12月22日消息，據路透社近日報導，聞泰科技旗下功率半導體大廠安世半導體（Nexperia）中國公司已經鎖定本地企業的晶圓供應，以覆蓋其2026年對於IGBT產品製造所需的全部生產。而荷蘭安世半導體目前仍因與聞泰科技的控制權糾紛而未恢復對安世中國工廠的晶圓供應。報導稱，中國安世的這一舉措將使這兩個月前宣佈獨立於荷蘭安世管理層的中國工廠能夠繼續製造絕緣柵雙極電晶體（IGBT）功率晶片和模組，這些開關用於調節電動汽車和工業裝置的電流。荷蘭安世與中國安世之間的爭議，始於今年9月底荷蘭政府從安世半導體中國母公司聞泰科技手中接管控制權之後，理由是公司治理問題。隨後在10月初，中國對於中國安世生產的產品的出口進行了管制，引發了全球汽車製造商晶片短缺。10月下旬，荷蘭安世也暫停了對安世中國工廠的晶圓供應。11月，中荷政府都放寬了相關措施，但圍繞安世半導體控制權的法庭爭鬥和內部鬥爭仍在繼續，中國和聞泰科技都警告稱，如果沒有長期解決方案，干擾可能會再次發生。在本月早些時候致分銷商的一封信中，安世中國已與當地供應商鎖定2026年IGBT產品的晶圓產能，並加快對聞泰科技控制人張學政旗下車規級晶圓廠鼎泰匠芯（Wingsky Semi）晶圓的驗證，以確保“充足供應”。鼎泰匠芯將向中國安世提供12英吋汽車級IGBT晶圓，其上海生產基地目前每月有能力生產3萬片晶圓。除了鼎泰匠芯，安世中國還將從上海GAT半導體（Shanghai GAT Semiconductor，原文如此），以及芯聯整合（United Nova Technology）採購8英吋IGBT晶圓。不過，信件並未明確披露已鎖定的晶圓供應具體數量。這一舉措標誌著安世中國與其荷蘭母公司之間的供應鏈進一步分離，可能導致徹底分裂。安世半導體告訴路透社，其未與中國子公司保持聯絡，且該部門“無意就恢復晶片流向客戶的短期解決方案進行談判”。安世半導體表示，IGBT產品在2024年佔整個安世半導體的總收入的約0.1%。中國安世尚未立即回應置評請求。一位知情人士透露，安世中國告訴當地分銷商，其位於中國東莞的工廠矽片庫存偏低，因為預計來自荷蘭的晶圓供應短期內難以恢復。據消息人士稱，其晶圓庫存過低已開始導致中國汽車製造商出現安世半導體晶片短缺，尤其是邏輯器件、電晶體和二極體，這些產品是安世半導體最受歡迎的產品。日本本田汽車近期也還表示，由於晶片短缺，中國和日本的一些工廠將不得不暫時停產。 (電子技術應用ChinaAET)

據Yole最新報導，IGBT 市場正在進入一個新階段，矽、SiC 和 GaN 並存，每一種都滿足特定的性能和成本要求。雖然 SiC 正在迅速發展，尤其是在 800V 電動汽車平台和高效工業系統中，但 IGBT 仍然在高功率、高電壓和成本敏感型應用中佔據主導地位，例如 HEV/PHEV、太陽能逆變器、風力渦輪機、UPS、鐵路牽引和電網基礎設施。可再生能源和充電應用領域的系統電壓不斷上升，超高功率系統中閘流體的使用逐漸減少，以及有利於成熟、可擴展的IGBT技術的強勁價格壓力，都增強了市場動能。受系統整合趨勢的支援，模組化需求增長速度超過了離散元件，而離散元件市場仍然主要由工業和消費應用驅動。與此同時，市場正受到重大供應鏈變動的影響，包括整合、新的投資以及中國、歐洲和美國之間的地緣政治緊張局勢。這些因素直接影響著製造能力、技術變革和競爭地位。Yole預計，到 2030 年，IGBT 裝置市場總額將達到 134 億美元，復合年增長率為 7.5%（2024 年至 2030 年）。儘管碳化矽正在迅速獲得市場認可，但在混合動力汽車、太陽能、風力發電、UPS、鐵路和電網應用等對成本敏感且功率高的市場中，IGBT 仍將是不可或缺的。系統功率（kW）和電壓（V）不斷提高的趨勢有利於IGBT的發展，IGBT在高壓、大電流應用中具有顯著優勢。它們將繼續作為矽MOSFET的有力替代方案，而矽MOSFET主要用於低功率、低電壓系統。IGBT的應用及主要需求驅動因素：1、混合動力和經濟型電動汽車2、系統電壓上升：更大的太陽能、儲能系統、風能和電動汽車直流充電系統正在向更高的電壓發展（500V 至 1,000V / 1,000V 至 1,500V 等），這強化了高壓 IGBT 的作用。3、從閘流體轉向：在高功率、高電壓應用中，由於效率更高，IGBT 正在穩步取代閘流體。4、成本壓力：多個市場上的激烈價格競爭有利於IGBT相對於SiC器件的發展。5、穩健性和可靠性：IGBT 具有穩健性和可靠性，在鐵路、海上風電、國防和航空航天等6、關鍵應用中佔據有利地位，在這些應用中，高功率和高電壓處理能力至關重要。不利的一面是，IGBT面臨著來自SiC MOSFET日益激烈的競爭，尤其是在800V純電動汽車和某些工業應用領域，例如電動汽車直流快速充電器。隨著SiC價格的持續下降，這種競爭可能會蔓延到低成本電動汽車領域。中國處於IGBT供應鏈重組的中心未來幾年，由於諸多因素的影響，IGBT供應鏈將發生顯著變化：1、應用領域：混合動力汽車市場的興起、“經濟型電動汽車”趨勢、眾多應用（太陽能、電池儲能系統、風能、電動汽車直流充電器）系統規模的不斷擴大，以及由此帶來的系統功率和電壓的提升。現有IGBT廠商憑藉合適的解決方案贏得了這些市場，並將從這些趨勢中獲益。2、市場環境：地緣政治問題和貿易壁壘，“中國+1”戰略，“中國製造，中國製造”戰略、不斷增長的軍事和國防應用市場、多個市場（太陽能、風能、電動汽車）的高成本壓力，以及印度等對成本敏感的新興市場。3、技術：IGBT 製造向更大晶圓的過渡，以及 SiC 裸晶片和封裝的改進。4、供應鏈變化：垂直整合趨勢與合作、中國IGBT廠商崛起、中國在許多IGBT應用領域（電動汽車、太陽能、風能、儲能系統）的主導地位、巨大的中國國內市場以及NTD矽服務提供商的產能有限。5、觸達客戶至關重要。由於中國在許多IGBT應用領域（電動汽車、太陽能、風能、儲能系統）佔據主導地位，因此在中國設有生產基地或擁有強大中國市場管道的IGBT廠商享有競爭優勢，其銷售額在未來幾年有望增長。6、受國內電動汽車、太陽能和風能需求的支撐，中國廠商正在崛起（華潤微電子、斯達半導體、比亞迪半導體、士蘭微電子、華虹宏力）。一些200毫米矽晶圓廠正在被改造用於生產碳化矽器件，而IGBT領域的領軍企業則專注於300毫米晶圓。擁有300毫米晶圓生產能力的製造商（例如英飛凌、士蘭）相比那些僅限於200毫米晶圓生產的製造商，在成本方面具有結構性優勢。向更大直徑（FZ 6英吋至8英吋和CZ 300毫米）的過渡有利於擁有300毫米晶圓生產能力的矽晶圓製造商，而小直徑FZ晶圓供應商的需求則在下降。儘管 SiC 和 GaN 功率電子技術的發展重點十分明確，但許多企業仍在投資 IGBT 技術——整個行業的合作與併購仍在繼續。IGBT創新正從器件架構轉向晶圓技術、製造效率和封裝矽基IGBT技術正日趨成熟，創新方向已從器件架構轉向晶圓技術、製造效率和封裝。儘管SiC和GaN在研發領域仍佔據主導地位，但矽基IGBT在許多高壓和成本敏感型應用中仍然不可或缺，持續降低成本、改進晶圓級工藝和最佳化熱管理是保持競爭力的關鍵。晶圓：300 毫米晶圓在 CZ 晶圓上的產量不斷增加，從而帶來規模和成本優勢。赤身裸體：多代IGBT（包括場截止型IGBT、CSTBT和RC-IGBT）在效率和性能方面均取得了顯著提升。然而，這項技術正逐漸接近其物理和架構極限——如今的進步是漸進式的（“微調”），並且通常針對特定應用。由於 SiC MOSFET 的成本預計將在 2024-2025 年期間大幅下降，IGBT 將需要專注於積極的成本最佳化，以保持競爭力，尤其是在汽車和可再生能源市場。IGBT 涵蓋範圍很廣（高達 6.5 kV），包括為 OEM 定製的非標準電壓等級。封裝：IGBT 的封裝開發雖然不如 WBG 器件那樣活躍，但仍然至關重要。IGBT功率模組必須在高性能（散熱管理、穩健性和可靠性）與成本競爭力之間取得平衡。目前已出現三種降低IGBT模組成本而不大幅犧牲性能的主要策略：1. 提高功率密度：採用更小的IGBT晶片和更少的元件；2. 使用“足夠好”的材料和簡化封裝；3. 最佳化製造工藝。許多中國廠商專注於追趕（非中國）IGBT的歷史性能標竿，而全球領先企業（例如英飛凌、富士電機、三菱電機）則始終處於創新前沿。中國廠商需要五年以上的時間才能趕上IGBT歷史領先企業的技術水平。(半導體行業觀察)

根據乘聯的最新數據，2024年前4個月，全球汽車銷量2836萬台，中國車企佔34%的市場份額；其中全球新能源汽車銷量達到449萬台，中國佔64%的市場份額。當看到這樣數據的時候，我們真的可以說“中國汽車產業，站起來了！”；但“缺芯少魂”在國產新能源汽車產業同樣不可忽視。 根據Gartner預測的數據，2024年單輛汽車中的半導體價值預計將超過1000美元，汽車半導體包含功率、控制晶片、感測器，其中功率半導體的在新能源汽車半導體價值量中的佔比達到55%。其中IGBT是功率半導體最重要組成部分，目前國產情況如何？ 一、全球IGBT，中國是最大市場 功率半導體主要用於電力設備的電能變換和電路控制，是進行電能處理的核心裝置，其中IGBT是目前發展最快的功率半導體裝置之一。IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效電晶體）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體元件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，被譽為是電力電子產業的「CPU」。

引言 在當代高科技領域中，絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）無疑是一顆耀眼的明星，其在電力控制、能源轉換和工業應用等領域的不可替代地位，讓人們對其發展歷史產生濃厚的興趣。IGBT的強大功效和多重應用領域，使得它在半導體領域嶄露頭角，成為現代技術發展不可或缺的重要組成部分。為了更好地理解IGBT的發展歷程，讓我們深入探索這一激動人心的故事。 IGBT在眾多領域中發揮著舉足輕重的作用。在電動汽車領域，IGBT充當了驅動系統中的關鍵部件，幫助電能從電池傳遞到電動機，實現了高效能量轉換。在太陽能和風能發電中，IGBT則將直流電轉換為交流電，將可再生能源注入電網，為清潔能源的普及做出了貢獻。工業自動化中，IGBT用於電機控制和變頻調速，提高了生產效率和能源利用率。 然而，這一切的偉大背後，是IGBT芯片經歷的漫長發展歷程。從最初的概念構想到商用化應用，IGBT的發展歷史記錄著科技創新的腳步和技術突破的艱辛。讓我們穿越時光的長河，探索IGBT芯片從誕生到成熟的發展歷史，以及它如何塑造了現代電力控制和能源轉換的格局。

車用半導體 驚傳”砍單殺價” 大陸車廠削價搶市燒到車用半導體，包括BMW、吉利等指標車廠，近期針對電源管理IC、金氧半場效電晶體（MOSFET）、微控制器（MCU）等原本火熱的晶片大砍單，並要求供應商降價。 陸媒披露，大陸車市銷量低迷，現階段當地有超過40個汽車品牌、100款左右車型啟動降價促銷，價格戰打得火熱之際，對供應鏈砍單與殺價態勢更趨白熱化。 13年補貼結束

矽谷銀行危機解，美股雖漲跌互見，VIX-5.24%代表行情並未因科技股較弱而恐慌，持續看多做多不變，最弱的道瓊日KD黃金交叉並跨越50軸，以技術分析來看代表銀行問題已開始慢慢甦緩，本周就關注PCE及FED watch的變化。一旦NASDAQ和費半整理結束，全球股市還會再漲一波，盤勢結構變化快，若您不怕吵，盤中可接獲訊息，可來TG: https://t.me/imoney168 . 美救銀行，擬擴大緊急放款，小型銀行存款流向摩根大通和富國銀行等行業巨頭的勢頭已有所放緩。 .