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花旗:AI算力與儲存需求爆表 晶片產能擴張啟幕! 半導體裝置喜迎新一輪牛市
阿斯麥(ASML)股價創新高、泛林(Lam)強勢領漲!市場押注2026半導體裝置支出再擴張,AI晶圓廠軍備競賽升檔。華爾街金融巨頭花旗集團近日發佈研報稱,在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及“儲存晶片超級周期”宏觀背景之下,半導體裝置廠商們——尤其是阿斯麥(ASML.US)、泛林集團(LRCX.US)以及應用材料(AMAT.US)這三大半導體裝置巨頭們,將是AI晶片(AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND儲存晶片產能急劇擴張之勢的最大規模受益者。花旗在這份研報中預測,全球半導體裝置類股將迎來“Phase 2 牛市上行周期”,也就是說繼2024-25年的超級牛市之後有望迎來新一輪牛市軌跡。華爾街知名半導體行業分析師Atif Malik領導的花旗分析師團隊預測,隨著AI晶片與儲存晶片需求持續激增,台積電、三星電子以及英特爾這三家全球最大規模的晶片製造巨頭,以及儲存晶片製造商SK海力士在即將到來的財報披露中將對2026年以及之後半導體資本開支(capex) 指引顯著上調,進而預判2026年全球晶圓廠半導體裝置(WFE)支出更加可能向其“最樂觀預測前景”靠攏。股價走勢方面,美股半導體裝置類股自開年以來無比強勁。阿斯麥美股ADR價格在2026年開年已經創下歷史新高,1月2日單日漲幅超過8%,2026年開年以來漲幅高達16%,市值接近5000億美元;泛林集團美股市場股價則自2025年下半年以來可謂屢創歷史新高,2026年開年以來漲幅高達20%;應用材料股價在2026年開年同樣屢創新高,開年以來漲幅高達15%。花旗分析師團隊重點指出,SK海力士與三星電子的最大儲存晶片競爭對手美光科技已經在2025年12月的業績電話會議上將2026財年(截至2026年8月)資本開支從此前的180億美元上調至200億美元,意味著同比大幅增長45%,其中晶片製造工廠建設資本開支幾乎翻倍。美光還表示2027財年資本開支也將繼續增長。作為三星電子與SK海力士在儲存晶片市場最直接競爭的對手,美光的大幅擴產舉措可能促使這兩家位於韓國的儲存晶片製造巨頭採取相應資本開支擴張行動以維持市場地位。值得注意的是,市場對於台積電的晶片產能擴張強勁預期不僅聚焦於輝達、AMD以及博通這三大AI晶片領軍者們帶來的堪稱天量級資料中心AI晶片訂單,以及蘋果公司每年都能夠帶來的龐大消費電子晶片訂單,在資料中心企業級高性能SSD(隸屬於NAND終端應用)領域,面向高性能NVMe(尤其 PCIe Gen5/Gen6)的SSD主控晶片可謂極度依賴台積電高端製程產能——這意味者台積電當前產能必然遠遠無法滿足AI算力與儲存帶來的“永無止境訂單”,大舉擴張產能可謂迫在眉睫。Google在11月下旬重磅推出Gemini3 AI應用生態之後,這一最前沿AI應用軟體隨即風靡全球,推動GoogleAI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發佈即帶來無比龐大的AI token處理量,迫使Google大幅調低Gemini 3 Pro與Nano Banana Pro的免費訪問量,對Pro訂閱使用者也實施暫時限制,疊加韓國近期貿易出口資料顯示SK海力士與三星電子HBM儲存系統以及企業級SSD需求持續強勁,進一步驗證了華爾街所高呼的“AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段”。隨著微軟、Google以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI資料中心建設處理程序愈發火熱,全方位驅動晶片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI晶片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND儲存晶片產能擴張大舉加速,半導體裝置類股的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。在華爾街巨頭摩根士丹利、花旗、Loop Capital以及Wedbush看來,以AI算力硬體為核心的全球人工智慧基礎設施投資浪潮遠遠未完結,現在僅僅處於開端,在前所未有的“AI推理端算力需求風暴”推動之下,持續至2030年的這一輪整體AI基礎設施投資浪潮規模有望高達3兆至4兆美元。2026年,晶片製造巨頭們產能擴張大浪潮來襲花旗發佈的這份研報顯示,2026年的晶片股主線投資策略絕對不是“泛泛看多半導體”,而是明確落在股票市場半導體裝置龍頭領域(即WFE相關)。花旗的半導體投資策略鎖定“晶片製造大廠們capex激增到WFE總市場規模擴大,再到半導體裝置領軍者們訂單/營收/利潤擴張”的這一價值傳遞鏈條,押注2026年半導體裝置景氣度繼續上行。花旗最新測算顯示的2026年全球WFE市場規模模型約為1150億美元(意味著將同比+10%,遠遠高於過去十年平均增長水平),並指出三晶片製造大廠(台積電、三星與英特爾)合計約佔其中的59%;同時強調其觀察到的增長趨勢顯示2026年整體WFE將“更加接近”其1260億美元的牛市預測情景。尤其是對於全球晶片代工之王台積電,花旗預計台積電2026年capex指引區間約為460–480億美元,並判斷全年可能大幅上修(花旗與機構投資者們的交流口徑“可到500億美元”)。台積電在去年10月的業績電話會議上已將2025年資本開支區間從此前的380億至420億美元區間下限上調至400億至420億美元。在花旗看來,AI基建狂潮所拉動的“算力—儲存—先進晶片製造”鏈條決定了半導體裝置capex粘性比以往任何周期都強勁:基於AI訓練/推理的海量算力需求不僅推高先進製程邏輯晶片需求,也顯著抬升高端儲存晶片(尤其HBM/企業級SSD相關)的需求強度;在晶片製造工藝複雜度上升背景下,單位晶圓的裝置“前沿先進工序數/步驟數”增加,裝置端更容易體現為需求的持續性與訂單能見度提升。花旗的WFE模型拆分假設裡明確給出NAND +30%、DRAM +12%、Foundry/Logic +10%(其模型口徑),說明該機構認為2026年不是單一的AI算力類股托舉,而是更均衡的先進晶片製程擴張,這往往更利多覆蓋面廣、產品組合完整的半導體裝置龍頭(比如聚焦沉積/刻蝕/清洗/量測/先進封裝等多環節)。世界半導體貿易統計組織(WSTS)近日公佈的最新半導體行業展望資料顯示,全球晶片需求擴張態勢有望在2026年繼續強勢上演,並且自2022年末期以來需求持續疲軟的MCU晶片以及模擬晶片也有望踏入強勁復甦曲線。WSTS預計繼2024年強勁反彈之後,2025年全球半導體市場將增長22.5%,總價值將達到7722億美元,高於WSTS春季給出的展望;2026年半導體市場總價值則有望在2025年的強勁增長基礎之上大舉擴張至9755億美元,接近SEMI預測的2030年1兆美金的市場規模目標,意味著有望同比大增26%。WSTS表示,這種連續兩年的強勁增長趨勢將主要得益於AI GPU主導的邏輯晶片領域以及HBM儲存系統、DDR5 RDIMM與企業級資料中心SSD所主導的儲存領域持續強勁的勢頭,預計這兩個領域都將實現無比強勁的兩位數增長,這得益於人工智慧推理系統與雲端運算基礎設施等領域持續強勁擴張需求。光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝裝置邁向需求激增周期花旗分析師團隊表示,“Phase 2 上行周期”意味著估值錨從“估值觸底修復”轉向“盈利持續上修”:當WFE總盤子從基準情景往牛市情景偏移時,半導體裝置領域龍頭公司盈利彈性甚至有可能大於營收彈性(規模效應+產能利用率提升+高端工藝佔比提高),因此花旗選擇用 阿斯麥、泛林集團以及應用材料的半導體裝置組合來表達“上行斜率”前景。阿斯麥、泛林集團以及應用材料,這三大半導體裝置巨頭,可謂覆蓋了光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝裝置,而這些半導體裝置細分領域正是受益於AI基建狂潮與儲存超級周期的最佳半導體裝置領域。總部位於荷蘭的光刻機巨頭阿斯麥(ASML Holding NV)所推出的EUV光刻機器,可以說是自2023年以來的史無前例全球AI熱潮之下,台積電、三星電子等最大規模晶片製造商們打造出為ChatGPT、Claude等全球最前沿AI應用提供最核心驅動力的AI晶片的必備半導體裝置,同時也是在當前這輪可能持續到2027年“儲存超級周期”宏觀背景之下,SK海力士與美光科技等儲存巨頭們打造HBM儲存系統、資料中心企業級SSD/DDR等核心儲存裝置所必需具備的機器系統。AI GPU/AI ASIC加速器的性能躍遷高度依賴先進邏輯節點(3nm到2nm,或者更先進的1.8nm、1.6nm),而這些節點的關鍵層必須使用EUV甚至High-NA EUV來實現更小線寬與更高良率;阿斯麥的EUV/High-NA EUV裝置明確面向3nm以及sub-2nm 邏輯與全球性能領先的DRAM的量產需求,是先進製程擴產的“瓶頸型資本品”。與此同時,AI訓練/推理還把“儲存側”同步點燃:與AI GPU/AI ASIC搭配的HBM儲存系統既要求DRAM製造節點繼續微縮,又要求刻蝕、薄膜沉積、CMP工藝,以及最為關鍵的堆疊封裝與互連環節(TSV/混合鍵合先進封裝等)顯著增加製造步驟與裝置密度。應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟,並聲稱其最先進的半導體裝置覆蓋其中約75%的步驟,同時也重磅發佈面向先進封裝/儲存晶片堆疊的鍵合系統,因此HBM與先進封裝製造裝置可謂是該公司中長期的強勁增長向量,GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新晶片製造節點裝置則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。相比於應用材料,泛林集團(Lam Research)的優勢則全面集中在先進HBM儲存所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力,並且3D NAND/先進DRAM結構與互連也都高度依賴泛林獨家的HAR工藝。 (invest wallstreet)