12月24日消息，半導體大廠英特爾（Intel）近日展示了其在先進封裝領域的最新研發成果，推出一系列以Intel 18A 與Intel 14A 等先進節點製程的多芯粒（Multi-chiplet）產品概念。不僅展現了英特爾在Foveros 3D 與EMIB-T 先進封裝技術上的突破，更傳遞出其希望在高性能計算（HPC）、人工智慧（AI）及資料中心市場與台積電的CoWoS 封裝技術一決高下的信心。英特爾本次技術展示的核心在於其精密且具高度擴展性的先進封裝構架。根據資料顯示，英特爾將利用Intel 14A-E 節點製程提供突破性的邏輯性能，該製程同時採用了第二代RibbonFET電晶體與全新的PowerDirect 技術。而在基礎晶片部分，則採用Intel 18A-PT 製程，這是首款採用背面供電技術的基礎晶片，能顯著提升邏輯密度與電力供應的可靠性。此外，為了達到極致的垂直堆疊目標，英特爾還匯入了Foveros Direct 3D 技術，通過極細間距的混合鍵合（Hybrid Bonding）進行精密3D 堆疊。而在多芯粒互連方面，新一代的嵌入式多晶片互連橋接（EMIB-T）技術加入了矽穿孔（TSV）技術，可提供更高的頻寬，並整合更大規模的晶片組。另外，英特爾還在展示視訊中披露了兩款極具前瞻性的概念設計，展現了其超越傳統光罩限制（Reticle Limit）的技術實力。其中在中階解決方案方面，可配備4個計算晶片與12個HBM。至於在旗艦解決方案方面，則是將規模擴大到16個計算晶片與24個HBM ，並可配置多達48個LPDDR5X 控製器，極大化AI 與資料中心工作執行所需的記憶體密度。而且，這些設計採用了類似“Clearwater Forest”的構架，其基礎晶片負責搭載SRAM，並通過Foveros 3D 技術將頂層包含AI 引擎或CPU IP的計算晶片堆疊在上面。記憶體支援方面，英特爾強調其封裝方案能無縫相容目前的HBM3/HBM3E，以及未來的HBM4、HBM5 等新一代標準。根據市場的分析，英特爾這次一系列展示動作，無疑是向台積電發出挑戰。台積電目前已規劃9.5倍光罩尺寸的CoWoS 解決方案，並結合A16 製程，以及超過12個HBM4E （通過CoWoS-L）。然而，英特爾表示，其封裝構架具備超過12倍的光罩尺寸，顯示在規格上有意超越台積電。英特爾還特別強調，雖然Intel 18A 製程主要用於其內部產品，但Intel 14A 節點製程則是專為外部客戶設計的。因此，英特爾目前正積極與產業夥伴建立多元生態系，目的是提供更快的上市時間與更具韌性的供應鏈。儘管英特爾過去在先進封裝領域早有建樹，例如被視為工程奇蹟的Ponte Vecchio 晶片，但受限於良率問題與研發延遲，該產品並未取得商業化上的成功，隨後如Falcon Shores 等多項計畫也遭取消。因此，目前英特爾正試圖憑藉Jaguar Shores，以及備受期待的Crescent Island AI GPU 捲土重來。對英特爾而言，真正的考驗在於能否成功爭取到第三方客戶的訂單。尤其在Intel 14A 技術與先進封裝解決方案的加持下，英特爾似乎已準備好重新回歸晶圓代工市場的頂尖賽局。 (芯智訊)

該報告由TSMC高性能封裝整合總監Dr. Shang Y. Hou在2025年8月發表，內容基於TSMC的3DFabric®技術平台，重點介紹TSMC（台積電）通過CoWoS®和COUPE技術實現的高性能異構整合與共封裝光學（CPO）方案，旨在提升AI/HPC（高性能計算）晶片的能效與傳輸頻寬。報告主要結構技術背景與核心概念COUPE光引擎技術CPO（共封裝光學）應用與優勢關鍵資訊摘選異構Chiplet整合和CoWoS平台介紹報告對比了傳統單片整合與Chiplet整合的性能差異，並介紹，通過TSMC 3DFabric®技術能實現電晶體數量從單一SoC的“少量”到異構整合的“>200B”跨越。而CoWoS平台作為2.5D封裝技術，支援多晶片整合於矽中介層，為AI計算提供可擴展性。COUPE光引擎技術和CPO應用該技術基於TSMC-SoIC®堆疊技術，將電子積體電路（EIC）直接整合在光子積體電路（PIC）上，形成緊湊、高效的光學引擎，其矽透鏡與金屬反射器整合於光柵耦合器下方，最佳化光學路徑性能。通過COUPE光引擎替代傳統銅線互連，實現10倍以上能效提升，解決高頻寬資料傳輸的功耗瓶頸。CPO封裝中整合光引擎、矽中介層，通過協同發展光引擎、CPO及光纖/FAU技術，SiPh技術可實現每代頻寬翻倍。(銳芯聞)

新台幣今天盤中升破29.2元大關，創下三年新高，匯損疑慮成市場隱憂，面對AI股短線估值壓力，法人資金轉向低匯率敏感度的能源與重電族群，第三季關鍵布局老師帶你掌握。〈AI熱門股轉弱，資金轉進低基期族群〉今天台股一度衝高，突破了22500點的箱型區間上緣，不過受到季底結帳與高檔壓力影響，指數漲幅逐步收斂，終場收在22492點，成交量3881億元，表面上指數走勢還不錯，但如果你細看盤面結構，會發現資金正在悄悄轉向，智霖老師在週二節目中就提前預告，季底結帳潮來臨，高價AI股短線估值偏高不適合追價，今天包括川湖（2059-TW）、弘塑（3131-TW）等高價AI股盤中都重挫超過6%，緯穎（6669-TW）、廣達（2382-TW）也同步下跌，這些都反映法人季底資金調整的結果，同時盤面顯示，法人資金開始流向機器人、BBU電源模組，以及能源與重電相關族群，顯示資金輪動已逐漸展開。〈匯率強升成新變數，法人資金轉進防禦型族群〉台幣匯率今天盤中升破29.2元，創近三年新高，強勢匯率吸引外資回流、大幅買超，但對以出口為主的電子、金融產業形成壓力，特別是第二季已經升值這麼多，現階段持股結構如果沒有調整，第三季可能面臨獲利衝擊，這時候你手上的股票是否具備抗匯損能力，變得格外關鍵。法人資金也正在轉向較不受匯率影響的族群，智霖老師在6月初就已點名「重電能源族群」是第三季值得佈局的方向，泓德能源（6873-TW）、中興電（1513-TW）這類重電與能源股，具備較低匯率敏感度、政策支持及成長性，都是季底資金尋求避風港的重要標的。〈立即體驗陳智霖分析師會員服務〉掌握市場脈動！最新股市趨勢解析、熱門產業的深入洞察，立即填表申請體驗陳智霖分析師會員服務：https://lihi.cc/RFzlE/0626〈AI長線趨勢無虞，但要選對時機進場〉老師對AI的長線發展仍然非常有信心，尤其像創意（3443-TW）、世芯-KY（3661-TW）這類具備ASIC技術優勢的個股，法人預估其營收到2028年複合成長可達45%，不過，看好不代表立刻就要進場，正因為基本面被看好，短線估值已經提前反應，許多AI股近期爆量、融資增加，籌碼結構不穩，短期拉回機率高，應等待第三波回檔後再行佈局，才有望掌握超額利潤。22500點是技術面的明顯壓力區，法人在選擇權布局上已轉向避險，反映短線空間有限，智霖老師建議投資人優先減碼補漲與估值偏高個股，聚焦具成長性、防禦性兼具的族群，像是重電、能源、傳產內需等族群，比起積極進攻，這一階段更重要的是保留資金與彈性，為第三季的佈局預留空間，等到AI下一波估值修正後，才能真正掌握超額利潤的機會，邀請投資人填寫表單體驗智霖老師一週會員服務，讓老師帶你掌握接下來的行情進出場節奏，更詳細的內容請收看今天最新的直播節目。最新影音(請點影音上方標題至Youtube收視品質會更佳)https://youtu.be/cPiBI-ZqWpQ〈立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@〉掌握市場脈動！最新股市趨勢解析、熱門產業的深入洞察，點擊連結立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@，接收好康資訊：https://lihi.cc/5dEsA/0626錢進熱線 02-2653-8299，立即邁向系統依據的股票操作。文章來源：陳智霖分析師/ 亨達投顧

受到美國聯準會釋出偏鷹訊號影響，台股今日重挫並跌破年線，市場避險情緒升溫，資金快速轉向中小型股與防禦型族群，AI應用相關個股也浮現買盤動能。盤勢轉折下，投資人該如何應對？本文為您整理關鍵觀察與操作重點。〈聯準會保守展望，滯脹風險成市場焦點〉聯準會如市場預期，連續第四次維持利率不變，但下修明年經濟成長預估至1.4%、同時上調通膨與失業率預期，鮑爾也特別提及，川普若重新啟動關稅政策，恐怕會加劇輸入型通膨壓力，市場對「停滯性通膨」的警覺進一步升高。受到國際利空與外資賣壓影響，大盤今日下跌340點，成交量3301億元，指數再次跌破年線，終場險守22000點整數關卡，技術面呈現高檔震盪，市場觀望氛圍升溫。〈能源與重電雙主題，政策+需求雙驅動〉雖整體盤勢轉弱，市場情緒轉向保守，但中小型股相對抗跌，特別是具備政策與產業支撐的族群，仍有資金進駐跡象。能源與重電類股如華城（1519-TW）、中興電（1513-TW）、泓德能源（6873-TW）受惠通膨預期升溫與基礎建設題材，吸引法人資金持續佈局，與智霖老師最近在直播中提到的觀點相符，震盪盤下，防禦與政策題材股會成為資金的避風港。〈立即體驗陳智霖分析師會員服務〉掌握市場脈動！最新股市趨勢解析、熱門產業的深入洞察，立即填表申請體驗陳智霖分析師會員服務：https://lihi.cc/RFzlE/0619〈季底作帳效應，聚焦防禦與AI輝積族群〉老師觀察數據，目前選擇權與期貨籌碼雙雙轉空，權值股短期仍處於整理階段，短線不宜貿然進場，建議投資人先檢視持股結構，減碼受匯率與關稅影響大的傳產出口股，改以中小型成長型與防禦型題材為佈局重點，鎖定如矽光子、ASIC、晶背供電等具趨勢支撐的產業族群。接近法人季底作帳期，投信布局力道將主導短線資金流向，老師團隊也密切注意中小型股籌碼強弱與政策題材延續力道，帶領會員靈活調整持股結構，穩健應對震盪盤勢。邀請投資朋友填寫表單體驗智霖老師一週會員服務，【奇皇后三】已經瞄準，隨時準備出手，千萬不要錯過！更詳細的內容請收看今天最新的直播節目。最新影音(請點影音上方標題至Youtube收視品質會更佳)20250619【電子股要賣了嗎？台股這支正要悄悄上漲】| 錢進大趨勢 | 陳智霖分析師(超直白會長)https://youtu.be/E72dw3B-Yjs〈立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@〉掌握市場脈動！最新股市趨勢解析、熱門產業的深入洞察，點擊連結立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@，接收好康資訊：https://lihi.cc/5dEsA/0619錢進熱線 02-2653-8299，立即邁向系統依據的股票操作。文章來源：陳智霖分析師 / 亨達投顧

在期貨選擇權結算前夕，權值股籌碼沉澱、台幣升破29.5元，由台積電領軍的電子族群強勢上攻，但盤面真正熱鬧的是中小型AI與能源相關族群，震盪盤勢中更要聚焦結構性成長主軸，六月操作策略就是『精簡持股＋選股邏輯』。台幣升值壓力升溫，出口族群步入修正台股今天上漲161點，收在22211點，成交金額3622億元，盤中台幣匯率一度升至29.46元，創下三年來新高，5月中開始，智霖老師就提醒投資人匯率急升將衝擊出口導向的傳產與電子零組件族群，建議適時換股，轉向高附加價值、且不易受匯損影響的輝積概念股，如今隨著台幣續強，布局的輝積股不僅抗跌，更陸續創高，再次驗證智霖老師的選股邏輯。輝積概念股續強，能源基礎建設題材續攻老師帶領會員操作奇皇后高力（8996-TW）獲利後，帶領會員進場買進具備CoWoS先進封裝設備供應優勢的信紘科（6667-TW），5月底獲利調節後，6月初再次公開帶新進會員於197.5元進場，今日盤中創高來到225元，配合籌碼結構穩定，主力控盤明顯，就是波段操作的最好範例。能源基礎建設族群也不容忽視，在台積電（2330-TW）與輝達於台灣擴廠帶動電力需求增長背景下，相關概念股如華城（1519-TW）盤中一度大漲近5%，先前布局的「奇皇后二」連續兩日上漲，昨天上漲7%、今天再漲3%，下一檔長線趨勢的新標的【奇皇后三】老師也已經鎖定，等時機成熟就會帶領會員布局。立即體驗陳智霖分析師會員服務掌握市場脈動！最新股市趨勢解析、熱門產業的深入洞察，立即填表申請體驗陳智霖分析師會員服務：https://lihi.cc/RFzlE/0617結算前夕籌碼轉向，中小型股表現亮眼明天就是期貨與選擇權結算，權值股台積電等籌碼沉澱明顯，期權未平倉集中於平盤附近，顯示市場短線傾向震盪整理格局，但櫃買指數盤中漲幅一度超過1%，投信作帳效應明顯升溫，主攻中小型高成長股。老師再次強調，權值股震盪是機會而非風險，六月下旬的投資重點就是搭上中小型輝積概念與能源基礎設施的順風車，策略對、產業對、資金節奏掌握好，就能在震盪盤中創造穩健報酬，建議投資人持股精簡集中，避開受匯率與關稅雙重影響的傳產與出口股，將重心放在具備有產業邏輯、與法人買盤支持的個股，AI伺服器、矽光子、先進封裝、能源基礎設施這些族群該如何操作？讓專業帶你走在趨勢的起點，邀請投資朋友填寫表單體驗智霖老師一週會員服務，更詳細的內容請收看今天最新的直播節目。最新影音(請點影音上方標題至Youtube收視品質會更佳)20250617【台股信紘科衝高股市　渣男鬍照樣登場搶紘包？】| 錢進大趨勢 | 陳智霖分析師(超直白會長)https://youtu.be/l6m5JbysJa8立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@掌握市場脈動！最新股市趨勢解析、熱門產業的深入洞察，點擊連結立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@，接收好康資訊：https://lihi.cc/5dEsA/0617錢進熱線 02-2653-8299，立即邁向系統依據的股票操作。文章來源：陳智霖分析師 / 亨達投顧

過去幾年，人工智慧徹底帶火了GPU，而作為背後的支撐力量。台積電CoWoS封裝技術也強勢崛起。眾所周知，多年來，GPU絕對龍頭輝達一直是台積電的重要合作夥伴，但在 AI 領域最初的熱潮之後，NVIDIA 更進一步深化了與台積電的合作。如今，雙方的合作關係已經發展到一定程度。輝達首席執行官黃仁勳甚至表示，除了台積電之外，NVIDIA 別無選擇，尤其是在 CoWoS 領域。“這是一種非常先進的封裝技術，很抱歉，我們目前沒有其他選擇。”黃仁勳如是說。這個技術也為台積電帶來了很多收入，有消息指出他們甚至超越日月光，成為全球最大封測玩家。不過他們並沒止步，公司過去兩年也在大幅擴張CoWoS產能。與此同時，一些技術的新變化，也正在悄然產生。CoWoS的演進瓶頸關於台積電的CoWoS，在半導體行業觀察之前的文章《殺瘋了的CoWoS》中，我們有了很深入的描述。但在這裡我們要注意一個點，那就是輝達在最新的Blackwell 系列產品中將使用更多的CoWoS-L 封裝產能，減少 CoWoS-S 封裝產能。據路透社報導，黃仁勳在日月光科技子公司矽品精密工業有限公司（SPIL）舉行的先進封裝工廠正式啟用新聞發佈會上表示：“隨著我們進入Blackwell，我們將主要使用 CoWoS-L 封裝。” “當然，我們仍在生產 Hopper 封裝，Hopper 封裝也將使用 CowoS-S 封裝。我們還將把 CoWoS-S 封裝的產能轉換為 CoWoS-L 封裝。因此，我們並非要減少產能，而是要增加 CoWoS-L 封裝的產能。”之所以做出這個決定，背後一個重要原因是基於 Blackwell 架構的 Nvidia  B100和B200 GPU 需要兩個計算晶片，並且需要以 10 TB/s 的頻寬進行互連。而台積電的 CoWoS-L 技術實現了這一點，該技術使用局部矽互連 (LSI) 橋接器和充當重分佈層 (RDL) 的有機中介層。台積電CoWoS-L但是，我們也必須意識到，隨著晶片尺寸不斷增大的趨勢，例如 AI 晶片尺寸可能達到 80x84 毫米，一塊 12 英吋晶圓只能容納四個這樣的晶片。此外，超大尺寸CoWoS封裝面臨著與基板尺寸和散熱相關的挑戰。例如，5.5倍光罩版本需要100x100毫米的基板，而9倍光罩版本則超過120x120毫米。大尺寸基板將影響系統設計和資料中心配置，尤其是在電源和冷卻系統方面。在功耗方面，高性能處理器每機架功耗可能達到數百千瓦，這使得液冷和浸入式冷卻技術能夠更有效地管理散熱。與此同時，台積電過去一直在CoWoS中使用助焊劑。助焊劑的作用是提高連接晶片和中介層的微型凸塊的附著力，並防止形成降低鍵合質量的氧化膜。然而，CoWoS 正逐漸演變口無助焊劑鍵合機，並在研發階段進行評估”，“我們預計今年年底完成測試”。成一種越來越難以使用助焊劑的環境。凸塊鍵合後必須清除（清潔）助焊劑，但隨著中介層尺寸的增大，很難完全清除積聚在中心的助焊劑。如果助焊劑殘留，可能會影響晶片的可靠性。事實上，台積電也正在聚焦解決這些問題。例如針對助焊劑的問題，據報導，台積電正在積極探討無助焊劑鍵合技術在CoWoS上的應用。報導指出，在去年在提升CoWoS良率方面遇到了困難之後，台積電不得不將重點放在包括無助焊劑鍵合在內的替代技術上。半導體業內人士此前透露，“台積電目前正在少量進來到中介層尺寸尺寸方面，截至 2023 年，台積電 CoWoS 封裝中的中介層尺寸為 80x80mm。它大約比光罩大 3.3 倍。按照台積電計畫，到2026年，將推出具有 5.5 倍掩模尺寸的 CoWoS-L 。具有創紀錄的 9.5 倍掩模尺寸、整合 12+ HBM 堆疊的 CoWoS 也有望於 2027 年推出。在台積電的路線圖中，還有一個叫做SoW-X (System-on-Wafer)的技術，與 CoWoS 相比，其性能提高了 40 倍，模擬了完整的伺服器機架功能，計畫於 2027 年實現量產。但是，這並沒有舒緩大家的擔憂，這也正是FOPLP（Fan-out panel-level packaging）最近半年纍纍被提及的原因之一。在此前文章《FOPLP來襲，CoWoS壓力大增》中，我們也對此進行了介紹。相關報導也指出，台積電在這個技術上也有佈局。然而近日，另一則消息透露，台積電將押注CoPoS技術，並計畫于于 2029 年實現量產。而輝達，則有望成為他們的第一個客戶。顛覆傳統中介層CoPoS是Chip-on-Panel-on-Substrate的縮寫，作為對比，CoWoS是Chip-on-Wafer-on-Substrate。從這個命名全程可以看到，就是中間的這個wafer換成了panel。從技術上看，CoPoS 本質上是將中介層“面板化”，建立所謂的面板 RDL（重分佈層），或者將晶片放置在“面板級 RDL 層”上。這讓即使是 510x515 毫米的面板，也能容納數倍於 300 毫米晶圓的晶片數量。來到台積電方面，CoPoS本質上就是CoWoS-L和CoWoS-R的方形面板演進，將傳統的圓形晶圓取代為矩形基板。據報導，矩形設計尺寸為310x310毫米，比傳統的圓形晶圓提供了更大的可用基板空間，從而提高了產出效率並降低了成本。據台媒透露，台積電位於嘉義的 AP7 工廠正逐漸成為下一代先進封裝的關鍵樞紐。該工廠計畫分八個階段建設，並將在第四階段開始大規模生產 CoPoS。台媒進一步報導，AP7 的第一階段（P1）將作為蘋果的專用 WMCM（多晶片模組）基地，而第二階段和第三階段則專注於提升 SoIC 的產量。值得注意的是，該報導稱，AP7 並未計畫生產 CoWoS，而是將保留在 AP8，該工廠由群創光電的舊工廠改建而成。聰明的你一定發現，無論是FOPLP還是COPOS，都是與面板有關，那這兩者又有啥區別呢？首先，如上所述，FOPLP（扇出型面板級封裝）和 CoPoS（基板上面板晶片封裝）均採用大型面板基板進行封裝。但是，他們在架構和應用方面存在顯著差異，尤其是在中介層（interposer）的使用方面。FOPLP 是一種無需中介層的封裝方法，晶片直接重新分佈在面板基板上，並通過重分佈層 (RDL) 進行互連。這種方法具有成本低、I/O 密度高、外形尺寸靈活等優勢，適用於邊緣 AI、移動裝置和整合密度適中的中端 ASIC 等應用。相比之下，CoPoS 採用了中介層，從而實現了更高的訊號完整性和穩定的功率傳輸——這在整合多個高性能、高功率晶片（例如 GPU 和 HBM）時尤為重要。中介層的存在使 CoPoS 更適合需要大面積封裝和高速資料傳輸的高端 AI 和 HPC 系統。此外，據瞭解。CoPoS 中的中介層材料正在從傳統的矽演變為玻璃，從而提供更高的成本效益和熱穩定性。資料顯示，與傳統有機基板相比，玻璃芯基板具有更高的互連密度、更靈活的訊號布線、更少的 RDL 層數、更高的頻寬密度以及更低的單次資料傳輸功耗。尤其值得一提的是，採用 TGV（玻璃通孔）技術，損耗極小，且材料的平整度、CTE（熱膨脹係數）、剛性、吸濕性和導熱性等性能都相對理想。此外，它還具有優異的機械和電氣特性，以及光傳輸應用的潛力。這也是台積電將 CoPoS 定位為未來 CoWoS-L 的潛在替代品的原因之一。據瞭解，未來CoPoS封裝市場鎖定AI等高級應用，其中採用CoWoS-R製程的將鎖定博通，CoWoS-L則是目標服務輝達及超微。業界分析，CoPoS捨棄傳統的圓形晶圓，化圓為方，直接將晶片排列於大型方形面板基板上，大幅提升產能與面積利用率，CoPoS封裝結構更具彈性，適合多樣化晶片尺寸與應用需求，在AI、5G與高效能運算領域展現強大競爭力。寫在最後雖然好處不少，但我們要明白，如果一個看起來很好的技術如果還沒有被普及，那就肯定是因為它還有一些還沒有被客戶的短板。例如這個從圓形封裝工藝到方形封裝工藝的轉變，就需要投入大量的材料和裝置研發。而為了實現高精細的導體圖案，還需克服翹曲、均勻度等問題，因為這對良率將是一個挑戰。另外，客戶對RDL 線寬/間距的要求從10µm 縮小到 5µm，甚至 2µm、1µm，這就需要供應商在RDL 佈局方面實現新的突破。總而言之，未來可期，仍需努力。 (半導體行業觀察)