TV面板價格全面上漲，二季度供需同步收緊、價格持穩。但公司7月31日調研紀要確認，7月主流尺寸TV面板價格已有所下降，稼動率從高位回落。LCD周期沒有消失，只是波動幅度可能縮小。

OLED方面，2026年上半年柔性AMOLED出貨超8000萬片，已進入蘋果供應鏈。成都8.6代AMOLED產線6月量產，主攻AI PC、平板、車載中尺寸場景，總投資630億元。OLED是第二增長曲線，但目前仍在投入和爬坡期，對利潤的貢獻還不明確。

利潤表方面，2025年營收2045.9億（+3.13%），歸母淨利58.57億（+10.03%），扣非42.3億，淨利率不到3%。

2026年上半年預告歸母淨利50億到55億元（+54%到69%），其中Q2單季33億到38億元，環比翻倍。但要注意，約20億元來自交易性金融資產公允價值變動（投資收益），不是賣面板賺的。扣非淨利潤30.8億到33.1億元，同比增長35%到45%，Q2扣非約16億到19億，確實在改善，但沒有歸母數字那麼誇張。看京東方的真實盈利能力，要盯扣非。

資產負債率51.92%，2024年分紅18.7億元（佔歸母淨利35%）加回購超15億元，股東回報還算到位。

當前2397億市值，PE（TTM）40倍。這個估值貴不貴，取決於你怎麼看三塊業務。

面板業務按周期股估值。如果2026年扣非淨利潤達到70億到80億（H1扣非約32億，下半年假設LCD價格不出現大幅下跌），給20到25倍PE，對應1400億到2000億市值。這是基本盤的價值。

OLED業務如果8.6代線順利爬坡、中尺寸滲透率提升，2027到2028年有望貢獻增量利潤，但目前還在投入期，短期不貢獻估值。

玻璃基板是期權價值。目前零營收、試驗線階段，參考海外可比公司和國內同行的估值預期，市場給這塊業務的估值可能在300億到800億之間，取決於量產進度和客戶認證結果。樂觀情況下，如果2027年順利量產並切入頭部AI晶片客戶供應鏈，估值可以更高；如果良率不達標或認證延遲，這塊期權價值會大幅縮水。

三塊加起來，2397億市值大致反映了"面板業務合理估值+玻璃基板樂觀預期"。也就是說，當前股價已經部分price in了玻璃基板的成功，但還沒有到完全泡沫化的程度。如果玻璃基板量產順利，估值還有上行空間。

還需要提一句，8月18日的大漲也有鈣鈦礦太空太陽能、玻璃基板TGV概念炒作的成分。鈣鈦礦業務公司投入近10億元，參與北京太空智算研究院，但同樣處於極早期，對營收沒有貢獻。這些概念在情緒高漲時會放大漲幅，退潮時也會放大跌幅。

第一，玻璃基板良率和量產節奏。公司自己說2026年核心目標是把良率最佳化至量產標準，但目前"尚未抵達"。半導體封裝載板的良率要求極高，從試驗線到量產線的爬坡可能遇到各種工程問題。英特爾良率做到95%花了多年時間，京東方能否在2027年如期量產，是最大的不確定性。

第二，客戶認證周期。玻璃基板用於AI晶片封裝，客戶認證極其嚴格，從送樣、概念認證、技術測試到批次採購，通常需要18到24個月。公司目前只到"部分客戶通過概念認證進入技術測試"階段，距離批次訂單還有距離。

第三，競爭格局。英特爾自己做玻璃基板（自用），三星電機、SKC Absolics、台積電都在推進，國內還有沃格光電、藍思科技、凱盛科技等玩家。京東方有面板技術同源優勢，但在半導體封裝領域的客戶積累和工藝經驗上並不領先專業封裝載板廠。

第四，LCD面板價格7月已開始回落。如果下半年進入下行通道，面板業務利潤承壓，而玻璃基板還沒有收入接棒，業績可能出現青黃不接。

第五，20億非經常性損益不可持續。H1利潤中約20億來自金融資產公允價值變動，下半年市場波動可能導致這部分收益回吐。

京東方正在經歷一次身份重估：從周期面板廠向"面板+先進封裝材料"雙主業公司轉變。玻璃基板的方向是真實的，英特爾已經量產證明了技術路線可行，京東方六年佈局、試驗線通線、送樣客戶也是真實進展，面板技術同源優勢確實存在。這不是純概念炒作。

但也要看到，玻璃基板目前零營收，量產最早2027年，良率和客戶認證都還沒過關。2397億市值裡，面板業務提供了安全墊，玻璃基板提供了想像空間，但想像空間已經部分反映在股價裡了。8月18日205億成交、9%換手，說明多空分歧巨大，短線資金炒概念，長線資金等量產驗證。

玻璃基板可能是京東方下一個十年的故事，但好故事和好價格之間，需要時間和業績來填平。 (半導體產業聯盟)

🔷深度解析ABF如何支撐AI晶片、Chiplet與先進封裝持續升級
🔷揭秘味之素從全球封裝材料龍頭邁向下一代AI材料平台的發展戰略

最近幾年，只要聊到AI晶片，大家首先想到的往往是輝達GPU、HBM、高頻寬互連，或者台積電CoWoS先進封裝。但當我深入研究AI伺服器產業鏈後，卻發現真正決定高端封裝性能的一項關鍵材料，竟然來自一家很多人意想不到的企業——

沒錯，就是大家熟悉的那家食品公司。但實際上，它早已憑藉一款名為ABF（Ajinomoto Build-up Film）的封裝基板絕緣材料，牢牢佔據全球高端封裝市場95%以上的份額，幾乎成為CPU、GPU、AI ASIC等高性能晶片不可或缺的核心材料。隨著AI算力持續爆發、先進封裝不斷升級，ABF的重要性也正被越來越多的人重新認識。

最近，我認真研讀了味之素這份戰略報告。這份報告不僅首次系統梳理了ABF的發展歷程和技術演進，更透露了味之素未來幾年的核心佈局：從持續升級ABF技術、擴建全球產能，到佈局Co-Packaged Optics（CPO）和下一代先進封裝材料，全面押注AI時代的新機遇。

今天，我就帶大家一起拆解這份報告，看看這家“食品巨頭”是如何憑藉一張薄薄的ABF材料，成為全球先進封裝產業鏈中最難以替代的關鍵玩家。

一、這份材料真正想說明什麼？

這份報告的核心不是介紹ABF材料本身，而是闡述味之素如何借助AI算力爆發和先進封裝升級，將ABF從一家擁有95%以上市場份額的明星產品，升級為覆蓋下一代封裝材料的平台型業務。通過技術迭代、客戶協同開發、全球擴產以及佈局CPO等未來方向，公司計畫持續鞏固行業領導地位，並在2030年前實現電子材料業務的新一輪高速增長。

二、AI浪潮讓ABF迎來歷史級增長機會

報告首先強調的不是味之素，而是整個半導體產業。

它認為，AI成為未來十年半導體最大的增長動力；AI正從Training（訓練）進入Inference（推理）時代；GPU之外，CPU、ASIC需求同步增長；每顆AI晶片都需要更大的封裝基板（Package Substrate）。

因此帶來兩個變化：Package Substrate數量增加 + 單塊基板價值提升。

而ABF正是這些高端封裝基板中最關鍵的絕緣介質之一，因此AI算力越增長，ABF需求越大。報告引用WSTS預測，邏輯晶片市場將在2026、2027年繼續保持高速增長，AI成為主要驅動力。

三、ABF是味之素真正的核心競爭力

報告不斷強調：ABF並不是普通樹脂材料，而是高端封裝不可替代的基礎材料。

其作用包括，作為封裝基板層間絕緣材料；配合銅線路形成多層Build-up結構；

應用於CPU、GPU、ASIC、AI伺服器、HPC、網路裝置等高性能邏輯晶片。

更重要的是，ABF自推出以來一直保持95%以上市場份額。

報告認為，目前沒有真正能夠替代ABF的成熟方案，這也是味之素最大的護城河。

四、味之素最大的優勢不是材料，而是"共同開發"

報告反覆強調一個詞：Co-Creation（共同開發）

味之素不是研發完材料再賣給客戶。而是，客戶開始開發晶片的時候，味之素就已經參與進去。共同完成性能設計、成本設計、工藝適配、後續量產

因此ABF幾乎都是 Customer Specific（客戶定製化），每一家封裝廠都有自己的ABF配方，這也是競爭對手難進入的重要原因。

報告認為，真正的競爭壁壘不是配方，而是客戶聯合開發體系+開發速度+長期信任。

五、AI正在讓每塊封裝基板使用更多ABF

這是報告非常重要的一條邏輯。

未來：13層甚至更多、更大的封裝尺寸、3D封裝、Chiplet

報告展示了封裝基板的發展趨勢：

1999→約3層→2023 9層→2026 11層→2030以後 13層以上

與此同時，封裝面積也從幾十毫米擴大到100~120 mm以上。意味著，每塊Package消耗ABF越來越多。因此，即使AI伺服器數量不增加，單顆AI晶片也會帶來ABF用量持續增長。

六、AI伺服器成為ABF需求最大的來源

AI伺服器內部包括：GPU、CPU、ASIC，每顆晶片都採用大型、高層數封裝基板。

Compute Unit →多個Compute Unit組成 AI Server →大量AI Server組成超大規模資料中心

因此，AI資料中心實際上會放大ABF需求。報告認為，AI伺服器正在成為ABF最大的增長引擎。

味之素認為：ABF不是固定產品，而是隨著先進封裝一起升級。

後來：更高耐熱、更低粗糙度、更細線路

現在：重點提升High Speed、Low Loss、High Reliability

未來：重點支援大尺寸Package、更多層數、高Bandwidth、Large I/O、Co-Packaged Optics（CPO）

因此，ABF技術路線本身就是先進封裝路線的一部分。

八、利潤增長來自高附加值產品，而不僅僅是銷量

報告指出，近年來，新一代ABF產品佔比不斷提升，因此利潤率明顯提高。

資料顯示：FY2018利潤率約30%、FY2025利潤率超過50%

未來，還將繼續推出更高價值的新產品，進一步提升盈利能力。

為了迎接2030年AI需求，味之素已經佈局：

已完成 川崎研發中心、群馬新工廠（2025投產）

目標包括：提高ABF供應能力；建立第三生產基地；提升BCP（業務連續性）；通過DX實現更高生產效率。

報告還提出，2023—2030年將持續投入資金擴大ABF產能，以匹配AI帶來的需求增長。

報告最後提出，味之素未來並不會停留在ABF。

它準備把材料能力擴展到：RCC（Resin Coated Copper）、Adhesive（粘接材料）、Molding Compound（封裝模塑材料）、Magnetic Materials（磁性材料）

目標是：從單一ABF供應商升級為先進封裝材料平台公司。

AI伺服器正在重構全球封裝產業，而ABF成為先進封裝不可替代的核心材料，味之素希望依靠ABF+下一代封裝材料繼續壟斷高端載板材料市場。     (芯聯匯)

玻璃基板崛起：TGV終結CoWoS時代

2026年，AI算力軍備競賽進入白熱化階段。輝達B200 GPU的熱設計功耗（TDP）已突破700W，下一代產品預計超過1000W；GoogleTPU v5p、微軟定製AI晶片相繼上量，算力需求以每18個月翻倍的速度持續攀升。

在這場算力競賽的背後，一個鮮少被公眾關注的核心戰場正悄然決定著勝負走向——半導體封裝。晶片封裝不再只是一個"裝盒子"的步驟，它正在成為整個系統性能的瓶頸，乃至決定AI晶片能否量產交付的關鍵因素。

CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）曾是台積電的核心封裝殺手鐧，支撐了輝達A100、H100、H200系列的大規模量產。然而，隨著AI晶片die面積持續增大，CoWoS正在以肉眼可見的速度逼近其物理與成本的雙重極限。

與此同時，一項脫胎於顯示面板工業、在實驗室蟄伏十餘年的技術，正在以驚人的速度走向量產——TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）技術與玻璃基板。輝達已將其寫入路線圖；台積電為此專門建立全新產線；供應鏈各環節企業爭相卡位。

核心結論：CoWoS正在被CoPoS取代，有機載板正在被玻璃基板侵蝕。TGV玻璃基板不是一個迭代選項，而是下一個時代的封裝平台。

CoWoS依賴12英吋（300mm）圓形晶圓作為中介層的製造基底。12英吋晶圓的幾何面積為：

扣除邊緣損耗區（edge exclusion，約15mm寬度環形區域）和晶片間切割道（約0.2mm），實際可用面積約為65,000 mm²，面積利用率約為92%。

問題在於，AI晶片的die面積正在以"面積翻倍"的方式增長：

NVIDIA A100：826 mm²，單晶圓封裝約 78顆（考慮鍵合對準等損耗，實際約58顆）

NVIDIA H100：814 mm²（SXM版），受限於HBM記憶體排布，有效封裝約 29顆/晶圓

NVIDIA B200：單晶片面積約 814 mm²（B100），與HBM3e一起封裝後佔用空間約 1100 mm²，每片晶圓實際產出約 16顆

下一代（預計2026-2027）：die面積預計突破 1500 mm²，每片晶圓產出將低於 10顆

這意味著，隨著AI晶片規格的每一代演進，CoWoS方案的"每批產出"都在快速遞減。同樣產能的生產線，可交付的AI晶片數量正在以幾何級數下降。

▌ 圖1：CoWoS vs CoPoS 封裝產能對比

CoWoS的成本構成複雜，從上游到下游每一環節都在累積成本壓力：

矽中介層製造：CoWoS-S方案使用矽中介層，需經歷完整的前道光刻、刻蝕、TSV銅填充流程，單件製造成本超過 $2,000；且隨die面積增大，成本線性攀升

產能壟斷溢價：CoWoS工藝為台積電獨家掌握，2023-2024年產能嚴重供不應求，輝達封裝溢價超過40%。即使台積電持續擴產，單條產線建設周期仍需12-18個月

供應鏈集中風險：高度依賴台積電單一供應商，帶來地緣政治風險與議價能力缺失的雙重隱患

佔比飆升：AI晶片封裝成本佔總成本比例，已從2020年的約5%上升至2025年的15-22%，部分旗艦產品甚至超過25%

矽中介層的最細線寬受限於EUV光刻工藝，CoWoS-S方案可實現約0.4-1μm線寬，而有機中介層（CoWoS-L）線寬約2-5μm，布線層數最多12層。

更根本的問題是矽的材料特性：矽的相對介電常數εr≈11.7。高εr意味著：

訊號傳播速度減慢（v = c/√εr，矽中為光速的29%）

特性阻抗控制困難，串擾（Crosstalk）風險上升

高頻插入損耗增大，在224G PAM4乃至448G訊號頻點下性能劣化明顯

隨著AI晶片片間互連速度從112G向224G、448G演進，矽中介層的高頻電氣性能正在成為系統級的瓶頸環節。

小結：CoWoS面臨的三重困境——面積/產能限制、成本失控、高頻性能瓶頸——並非可以通過工藝最佳化解決的局部問題，而是方案層面的結構性限制。這意味著，行業需要的不是CoWoS的升級，而是CoWoS的替代。

2.1 從晶圓到面板：幾何優勢的量化

CoPoS（Chip on Panel on Substrate，面板級晶片封裝）的核心創新在於：將封裝底盤從12英吋圓形晶圓換成更大的方形面板，並以玻璃替代矽作為中介層材料。

這種"化圓為方"的設計理念，同樣借鑑了平板顯示行業處理大尺寸玻璃面板的成熟經驗——面板廠商早在20年前就攻克了600mm×700mm乃至更大玻璃的加工難題，這些工藝能力直接被遷移應用於TGV玻璃基板的CoPoS封裝。

CoPoS封裝流程的核心步驟如下：

玻璃基板TGV製造：雷射鑽孔+銅電鍍填充，形成垂直導電通路，線寬/間距可達2μm以下

KGD預測試：AI die、HBM等各晶片在整合前單獨完成電氣測試（Known Good Die），不良品提前剔除，大幅提升封裝綜合良品率

晶片倒裝鍵合（FC Bonding）：AI die與HBM通過Cu-Cu混合鍵合或微凸塊（Micro-bump）鍵合至玻璃面板

RDL再布線層：在玻璃面板上製作多層超細線寬RDL（線寬/間距≤2μm），實現晶片間高密度橫向互連

封裝基板組裝與BGA植球：整體貼裝至有機封裝基板，完成BGA焊球植球和最終測試

台積電已將CoPoS列為後CoWoS時代的封裝戰略核心，投資規模之大前所未有：

2026年：嘉義AP6廠建立CoPoS實驗產線，完成核心工藝模組驗證，重點攻克2μm以下RDL在600mm玻璃面板上的良品率問題

2027年：完成主要工藝體系開發，向輝達、AMD等大客戶提供工程樣品，啟動客戶端認證流程（認證周期約12-18個月）

2028-2029年：嘉義AP7廠正式量產，輝達下一代旗艦AI加速器預計率先採用CoPoS封裝方案

2030年+：CoPoS逐步成為>1000W TDP級AI晶片的主流封裝平台，單條產線裝置投資約新台幣100-150億元

TGV工藝原理：精密製造的技術邊界

3.1 雷射誘導深蝕刻（LIDE）——制孔工藝的核心

TGV的製造核心是LIDE（Laser Induced Deep Etching，雷射誘導深蝕刻）技術，這是一種精密的兩步法微加工工藝：

第一步——超短脈衝雷射損傷：
     採用皮秒（ps）級超短脈衝雷射（波長通常為1064nm或355nm），將光束聚焦於玻璃內部特定深度。在焦點處產生的光場密度超過10¹⁴ W/cm²，引發玻璃材料的多光子吸收（Multi-photon Absorption）和電漿體爆炸（Plasma Explosion），在玻璃內部形成沿雷射傳播方向的連續改性損傷軌跡（Denatured Zone）。改性區域的化學活性比周圍未損傷玻璃高出約100倍。

第二步——氫氟酸（HF）各向異性蝕刻：
     將雷射改性後的玻璃板浸入HF酸（或KOH鹼性蝕刻液）中。蝕刻液沿改性損傷軌跡以遠高於周圍玻璃的速度進行各向異性（Anisotropic）蝕刻，形成高深寬比的圓柱形通孔。由於未損傷區域蝕刻速率極低（蝕刻選擇比可達100:1以上），通孔側壁光滑、垂直度好（柱形度>98%）。

通過調控雷射功率、脈衝間隔和蝕刻時間，LIDE工藝可精確控制以下參數：

3.2 銅電鍍填充工藝——導電通路的形成

雷射蝕刻形成通孔後，需通過銅電鍍將空孔填充為導電柱，這是TGV工藝中技術難度最高的環節：

① 種子層沉積（Seed Layer Deposition）
   採用物理氣相沉積（PVD）在孔內側沉積雙層金屬膜：黏附層Ti（厚度約50nm）+ 導電種子層Cu（約200-300nm）。PVD的階梯覆蓋率（Step Coverage）是關鍵指標，需確保高深寬比孔底部的種子層連續性。

② 自底向上銅電鍍（Bottom-Up Copper Filling）
   這是TGV銅填充的核心難點。傳統等向電鍍會在孔口處優先沉積，導致孔口封口（Pinch-off）形成內部空洞（Void）。TGV工藝採用脈衝周期反向（PPR，Pulse Periodic Reverse）電流電鍍工藝，配合精確配比的三組分加入劑（抑製劑Suppressor + 加速劑Accelerator + 整平劑Leveler），使銅優先在孔底部高速沉積，向孔口方向逐層填充。

銅柱空洞率：<0.1%（X-ray CT檢驗）

銅柱填充均勻性：>99%（跨面板均勻性）

銅柱單孔電阻：約 0.5-3 mΩ（取決於孔徑和深度）

銅擴散控制：需沉積TaN/Ta擴散阻擋層，防止銅離子向玻璃擴散導致絕緣性下降

▌ 圖2：TGV vs TSV 技術性能對比（以TSV為基準=1.0）

3.4 玻璃材料的高頻電氣性能優勢

TGV性能優勢的物理根源在於玻璃的材料特性，最關鍵的是低相對介電常數（εr）：

關鍵結論：玻璃的εr約為矽的1/3至1/2，使得在相同物理尺寸的傳輸線結構中，TGV互連在高頻（>10GHz）下的插入損耗比TSV低40%，這對AI晶片HBM介面（HBM3e速度為9.6 Gbps/pin）和片間SerDes（112G/224G PAM4）的訊號完整性至關重要。

此外，玻璃沒有自由移動的載流子（不同於摻雜矽），不會產生額外的襯底感應損耗（Substrate-Induced Loss），訊號隔離性更優，特別適合射頻（RF）和毫米波（mmWave）應用場景。

取代有機載板——體量更大的結構性市場

4.1 ABF有機載板的三大結構性痛點

ABF（Ajinomoto Build-up Film，味之素累積薄膜）有機載板是當前FC-BGA封裝的主流基板材料，全球年市場規模約100億美元。然而，其物理特性在面向下一代AI封裝時暴露出無法迴避的結構性缺陷：

ABF有機載板向玻璃基板的替代是一個漸進但不可逆的過程，預計分三個階段推進：

第一階段（2026-2028）：高端AI GPU/TPU封裝基板率先匯入，市佔率<5%，但拉動的是最高價值量細分市場

第二階段（2029-2032）：HPC伺服器、CPO（Co-Packaged Optics光電共封裝）、5G毫米波模組跟進，市佔率達10-20%

第三階段（2033+）：消費級高端電子滲透，市佔率突破30%，屆時ABF載板在高端市場將基本邊緣化

玻璃基材：旭硝子（AGC）、康寧（Corning）、日本電氣硝子（NEG）是全球三大主要供應商。國內沃格光電深耕超薄玻璃多年，已完成向輝達送樣，是國產化突破的核心標的。

雷射鑽孔裝置：LIDE工藝對雷射裝置的精度要求極高，核心裝置供應商包括德國3D-Micromac（LIDE工藝發明者）、日本LPKF Laser Electronics。國產雷射裝置廠商目前仍處於追趕階段，是供應鏈的關鍵國產化缺口。

台積電CoPoS產線是全球最領先的面板級封裝工藝平台，同時日月光（ASE）、安靠（Amkor）、長電科技等主要OSAT廠商也在積極佈局面板級封裝能力。韓國三星和SK海力士也在玻璃基板封裝方向有大額投入，市場格局尚未固化。

黃仁勳站在台上，展示輝達最新的AI晶片。

台下一片沸騰。所有人都在盯著那塊晶片——它有多少電晶體，跑多快，能訓練多大的模型。

就在那塊晶片的下面，有一層薄薄的材料，正在悄悄接近它的物理極限。

晶片越做越大，它承受的壓力越來越高。高溫、翹曲、熱膨脹——它快撐不住了。

而當它撐不住的那一天，再強的晶片，也沒有用。

為瞭解決這個問題，行業被迫轉向三類全新材料。這些材料有個共同特點：太硬、太脆、太難加工，傳統工具根本碰不了。

全世界的目光，因此落在了一個冷門到離譜的行業身上。

AI正在一夜之間，帶火一個隱秘而暴利的全新剛需行業。

01. 晶片越來越大，封裝先撐不住了

輝達GP100時代：5顆整合晶片，4顆HBM記憶體，記憶體容量16GB。

到了GB100：10顆整合晶片，8顆HBM記憶體，記憶體容量192GB。

再到最新的Rubin Ultra：4顆超大GPU裸片，8顆最新HBM4e記憶體，記憶體容量直接衝到1TB。

晶片越做越大，封裝面積持續膨脹。

台積電CoWoS-L的封裝尺寸，已經從3.3倍光罩面積擴展到了5.5倍。下一步，要推到9.5倍甚至14倍。

光罩，是晶片製造裡刻圖案的那塊“印章”。封裝尺寸超過光罩，就意味著你要把好幾塊晶片拼在一起，塞進一個封裝裡。

你原本住60平米的公寓，現在要塞進200平米的東西。房子沒變大，家具翻了四倍。

台積電的主流封裝路線，分S、R、L三類。

CoWoS-R用有機中介層，大尺寸下翹曲控制不住，高溫一來有機材料就變形了。

CoWoS-S用純矽中介層，性能最好，但成本最高，而且受光罩尺寸限制，做不大。

CoWoS-L是當前大尺寸封裝的主力，但也在逼近物理極限——單顆AI晶片功耗已經突破1700W，傳統有機載板的熱膨脹係數跟矽晶片不匹配，高溫下翹曲加劇，焊點開裂。

你把樓層越蓋越高，地基卻是軟的。

更要命的是，連“地基的原材料”都快斷貨了。

日本日東紡有一種特種低介電玻璃布，叫T-Glass，佔全球90%的產能。年產能1000萬米，但全球需求已經到了1850萬米——缺口整整50%。

不是想不想升級的問題，是舊路線連供給都撐不住了。

一條叫CoPoS——把封裝載體從圓形矽晶圓換成方形玻璃面板。面積利用率從65%飆升到95%，單面板產能翻4倍。

台積電董事長魏哲家在2026年6月的股東會上親自確認：CoPoS試產線已建成，2028年嘉義廠量產。

另一條叫CoWoP——去掉ABF封裝基板，矽中介層直接鍵合到高密度PCB上，封裝成本降低30%-50%。目前仍在驗證階段。

無論走那條路，算力的重心都在向全新的物理材料轉移。

02. 三類新材料，個個“硬到碰不得”

先進封裝的新路線，引入了三類關鍵材料。

它們不是互相替代，而是各自守住一條防線。

玻璃基板的表面平整度，小於1奈米——比有機基板光滑5000倍。

訊號損耗比有機低10倍，訊號速率提升3.5倍。

你訓練AI模型，動輒幾千塊GPU平行工作。每一點訊號損耗，都會被放大成巨大的效率損失。玻璃基板，就是讓訊號跑得更快、跑得更準。

但玻璃基板有一個最難的工序——

要在上面打出幾萬到上百萬個極細的垂直通孔，學名叫TGV（玻璃通孔），讓訊號從這一層穿到那一層。

每一個孔都必須完美。一個微裂紋，整板報廢。

莫氏硬度超過7級。跟紅寶石差不多。

這是M9級PCB引入的新原料——高純石英玻纖Q-glass的硬度。

你拿鑽頭去鑽寶石試試？傳統機械鑽針的壽命，驟降至普通材料的1/5。

為什麼要引入這麼難加工的東西？因為當資料傳輸速度衝到1.6Tbps以上，傳統PCB材料扛不住了——損耗太大，訊號到不了。

傳統有機材料導熱係數：1W/mK。

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