#石英
微軟Project Silica,石英玻璃儲存的千年野心
📡 技術前沿微軟正在研發一種能讓資料存活一萬年的儲存技術,目標是在 2030 年實現 PB 級商業化部署,徹底改寫雲端長期存檔的遊戲規則。🔬 核心技術:在玻璃裡刻下永恆Project Silica 的本質是用飛秒雷射在石英玻璃內部進行物理雕刻,這不是科幻小說,而是微軟研究院正在攻克的工程現實。飛秒雷射蝕刻:比閃電快一兆倍的雕刻刀寫入過程採用飛秒級(千兆分之一秒)雷射脈衝,聚焦在玻璃內部改變折射率。與傳統光碟在表面燒錄完全不同,Silica 是在玻璃內部的多個深度層建立三維奈米結構。每個體素(Voxel)不僅代表二進制資料,還包含極化和深度資訊,這是一種真正的三維儲存。讀取過程使用快軸偏振顯微鏡(Fast-axis Polarization Microscopy)配合機器學習演算法,以奈米級精度解碼玻璃內的三維結構。相比傳統光碟機,這套系統的讀取精度提升了數個量級。⚡ 零功耗維護資料一旦寫入,玻璃便處於物理穩定態,無需電力維持資料。這與需要定期通電(SSD/HDD)或旋轉(磁帶)的介質有本質區別,徹底消除了"待機功耗"這個概念。三維體素:突破平面的儲存革命傳統儲存介質都是二維的(磁碟表面、磁帶薄膜),但 Silica 利用玻璃的厚度在 Z 軸上疊加儲存層,理論上可以做到 100+ 層深度。這意味著單片玻璃的儲存密度可以呈幾何級數增長。目前實驗室已經在杯墊大小(75mm x 75mm)的玻璃片上實現超過 7 TB 的儲存容量,而這只是技術的起點。📅 2027-2030:從實驗室到資料中心的躍遷微軟的目標是在 2030 年左右實現單個儲存庫的 PB(Petabyte)級 承載能力,並通過 Azure 逐步商用。2025-2027 年:工業級最佳化階段降本攻堅:目前最大的挑戰是飛秒雷射器的昂貴成本,單台裝置可能達數十萬美元。微軟正在研發更經濟的工業級驅動方案,以降低單個寫入單元的初始投資成本。自動化庫:開發完全自動化的"玻璃磁帶庫"。這些庫使用高速機器人手臂在數百萬片玻璃間切換,類似於現代資料中心的大規模磁帶機器人,但機械複雜度更低,因為玻璃不需要頻繁的張力校驗或防磁處理。微軟內部將這套系統稱為"機器人螃蟹"(Robot Crabs)。2027-2030 年:Azure 商業化上線第一批客戶:預計通過 Azure Archive Storage 介面提供服務。目標客戶是擁有"冷資料"儲存需求的機構,包括國家圖書館、醫院(百年病歷)、金融機構(合規審計記錄)、好萊塢母帶儲存和國家情報機構。PB 級部署:到 2030 年,Project Silica 的單體儲存陣列預期可支援 PB 級資料的集中存放,儲存密度將遠超目前的 LTO 磁帶。🚧 商業化障礙儘管願景宏大,但飛秒雷射器的價格、讀寫速度最佳化、自動化庫的可靠性驗證都需要時間。微軟需要在 2027 年前解決這些工程瓶頸,才能讓 Silica 從實驗室走向市場。💰 預期定價模型:從 TCO 切入的顛覆邏輯由於 Project Silica 是為"千年儲存"設計的,其定價邏輯將顯著區別於目前的雲端儲存。極低的持有費,較高的寫入費寫入成本:由於飛秒雷射器的高昂功耗和裝置折舊,初始寫入費用(Ingress/Write fee)可能較高。這實際上是讓使用者提前支付了未來幾十年的"免維護稅"。儲存成本:每 GB/月的儲存單價將降至極低,甚至低於現有的 Azure Archive。因為除了佔用空間,它幾乎不產生電力消耗或製冷支出。一旦資料進入玻璃,它對 Azure 來說只是書架上的一塊石頭,不佔頻寬,不費電。讀取費用:採取分層定價。雖然是隨機讀取,但由於需要機器人分揀和光學掃描,即時讀取費用可能較高,更傾向於"按需取回"。基於"壽命"的預付模型微軟可能推出一次性支付、永久保存(One-time payment for 100 years)的商業套餐。這對於需要跨世紀保存資產的文化保護組織極具吸引力。🌱 可持續性溢價企業可以通過使用 Project Silica 來大幅降低其 ESG(環境、社會和治理)目標中的碳排放指標,這在未來的商業定價中將是一個重要的增值維度。📊 與 LTO 磁帶的正面對決將 Project Silica 與當前工業界主流的 LTO(線性磁帶開放協議)進行對比,可以清晰地看到兩種技術在"時間維度"和"經濟模型"上的顯著差異。技術特性對比核心技術原理的博弈Silica(光學 3D 體素):利用飛秒雷射在玻璃內部製造永久性的折射率變化。它不需要介質與讀寫頭接觸,也不存在磁性疲勞。讀取時使用光學顯微鏡掃描配合 AI 演算法提取。LTO(磁性感應):利用磁頭在塗有磁性顆粒的聚合物薄膜上記錄資訊。這是一種成熟的 2D 記錄技術,但受限於"磁性超順磁效應",磁顆粒不能無限縮小,且易受物理磨損。🎯 性能與應用場景定址速度:Silica 類似於硬碟,可以快速定位到玻璃片的任何位置進行讀取。而磁帶需要物理上的"卷帶",讀取磁帶末尾的資料可能需要數分鐘的機械運動。寫慢讀快:目前的實驗資料顯示,Silica 的寫入速度是瓶頸(Mbps 等級),遠低於 LTO-10 的原生 400 MB/s。因此,它只適合儲存**"冷資料中的冷資料"**(如好萊塢原片、法律存證、基因庫資料)。💸 50 年 TCO 深度拆解:磁帶的隱形代價在評估 Project Silica 與 LTO 磁帶的成本差異時,核心不在於"購買價格",而在於"跨代維護的總成本(TCO)"。對於 100 PB 規模的資料,如果儲存時間設定為 50 年,兩者之間的成本博弈將呈現出完全不同的曲線。成本維度對比為什麼磁帶在長期尺度上會變"貴"?"三倍成本"陷阱:在 50 年的跨度中,你必須購買 5 代不同的磁帶和驅動器。每次遷移不僅要買新介質,還要消耗巨大的頻寬、電力,以及人工稽核資料的完整性。空間冗餘:磁帶在長期存放中存在"位衰減(Bit Rot)",為了安全,企業通常需要 3-2-1 備份策略(至少存兩份物理磁帶),這直接使介質成本翻倍。環境稅:維持一個 PB 級磁帶庫的恆溫恆濕環境,50 年累積的碳足跡和電費是一筆隱形成本。⚠️ 關鍵轉折點根據行業測算,Project Silica 與磁帶的成本平衡點通常出現在第 15-20 年左右:短期(<10 年):磁帶勝出。如果你的資料只需要存幾年就刪除,磁帶的低進入門檻(CapEx)優勢不可動搖。中期(10-20 年):兩者持平。此時磁帶正面臨第一次大規模遷移,遷移成本抵消了玻璃的初始溢價。長期(>20 年):玻璃完勝。在第 30 年、40 年時,磁帶已經換了三四代,而玻璃依然在那,成本優勢會隨著時間推移呈倍數放大。🎯 關鍵性能指標(至 2030)🏢 企業決策參考LTO 磁帶:適合合規性備份(如金融交易記錄,存 7 年即毀)、需要頻繁更新的大規模備份(如日常維運快照)。Project Silica:適合人類遺產級資料(如 4K 電影母帶、基因組序列、科學觀測原始資料、法律終身卷宗、醫療科研底稿)、需要為了下個世紀的人類保存資料且希望永不維護的場景。🌍 行業影響一旦 Project Silica 在 Azure 上正式商用,它將直接挑戰磁帶(Tape)在冷儲存市場的地位。對於那些需要保留數十年甚至上百年的醫療記錄、法律檔案和文化遺產,這可能成為最終的儲存解決方案。🔮 總結:資料永生的代價Project Silica 不僅僅是一個儲存介質的更迭,它是微軟對"資料永生"和"零碳儲存"的終極探索。到 2030 年,如果你在 Azure 門戶中勾選"極速存檔(Deep Glacier/Silica Class)",你的資料可能就被鎖在了一塊永不磨損的透明石英玻璃中。這項技術的核心價值不在於速度,而在於時間。當磁帶在第 30 年開始老化,HDD 在第 5 年就需要更換時,玻璃片依然靜靜地躺在那裡,像一塊琥珀,封存著人類文明的記憶。微軟的賭注是:在下一個百年,人類需要一種真正意義上的"永久儲存",而這種儲存不應該依賴於持續的電力、複雜的機械結構或者脆弱的磁性介質。它應該像石碑一樣,靠物理的穩定性對抗時間的侵蝕。這個賭注能否成功,我們在 2027 年就會看到第一批答案。 (芯在說)
關稅衝擊半導體產業,此細分領域可能影響最大
在美國政府掀起的新一輪關稅戰下,中美雙方都宣佈對原產於兩國的進口商品加征關稅至125%。目前業界討論最多的還是晶片等終端產品。但晶片的生產離不開上游裝置和材料的支撐。半導體材料是半導體產業的基石,細分種類眾多,貫穿半導體生產的前道晶圓製造與後道封裝測試全流程。在晶圓製造環節,矽片、電子特氣、光掩膜版、拋光材料等用量可觀;封裝測試階段,封裝基板等則是關鍵材料。然而,當前中國半導體材料國產化率偏低,CMP 拋光材料、光刻膠和電子氣體等領域更是短板,國產化率不足30%,成為限制中國半導體產業發展的瓶頸。隨著國內半導體產業在全球版圖中佔比逐步提升,產能加速向國內轉移,半導體材料在供應鏈中的地位愈發關鍵。而關稅戰的爆發,極有可能導致進口材料價格飆升,成本壓力沿著供應鏈傳導至下游代工廠,為整個產業帶來沉重負擔。那麼那些材料會受影響呢?01 光刻膠光刻膠是光刻工藝的核心材料,技術壁壘主要體現在原料端(中國高端樹脂的國產化量產供應量嚴重不足)和製造端。中國晶圓廠建設步伐加快,晶片製程不斷提升,推動半導體光刻膠市場空間快速擴張。全球半導體製程正向更先進、更精細化的方向發展,帶動半導體製造對光刻膠的需求成長。光刻膠藉由光化學反應,經曝光、顯影、刻蝕等工序,將掩範本上的精細圖形精準轉移至待加工基片。依應用領域不同,光刻膠分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠及半導體光刻膠,其中半導體光刻膠技術門檻最高。依照曝光波長差異,半導體光刻膠又細分為G 線、I 線、KrF、ArF 及EUV 等類型,曝光波長越短,加工解析度越高,能夠實現更小尺寸和更精細的圖案製作,目前最先進的光刻膠已進入極紫外光(EUV)時代。在原料方面,光刻膠的原料包括樹脂、光酸、加入劑及溶劑,中國原料自給率普遍較低,尤其是佔成本近50% 的樹脂原料,高端樹脂國產化量產供應嚴重不足。製造端,光刻膠配方複雜,難以逆向推導,驗證周期漫長,需要與客戶密切協作,且高階光刻機裝置購置和維護成本高昂,對企業資金和技術實力要求很高。當前,中國光刻膠生產能力主要集中在PCB光刻膠等中低端產品,高端半導體光刻膠市場被美日企業所壟斷。資料顯示,美國杜邦公司光刻膠市場佔有率排名中國第二。 (其他多為日本企業,如東京應化、住友化學、富士膠片等)02 CMP 拋光材料CMP是一種將化學腐蝕與機械研磨相結合的半導體表面平坦化工藝,在積體電路晶圓製造過程中扮演著實現晶圓全域均勻平坦化的角色。在晶圓製造的各個階段,為確保晶圓表面的完全平坦,均需進行平坦化處理。隨著超大規模積體電路製造線寬的持續細化,對平坦化的要求日益提高,CMP在先進工藝過程中的重要性愈發凸顯且不可取代。在化學機械拋光環節中,CMP拋光墊與拋光液作為核心耗材,其中拋光液的材料成本佔比最高。根據SEMI提供的資料,全球CMP材料成本中,拋光液的使用量最大,佔比達到49%,拋光墊佔比33%,二者合計佔比高達82%,而鑽石碟佔比9%,清洗液佔比則為5%。市場上排名前五名的廠商分別是Cabot Microelectronics、德國Merck (Versum Materials)、日立、富士美和美國陶氏,它們合計佔據了超過80%的市場份額。然而,值得注意的是,拋光液市場格局正呈現出分散化的趨勢,為國產廠商提供了更大的替代機會。作為全球拋光液市場的領導企業,美國的Cabot Microelectronics在2000年時曾佔據了高達80%的市場份額。至2017年其全球市佔率已降低至36%。這一變化表明,拋光液市場的分散程度相對較高,且多元化發展的趨勢日益明顯,為國產廠商實現市場替代提供了較大的空間。但目前仍可能受到關稅影響。而拋光墊該市場主要由陶氏化學(註:杜邦與陶氏化學於2017年完成合併,成立陶氏杜邦公司,後來又分拆為了杜邦、陶氏化學和農業公司科迪華三家公司)所主導,其佔據了全球79%的市場份額;而美日五家主要廠商合計佔據了91%的市場份額。CMP拋光墊為例,杜邦在全球佔據了約60%的市場份額,在中國市場這一比例甚至更高。以往,中國國內CMP拋光墊的使用幾乎完全依賴進口。目前國內已有一小部分廠商也可以生產拋光墊了。03 電子特氣電子特種氣體又稱為電子特氣,相對於傳統工業氣體,純度更高,其中一些具有特殊用途。電子特氣下游應用廣泛,是積體電路、顯示面板、太陽能電池等產業不可或缺的支撐性材料。在半導體領域,電子特氣的純度直接影響IC晶片的整合度、性能和良品率,在清洗、氣相沉積成膜(CVD)、光刻、刻蝕、離子注入等半導體工藝環節中都扮演著重要的角色。因其對純度和雜質含量的嚴苛要求,具有較高的經濟價值,佔據了晶圓製造成本的13%。與一般工業氣體相較,電子特氣對純度、品質的穩定性和一致性以及包裝容器等方面的要求都更為嚴苛,因此其技術難度相對較高。電子特氣產業的核心競爭力主要包括精良的提純技術、獨特的混合配方以及多品類的供應潛力。電子特氣多達數百種,主要應用於光刻、刻蝕、成膜、清洗、摻雜、沉積等關鍵環節。其中,又主要包括清洗氣體如三氟化氮,以及金屬氣相沉積氣體如六氟化鎢等。但目前全球電子特氣市場被美德法日壟斷,合計佔據約90%以上的市場份額,中國進口依賴較高,特別是超高純特氣更是幾乎全部依賴進口。美國空氣化工在中國電子特氣產業中佔據領先地位,前幾家國際廠商佔據較大市場份額,而其他廠商共同佔據一定份額。中國電子特氣龍頭企業華特氣體在2024年報中表示,在中國電子特種氣體市場中,88%的市場份額為外資所壟斷。截至2024年,海外氣體巨頭依然佔據國內特氣市場的主導地位,公司在國內的市場份額佔不到5%。不過,以華特氣體為代表的國內氣商不斷髮展,目前華特氣體已實現了55個產品的進口替代,超過20個產品供應到14nm、7nm等先進製程產線,部分產品氟碳產品、氫化物產品更是進入5nm工藝。其也是國內唯一經ASML公司、GIGAPHON認證的氣體公司,在光刻氣產品方面具有較強的技術優勢。04 高純石英作為世界稀缺、中國高度依賴進口的戰略性資源,高純石英礦具有耐高溫、耐腐蝕、低熱膨脹性、高絕緣性和透光性這些特點,是半導體、太陽能等戰略性新興產業必不可缺少的關鍵基礎材料,在國家高科技競爭中起到至關重要的作用。目前中國高純石英高端產品、甚至中高端產品,主要依賴產品和礦石進口,仍處於被處處掣肘的狀態。作為晶片等關鍵領域的卡脖子材料,近年來中國一直在強化高純石英資源的勘查評價體系。這種石英用於製造坩堝,坩堝中盛放熔融的矽,然後將其製成矽錠,再將矽錠切割成晶片並製成晶片。石英需要非常純淨,以防止雜質滲入矽中,而Spruce Pine正是這種非常純淨的石英的產地。石英坩堝對於大多數半導體製造來說確實是必需的,而Spruce Pine 是這種石英的大部分產地。 Spruce Pine 石英並不是半導體製造中不可取代的關鍵。但替代品都是尚未開發、品質不太好、價格不太便宜的組合。切斷Spruce Pine 石英的供應可能不會完全切斷半導體的供應,但這意味著產量下降,成本上升。其實該行業也意識到了瓶頸,並且正在開發新的石英來源,並且正在研究新的坩堝材料。如果找到一種新的坩堝材料,將產生特別大的影響:不僅因為它可以消除Spruce Pine 瓶頸,還因為石英是矽錠製造的主要限制因素,而一種新的、更好的材料可能會大幅提高生產效率。近日,自然資源部發佈了《新發現礦種公告》,其中確定了一個新礦種-高純石英礦。它的出現,將改變先前高度依賴進口的局面,並協助相關戰略性新興產業的高品質發展。自然資源部表示,本次設立確定的新礦種叫高純石英礦,是指經選礦、提純可獲得二氧化矽的純度不低於99.995%,雜質、包裹體含量滿足半導體、太陽能等高新領域應用要求的岩石。近年來,中國通過推進新一輪找礦突破戰略行動,在河南東秦嶺、新疆阿勒泰等地區,發現了多處高純石英礦,全國多家企業和科研單位分別開展了技術攻關,成功獲得了4N5級以上中試產品,一些樣品達到4N8級,在高純石英礦調查評價、資源勘查、深度提升產品,一些樣品達到4N8級,在高純石英礦調查評估、資源勘查、深度提升、深度目前來看,半導體材料領域中國仍有諸多掣肘。各種晶片產品,關稅以流片地為原產地,在此情況下,大部分晶片並不被認定為美國產品,實際影響很小。但半導體材料不同,中國對進口依賴度高,美國企業佔比較大,容易受到進口關稅影響。但另一方面,這些材料大部分有日本、中國等國家的產品替代,即使受到衝擊和面臨困難也只是暫時的。 (半導體產業縱橫)
美國卡了全球晶片脖子?
網上不時流傳著這樣一種觀點:所有半導體和太陽能製造都依賴美國北卡羅來納州斯普魯斯派恩鎮出產的極純石英。如果該地區出現毀滅性的打擊,會對全球的晶片產業造成巨大的影響。這也讓不少人得出了一個觀點──美國卡了全球晶片的脖子。這種石英用於製造坩堝,坩堝中盛放熔融的矽,然後將其製成矽錠,再將矽錠切割成晶片並製成晶片。石英需要非常純淨,以防止雜質滲入矽中,而Spruce Pine正是這種非常純淨的石英的產地。在去年颶風海倫襲擊過後,人們擔心洪水對這些位於Spruce Pine礦造成的破壞可能會導致供應中斷,於是人們對此的興趣激增,許多媒體也報導了這個新聞。正如前文所說,人們也經常用世界末日的術語來談論Spruce Pine石英。這意味著,如果礦井發生事故,半導體製造(甚至可能是世界經濟)將陷入停頓,而我們則必須努力尋找替代品。在上述推文中,莫里克表示,“現代經濟依賴於北卡羅來納州Spruce Pine的一條道路。”在《物質世界》中,康威引用了一位行業專家的話,他說,如果礦井受到足夠的破壞,“可能會在六個月內終結全球半導體和太陽能電池板的生產。”這是真的嗎?某種程度上是的!石英坩堝對於大多數半導體製造來說確實是必需的,而Spruce Pine 是這種石英的大部分產地。 Spruce Pine 石英並不是半導體製造中不可取代的關鍵。但替代品都是尚未開發、品質不太好、價格不太便宜的組合。切斷Spruce Pine 石英的供應可能不會完全切斷半導體的供應,但這意味著產量下降,成本上升。其實該行業也意識到了瓶頸,並且正在開發新的石英來源,並且正在研究新的坩堝材料。如果找到一種新的坩堝材料,將產生特別大的影響:不僅因為它可以消除Spruce Pine 瓶頸,還因為石英是矽錠製造的主要限制因素,而一種新的、更好的材料可能會大幅提高生產效率。半導體和高純石英眾所周知,大部分現代半導體都是用高純度矽製成的:微晶片的純度為99.9999999% (稱為9N),太陽能電池的純度則稍低一些(6N-8N)。要使矽達到這種純度需要經過多個精煉步驟。工藝從石英(二氧化矽)開始,石英在礦熱爐中與碳發生反應,生成冶金級矽(純度約為98-99% )。然後,冶金矽經過西門子工藝:矽與氯化氫發生反應,生成氣態三氯矽烷(SiHCl3),然後將其液化、蒸發回氣體,並在氫氣存在下暴露於加熱的矽絲中。矽透過化學氣相沉積在矽絲上凝結,形成非常純淨的多晶矽棒,多晶矽棒由多個邊界相交的晶體組成。圖註:冶金矽的生產這些晶界會在晶體結構中產生不良缺陷,因此對於微晶片和高效能太陽能電池板,我們需要單晶矽:單晶的矽錠。單晶矽幾乎全部採用Czochralski (或CZ) 工藝製成。在CZ 工藝中,多晶矽在石英坩堝中熔化,溫度超過1400 攝氏度,然後將一小塊矽籽晶浸入熔體中。隨著晶體被緩慢取出,熔融的矽在其周圍凝固,與現有的晶體結構對齊,形成一個大錠,即一個單晶。然後,該錠將被切成晶片,然後製成微晶片或太陽能電池。圖註:西門子法生產多晶矽高溫工藝會導致石英中的雜質滲入熔融矽中,即使坩堝有保護塗層,雜質也會滲入其中。半導體對雜質極其敏感,即使是百萬分之幾的錯誤原子也會產生災難性的後果,因此坩堝所用的石英必須儘可能純淨。由於高純度石英價格昂貴,因此坩堝由一層高純度石英和一層較便宜、純度較低的石英製成。圖註:Czochralski製造工藝石英坩堝不僅對矽錠的品質有重大影響,也是矽錠製造成本的主要決定因素。高純度石英的成本約為每噸10000 美元,而坩堝本身的成本則為數千美元。此外,坩堝的使用壽命很短。圖註:雙層石英坩堝的橫截面隨著時間的推移,坩堝會退化,高溫引起的化學變化會導致坩堝在冷卻後破裂。製造商可以透過在不冷卻爐子的情況下從坩堝中取出多個矽錠來延長坩堝的使用壽命,但坩堝的使用壽命仍然限制在400 小時左右。 CZ 爐每年將消耗約20-25 個坩堝,大型矽錠製造廠可能有數十個CZ 爐。一篇論文估計,單晶矽錠製造成本的30% 來自坩堝。圖註:晶圓廠內有數十台CZ 爐這些坩堝所需的高純度石英大部分來自Spruce Pine,由兩家在那裡採礦的公司提供:比利時礦業公司Sibelco 的子公司Covia (前身為Unimin)和挪威礦業公司Quartz Corp。具體數字很難得出(高純度石英行業極其保密),但據估計,Spruce Pine 每年生產18 萬至20 萬噸高純度石英。如果這個數字正確,那麼隨著時間的推移,這個數字會大幅上升(這並不奇怪,因為太陽能光電產量不斷上升,而且電池從多晶矽向單晶矽過渡。)2013 年,全球石英出貨量僅為8 萬噸(包括中純、高純和超純石英),2015 年高純度石英年總產量估計約為3 萬噸。 20 萬噸並不是那麼多的材料(相比之下,美國最大的煤礦去年生產了6200 萬噸),而Quartz 公司估計其現有礦井擁有數十年的儲量,而未來計畫中的礦井則擁有更多的儲量。Spruce Pine石英之所以受歡迎,不僅是因為它天然的高純度,還因為它可以進一步淨化,使其純度達到99.999% 或更高。據一本名為《The World in a Grain: The Story of Sand and How It Transforme》的書描述:「Spruce Pine的石英本來就非常純淨,經過幾輪泡沫浮選後純度會更高。但一些顆粒可能仍然含有格洛弗所說的間隙晶體污染物——附著在石英分子上的其他礦物分子。這種情況很常見,令人沮喪。「我已經評估了來自世界各地的數千個石英樣品,」距離Spruce Pine 約一小時車程的礦產研究所研究礦產研究,我們無法處理的所有顆粒生產。 」然而,最好的Spruce Pine石英具有開放的晶體結構,這意味著可以將氫氟酸直接注入晶體分子中,以溶解任何殘留的長石或鐵,從而將純度提高一個檔次。技術人員更進一步,在高溫下使石英與氯或鹽酸發生反應,然後再經過一到兩個商業機密的物理和化學處理步驟。 」不過,據我們理解,Spruce Pine 並不是天然高純度石英的唯一來源。中國每年生產約5,000 噸石英,並希望將其產量擴大到20,000 噸或更多。挪威和俄羅斯都生產少量石英,而巴西曆史上是主要供應國。加拿大、南卡羅來納州、斯里蘭卡和澳洲等世界各地都有其他潛在石英來源正在調查中。毫無疑問,Spruce Pine 是全球70-90% 石英供應的來源。但這並不意味著它不可取代。除了努力在其他地方尋找新來源外,還有多種方法可以替代,儘管這並非沒有困難。一種選擇是使用合成石英而不是天然開採的石英。合成石英實際上可以比天然石英純度高得多。缺點是合成石英要貴得多,可能大約是天然高純度石英成本的5-10 倍。晶片製造商可能可以承擔這筆費用,因為矽錠只佔微晶片成本的一小部分、而且據我所知,有些晶片製造商已經在使用由Japan Super Quartz等公司銷售的合成石英坩堝。然而,對於太陽能光電來說,這種成本增加將是一個巨大的負擔。圖註:石英品質與價格同樣,製造商可以使用其他純度較低的石英源,並進一步提煉以達到所需的純度等級。這也將更加昂貴,所得石英可能仍比Spruce Pine 石英含有更多雜質,導致產量較低,從而導致成本更高,但這也可能是可行的。 SemiAnalysis的一篇文章認為,對Spruce Pine 石英的擔憂被誇大了,特別是因為有合成石英可用,並且有可能提煉純度較低的石英源。從長遠來看,有可能找到替代的坩堝材料。石英的耐高溫能力、低熱膨脹係數以及與熔融矽的相對不反應性是難以替代的,石英坩堝目前是矽半導體製造的唯一選擇(儘管如果你使用鍺或氮化鎵等其他材料,則有更多選擇)。但研究人員正在探索替代的坩堝材料,如氮化矽和碳化矽。由於石英是限制坩堝壽命的主要瓶頸,因此,一種能夠使CZ 爐運行更長時間的新型高性能材料將成為錠材製造的一大進步。從技術上講,通過區熔法(Float Zone),無需任何坩堝即可製造高純度矽錠。在此過程中,多晶矽錠透過環形射頻加熱器緩慢地重新熔化,該加熱器沿著錠的長度移動。當矽熔化並在晶種周圍重新凝固時,雜質會遷移出來,從而產生單晶矽錠。圖註:Float Zone 工藝由於Float Zone工藝根本不需要矽接觸坩堝,因此它可以實現比CZ 工藝更高的純度。它用於需要這種純度的電力電子等產品。然而,Float Zone工藝比CZ 工藝更昂貴,部分原因是它需要較大的多晶矽錠而不是較小的多晶矽塊:這個來自半導體製造商的網站表明,浮區法晶圓的成本大約是類似CZ 晶圓的兩倍。更關鍵的是,Float Zone工藝在生產錠(以及晶圓)尺寸方面受到限制。其最大直徑約為6 英吋,而自21 世紀初以來,領先的半導體節點一直使用12 英吋晶圓。尺寸限制意味著更高的成本,因為晶圓尺寸越小,一次處理的晶片數量就越少,而且所有現有的半導體製造裝置都必須進行改造或更換才能處理更小的晶圓。實際上,除非情況極為危急,否則大規模過渡到浮區工藝可能不可行。由此,我們可以得出結論:Spruce Pine 確實是現代半導體製造領域的關鍵瓶頸,但它並不是支撐整個現代經濟的不可替代的承重支柱。它更接近在性價比領域佔據一個相對獨特的利基市場:有替代品,但它們都是不太好、不太便宜且尚未開發的組合;正如一些分析師所說,並不是說其他地方沒有高純度石英。而是Spruce Pine 的純度、可用性和價格幾乎是獨一無二的。俄羅斯和巴西都有礦山,更不用說中國了,這些礦山已經生產了大量高純度石英。有些公司能夠合成高純度石英。所以,Spruce Pine如果出事了,不會是世界末日。這不會「終結」半導體或太陽能電池製造。不過,正如有人曾經說過的那樣,從長遠來看,我們都會死。從短期來看,實際上增加替代生產需要一些時間,同樣重要的是,還需要一些成本。在我看來,最有趣的不是Spruce Pine 瓶頸,而是石英坩堝對矽錠製造的限制。找到替代的坩堝材料將對幫助太陽能光電成本繼續下降大有裨益,隨著太陽能光電採用率不斷上升。我很想知道,新材料方面是否會取得任何進展。 (半導體產業觀察)