中芯先進封裝研究院揭牌：中國國產封測的協同破局之路1月29日，中芯國際先進封裝研究院在上海總部正式揭牌，上海市委常委、副市長陳傑與中芯國際董事長劉訓峰共同完成儀式，中國工信部、上海市政府相關負責人，以及清華大學、復旦大學的專家團隊悉數到場。這場高規格的活動，不是簡單的企業戰略發佈，而是中國先進封裝領域從分散研發走向協同攻堅的關鍵節點，也是中芯國際補齊產業生態、破解技術瓶頸的核心落子。劉訓峰在致詞中明確了研究院的核心方向：聚焦先進封裝前沿技術研發與行業共性難題攻關，聯動頂尖高校與產業鏈夥伴，搭建“政產學研用”一體化平台，最終建成中國領先、國際先進的技術研發與協同創新聯盟。這一定位，精準對準了中國先進封裝產業的核心短板。後摩爾時代，先進封裝已成為提升晶片算力、繞開製程限制的核心路徑，也是AI算力、資料中心等領域的關鍵支撐。中國封測產業雖有長電科技、通富微電等頭部企業實現部分先進工藝量產，但長期面臨研發資源分散、共性技術突破難、高端裝置與材料依賴進口等問題，單一企業難以獨立攻克混合鍵合、3D堆疊等核心工藝。中芯國際早在2014年便與長電科技合資成立中芯長電，佈局矽片級封裝業務，積累了產業落地基礎，此次成立研究院，是將單點佈局升級為體系化研發的必然選擇。研究院的核心價值，在於打破產學研之間的壁壘。清華大學、復旦大學在材料科學、微電子設計領域的研發積累，能為前沿技術探索提供理論支撐；中芯國際的晶圓製造與封測產業經驗，可快速將實驗室成果轉化為量產工藝；政府層面的政策與資源支援，能為技術攻堅提供穩定保障。三方協同的模式，能針對性解決熱管理、良率控制、EDA協同等行業共性難題，避免重複研發，提升技術突破效率。從產業格局來看，這一佈局也將強化中芯國際的全鏈條競爭力。晶圓製造與先進封裝的深度協同，能最佳化晶片設計、製造、封測的全流程適配，降低產業鏈溝通成本，同時為中國晶片設計企業提供更貼合需求的封測解決方案，推動中國國產晶片整體性能提升。先進封裝的技術突破非一日之功，國際頭部企業已形成成熟的技術與產能壁壘，中國產業仍需長期投入研發與人才儲備。但中芯國際此次牽頭搭建協同平台，為中國國產先進封裝指明了破局方向，也為上海乃至全國積體電路產業的高品質發展注入了實質動能，更契合國家科技自立自強的戰略需求。 (1 ic網)

EUV光刻機被封、高端材料斷供，中國晶片如何突圍？2025年三季度，中芯國際以5.1%的全球市場份額穩居全球晶圓代工第三，在核心技術封鎖的雙重壓力下，交出前三季營收495.1億元（同比+17.4%）、產能利用率95.8%、等效7nm工藝良率穩定超90%的逆勢答卷。本篇6500字非虛構深度調查，基於中芯國際官方財報、工信部公開資料、全球半導體產業協會（SEMI）權威報告，拆解中芯國際「無EUV造高端晶片」的底層邏輯，以全球視野剖析中國半導體產業從「裝置突破」到「材料自主」的核心命題與現實進展。楔子：百萬片產能背後的本土突圍2025年三季度，中芯國際上海張江12英吋晶圓廠的潔淨車間裡，國產刻蝕機與薄膜沉積裝置持續高頻運轉，核心產線良率穩定在92%以上；北京亦莊生產基地的產能同步拉滿，每一片晶圓的加工，都緊扣著國內晶片設計企業的核心需求。這一幕，是這家中國晶圓代工龍頭在全球半導體管制升級背景下的主動選擇——從「全球化擴產」轉向「本土化保產」，依託國內半導體「在地化生產」的強勁需求，中芯國際在本季度實現月產能折合8英吋標準晶圓102.3萬片，正式邁入百萬片等級，產能利用率穩居95.8%的行業高位。中國區收入佔比攀升至86%，環比增長11%；成熟製程核心裝置國產化率超60%，等效7nm工藝實現小批次量產；14nm製程營收佔比提升至28%……中芯國際的2025，不是單一企業的逆勢增長，而是中國芯在全球禁令的縫隙中，一步一步找到呼吸節奏、實現逆勢生長的標誌性實踐：其技術突破的每一步，都與國產裝置材料的產線驗證同頻；其業績增長的每一個百分點，都折射出本土需求對硬核科技最堅實的支撐力量。一、先進製程攻堅：無EUV下的等效7nm突破EUV光刻機的全球封鎖，讓中國高端晶片製造被堵在技術門外，成為最嚴苛的「禁令枷鎖」。沒有EUV，中國芯就只能困於縫隙、止步不前？中芯國際給出了自己的答案——以DUV多重曝光技術為核心路徑，在技術限制的縫隙中攻堅等效7nm工藝，讓中國高端晶片擁有了自主呼吸的能力，成為全球少數掌握該技術並實現量產的晶圓代工廠，且所有突破均有明確的產線驗證資料支撐。2025年四季度，中芯國際等效7nm工藝迎來關鍵突破：良率穩定超90%，鰭片間距（電晶體核心參數）精準控制在30-33奈米區間，達到先進製程核心標準，已成功承接華為昇騰910B、寒武紀思元590等國核心心AI晶片的代工訂單，當前月產能約3.5萬片，計畫2026年翻倍至7萬片，逐步實現規模化量產。這一成果，填補了國內7nm級高端晶片代工的空白，更證明了中國企業在無核心裝置支援下，仍能掌握先進製程的核心工藝邏輯。支撐這一突破的，是兩大落地於實際產線的核心技術創新，且均已獲得國家專利授權：（一）四重圖形化光刻工藝（專利號CN114823143A）作為無EUV製作先進製程晶片的核心技術，該工藝通過四次曝光、蝕刻的疊加工藝，突破單台DUV裝置的波長限制，實現更精細的電路刻蝕。依託這一工藝，中芯國際將套刻精度（光刻工藝核心精度指標，直接決定晶片良率）控制在3.2奈米以內，優於台積電N7工藝3.5奈米的行業標準，成為等效7nm工藝良率穩定的關鍵保障。（二）光刻膠最佳化處理工藝（專利號CN115148572A）多重曝光工藝容易出現「線寬粗糙、晶片功耗偏高」的問題，中芯國際通過調整顯影液配方、最佳化烘烤溫度曲線（118.5℃恆溫延長30秒），將光刻膠線寬粗糙度降低40%，直接帶動晶片功耗下降15%以上，解決了等效7nm工藝商業化落地的核心技術痛點。依託上述技術突破，中芯國際南方廠7nm試驗線提前至2025年底完成通線，核心刻蝕、薄膜、清洗裝置均切換為國產型號，首批256 Mb SRAM晶片良率達42%，超出原計畫8個百分點。這條試驗線的通線，標誌著國產裝置已具備支撐7nm級先進製程的能力，為後續等效7nm工藝規模化量產打下了堅實的硬體基礎。與此同時，中芯國際的成熟先進製程已成為業績「壓艙石」：14nm工藝實現規模化量產，良率穩定在95%以上，是國內中高端消費電子、工業控制晶片的核心供應；28nm ULP超低功耗工藝於2025年三季度實現量產，在功耗控制與產品質量上形成差異化競爭力，國內頭部汽車晶片廠商已將30%台積電28nm訂單轉移至中芯國際，成為該製程產能釋放的重要驅動力。二、國產替代：裝置階梯式突破，材料成最大短板先進製程的攻堅，離不開國產裝置與材料的底層支撐。中芯國際的國產替代處理程序，並非「全面鋪開」，而是呈現「成熟製程先行、先進製程跟進，裝置快於材料」的階梯式特徵，所有國產化指標均來自工信部2025年12月官方資料，無「紙面突破」，完全以產線實際驗證為依據。（一）裝置端：新建產線國產化率55%，核心環節實現規模化應用2025年底，工信部發佈最新半導體產業資料：全國晶圓廠新建及擴建12吋產線裝置招標中，國產裝置金額佔比攀升至55%，超出2024年政策目標5個百分點，標誌著中國半導體裝置國產化實現了從「0到1」的關鍵突破。作為國內晶圓代工龍頭，中芯國際成為國產裝置驗證與落地的核心平台，其成熟製程核心裝置國產化率已超60%——刻蝕機、薄膜沉積裝置、清洗裝置國產化率分別達65%、61%、63%，均已實現產線規模化應用；而這一成果，直接推動國產裝置企業從「實驗室研發」走向「市場化量產」。2025年，高能氫離子注入機POWER-750H的落地成為裝置端突破的標誌性節點：該裝置國產化率85%，束流波動控制在±0.3%（優於國際±1%標準，束流波動直接影響晶片摻雜精度），已成功接入中芯國際南方廠7nm試驗線，與國產刻蝕、薄膜裝置共同跑通整套工藝流程，證明國產裝置能支撐先進製程的研發需求。此外，國產14nm級High-k金屬柵（14nm及以上先進製程的核心柵極結構，可大幅提升晶片性能與功耗表現）全套裝置已完成中芯國際12個月可靠性考核，良率穩定性達99.2%，計畫2026年二季度正式匯入量產線，標誌著先進製程裝置國產替代進入實質性落地階段。為加速國產裝置從「實驗室驗證」到「產線適配」的轉化，中芯國際推出「國產裝置聯調計畫」，向北方華創、中微公司、長川科技等國產裝置廠商開放3條試驗線，提供真實工藝資料與測試平台，還承擔部分研發成本。依託該計畫，長川科技的測試機在28nm產線的應用率已突破40%，部分高頻測試參數甚至優於進口裝置，成為國產測試裝置規模化應用的典型案例。（二）材料端：基礎材料自主可控，高端材料卡脖子制約產能與裝置端的階梯式突破不同，半導體材料的國產替代進度顯著滯後，且核心高端材料供應受限，成為中芯國際乃至中國半導體產業先進製程攻堅的最大瓶頸——截至2025年底，國內半導體材料整體國產化率僅35%，中芯國際產線的材料供應呈現「基礎材料全面自主，高端材料高度依賴進口」的鮮明特徵。1. 基礎材料：100%自主，滿足成熟製程全部需求12英吋矽片（晶片製造的核心基底材料）國產化率突破40%，滬矽產業、中晶科技成為中芯國際核心供應商，產品參數對標日本信越化學，完全滿足成熟製程生產需求；光刻膠配套試劑、靶材、電子特氣等中低端材料已實現100%國產替代，上海新陽的ArF光刻膠配套試劑打破日本壟斷，國內市佔率達15%，實現了基礎材料供應鏈的自主可控。2. 高端材料：進口依賴度超95%，供應受限直接影響產線ArF光刻膠（用於14nm及以下先進製程的核心光刻材料）、EUV掩範本、高端光刻膠樹脂等關鍵材料，國產化率不足5%，進口依賴度超95%，且受全球管制影響，供應穩定性持續承壓。據產業公開報導，受日本光刻膠隱性斷供影響，中芯國際當前ArF光刻膠庫存僅夠維持1.5-2個月，KrF膠庫存約3個月，光刻膠採購成本較2024年上漲30%-50%，部分產線良率從98%小幅回落至92%左右——高端材料短板，已成為制約先進製程產能釋放的直接因素。針對這一核心瓶頸，2025年中芯國際已與南大光電、晶瑞電材成立聯合實驗室，聚焦ArF光刻膠研發與驗證，目前晶瑞電材的KrF光刻膠已通過中芯國際產線驗證，進入小批次試供階段。但高端材料的研發具有技術難度大、資金投入高、研發周期長的特點，從實驗室驗證到規模化量產，仍需長期的技術積累與產線打磨。三、市場突圍：本土壓艙，聚焦核心需求的產能最佳化在技術攻堅與國產替代的雙重支撐下，中芯國際基於全球半導體管制現狀，調整市場佈局策略，確立「本土市場為核心壓艙石，聚焦國核心心需求最佳化產能分配」的經營方向，所有市場資料均來自中芯國際2025年三季報及業績交流會實錄，產能與訂單的匹配，完全貼合國內半導體產業的真實需求。（一）本土市場：收入佔比86%，成抵禦風險的「定海神針」2025年三季度，中芯國際中國區收入佔比攀升至86%，環比增長11%，國內邏輯晶片代工市場市佔率超60%，成為國內消費電子、人工智慧、工業控制、汽車電子等領域的核心晶圓代工供應商。在海外市場拓展受政治因素制約的背景下，本土市場的穩定需求，成為中芯國際抵禦全球供應鏈波動與行業周期風險的核心支撐。從下游應用結構看，各類股需求均與國內產業趨勢高度契合，中芯國際的產能分配也向核心需求傾斜：- 消費電子佔比43%，環比增長15%，成為營收第一大類股，主要支撐國內智慧型手機、可穿戴裝置的中高端晶片需求；- 工業與汽車佔比12%，穩步增長，28nm ULP工藝成為車規級MCU、感測器晶片的核心供應，比亞迪、華為車BU成為核心客戶；- 智慧型手機、電腦與平板分別佔比22%、15%，聚焦國內品牌中高端機型晶片代工，實現與國內終端品牌的供應鏈協同。產能層面，中芯國際成熟製程產線供不應求，核心製程訂單排期已至2026年二季度，12英吋晶圓產能收入佔比提升至77%，與聯電12英吋產能佔比持平。高附加值產品佔比的提升，推動晶圓平均售價（ASP）穩步增長，成為公司毛利率穩定的核心驅動力。為匹配本土需求，中芯國際持續最佳化產能結構，上海、北京等地12英吋晶圓廠擴建項目穩步推進，重點提升14nm、28nm先進成熟製程產能。（二）全球佈局：收縮非核心業務，聚焦技術與產能本土化受地緣政治影響，中芯國際主動收縮非核心海外業務，將資源向本土產能建設與技術研發傾斜，2025年三季度美國區、歐亞區收入佔比分別為11%、3%，海外營收佔比持續走低。但這並非被動退出，而是基於現實的戰略調整——放棄非核心海外市場，聚焦國內本土需求，通過技術本土化、產能本土化，實現供應鏈的自主可控，避免被海外管制「卡脖子」。在產業生態層面，為突破ARM、X86架構的授權壟斷，中芯國際選擇佈局RISC-V開源架構（無授權費用，是國內晶片架構自主的核心方向），成為國內RISC-V晶片代工的核心平台，重點支撐國內物聯網、工業控制等領域的RISC-V晶片研發與生產，與國內晶片設計企業形成生態協同，推動自主架構的商業化落地。（三）業績與規模：逆勢增長，躋身全球晶圓代工三強2025年前三季度，中芯國際實現營業收入68.38億美元（折合495.1億元），同比增長17.4%；歸母淨利潤1.92億美元，綜合毛利率21.6%，三季度單季毛利率22%，環比提升1.6個百分點。這一毛利率雖較台積電59.5%、三星42.3%仍有差距（台積電毛利率高的核心原因：先進製程佔比超60%，中芯國際先進製程佔比不足30%），但已高於全球晶圓代工行業20%的平均毛利率，在成熟製程為主的晶圓代工廠中處於第一梯隊。產能規模上，中芯國際季度末月產能折合8英吋標準晶圓達102.3萬片，正式邁入百萬片等級，產能規模位居全球晶圓代工廠第五，成為全球產能增長最快的晶圓代工企業之一。為支撐後續技術攻堅與產能釋放，中芯國際持續加大資本投入，2025年前三季度累計資本開支57億美元，超60%資金投向14nm、等效7nm製程研發與國產裝置聯調，直接推動國產裝置適配效率提升30%，7nm試驗線提前通線。根據TrendForce集邦諮詢2025年三季度全球晶圓代工市場份額報告，中芯國際以5.1%的市場份額穩居全球第三（全球晶圓代工行業高度集中，台積電一家佔比超70%，行業馬太效應顯著），僅次於台積電（71%）、三星（6.8%），成為全球前三大晶圓代工廠中，唯一一家聚焦本土市場、實現先進製程自主突破的企業——這標誌著，中國晶圓代工產業已躋身全球第一陣營。四、供應鏈共生：從裝置聯調到生態協同，建構本土內循環中芯國際的突圍，從來不是孤軍奮戰。在全球半導體供應鏈重構的背景下，中芯國際作為國內半導體產業鏈的「鏈主」企業，通過「開放試驗線+聯合研發+優先採購」的模式，與國產裝置、材料廠商形成深度協同，建構起「本土需求-代工生產-裝置材料」的內循環供應鏈體系，所有供應鏈成果均有產線驗證支撐，真正實現了「眾人拾柴火焰高」。（一）供應鏈佈局：國產化與多源化結合，提升本土韌性2025年，中芯國際對供應鏈進行系統性結構性調整，核心原則是「成熟製程靠國產，先進製程多源化」，優先保障本土供應鏈的穩定性，降低對單一海外供應商的依賴：- 成熟製程的裝置和材料，100%優先選擇通過產線驗證的國產供應商，實現成熟製程供應鏈閉環，大幅降低採購成本與供應風險；- 先進製程的核心部件與材料，採用多管道採購，在保障供應的同時，為國產替代產品預留驗證與匯入窗口，推動國產裝置材料逐步向先進製程滲透。依託這一佈局，中芯國際成為國產裝置材料的核心驗證平台，推動國內半導體供應鏈從「單點突破」向「體系化協同」升級。即便在核心材料供應受限的背景下，中芯國際仍能實現產能利用率95.8%的高位，不僅保障了自身的生產經營，更穩定了國核心心領域的晶片供應。（二）產業鏈協同：利益繫結，聯合攻堅核心短板作為產業鏈龍頭，中芯國際並非單純的「裝置採購方」，而是通過「利益繫結+技術共享」的模式，賦能上游國產裝置、材料企業，推動核心短板的聯合攻堅，形成「研發-驗證-量產」的產業閉環：開放試驗線：向國產裝置材料廠商免費開放3條成熟製程試驗線，提供真實工藝資料與測試環境，還承擔部分研發成本，徹底解決國產企業「無產線可驗證」的核心痛點；優先採購保障：約定國產裝置材料量產後，中芯國際擁有優先採購權，且採購價格比其他客戶低15%，保障國產企業的市場需求，激發其研發積極性；聯合研發定方向：針對先進製程的裝置與材料需求，與上游企業共同制定研發方向，實現技術需求與研發能力的精準匹配，避免「盲目研發」。這一協同模式已取得顯著成果：北方華創的5奈米刻蝕機在中芯國際試驗線打磨8個月後，成功實現量產適配；中微公司的薄膜沉積裝置通過聯合偵錯，膜厚均勻性誤差從5.8%降至2.7%，達到先進製程量產要求；滬矽產業的12英吋矽片通過持續的產線驗證，良率從85%提升至95%以上，成為中芯國際的核心供應商。針對ArF光刻膠、高端量測裝置等核心短板，中芯國際聯合南大光電、晶瑞電材、長川科技等上游企業成立聯合實驗室，投入專項研發資金2.3億元，集中力量攻克先進製程所需的高端材料與裝置，目標2027年前實現ArF光刻膠量產，國產化率突破30%。（三）行業帶動：從「被動適配」到「主動定義標準」中芯國際的國產替代處理程序，不僅實現了自身供應鏈的自主可控，更推動了整個中國半導體裝置產業，實現從**「被動適配進口工藝」到「主動定義行業標準」**的歷史性轉變。在此之前，國產裝置要進入晶圓廠產線，必須按照進口裝置的參數進行調整，處於被動適配的地位，行業話語權缺失；而如今，中芯國際作為國內最大的晶圓代工企業，直接按國產裝置的規格反向定義工藝窗口，倒逼下游晶片設計公司、上游材料企業適配國產裝置標準——這一轉變，讓中國半導體產業真正掌握了本土供應鏈的核心話語權。例如，高能氫離子注入機POWER-750H落地後，中電科46所、上海新傲科技已開始聯合修訂SOI襯底的行業測試方法，將國產裝置的技術指標納入行業標準；國產刻蝕機、清洗裝置在中芯國際產線規模化應用後，相關企業已開始制定裝置的行業技術規範——中芯國際的帶動作用，讓國內半導體產業鏈形成了「需求牽引研發、研發支撐量產、量產反哺需求」的良性循環，推動中國半導體裝置國產化率三年間從25%提升至55%。五、現實挑戰與突圍展望：裝置突破只是起點，材料自主任重道遠中芯國際2025年的逆勢突圍，取得了實打實的技術與市場成果，成為中國半導體產業本土突圍的標竿，但在全球半導體技術管制持續升級、核心材料供應受限的背景下，公司乃至中國半導體產業仍面臨諸多客觀挑戰——所有挑戰均基於公開資料與產業現實；而未來的突圍方向，始終圍繞「本土自主、產業鏈協同」展開，路徑清晰且貼合實際。（一）核心現實挑戰：三重壁壘，攻堅仍需長期投入1. 高端材料進口依賴度高，供應受限直接制約先進製程ArF光刻膠、EUV掩範本、高端光刻膠樹脂等核心材料國產化率不足5%，進口依賴度超95%，且受全球管制影響，庫存告急、採購成本上漲成為常態，直接制約等效7nm等先進製程的產能釋放。而高端半導體材料的研發，需要材料企業、晶圓代工企業、科研機構的長期協同，短期難以實現全面突破。2. 高端裝置仍存短板，先進製程缺乏核心硬體支撐儘管成熟製程裝置國產化實現突破，但高端裝置仍為明顯短板：EUV光刻機仍被全球封鎖，無法進口；量測裝置、微影裝置國產化率僅25%、18%，先進製程所需的高端量測、檢測裝置高度依賴進口；離子注入機國產化率僅35%，先進製程所需的高端離子注入機仍需進口。高端裝置的缺失，不僅制約了等效7nm工藝的規模化量產，更成為向5nm及以下更先進製程突破的核心硬體壁壘。3. 全球市場拓展受政治因素制約，本土需求是唯一核心支撐受地緣政治影響，中芯國際海外市場拓展受阻，美國區、歐亞區收入佔比持續走低，非核心海外市場逐步收縮。這並非中芯國際一家企業的問題，而是整個中國半導體產業面臨的共同困境——海外市場拓展並非技術和產品的問題，而是面臨非市場的政治壁壘，這一現狀短期難以從根本上改變，本土需求成為中國半導體產業發展的唯一核心支撐。（二）中芯國際核心攻堅時間線（2026-2027）- 2026年：等效7nm工藝良率穩定至95%以上，月產能翻倍至7萬片；14nm級High-k金屬柵全套裝置全面匯入量產線，實現14nm製程裝置國產化。- 2027年：聯合上游企業實現ArF光刻膠量產，國產化率突破30%；推動高端量測裝置、離子注入機完成產線驗證，實現小批次應用。（三）突圍發展展望：聚焦本土，以協同攻堅突破核心短板儘管挑戰重重，但中芯國際的突圍已為中國半導體產業奠定了堅實基礎：成熟製程供應鏈實現閉環，本土需求持續強勁，產業鏈協同攻堅的生態已初步形成，國產裝置材料實現了從「0到1」的關鍵突破。未來，中芯國際的突圍之路，將始終圍繞「聚焦本土、提良率、降成本、補短板、建生態」五大核心方向展開，與中國半導體產業同頻共振。1. 聚焦本土需求，匹配實體經濟發展繼續將本土市場作為核心支撐，重點提升14nm、28nm先進成熟製程產能，匹配國內新能源汽車、工業4.0、人工智慧等實體經濟的核心晶片需求；推動車規級、工業級晶片工藝研發，實現半導體產業與實體經濟的深度融合，讓晶片研發「紮根本土、服務本土」。2. 加大協同研發，攻堅核心短板持續加大與上游企業的聯合研發投入，重點推動ArF光刻膠、高端量測裝置、離子注入機等核心短板的突破；持續開放試驗線，賦能國產裝置材料企業，推動更多國產裝置材料通過產線驗證，實現規模化應用；與國內科研機構合作，聚焦高端半導體材料、裝置的核心技術研發，突破「卡脖子」技術難題。3. 建構本土生態，推動全產業鏈協同繼續發揮「鏈主」作用，建構「晶片設計-晶圓代工-裝置材料-終端應用」的本土半導體生態，推動與國內晶片設計企業、終端品牌企業的深度協同，實現供應鏈內循環；持續佈局RISC-V開源架構，推動自主架構的研發與商業化落地，突破海外架構壟斷；帶動上下游企業共同發展，形成「一榮俱榮」的產業格局。（四）行業價值：中芯國際突圍，是中國半導體產業的集體實踐從行業層面看，中芯國際的突圍，推動中國半導體裝置國產化率三年間從25%提升至55%，材料國產化率從18%提升至35%，建構起了從晶片設計、晶圓代工到裝置材料、封測的完整本土產業鏈體系，實現了半導體產業從「散兵游勇」到「協同攻堅」的轉變。這場突圍，不僅是中芯國際一家企業的逆勢成長，更是中國半導體產業在全球技術管制與供應鏈重構背景下的集體實踐。中芯國際的路徑證明，在核心技術被封鎖的背景下，依託本土強勁的市場需求，通過產業鏈協同攻堅，完全可以實現從「成熟製程自主」到「先進製程突破」的跨越；而中國半導體產業的發展也證明，本土需求是核心基礎，產業鏈協同是關鍵路徑，自主可控是最終目標。裝置突破只是中國芯在禁令縫隙中學會呼吸的第一步，材料自主、技術自主才是中國半導體產業真正實現「自由呼吸」的終極方向。這條路，道阻且長，但在本土需求的堅實支撐下，在產業鏈的協同攻堅下，中國半導體產業正一步一個腳印，向著自主可控的目標穩步前進——行則將至，行而不輟，中國芯的呼吸，終將越來越強。實證資料速查（100%可溯源）（一）核心業績（2025年，中芯國際三季報）- 前三季營收：68.38億美元（折合495.1億元），同比+17.4%- 三季度毛利率：22%，環比+1.6pct，綜合毛利率21.6%- 月產能：102.3萬片8英吋等效，產能利用率95.8%- 區域收入：中國區86%、美國區11%、歐亞區3%- 全球市場份額：5.1%，排名全球第三（TrendForce集邦諮詢）（二）技術製程突破（中芯國際業績交流會+工信部資料）- 等效7nm：良率穩定超90%，月產能3.5萬片，2026年計畫翻倍至7萬片- 14nm：規模化量產，良率95%以上，營收佔比28%- 28nm：ULP工藝量產，國內30%台積電28nm訂單轉移至中芯國際- 7nm試驗線：2025年底提前通線，核心裝置均為國產（三）國產替代核心指標（工信部2025年12月官方資料）- 裝置國產化：全國新建12吋產線國產裝置佔比55%，成熟製程核心裝置超60%- 核心裝置應用：刻蝕機65%、薄膜裝置61%、清洗裝置63%（規模化應用）；離子注入機35%、量測裝置25%（仍存短板）- 材料國產化：整體35%，基礎材料100%自主，ArF光刻膠等高端材料不足5%- 裝置驗證：國產裝置在7nm試驗線進展較原計畫提速30%（四）本土市場與供應鏈（產業權威報導）- 國內市佔率：邏輯晶片代工超60%，12英吋晶圓產能收入佔比77%- 核心客戶：比亞迪、華為、小米等國內品牌，聚焦本土核心需求- 資本開支：2025前三季57億美元，超60%投向先進製程與國產裝置聯調- 產業鏈協同：開放3條試驗線，聯合上游投入2.3億元攻堅高端材料調查說明 & 資料來源（一）調查說明本次深度調查為非虛構創作，所有內容均基於公開可查的權威資料與產業報導，無虛構人物、場景、資料，無主觀臆斷；所有產業分析均基於行業常規邏輯，不構成任何投資建議。（二）資料來源1. 中芯國際2025年三季度財報、2025年三季度業績交流會實錄（公司官方發佈）2. 工業和資訊化部2025年12月中國半導體裝置國產化率官方資料3. TrendForce集邦諮詢2025Q2/Q3全球晶圓代工市場份額報告4. 中國半導體行業協會2025年產業發展報告5. 全球半導體產業協會（SEMI）2025年全球半導體供應鏈報告6. 半導體產業縱橫、雪球、第一財經等權威媒體產業報導 (古爾浪窪的方寸江湖)

人工智慧（AI）浪潮之下，先進製程晶片難求、身價飆升。與此同時，曾被晶圓廠加速剝離的8英吋晶圓產線，正因國際巨頭集體轉向12英吋以及AI外圍晶片需求的增長，上演了一場從產能過剩到提價滿載的結構性反轉。在此變局下，中國大陸晶圓代工廠正承接這一全球產能真空，其角色變化引起市場矚目。1月13日，市場調研機構集邦諮詢（TrendForce）發佈最新報告顯示，全球8英吋晶圓供需正步入失衡期。受台積電、三星電子戰略性削減產能影響，2026年全球8英吋代工總產能將萎縮2.4%。與此同時，AI驅動的電源管理晶片（Power IC）等產品需求維持強勁，正拉動行業平均產能利用率回升至90%的高位。在此背景下，中國大陸晶圓代工廠正在崛起，成為滿足8英吋晶片需求的替代方案。同時，晶圓代工廠正提高報價，預計調價幅度在5%至20%之間。8英吋晶圓供需失衡8英吋晶圓主要用於生產電源管理晶片（PMIC）、驅動IC、微控製器（MCU）及功率器件（IGBT、MOSFET）等。長期以來，該市場因工藝成熟、裝置折舊完畢，被視為先進製程巨頭資產組合中的“現金奶牛”，利潤豐厚。然而，隨著製程節點向3nm、2nm及更先進製程邁進，老舊8英吋產線正面臨“擠壓”：一方面，成熟製程正加速向12英吋產線遷移以獲取更高的晶圓產出效率；另一方面，老舊裝置日益增高的維運成本使其邊際效益面臨挑戰。目前，頭部晶圓代工廠的資本開支已幾乎全數轉向12英吋產線，以支撐高額的先進製程研發與產能擴充。根據集邦諮詢1月13日披露的報告，供給側的產能收縮已成為本輪8英吋晶圓供需失衡的導火索。台積電已於2025年正式開始逐步減少8英吋晶圓產能，目標於2027年部分廠區全面停產。三星緊隨其後，其針對8英吋晶圓代工業務的減產態度更為積極。集邦諮詢認為，受此雙重擠壓，2026年全球8英吋晶圓總產能預計出現2.4%的負增長。同時，AI伺服器及邊緣算力帶動的功率器件需求增長，使8英吋晶圓產能出現結構性緊缺。集邦諮詢表示，全球代工報價在2025年下半年止跌回升，預計2026年全線漲幅將達5%至20%。“受台積電與三星加速減產8英吋產能，加上AI功率器件需求增長及供應鏈恐慌性備貨影響，全球8英吋晶圓供需結構轉趨緊俏。產能利用率顯著回升，促使各大代工廠啟動漲價策略。”集邦諮詢在報告中指出。市場調研機構群智諮詢1月13日發佈的報告亦顯示，2025年四季度，全球主要晶圓廠平均產能利用率回升至90%，同比增長約7個百分點。該機構稱，受AI應用帶來的電源/模擬應用訂單增長，以及車載、工控等應用復甦的影響，晶圓代工產能利用率以高於預期的速度恢復。其中，8英吋製程持續滿載，價格迎來復甦周期。目前來看，中國大陸包括模擬晶片、車載功率器件及低功耗MCU在內的特色工藝仍以8英吋平台為主，一些無法鎖定產能的中小IC設計廠甚至可能面臨斷供風險，或不得不支付高額溢價以爭奪有限的本土代工份額。中國大陸晶圓代工廠受益值得注意的是，當台積電、三星等晶圓巨頭在AI資料中心需求暴增下推動晶圓產線加速代際切換，加劇8英吋產能需求結構性緊張之際，中國大陸晶圓代工廠有望在一定程度上填補全球市場產能真空。具體來看，目前台積電在台灣有4座8英吋晶圓廠和1座6英吋晶圓廠，若要在2027年全面退出，2026年就需要持續削減產能。目前台積電的8英吋晶圓代工月產能約為52.8萬片。三星電子同樣於2025年下半年啟動8英吋晶圓廠減產，且態度更為積極，希望將更多的資源投入到12英吋晶圓市場的競爭當中。此前，三星為了應對持續虧損的晶圓代工業務以及8英吋晶圓廠的低產能利用率，就已經計畫削減8英吋晶圓廠規模，並傳聞對8英吋代工製造和技術團隊裁員30%以上。目前三星電子的8英吋晶圓代工月產能亦約為52.8萬片。聯電旗下8英吋晶圓月產能曾超36萬片，現階段產能利用率約70%。展望後市，聯電正向看待2026年營運有望延續成長軌跡。面對產業變局，該公司不與先進製程大廠正面對決，而是選擇通過深耕特殊製程技術來鞏固市佔率。中芯國際目前在上海、北京、天津、深圳建有3座8英吋晶圓廠和4座12英吋晶圓廠。中芯國際最新的財報顯示，截至2025年第三季度末，其邏輯晶片月產能（折合8英吋）歷史性地突破百萬片大關，達102.3萬片。財報顯示，中芯國際三季度整體產能利用率達95.8%，為2022年二季度以來的新高。另一巨頭華虹半導體的表現則更多體現了在特色工藝上的競爭力。在華虹的部分8英吋生產線上，產能利用率已逼近100%。這主要得益於英飛凌、安森美等國際功率半導體巨頭的轉單，在12英吋特色工藝完全成熟前，8英吋依然是IGBT、MOSFET及模擬晶片最經濟的平台。儘管此前市場曾對中國大陸晶圓代工廠商的擴產節奏抱有一定憂慮，但當前產能利用率的高位運行，顯示了擴產的戰略價值。中芯國際聯席CEO趙海軍就曾明確表態，國內產能的擴充速度只會增高，不會降低。這一表態不僅源於AI外圍晶片的爆發，更得益於供應重塑後本土訂單的回流。趙海軍還表示，中國大陸產品也進入了海外客戶供應鏈，需求向好，因此擴大產能是中國大陸晶圓代工行業的大勢所趨。由於需求激增，中國大陸晶圓廠已將8英吋晶片工藝價格上調約10%，部分訂單漲幅甚至觸及20%。集邦諮詢稱，因應供需吃緊，包含中芯國際、世界先進與三星等代工廠均醞釀漲價，範圍涵蓋各類製程與客戶，此波漲勢預計延續至2026年。據報導，2025年12月24日，中芯國際正式向下遊客戶發佈漲價通知，明確對8英吋BCD工藝代工提價約10%。BCD工藝（Bipolar-CMOS-DMOS）目前是8英吋晶圓廠的主力產品。不過，雖然8英吋晶圓產能目前正值紅利期，但長期來看，電源管理晶片及顯示驅動晶片向12英吋成熟節點遷移的趨勢並未改變。中國大陸廠商在擴產8英吋的同時，必須加速在12英吋特色工藝上的佈局。國際半導體產業協會（SEMI）在報告中指出，全球半導體製造商預計2026年將增加12英吋晶圓廠產能，達到每月960萬片的歷史新高。SEMI總裁Ajit Manocha表示：“半導體的長期強勁需求後續仍將推動產能增長。晶圓代工、儲存器和功率半導體預計將是2026年新增產能的主要驅動力。”在2022年至2026年的預測期內，晶片製造商預計將增加12英吋晶圓廠產能，以滿足需求增長。 (21世紀經濟報導)

晶片“國家隊”持股翻倍，港股晶片股全線爆發1月2日港股盤後披露，國家積體電路產業投資基金（“國家隊”）對中芯國際H股持股比例於2025年12月29日從4.79%升至9.25%，實現翻倍。此次持股變動源於中芯國際的重大資產收購：公司擬向國家積體電路基金等5方發行股份，以406.01億元收購中芯北方49%股權，交易完成後中芯北方將成為其全資子公司。發行價格74.20元/股，預計發行5.47億股，交易後國家積體電路基金及其一致行動人合計持股將增至約7.40億股，且承諾所獲股份12個月內不轉讓。中芯國際為國內積體電路晶圓製造龍頭，中芯北方主營12英吋晶圓代工服務，本次交易將提升公司資產質量與業務協同性。市場同步爆發，1月2日港股晶片股全線大漲：華虹半導體暴漲9.4%，中芯國際漲超5%，中電華大科技、上海復旦漲超4%；國產GPU企業壁仞科技上市首日暴漲75.8%，總市值近813億港元。券商分析，全球半導體周期觸底回升疊加國內政策資金支援，以中芯國際為代表的製造龍頭將迎來業績與估值雙修復。 (芯榜+)

近期，多位業界人士透露，中芯國際部分產能已開啟漲價模式，漲幅約10%，目前已有不少企業收到了中芯國際的漲價函，此次漲價主要集中於8英吋BCD工藝平台。有公司反映，預計漲價會很快執行。但由於之前儲存產品價格過低，晶圓廠早已率先對其實施了漲價。註：BCD是一種單片整合工藝技術，這種技術能夠在同一晶片上整合功率、模擬和數字訊號處理電路。BCD工藝廣泛運用於電源管理(電源和電池控制)、顯示驅動、汽車電子、工業控制等領域。業內人士分析漲價原因主要有三點1、首先，“由於手機應用和AI需求持續增長，帶動套片需求，從而帶動了整體半導體產品需求的增長。比如，AI伺服器等產品需要大量電源晶片，導致佔用了許多BCD產能。2、其次，行業層面，台積電已確認整合8英吋產能轉移到高端製程，並計畫在2027年末關停部分生產線，導致供應端出現缺口。3、另外，原材料漲價也是其中因素，以金、銅為主要代表的金屬材料價格維持高位，也對代工價格形成影響。受此趨勢影響，另有晶片公司人士透露，除了中芯國際外，世界先進（VIS）同樣通知BCD平台漲價10%。近期，蘋果供應商、全球第二大模擬晶片廠商ADI也向客戶發出了漲價通知，計畫於2026年2月1日起對全系列產品提價，整體漲幅預計約為15%。據瞭解，目前國內大陸市場佈局BCD平台的晶圓代工企業包括中芯國際、華虹半導體、芯聯整合、華潤微等。由於需求旺盛，中芯國際、華虹公司的產能利用率持續攀升，並已接近滿載或超載狀態。中芯國際產能已供不應求根據11月13日晚間，中芯國際披露的2025年第三季度報顯示，中芯國際三季度月產能（折算成8英吋）達到102.28萬片，突破百萬片。銷售晶圓數量（折合8英吋）249.95萬片，產能利用率由二季度的92.5%上升至95.8%，近乎滿負荷運行。隨後在11月17日，投資者關係活動記錄表中，中芯國際也稱，公司的產線實際上非常滿，三季度產能利用率都到95.8%了，產線是供不應求的狀態。中芯國際還承接了大量模擬、儲存包括 NOR/NAND Flash、MCU 等急單。產能供不應求，也帶動了中芯國際整體業績增長。2025年三季度中芯國際實現營收171.62億元，同比增長9.9%；歸母淨利潤為15.17億元，同比增長43.1%；此外，毛利率為25.5%，環比上升4.8個百分點。前三個季度營收495.1億元，同比增長18.2%；歸母淨利潤38.18億元，同比增長41.1%。毛利率為23.2%，同比增長5.6個百分點。第四季度作為傳統淡季，中芯國際也給出了樂觀的收入預測，收入指引為環比持平到增長2%，毛利率指引為18%到20%。在業績說明會上，中芯國際聯合CEO趙海軍表示，第四季度作為行業淡季，客戶備貨有所放緩，但產業鏈迭代效應持續，淡季不淡，公司產線仍處於供不應求狀態。因此，據測算，公司全年銷售收入預計超過90億美元，收入規模將踏上新台階。同時趙海軍還稱，今年以來，除去人工智慧，其他主流應用市場溫和增長或回穩。在國內產業鏈切換迭代過程中，公司和客戶一起努力，抓住機遇，成為穩定供應商，使得公司現在和可預測未來的訂單獲得可持續的保障。整體來說，當前，公司產線仍處於供不應求狀態，出貨量還無法完全滿足客戶需求。與此同時，中芯國際也正積極擴產，以滿足不斷增長的需求。據悉，2025年第三季度，中芯國際資本支出170.65億元。而2025年第一季度、第二季度分別為101.57億元和135.46億元，前三季度合計407.68億元。2024年，中芯國際前三季度資本支出合計402.56億元。在持續的資本支出之下，2025年第三季度，中芯國際月產能為102.28萬片（折合8英吋），而前一年同期為88.43萬片（折合8英吋）。照此計算，中芯國際一年時間增加產能約13.85萬片（折合8英吋）。截至2025年第三季度末，中芯國際在建工程約為816.36億元。隨著在建工程持續轉為固定資產，中芯國際產能或將持續釋放。另外，中國大陸第二大晶圓代工，華虹公司產能利用率也持續走強，並處於“超載”狀態，截至三季度末，華虹半導體月產能46.80萬片8英吋等值晶圓。總體產能利用率為109.5%，較上季度上升1.2個百分點，已連續七個季度產能利用率超過100%，後續也不排除漲價的可能性。 (卓乎知芯)

核心觀點：高盛近期在北京拜訪了摩爾線程的管理層，管理層對公司公司每年發佈的、性能和算力不斷增強的新型GPU平台持樂觀態度，這主要得益於客戶在AI模型訓練/推理和圖形渲染方面日益增長的需求。公司指出，其最新推出的“誇峨” （HuaGang）架構能夠支援超過10萬張GPU的大規模計算叢集，並預見這將推動未來規模的加速擴張。對中國半導體行業的啟示：高盛看好先進製程和生成式AI對中國半導體在 IP、設計、代工、半導體裝置（SPE）及先進封裝領域發展的支撐作用，同時也看好本土客戶供應鏈多元化的趨勢。高盛建議買入：中芯國際、 華虹半導體、芯原股份、寒武紀、中微公司、北方華創。 (投研派)

406億，中芯國際併購中芯北方。2025年12月29日晚間，中芯國際披露了“發行股份購買資產暨關聯交易草案”，擬向國家積體電路基金等 5 名中芯北方股東發行股份購買其所持有的中芯北方積體電路製造（北京）有限公司（以下簡稱“中芯北方”或“標的公司”）49%的股權，交易總價約406億元。採用市場法評估，截至評估基準日，中芯北方所有者權益帳面值為418億元，評估值為828億元，評估增值410億元，增值率/溢價率為98.19%。公告顯示，根據東洲評估出具的《資產評估報告》（東洲評報字[2025]第3160 號），截至評估基準日，中芯北方 100%股權的評估值為 8,285,900.00 萬元。基於上述評估結果，經中芯國際與交易對方協商，確定標的公司股東全部權益整體交易價格為8,285,900.00 萬元，對應本次交易標的資產即中芯北方49.00%股權的最終交易價格為 4,060,091.00 萬元。中芯國際是中國大陸積體電路製造業的領導者，同時躋身全球領先的積體電路晶圓代工企業行列，依託領先的工藝製造實力、充足的產能優勢及完備的服務配套，持續向全球客戶提供 8 英吋與 12 英吋晶圓代工及技術服務。除核心的晶圓代工業務外，中芯國際致力於打造平台式生態服務模式，通過提供設計服務、IP 支援、光掩膜製造等一站式配套服務，推動積體電路產業鏈上下游協同發展，為客戶提供全方位的積體電路解決方案。中芯北方的核心業務是為客戶提供不同工藝平台的 12 英吋積體電路晶圓代工及配套服務，本次重組完成後，將進一步提升上市公司資產質量、增強業務協同性，為公司長遠發展提供助力，且上市公司主營業務範圍不會發生變化。該交易預案已於今年 9 月首次披露，彼時相關審計、評估工作尚未完成，交易作價也未確定；而根據本次草案披露的最新財務資料，中芯北方近年經營業績穩步向好，營業收入與淨利潤整體呈上升趨勢。具體資料顯示，2023 年、2024 年及 2025 年 1—8 月，中芯北方營業收入分別為 115.76 億元、129.79 億元、90.12 億元，同期淨利潤分別為 5.85 億元、16.82 億元、15.44 億元。中芯北方的利潤主要來源於 12 英吋積體電路產品，盈利水平隨產能利用率提升而增長，未來隨著產品結構進一步最佳化，其盈利水平有望持續提升。在增資擴股方面，中芯國際當晚同步發佈公告，公司全資子公司中芯控股與國家積體電路基金、國家積體電路基金二期、國家積體電路基金三期、上海積體電路基金、上海積體電路基金二期、泰新鼎吉及先導積體電路基金訂立新合資合同及新增資擴股協議，對前合資合同進行修訂。此次增資後，中芯南方的註冊資本將由 65 億美元增加至 100.773 億美元，股權結構相應調整為：中芯控股持股 41.561%、國家積體電路基金持股 9.392%、國家積體電路基金二期持股 14.885%、國家積體電路基金三期持股 8.361%、上海積體電路基金持股 7.939%、上海積體電路基金二期持股 11.253%、泰新鼎吉持股 5.545%、先導積體電路基金持股 1.063%。根據中芯國際在科創板上市提交的招股書資訊，中芯南方成立於 2016 年 12 月，作為中芯國際先進技術及製程產線的核心營運主體，其主要提供 14nm FinFET 及以下節點的先進工藝服務。截至 2025 年 9 月 30 日，中芯南方的淨資產已達人民幣 574.620 億元。此前中芯國際宣佈的中芯南方增資擴股計畫，不僅將最佳化其股權結構，更核心的意義在於有效降低中芯南方的資產負債率，助力集團建構更為穩健的財務結構，為先進工藝研發與產能擴張提供堅實保障。關於市場需求與產能表現，中芯國際聯合 CEO 趙海軍在今年第三季度業績會上透露，除人工智慧領域外，其他主流應用市場均呈現溫和增長或回穩態勢。從整體營運來看，當前中芯國際產線仍處於供不應求的狀態，出貨量尚未能完全滿足客戶需求。受益於消費電子下游國產化處理程序的推進，以及家電等下游市場的復甦回暖，晶圓製造領域的本土化需求持續提升，推動中芯國際 2025 年第三季度產能利用率攀升至接近 96% 的高位水平。在業績與資本開支規劃方面，中芯國際方面測算，預計公司 2025 年全年銷售收入將超過 90 億美元，收入規模將邁入新的發展台階。資本開支方面，今年前三個季度公司已累計投入 57 億美元，根據規劃，全年資本開支預計與去年持平，約為 73.3 億美元。同時，中芯國際計畫保持穩步的產能擴充節奏，預計未來每年將實現約 5 萬片 12 英吋的月產能增長。 (半導體產業縱橫)

中芯國際重磅收購，迎來新進展。12月29日晚間，中芯國際公告稱，公司擬向國家積體電路基金等5名中芯北方股東發行5.47億股股份購買其所持有的中芯北方49%股權，交易價格406.01億元。公告顯示，這五名股東分別為國家積體電路基金、積體電路投資中心、亦莊國投、中關村發展、北京工投。本次交易完成後，中芯國際將持有中芯北方100%的股權，中芯北方將成為公司的全資子公司。本次交易不會導致公司控制權變更。交易對方所獲股份鎖定期為自股份發行結束之日起12個月。據悉，標的公司中芯北方成立於2013年，是中芯國際與北京市政府共同投資設立的12吋先進製程積體電路製造廠，是中芯國際控股子公司。公司主要從事半導體（矽片及各類化合物半導體）積體電路晶片的製造（含線寬28奈米及以下大規模數字積體電路製造）、針測及測試、光掩膜製造、測試封裝，是中芯國際重要的12英吋晶圓廠。中芯國際作為中芯北方的控股股東與核心技術供給方，全面主導並負責中芯北方的生產營運管理，為其技術落地與產能釋放提供了堅實保障。對於此次收購，公司表示，本次交易有利於進一步提高上市公司資產質量、增強業務上的協同性，促進上市公司的長遠發展。交易前後上市公司的主營業務範圍不會發生變化。公開資料顯示，中芯國際擁有全方位一體化的積體電路晶圓代工核心技術體系，快速有效地幫助客戶實現新產品的匯入驗證到穩定量產。公司已成功開發了8英吋和12英吋的多種技術平台，為客戶提供“一站式”晶圓代工和技術服務。中芯國際主要子公司包括中芯上海、中芯北京、中芯天津、中芯深圳、中芯北方、中芯南方。12月29日，中芯國際全資子公司中芯控股與國家積體電路基金、國家積體電路基金二期、國家積體電路基金三期、上海積體電路基金、上海積體電路基金二期、泰新鼎吉及先導積體電路基金訂立新合資合同及新增資擴股協議，以修訂前合資合同。據此，中芯南方的註冊資本將由65億美元增加至100.773億美元；中芯控股、國家積體電路基金、國家積體電路基金二期、國家積體電路基金三期、上海積體電路基金、上海積體電路基金二期、泰新鼎吉、先導積體電路基金將分別持有中芯南方41.56%、9.39%、14.89%、8.36%、7.94%、11.25%、5.55%、1.06%股權。(上海證券報)