#LAM
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AI記憶體擴產潮，誰是最大贏家？

過去一年，隨著記憶體晶片繁榮，Micron Technology（美光科技）和 Sandisk（閃迪）從中顯著受益，因為它們生產的動態隨機存取記憶體器（DRAM）和 NAND 閃存晶片的需求大幅超過了供應。 當然，投資者近來一直在從記憶體類股票中撤出資金，這一點可以從 Roundhill Memory ETF 在過去一個月下跌 27% 中得到體現。在此期間，美光和閃迪的股價也都出現了顯著回調。不過，由人工智慧（AI）推動的記憶體晶片需求不會很快消退。 根據德勤的數據，記憶體晶片短缺局面可能要到 2029 年才會緩解。雖然這對美光和閃迪來說都是好消息，但還有另一家公司也正在從驚人的記憶體需求中受益——Lam Research（泛林集團）。 下面我們來看看，為什麼這隻半導體股票可能成為 AI 驅動的記憶體晶片繁榮中最大的贏家。
美股#Lam Research#財報
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大摩：看好Lam Research！刻蝕、沉積與清洗三箭齊發！

大摩認為Lam Research的短期業績仍有上修可能，關鍵看9月季度指引、2026 WFE口徑和2027外延增長。報告預計Lam 9月季度收入指引可能接近 74億美元，高於市場約 70億美元，若DRAM拉貨和執行繼續強勁，不排除接近77億美元的更高情形。大摩同時預計公司可能把2026年WFE指引從1400億美元上調到 1450億美元，對應同比 +32%。 一、核心結論 摩根士丹利於2026年7月9日發佈Lam Research（LRCX）研究報告，由五星級分析師Shane Brett（CFA） 主筆。此前，大摩已於7月6日將Lam Research目標價從331美元大幅上調至404美元，維持Overweight（超配） 評級。 報告核心結論是：
大摩：看好Lam Research！刻蝕、沉積與清洗三箭齊發！
美股#Lam Research#摩根士丹利#目標價
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兩大巨頭達成合作，劍指1奈米晶片！

IBM與半導體裝置巨頭泛林集團（Lam Research）近日宣佈達成一項為期五年的聯合研發協議，雙方將合作開發基於高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術、面向1奈米以下邏輯晶片的材料與工藝方案。這項合作將在位於紐約州奧爾巴尼的NY Creates奈米技術綜合體內的IBM研究中心進行。兩家公司已有超過十年的合作歷史，共同參與了7奈米工藝開發、奈米片電晶體架構以及早期EUV工藝整合等工作。2021年，IBM正是在這一持續合作框架下，發佈了其號稱全球首個2奈米節點晶片。此次新協議的核心，將聚焦於使用泛林的Kiyo和Akara刻蝕平台、Striker和ALTUS Halo沉積系統以及Aether乾法光刻膠技術，來驗證針對奈米片和奈米疊層器件架構以及背面供電技術的完整工藝流程。傳統EUV光刻依賴化學放大光刻膠，這類濕法材料在高NA EUV光刻機所需的更嚴格公差面前已顯吃力。而泛林的Aether技術是一種乾法光刻膠，通過氣相前驅體沉積而非旋涂，並利用基於電漿體的乾法工藝進行顯影。其金屬有機化合物對EUV光的吸收能力是傳統碳基光刻膠的三到五倍，這意味著每片晶圓所需的曝光劑量更低，有助於在先進節點保持單次曝光圖案化，從而避免採用成本更高的多重圖案化工藝。今年1月，泛林已宣佈Aether被一家領先的記憶體製造商選定為其最先進DRAM工藝的量產裝置，但未透露該製造商名稱。根據聯合公告，此次合作旨在實現將高NA EUV圖案以高良率可靠地轉移至實際器件層，並加速業界採用高NA EUV進行下一代互連和器件圖案化。在這一“轉移良率”問題上，Aether乾法光刻膠相比傳統濕法工藝具有優勢，因為從曝光到刻蝕的步驟更少，意味著在更窄的幾何尺寸下圖案劣化的機會更少。與此同時，奈米片電晶體通過堆疊多個薄矽片，可在不增加器件佔用面積的情況下提高驅動電流。公告證實，雙方團隊將建構並驗證針對奈米片和奈米疊層器件的完整工藝流程，以及背面供電技術——該技術通過晶圓背面布線，釋放正面的互連層用於訊號傳輸。公告稱：“這些能力的結合，旨在實現高NA EUV圖案以高良率可靠地轉移至實際器件層，並實現持續微縮、性能提升，為未來邏輯器件開闢可行的量產路徑。” (晶片行業)
科技#IBM#Lam Research#合作協議
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花旗：AI算力與儲存需求爆表 晶片產能擴張啟幕! 半導體裝置喜迎新一輪牛市

阿斯麥(ASML)股價創新高、泛林(Lam)強勢領漲！市場押注2026半導體裝置支出再擴張，AI晶圓廠軍備競賽升檔。華爾街金融巨頭花旗集團近日發佈研報稱，在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及“儲存晶片超級周期”宏觀背景之下，半導體裝置廠商們——尤其是阿斯麥(ASML.US)、泛林集團(LRCX.US)以及應用材料(AMAT.US)這三大半導體裝置巨頭們，將是AI晶片(AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND儲存晶片產能急劇擴張之勢的最大規模受益者。花旗在這份研報中預測，全球半導體裝置類股將迎來“Phase 2 牛市上行周期”，也就是說繼2024-25年的超級牛市之後有望迎來新一輪牛市軌跡。華爾街知名半導體行業分析師Atif Malik領導的花旗分析師團隊預測，隨著AI晶片與儲存晶片需求持續激增，台積電、三星電子以及英特爾這三家全球最大規模的晶片製造巨頭，以及儲存晶片製造商SK海力士在即將到來的財報披露中將對2026年以及之後半導體資本開支(capex) 指引顯著上調，進而預判2026年全球晶圓廠半導體裝置(WFE)支出更加可能向其“最樂觀預測前景”靠攏。股價走勢方面，美股半導體裝置類股自開年以來無比強勁。阿斯麥美股ADR價格在2026年開年已經創下歷史新高，1月2日單日漲幅超過8%，2026年開年以來漲幅高達16%，市值接近5000億美元;泛林集團美股市場股價則自2025年下半年以來可謂屢創歷史新高，2026年開年以來漲幅高達20%;應用材料股價在2026年開年同樣屢創新高，開年以來漲幅高達15%。花旗分析師團隊重點指出，SK海力士與三星電子的最大儲存晶片競爭對手美光科技已經在2025年12月的業績電話會議上將2026財年(截至2026年8月)資本開支從此前的180億美元上調至200億美元，意味著同比大幅增長45%，其中晶片製造工廠建設資本開支幾乎翻倍。美光還表示2027財年資本開支也將繼續增長。作為三星電子與SK海力士在儲存晶片市場最直接競爭的對手，美光的大幅擴產舉措可能促使這兩家位於韓國的儲存晶片製造巨頭採取相應資本開支擴張行動以維持市場地位。值得注意的是，市場對於台積電的晶片產能擴張強勁預期不僅聚焦於輝達、AMD以及博通這三大AI晶片領軍者們帶來的堪稱天量級資料中心AI晶片訂單，以及蘋果公司每年都能夠帶來的龐大消費電子晶片訂單，在資料中心企業級高性能SSD(隸屬於NAND終端應用)領域，面向高性能NVMe(尤其 PCIe Gen5/Gen6)的SSD主控晶片可謂極度依賴台積電高端製程產能——這意味者台積電當前產能必然遠遠無法滿足AI算力與儲存帶來的“永無止境訂單”，大舉擴張產能可謂迫在眉睫。Google在11月下旬重磅推出Gemini3 AI應用生態之後，這一最前沿AI應用軟體隨即風靡全球，推動GoogleAI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發佈即帶來無比龐大的AI token處理量，迫使Google大幅調低Gemini 3 Pro與Nano Banana Pro的免費訪問量，對Pro訂閱使用者也實施暫時限制，疊加韓國近期貿易出口資料顯示SK海力士與三星電子HBM儲存系統以及企業級SSD需求持續強勁，進一步驗證了華爾街所高呼的“AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段”。隨著微軟、Google以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI資料中心建設處理程序愈發火熱，全方位驅動晶片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI晶片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND儲存晶片產能擴張大舉加速，半導體裝置類股的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。在華爾街巨頭摩根士丹利、花旗、Loop Capital以及Wedbush看來，以AI算力硬體為核心的全球人工智慧基礎設施投資浪潮遠遠未完結，現在僅僅處於開端，在前所未有的“AI推理端算力需求風暴”推動之下，持續至2030年的這一輪整體AI基礎設施投資浪潮規模有望高達3兆至4兆美元。2026年，晶片製造巨頭們產能擴張大浪潮來襲花旗發佈的這份研報顯示，2026年的晶片股主線投資策略絕對不是“泛泛看多半導體”，而是明確落在股票市場半導體裝置龍頭領域(即WFE相關)。花旗的半導體投資策略鎖定“晶片製造大廠們capex激增到WFE總市場規模擴大，再到半導體裝置領軍者們訂單/營收/利潤擴張”的這一價值傳遞鏈條，押注2026年半導體裝置景氣度繼續上行。花旗最新測算顯示的2026年全球WFE市場規模模型約為1150億美元(意味著將同比+10%，遠遠高於過去十年平均增長水平)，並指出三晶片製造大廠(台積電、三星與英特爾)合計約佔其中的59%;同時強調其觀察到的增長趨勢顯示2026年整體WFE將“更加接近”其1260億美元的牛市預測情景。尤其是對於全球晶片代工之王台積電，花旗預計台積電2026年capex指引區間約為460–480億美元，並判斷全年可能大幅上修(花旗與機構投資者們的交流口徑“可到500億美元”)。台積電在去年10月的業績電話會議上已將2025年資本開支區間從此前的380億至420億美元區間下限上調至400億至420億美元。在花旗看來，AI基建狂潮所拉動的“算力—儲存—先進晶片製造”鏈條決定了半導體裝置capex粘性比以往任何周期都強勁：基於AI訓練/推理的海量算力需求不僅推高先進製程邏輯晶片需求，也顯著抬升高端儲存晶片(尤其HBM/企業級SSD相關)的需求強度;在晶片製造工藝複雜度上升背景下，單位晶圓的裝置“前沿先進工序數/步驟數”增加，裝置端更容易體現為需求的持續性與訂單能見度提升。花旗的WFE模型拆分假設裡明確給出NAND +30%、DRAM +12%、Foundry/Logic +10%(其模型口徑)，說明該機構認為2026年不是單一的AI算力類股托舉，而是更均衡的先進晶片製程擴張，這往往更利多覆蓋面廣、產品組合完整的半導體裝置龍頭(比如聚焦沉積/刻蝕/清洗/量測/先進封裝等多環節)。世界半導體貿易統計組織(WSTS)近日公佈的最新半導體行業展望資料顯示，全球晶片需求擴張態勢有望在2026年繼續強勢上演，並且自2022年末期以來需求持續疲軟的MCU晶片以及模擬晶片也有望踏入強勁復甦曲線。WSTS預計繼2024年強勁反彈之後，2025年全球半導體市場將增長22.5%，總價值將達到7722億美元，高於WSTS春季給出的展望;2026年半導體市場總價值則有望在2025年的強勁增長基礎之上大舉擴張至9755億美元，接近SEMI預測的2030年1兆美金的市場規模目標，意味著有望同比大增26%。WSTS表示，這種連續兩年的強勁增長趨勢將主要得益於AI GPU主導的邏輯晶片領域以及HBM儲存系統、DDR5 RDIMM與企業級資料中心SSD所主導的儲存領域持續強勁的勢頭，預計這兩個領域都將實現無比強勁的兩位數增長，這得益於人工智慧推理系統與雲端運算基礎設施等領域持續強勁擴張需求。光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝裝置邁向需求激增周期花旗分析師團隊表示，“Phase 2 上行周期”意味著估值錨從“估值觸底修復”轉向“盈利持續上修”：當WFE總盤子從基準情景往牛市情景偏移時，半導體裝置領域龍頭公司盈利彈性甚至有可能大於營收彈性(規模效應+產能利用率提升+高端工藝佔比提高)，因此花旗選擇用 阿斯麥、泛林集團以及應用材料的半導體裝置組合來表達“上行斜率”前景。阿斯麥、泛林集團以及應用材料，這三大半導體裝置巨頭，可謂覆蓋了光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝裝置，而這些半導體裝置細分領域正是受益於AI基建狂潮與儲存超級周期的最佳半導體裝置領域。總部位於荷蘭的光刻機巨頭阿斯麥(ASML Holding NV)所推出的EUV光刻機器，可以說是自2023年以來的史無前例全球AI熱潮之下，台積電、三星電子等最大規模晶片製造商們打造出為ChatGPT、Claude等全球最前沿AI應用提供最核心驅動力的AI晶片的必備半導體裝置，同時也是在當前這輪可能持續到2027年“儲存超級周期”宏觀背景之下，SK海力士與美光科技等儲存巨頭們打造HBM儲存系統、資料中心企業級SSD/DDR等核心儲存裝置所必需具備的機器系統。AI GPU/AI ASIC加速器的性能躍遷高度依賴先進邏輯節點(3nm到2nm，或者更先進的1.8nm、1.6nm)，而這些節點的關鍵層必須使用EUV甚至High-NA EUV來實現更小線寬與更高良率;阿斯麥的EUV/High-NA EUV裝置明確面向3nm以及sub-2nm 邏輯與全球性能領先的DRAM的量產需求，是先進製程擴產的“瓶頸型資本品”。與此同時，AI訓練/推理還把“儲存側”同步點燃：與AI GPU/AI ASIC搭配的HBM儲存系統既要求DRAM製造節點繼續微縮，又要求刻蝕、薄膜沉積、CMP工藝，以及最為關鍵的堆疊封裝與互連環節(TSV/混合鍵合先進封裝等)顯著增加製造步驟與裝置密度。應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體裝置覆蓋其中約75%的步驟，同時也重磅發佈面向先進封裝/儲存晶片堆疊的鍵合系統，因此HBM與先進封裝製造裝置可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新晶片製造節點裝置則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。相比於應用材料，泛林集團(Lam Research)的優勢則全面集中在先進HBM儲存所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力，並且3D NAND/先進DRAM結構與互連也都高度依賴泛林獨家的HAR工藝。 (invest wallstreet)
花旗：AI算力與儲存需求爆表 晶片產能擴張啟幕! 半導體裝置喜迎新一輪牛市
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狂熱過後，我和幾位硬體工程師聊了聊Manus 的價值和意義

「即便最終贏家不是它，它也足夠意義重大。」一位LAM 產品經理這樣評價Manus AI 的產業價值。 在昨天拿到Manus AI 的測試碼、連續進行了數個小時的測試之後，有不少在手機/PC 廠商的工程師/產品經理朋友，來找我「打聽」Manus AI 的真正能力如何。 為什麼硬體產業這麼關注Manus？這與當下硬體產業最受關注的概念—LAM 有關。 LAM 是從LLM 延伸而來的名詞，全名為大型行動模型(Large Action Models)，也稱為大型智能體模型。 與LLM 致力於「超越人類」，因此在訓練方法上也經常突破人類經驗完全不同，現階段LAM 想要做到的，是成為人類的手，去作為人類使用者在數字世界中的代理人。
狂熱過後，我和幾位硬體工程師聊了聊Manus 的價值和意義
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半導體設備銷售，猛升

日本半導體(晶片)製造設備銷售旺，3月銷售額創11個月來最大增幅、持續衝破3,000億日元大關、創下單月歷史次高紀錄。 2024年1-3月期間的銷售額創下同期歷史新高。 日本半導體製造裝置協會(SEAJ)最新公佈統計數據指出，2024年3月份日本製晶片設備銷售額(3個月移動平均值、包含出口)為3,656.80億日元、較去年同月成長8.5%，連續第3個月呈現成長、創11個月來(2023年4月以來、成長9.8%)最大增幅，月銷售額連續第5個月突破3,000億日元大關、創下單月歷史次高紀錄(僅低於2022年9月的3,809.29億日元)。 和前一個月(2024年2月)相比、大增15.2%，連續第5個月呈現月增。 累計2024年1-3月期間日本晶片設備銷售額達9,979.73億日元、較去年同期成長7.2%，銷售額創歷年同期歷史新高紀錄。
科技#半導體設備#泰瑞達#Lam Research
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全球主要半導體設備廠商介紹

全球主要半導體設備廠商介紹 半導體作為全球最重要的產業，每年為全球經濟貢獻數千億美元產值。在整個產業鏈上，除我們耳熟能詳的英特爾、AMD、高通、台積電等生產商外，還包括了許多著名的材料商和設備商。今天我們將對全球最出色的半導體設備廠商進行一次盤點和介紹，它們包括生產光刻機的ASML、被稱為半導體設備超市的AMAT等。 ASML 身為全球市值最大的半導體設備供應商，ASML是該領域的領導者，對EUV微影（Extreme UltraViolet）這項關鍵技術擁有壟斷地位。光刻是將處理器的「節點」雕刻在矽晶圓上，變成電腦晶片的方法。晶片越先進，節點越小，光刻製程越複雜。節點的不斷小型化和光刻技術的改進使得電腦年復一年變得更加強大。EUV 允許超小型節點，最高可達7 nm，甚至5 nm和3 nm。這些先進製程節點通常被認為是人工智慧、5G、AR/VR 和高階雲端服務等應用程式的必備條件。因此，ASML是所有尋求製造最先進晶片廠商的最佳選擇之一。
全球主要半導體設備廠商介紹
科技#半導體設備#ASML#應用材料
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三大半導體設備龍頭，加碼投資台灣

導體群聚效應發酵，國際大廠紛紛落腳國台灣。台灣當局28日表示，龍頭外商泛林（Lam Research）、荷商阿斯麥（ASML）及美商應用材料（Applied Materials）皆宣佈在台設立高階研發中心，可望新增對台採購133億元，帶動4,337億元在台投資。 當局表示，泛林為全球第三大半導體晶圓設備製造及服務供應商，在台設立先進節點及高階製程技術研發中心，提升台灣在先進節點及高階製程技術的自主研發能量。若加上阿斯麥及應用材料，全球前三大半導體設備商全數到位。 三巨頭在台設置高階研發中心後，除帶動採購與在台投資，也可帶動50家島內廠商參與外商研發與切入國際供應鏈，台灣因此成為全球半導體設備研發密度最高的地方。經濟部近5年投入近65億元，補助島內設備及材料業者投入研發，帶動137件本土產品進入半導體國際供應鏈。 此外，台灣方面補助當地半導體設備及材料業者自主技術研發，協助當地設備與材料通過台積電、日月光、聯電等半導體國際大廠的品質及可靠性驗證，在半導體前段生產設備、高階封裝設備及關鍵製程材料方面取得突破。
三大半導體設備龍頭，加碼投資台灣
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