①摩通預計2026年至2028年全球記憶體市場規模持續上修,AI需求將推動行業進入超長景氣周期;②HBM規格下調更多是供應緊張下的配置優化,而非需求放緩,AI推理正在創造新的記憶體需求;③DRAM供需缺口預計2027年達到峰值,長期採購協議和高端產品漲價將提升記憶體廠商業績確定性。
財聯社8月10日訊(編輯 夏軍雄)儘管近期記憶體股明顯回調,輝達新一代AI平台也陸續傳出HBM、SOCAMM等內存規格下調的消息,但摩根大通認為,這些變化並不意味著記憶體周期已經見頂,而是反映了供應緊張迫使客戶主動優化配置。
在8月9日發佈的全球記憶體市場報告中,摩根大通將2026年至2028年全球DRAM和NAND市場規模預測分別上調4%、6%和8%,至9709億美元、1.442兆美元和1.826兆美元。該行預計,未來兩年記憶體需求增速仍將超過供給,供需矛盾將在2027年進一步加劇,到2028年才略有改善。
摩根大通認為,本輪記憶體上行周期可能持續至2028年底,其持續時間將遠遠超過過去二十年的普通記憶體周期。