這份報告發佈於2026年7月2日，由高盛（亞洲）的分析師團隊撰寫，主題是“AI與中國半導體：產能擴張驅動增長，上調長電科技、華峰測控、華海清科目標價”。 核心論點與行業背景 整體觀點積極：高盛對中國半導體裝置（SPE）和半導體材料類股持建設性（看好）態度。 主要驅動力：先進節點產能擴張和生成式AI（人工智慧）趨勢是主要推動力。這兩者將共同促進中國半導體生態系統的發展。

長期關注中國科技產業發展的新加坡媒體指出，全球AI技術迭代與算力競賽進入白熱化階段，半導體晶片作為算力產業的核心根基，已然成為各國科技博弈的核心賽道。當前中國半導體產業正處於轉型升級的關鍵攻堅期，既面臨先進製程受限、底層技術短板凸顯的現實困境，也擁有市場體量龐大、創新主體崛起的發展優勢，想要打破技術桎梏、躋身全球第一梯隊，唯有堅持對外合作借力、對內深耕自主的雙軌平行模式，兩條腿穩步前行，才能持續夯實核心競爭力。 縱觀全球半導體產業發展格局，沒有任何一個國家能夠依靠閉門造車實現技術領跑，全球化協作始終是行業發展的底層邏輯。對於正處於追趕階段的中國半導體產業而言，完全脫離國際技術生態盲目追求自主可控，不僅會錯失前沿技術迭代機遇，還將大幅拉長研發周期、抬高產業試錯成本；而一味依賴海外技術、放棄自主研發佈局，則會始終受制於人，難以規避技術斷供、供應鏈受限的潛在風險。 因此，兼顧全球化合作與自主化突破的雙軌策略，是適配當下中國半導體發展的最優解。一方面依託合規合法的商業管道，深度參與全球半導體產業分工，借力海外成熟技術、裝置與生態體系維持產業正常迭代、跟進國際前沿水平；另一方面持續加碼核心技術研發，補齊晶片設計、製造、軟體生態等短板，搭建自主可控的產業鏈供應鏈體系，形成可靠的技術替代方案，二者相輔相成、缺一不可。 在國內科技企業的發展實踐中，雙軌平行的發展思路早已得到驗證，華為便是最具代表性的標竿企業。深耕全球化市場多年，華為的產品體系、人才體系、技術體系深度融入全球產業鏈，長期依託全球優質資源實現技術迭代與產品升級，充分享受了全球化合作帶來的發展紅利。

2026年1月19日，美國商務部長霍華德·盧特尼克在華盛頓搞了一場6小時閉門酒會。 三天後CNBC披露細節：台灣方面承諾提供2500億美元信貸支援，換取美國將大部分台製商品關稅從20%降至15%。這筆錢的用途，是把台積電的產能搬到亞利桑那沙漠。 但協議很快就變了。 2月24日《紐約時報》發了一組資料：全球90%的先進邏輯晶片、99%用於訓練GPT-6這類大模型的HBM高頻寬記憶體，依然產自台灣。

3月下旬，寒武紀的股價跌破千元大關，悲觀情緒在市場中蔓延——國產半導體難道不行了？進入4月後，半導體類股走出了反彈行情，而摩根士丹利也在此時發佈研究報告，堅定看好中國半導體行業。大摩在研報中寫道：“2028年，中國半導體自給率，預計將從2025年的24.3%，躍升至32%，這不是單點突破，而是系統升級。”大摩判斷，中國半導體正在進入加速超車期。裝置、製造、設計全線突圍，未來三年，將是國產半導體最關鍵的逆襲窗口。Part.01 自給率增速史上最快過去很多年，國產晶片自給率一直緩慢爬坡。但這一次，邏輯徹底變了。大摩給出明確預測：2025年中國半導體自給率24.3%，2028年將直接跳升至32%。三年提升近8個百分點，堪稱近年來最陡峭的增長曲線。支撐這一判斷的是實打實的資料：2025年中國本土晶片企業總營收530億美元，同比大漲22%。中國市場佔全球晶片需求的27%，龐大內需+供應鏈成熟，讓自給率進入不可逆的上升通道。這不是概念，不是預期，是已經發生、還將加速發生的產業大趨勢。Part.02 最大爆點：AI GPU徹底爆發如果說國產晶片有一個突破口，那一定是AI GPU。大摩研報明確表示，2025年就是中國AI GPU的元年。銷售額狂飆至130億美元，同比直接翻倍。市場空間從190億美元暴增到320億美元，7nm–10nm工藝良率持續突破，量產能力大幅提升。而最具標誌性的訊號，是MiniMax等頭部AI廠商，已經開始批次使用國產AI GPU。這意味著，國產GPU不再是實驗室樣品，而是真正進入AI算力核心供應鏈，承接推理端爆發式需求。國內晶圓廠全力配合產能釋放，AI晶片從設計到量產的閉環已經跑通。大摩大膽預測：2030年中國AI晶片市場規模將衝到670億美元，先由國企與政務需求打底，再由商用場景引爆長周期增長。Part.03 最穩基本盤：儲存晶片AI負責爆發力，儲存負責基本盤。兩大國產儲存龍頭，正在改寫全球半導體格局。大摩統計了2025年全球儲存晶片產能佔比：長鑫儲存（DRAM）：8.5%（從5.6%大幅提升）長江儲存（NAND）：12.6%（從7.4%跨越式增長）擴產節奏更是火力拉滿：2026年，長鑫新增60萬片/月等效8英吋產能，長江儲存新增25萬片/月等效8英吋產能。標準化儲存晶片自給率提升，最能直接拉動整體自給率上行，同時帶動裝置、材料、製造全鏈條吃滿訂單，成為國產替代最硬的底氣。Part.04 重磅訊號：海外裝置不香了晶片自主，第一步就是裝置自主。現在，最強烈的拐點訊號已經出現：海外裝置進口集體暴跌。2026年2月，中國半導體裝置進口額同比大降24%，三個月移動平均增速-15%，連續兩個月負增長。從各國進口資料來看，美國-54%、荷蘭-13%、韓國-70%、日本-39%、新加坡-9%。五大裝置強國對華出口全線收縮，背後是國產裝置滲透率快速提升。北方華創、中微公司、盛美半導體等，正在成熟製程、儲存產線大規模替代，卡脖子環節一個接一個被攻破。Part.05 製造端托底：AI晶片產能有保障光有設計和需求不夠，製造能力才是量產底氣。大摩表示，國內晶圓廠迎來雙重突破，一是成熟製程持續擴產，支撐MCU、功率器件、模擬晶片上車。二是12nm以下先進製程穩步提升，專門適配AI GPU量產。中芯國際、華虹半導體成為AI國產化核心代工支柱，把國內晶片設計公司的圖紙，變成可以大規模出貨的產品。此外，汽車電子需求爆發，進一步帶動MCU、功率半導體自給率穩步走高。雖然模擬晶片受海外價格戰短期承壓，但長期替代趨勢不改。Part.06 大摩點名四大方向龍頭大摩在報告中明確看好四大領域，全是國產替代核心受益主線：晶圓代工—中芯國際、華虹半導體：AI晶片代工核心平台半導體裝置—北方華創、中微公司、盛美半導體：裝置替代最核心標的晶片設計—瀾起科技（高性能計算）、兆易創新（儲存相關）：長邏輯最順。功率半導體/SiC—車規需求爆發，賽道持續高景氣。Part.07 關鍵判斷：國產半導體黃金三年開啟總結這份報告，大摩核心觀點非常清晰：中國半導體自給率提速，不是單點突破，是系統升級。AI GPU提供最強彈性，儲存晶片提供最穩支撐，裝置與製造築牢底層底座，三大力量共振，把自給率推上新高。未來三年，是國產晶片從“能用”到“好用”、從“可用”到“市佔率第一”的關鍵期。AI商業化落地進度，將決定這一波國產替代的最終高度。一場由技術、產能、需求共同驅動的半導體大浪潮，已經正式啟動。 (智通財經APP)

12月24日，中國外交部發言人林劍主持例行記者會。法新社記者提問，美國貿易代表調查結果稱“中國實行了不公平的措施，企圖主導半導體產業”，美國擬自2027年起對中國半導體產業加征關稅。中方對此有何評論？林劍表示，中方堅決反對美方濫施關稅、無理打壓中國產業。美方的做法擾亂全球產供鏈穩定，阻礙各國半導體產業的發展，損人害己。“我們敦促美方盡快糾正錯誤做法，以兩國元首達成的重要共識為引領，在平等、尊重、互惠的基礎上，通過對話解決各自關切，妥善管控分歧，維護中美關係穩定健康可持續發展。如果美方一意孤行，中方必將堅決採取相應措施，維護自身正當權益。”林劍說。 (海南新聞聯播)

這是一張來自WireScreen的半導體產業供應煉長圖（基於2022年資料）。半導體擁有全球最複雜的供應鏈之一，涉及眾多國家和數百家公司，這張圖展示了各個環節的價值分配和主要參與公司，並重點分析中國在該供應鏈中的位置。中國在原料供應上佔據主導地位，但在高價值環節仍相對落後。各環節價值分配半導體規模超過5,000億美元，預計未來十年內將成長至1兆美元。這張圖將供應鏈劃分為七個核心步驟，並標示了每個環節所創造的價值佔比，顯示「錢流向那裡」：核心智慧財產權：提供晶片設計的核心架構（如ARM）。 - 價值佔比：0.9%電子設計自動化軟體：提供設計晶片所需的軟體工具（如Synopsys）。 - 價值佔比：2.4%晶圓：製造晶片的基底材料（矽片）。 - 價值佔比：1.5%製造裝置：用於晶片製造、光刻、蝕刻、測試等環節的機器。 - 價值佔比：14.9%晶片設計：公司依需求設計晶片藍圖（如蘋果、高通、輝達）。 - 價值佔比：29.8%晶片製造：將設計藍圖在晶圓上製造出來，是技術最難、價值最高的環節（如台積電、三星）。 - 價值佔比：38.4%組裝、測試和封裝：將製造好的晶圓切割成單一晶片，並進行測試和包裝。 - 價值佔比：2.5%可以看出，晶片設計和製造是價值鏈中最大的兩個環節，合計佔據了近70%的價值。中國的優勢和弱勢中國公司在關鍵原料的生產上佔據全球主導地位：矽：佔全球產量69%稀土：佔60%鍺：佔68%鎵：佔98%精煉銅：佔42%精煉鈷：佔70%但在高附加價值的環節市佔率較低，核心智慧財產權、EDA軟體、製造裝置等領域幾乎由美國、歐洲、日本和韓國公司壟斷。在晶片設計和晶片製造這兩個價值最高的環節，中國的全球市佔率也相對較小。尖端晶片技術仍然是美國、歐洲、日本和韓國公司的領域，它們攫取了供應鏈中的大部分價值和市場份額。但是，中國企業正在快速發展各個環節的先進技術，並有望在未來增強中國在供應鏈中的地位。例如：EDA：華大九天製造裝置：北方華創、中微公司晶片設計：華為海思、寒武紀、龍芯、兆芯晶片製造：中芯國際、華虹集團、Nexchip中國也透過合資和地方政府支援的模式進行追趕，例如2015年台灣力晶科技與中國合肥市政府成立合資企業Nexchip（合肥市政府實體持股39.74%，力晶科技持股20.58%），專注12吋晶圓製造，至2021年底月產能達10萬片，約為中芯國際的一半；2023年IPO融資16.7億美元，是當時亞太地區最大規模的IPO。各環節產業“領導者”和中國“挑戰者”這張圖列出了每個環節的行業領導者，例如：微影裝置：荷蘭的ASML在極紫外光微影領域擁有壟斷地位。晶片製造：台積電、三星、英特爾是領導者。晶片設計：蘋果、輝達、高通、博通是領導者。IDM公司：如英特爾、三星等集設計、製造、銷售於一體的公司，在其領先的環節中被列為行業領導者。 （銳芯聞）

“沒想到技術水平提高到這種程度”，競爭對手對於長江存儲科技的新型儲存半導體難掩驚訝。其堆疊層數達到約270層，接近三星電子。長江存儲科技的NAND銷量份額首次超過全球10%。在中美對立背景下，中國的技術正在提升……長江存儲科技的目標是在2026年前實現掌握15%的市場份額（湖北省武漢市）中國在儲存半導體領域的存在感正在增強。在用於長期儲存資料的NAND方面，大型企業長江存儲科技（YMTC）的銷量份額首次超過全球10%。在中美對立的背景下，借助中國政府鼓勵使用本國半導體的優惠政策，長江存儲科技迅速提高了技術實力。目前該公司以中國國內業務為中心，但難免會對鎧俠控股（Kioxia Holdings）等日美韓廠商的經營產生影響。“沒想到技術水平提高到這種程度”，對於長江存儲在2025年2月之前開始量產的新型儲存半導體，競爭對手企業的技術人員難掩驚訝之情。這是因為堆疊層數達到約270層，接近韓國三星電子，使用了與日美韓廠商同等水平的技術。此外，還迅速引進了其他企業尚未採用的降低生產成本的方法。調查公司香港Counterpoint的資料顯示，長江存儲在全球NAND出貨量中所佔的份額在2025年1～3月首次達到10%。2025年7～9月同比增長4個百分點達到13%，份額直逼世界第4位的美國美光科技。以中國品牌的筆記型電腦和智慧型手機為中心，長江存儲的產品獲得的採用正在增加，全年的市場份額有望超過1成。儘管以銷售額計算目前只佔世界的8%，但是Counterpoint的分析師MS Hwang認為，到2027年按銷售額計算也將達到10%。長江存儲的目標是在2026年底之前獲得15%的銷量份額。將在中國武漢市周邊推進工廠投資。目前正在實施的投資完成後，長江存儲將佔全球供應量的約2成。這一規模超過了日本鎧俠，直逼韓國SK海力士。在用於短期儲存的DRAM領域，長鑫儲存技術（CXMT）擴大了市場份額。2025年7～9月為8%，居世界第4位。2024年同期為6%。長鑫儲存技術推進增產用於個人電腦和智慧型手機的通用產品，被認為在中國國內擁有4成左右的市場份額。另一方面，在用於生成式AI的高性能“高頻寬儲存器（HBM）”技術方面，SK海力士等的尖端技術是第6代，而長鑫儲存只是第3代。在技術上落後5年。長江存儲和長鑫儲存等中國企業在價格方面壓倒海外競爭對手。調查公司TechInsights的資料顯示，中國生產的NAND比其他國家生產的便宜1～2成左右。美國調查公司IDC的資料顯示，中國2024年的智慧型手機出貨量同比增長6%，達到2億8600萬部，佔全球總量的23%。有分析認為，鎧俠的總銷售額中面向中國的比例約為2成。如果中國廠商的儲存半導體的採用比例不斷提高，日美韓廠商有可能面臨市場份額下降和利潤空間縮小。中國企業能否在中國以外地區獲得更多份額尚不明朗。美國政府於2022年將長江存儲列為限制對象，禁止美國企業在未經許可的情況下提供設計技術。當時美國蘋果曾考慮採購長江存儲生產的儲存半導體用於iPhone，但最終決定放棄。日本企業也“由於質量和安全方面的擔憂，並未積極採用中國的儲存半導體”（鎧俠的高管）。不過，中國大力發展的太陽能面板、電池和純電動汽車（EV）等憑藉價格競爭力在海外迅速獲得市場。國際半導體產業協會（SEMI）的青木慎一分析稱，“即使因美國限制而無法採購充足生產裝置，中國廠商的良品率仍在提高”。還有其他的儲存器技術人員表示，“如果目前的價格差持續下去，其他國家增加採用中國的儲存半導體只是時間問題”。 (日經中文網)

荷蘭“強搶”安世半導體以來，雙方你來我往，各自出招；雖然依舊未能決出勝負，但卻也牽出中國國產半導體產業一個大“漏洞”——荷蘭安世半導體於10月26日暫停向東莞封裝測試工廠（ATGD）供應晶圓，直接導致該工廠約70%產能停滯；由此也引發全球半導體供應鏈震盪。晶圓作為半導體產業鏈的核心環節，其製造過程從高純度石英砂開始，經過1400℃高溫提純、氯化反應等工藝，最終得到純度達99.9999999%以上的電子級矽。單晶矽錠通過真空拉晶技術成型，再經切割拋光成為晶片製造的“畫布”，其尺寸（如12英吋）和工藝精度直接影響晶片性能與成本，佔據晶片製造成本50%以上。其實，要達到11個9電子級矽純度的技術要求極高，在工藝上涉及多塔串聯精餾、高溫氯化還原等複雜工序；而且生產過程存在安全風險，如矽烷易爆；同時，對核心裝置和產線要求極高的潔淨度與密閉性。這導致，國內的企業長期以來不能批次穩定生產出高品質電子級多晶矽產品；目前全球矽片供應主要由少數幾家大型廠商把控，如日本信越化學、SUMCO，台灣環球晶圓，德國的Siltronic，韓國的SK Siltron等，這些廠商佔據全球90%以上的市場份額。除了綜合性的巨頭，一些企業在特定領域建立了強大優勢。例如，法國的Soitec在FD-SOI襯底技術上全球領先；美國的Wolfspeed則是碳化矽（SiC）襯底領域的龍頭，是特斯拉的獨家供應商；而芬蘭的Okmetic在RF-SOI（射頻絕緣體上矽）領域擁有超過60%的市場份額。當前，矽晶圓主要應用尺寸為8英吋（200mm）和12英吋（300mm）；其中8英吋主要用於模擬晶片、功率器件等成熟製程，但當前市場相對疲軟；而12英吋產品稱為是絕對主流，佔大尺寸晶圓出貨量的64%以上，驅動AI等高端晶片製造。根據最新資料，2025年第三季度全球矽晶圓出貨量達到3313百萬平方英吋，同比增長3.1%。增長主要來自用於先進邏輯、雲端運算和儲存的300mm（12英吋）晶圓。但隨著近兩年國內晶圓廠的興建，終端帶動需求的增加，國產矽晶圓產業也取得了一系列的突破。技術上，中國團隊在多塔差壓耦合技術、反歧化反應技術、矽烷法等方面取得了重要突破，打破了國外壟斷。在產業端，滬矽產業、立昂微（旗下有金瑞泓）、中環股份、有研矽等是國內矽片領域的核心企業。其中，滬矽產業是國家大基金重點扶持的企業，也是中芯國際的核心供應商，其12英吋矽片在國內的國產化處理程序中扮演著關鍵角色。目前，國產廠商在28nm及以上製程所需的矽片上已實現突破，自給率突破50%。在產能建設上，各家也在快速擴張，例如滬矽產業計畫將其300mm（12英吋）矽片總產能提升至120萬片/月。但在最先進的12英吋矽片技術，尤其是用於3nm、5nm製程上與國際龍頭仍有差距，部分特殊矽片如RF-SOI的國產化率仍不高。同時，根據的資訊，當前全球半導體矽片市場存在5%-10%的供過於求，這對於仍在擴產中的中國廠商而言，意味著可能面臨更激烈的市場競爭和價格壓力。根據行業資料，2024年全球矽晶圓市場規模達到130億美元，到2029年將增長到169.8億美元。其中中國市場，2024年市場規模為131億元，處於快速上升通道。因此，此次荷蘭安世“斷供”晶圓造成東莞封測廠70%產能停產，正是抓住了國產半導體產業在矽晶圓上的薄弱之處；從某種程度上講國產矽晶圓產業發展的滯後，或將成為國產半導體產業發展的一個巨大瓶頸。附：2025年全球半導體矽晶圓30強！(飆叔科技洞察)