很多人一提到記憶體晶片，就會想到Flash、NAND、DDR、HBM。但這些詞不是同一層級的概念。 要講清楚記憶體晶片，先記住一句話： 記憶體晶片的本質，是解決資料“放在那、放多久、取多快”的問題。 如果從計算核心往外看，記憶體系統其實是一層一層展開的。越靠近CPU/GPU，速度越快；越遠離計算核心，容量越大，單位成本越低。

前面幾篇我們一直在講 DRAM。我們聊了電腦為什麼需要記憶體，也講了 DRAM 怎麼用電容存 0 和 1，還講了為什麼它需要不斷刷新。但如果你平時看電腦、手機、顯示卡、AI 伺服器的參數，會發現一個很容易讓人迷糊的現象：電腦記憶體叫 DDR、手機記憶體叫 LPDDR、顯示卡視訊記憶體叫 GDDR、現在 AI 伺服器又天天在搶 HBM。 它們名字都不一樣，看起來像是幾類完全不同的晶片。但從大方向上看，它們其實都屬於 DRAM 這個大家族。那既然都是 DRAM： 為什麼還要分出這麼多名字？ 為什麼電腦不用 LPDDR？

如果只看 GPU 算力，Rubin 是一代新晶片；如果從 SIPI 和系統架構看，Rubin 更像是把 HBM、LPDDR、NVLink、DPU、儲存和網路重新編成一條“Token 生產線”。 輝達 Rubin 系統級硬體架構與高速互連拓撲解析 Rubin 的真正看點，不只是 GPU，而是記憶體系統 輝達 Rubin很容易被寫成“下一代 GPU 又變強了”。但如果你從 DDR、LPDDR、GDDR、HBM 一路看過來，會發現真正的主線不是 FLOPS，而是資料離計算越來越近、通道越來越寬、系統越來越像一個整體。

設想，你讓 ChatGPT 給你寫一段程式碼，或者讓 Image-2 生成一張圖片，模型需要想幾秒鐘，這幾秒裡，GPU 在瘋狂計算，但很多時候瓶頸不只是算力，而是資料能不能及時喂給 GPU。 一、算得越來越快，但資料搬不過來 過去十年，GPU 的計算能力幾乎每兩年翻一倍。輝達從 2018 年的 V100 到 2023 年的 H100，AI 訓練性能提升了超過 10 倍。不過，記憶體的頻寬遠遠跟不上這個速度。 傳統記憶體（就是我們電腦裡插的那種 DDR 記憶體條）的頻寬，每三到四年才能翻一倍。這就造成了所謂的"記憶體牆"（Memory Wall）。打個比方你更容易理解，GPU 是一個能做滿漢全席的超級大廚，每分鐘能切一千道菜。但配菜員（記憶體）一次只能從倉庫搬一小筐菜過來，大廚大部分時間手裡沒活幹，在等菜。

HBM真正改變的不是DRAM本身，而是記憶體和計算核心之間的距離；它出現的背後，是算力增長之後越來越繞不開的資料搬運成本。 DDR、GDDR、HBM不是簡單替代關係，而是DRAM體系在不同距離、介面、封裝和成本約束下的分工。DDR勝在標準化、大容量、低成本和可維護性；GDDR把板級視訊記憶體頻寬推高；HBM則通過TSV堆疊和2.5D封裝，把寬介面記憶體推到計算晶片旁邊。AI與HPC讓資料搬運成為瓶頸後，HBM的價值才真正凸顯。 一、DDR：記憶體牆之前 理解HBM，最好別從“誰淘汰誰”開始。DDR沒有做錯，或者更應該說它是過去二十多年計算系統裡最成功的妥協之一。

9月起，儲存晶片價格漲勢兇猛，讓市場驚訝。與此同時，儲存產業鏈上的企業迎來業績爆發。國內“儲存一哥”兆易創新第三季度淨利潤暴增61%，市值也從年初的不到700億元增長至目前的超過1400億元。來自江蘇鹽城的創始人朱一明花20年時間布下的公司戰略棋局，迎來了收穫期。01 記憶體價格暴漲，“儲存一哥”站上風口“漲勢比黃金還快”，由AI需求引發的儲存晶片漲價風暴，正在蔓延全球。在儲存晶片瘋漲背後，一家國產晶片廠商成了“悶聲發大財”的贏家。很多人可能並不熟悉兆易創新，但從手機、汽車的儲存晶片，到模擬晶片，它的產品已覆蓋了普通人生活的方方面面。尤其是隨著消費電子產品逐漸告別“寒冬”，這家被稱為國內“儲存一哥”的晶片龍頭，再次站上了市場的風口。不久前，兆易創新發佈的2025年三季度財報顯示，公司單季度營業收入26.81億元，同比增長31.40%；歸屬於上市公司股東的淨利潤為5.28億元，同比大增61.13%。今年下半年以來，兆易創新股價不斷上漲。截至12月4日，其最新市值為1405億元，年內漲幅超過90%。兆易創新股價為何在近期迎來爆發？從大的市場環境看，隨著全球AI算力競賽趨於白熱化，三星、海力士等儲存巨頭將絕大部分產能押注在了更昂貴的HBM（高頻寬記憶體）上，海外儲存巨頭們的戰略大調整，給兆易創新等企業打開了市場“窗口”。晶片行業中，儲存晶片主要包括DRAM（動態隨機存取記憶體）、NAND Flash（快閃記憶體）和NOR Flash（唯讀儲存器）等類別。其中，DRAM廣泛應用於電腦記憶體，是市場規模最大的儲存晶片，它又根據應用場景分為多個類型，典型的就有DDR晶片和HBM晶片。DDR晶片廣泛用於PC、伺服器、資料中心及消費電子等領域，其中DDR3、DDR4晶片是兩代主流的儲存技術。HBM晶片有著高頻寬、低延遲的特性，目前主要應用於大模型訓練和高性能計算，堪稱儲存晶片行業皇冠上的“明珠”。巨頭們“轉舵”HBM晶片，直接擠壓了DDR4等成熟製程的產能空間，讓其產能急劇收縮。但是，隨著大量AI需求從雲端下沉到AI手機、AI眼鏡、AI PC等端側裝置，這些裝置需要更快的晶片讀取速度和更大的儲存容量，對DDR晶片的需求也在井噴。這種供需錯配下，巨頭們“看不上”的DDR3、DDR4晶片價格在近期暴漲。東海證券報告顯示，今年10月，常規的16GB DDR4晶片價格相較上月漲幅高達75.93%，常規的8GB DDR4晶片價格漲幅為30%左右，4GB的DDR3晶片價格漲幅達到41.66%。面對儲存晶片價格的漲勢，科技公司們紛紛開始搶購。據報導，華碩和微星等PC終端廠商正在現貨市場大量購買消費類DRAM。作為國內“儲存一哥”，兆易創新恰恰是國內這一領域產能準備充足的玩家。它主打的就是利基DRAM晶片市場，已經陸續推出DDR4、DDR3L及LPDDR4等系列產品。利基DRAM晶片不是電腦中頂級的16GB/32GB記憶體條，而是4GB、8GB這類容量較小、製程相對成熟的產品。這類產品利潤較薄，但在萬物互聯的時代，它們在智能冰箱、掃地機、汽車等智能終端裝置中是必不可少的。財報顯示，截至2025年第三季度，兆易創新的合同負債同比激增189%至2.19億元。市場對兆易創新的利基型DDR產品的需求正在大量提升。02 鹽城大佬朱一明的“闖關遊戲”兆易創新能有今天的行業地位，並非只憑趕上了市場風向的“運氣”。其創始人朱一明花了20年時間布下戰略棋局，帶領兆易創新完成了“三級跳”，支撐起它如今的千億市值。把時鐘撥回2005年，彼時剛從矽谷回國的朱一明計畫投身儲存晶片市場。不過，當時該市場幾乎已被三星電子、海力士、美光等國際巨頭瓜分殆盡，進入市場的資金要求高、技術壁壘極強。2005年，朱一明成立了一家名叫芯技佳易的公司（即“兆易創新”的前身）。他並未選擇與國際巨頭正面硬剛，而是另闢蹊徑，以SRAM（靜態隨機存取儲存器）作為切入儲存晶片市場的突破口。在實現關鍵技術突破後，公司逐步拓展至其他儲存晶片產品領域。2008年，芯技佳易進軍NOR Flash（程式碼儲存晶片），發佈了國內首顆採用SPI（序列外設介面）的NOR Flash。NOR Flash雖容量小，但具備隨機儲存、讀取快的特性，被廣泛應用於物聯網、汽車電子等領域。2010年，芯技佳易更名為兆易創新，並推出了512K至32M容量的NOR Flash。在三星、美光等巨頭逐步淡出NOR Flash市場時，兆易創新不斷推出產品，迅速在市場上站穩了腳跟，奠定了自己的業務基本盤。相關資料顯示，兆易創新NOR Flash產品的市場佔有率從2012年的3%一路提升，2024年在該領域全球市場份額約為18.5%，排名全球第二。對朱一明而言，公司發展過程中最驚心動魄的一步棋，是進軍DRAM業務，這也是如今兆易創新能接住AI時代紅利溢出效應的關鍵。當時，儲存晶片市場DRAM的市場規模遠超過NOR Flash，且國產化率不高，可以說是儲存晶片的核心戰場。2016年，兆易創新在A股上市後，就決定攻下DRAM這塊“硬骨頭”，並與國內企業長鑫科技簽署合作協議，共同開展研發。為此，朱一明在2018年還做出了一個大膽的決定：辭去兆易創新總經理職務，僅擔任董事長，親自掛帥出任長鑫科技全資子公司長鑫儲存CEO。目前，朱一明也是長鑫科技董事長。兆易創新與長鑫科技形成了深度繫結。要知道，行業中無晶圓廠模式（Fabless）公司的最大軟肋，就是產能不能自主。而兆易創新則可以通過長鑫科技代工製造DRAM產品。根據今年第三季度財報資料，兆易創新利基型DRAM產品（包括DDR4、LPDDR4）實現快速放量，第三季度收入佔比提升至30%以上。根據兆易創新公告，其從長鑫科技採購代工生產的DRAM相關產品，2025年預計交易額為11.61億元。通過與長鑫科技的代工合作，兆易創新獲得了DRAM的產能保障。在2025年這波儲存晶片“缺貨潮”中，其他晶片設計廠商還在苦求晶圓廠排期，兆易創新卻因為有了長鑫科技這個“兄弟”的產能支援，可以更加穩定地出貨。不過，業界的共識是，晶片行業有極強的周期性。如果一家公司只押注儲存晶片，也會面臨周期性波動的風險。2013年，朱一明決定跨界進入MCU（微控製器）領域。MCU，可以說是將CPU（中央處理器）、儲存器、定時器等核心部件整合在一塊晶片上的微型電腦。它與儲存晶片有著緊密關聯， 如果說MCU是指揮系統的“大腦”，那麼儲存晶片則是存放程式碼指令的“記憶”。這個思路很好理解：既然客戶買了儲存器，為什麼不順便把控製器也賣給他？在當時，這多少有些“不務正業”，但這讓兆易創新迅速切入了新的市場。進軍MCU業務後，兆易創新相當於同時打通了“儲存+控製器”的任督二脈，加深了兆易創新的護城河。目前，MCU已經成為兆易創新的“第二增長曲線”。財報顯示，2025年上半年，儲存晶片作為兆易創新的核心業務，實現了28.45億元的收入，佔總營收的68.55%，同比增長約9.2%；MCU實現營收9.59億元，佔總營收的23.11%，同比增速達到19.1%。03 押中端側AI，紅利還能吃多久？半導體行業發展史中無數個故事顯示，在晶片產品漲價後，往往緊跟而來的是殘酷的價格戰。兆易創新也需要手握更多籌碼，才能持續對抗行業的周期性波動。兆易創新目前吃到了儲存晶片需求和價格上漲的紅利。但它的DRAM業務目前在其總營收中佔比並不算高，目前其收入主要來源還是Nor Flash和MCU產品。它更需要重視的一個問題是，目前的儲存晶片市場紅利主要來源於巨頭公司產能轉移後，造成的市場“空窗”。一旦三星、海力士等巨頭的高端產能釋放完畢，或許會回過頭來重新擠壓利基DDR市場，而市場也存在需求轉冷的風險。接下來，兆易創新在技術迭代的同時，持續推進產能擴張，才有望實現真正的飛躍。對於DRAM業務，兆易創新的雄心不小。近期，公司在一次線上投資者關係活動上曾表示，“展望未來5年，對於國內30億~40億美元的利基DRAM市場，我們的目標仍是取得至少三分之一的份額”。兆易創新還在互動平台上表示：“2025年公司利基型DRAM業務營收有望超預期，達成同比增長50%的目標。今年下半年利基型DRAM收入有明顯增長，有望超越MCU業務成為公司第二大產品線。”當前，兆易創新正在加速自研DRAM的製程迭代，試圖向更先進製程突圍，提高在 DDR4和LPDDR4領域的話語權。 (芯師爺)

近日儲存大廠向終端客戶更新DDR、LPDDR、NAND、eMMC最新價格,漲幅20%-46%不等，具體如下：DDR4:16Gb最新價格18$,漲幅20%8Gb最新價格8.1$,漲幅11%4Gb最新價格3.7，漲幅19%LPDDR4/4x最新價格$1.1/Gb，漲幅46.7%LPDDR5/5x最新價格$0.62/Gb，漲幅29.2%V-NAND:128GB 最新價格11.4$,漲幅30%64GB 最新價格7.2$,漲幅33%32GB v6 最新價格6.5$,漲幅39%eMMC:64GB最新價格13.2$,漲幅20%32GB最新價格7.2$,漲幅20%16GB最新價格6.2$,漲幅29%8GB最新價格4.55$,漲幅38%4GB最新價格4.45$,漲幅39% (儲存圈)

導讀：最近，新凱來發佈的“萬里眼”廣域偵察系統火爆出圈，它以其超視距、高精度的探測能力，重新定義了戰場感知的邊界。大家驚嘆於其系統性能之餘，是否思考過：是什麼支撐起如此龐大系統內部海量資料的無損、高速與穩定傳輸？答案的核心之一，便是訊號完整性。在“萬里眼”這樣的尖端裝備中，無數個高速SerDes通道、DDR/LPDDR記憶體陣列正如系統的“神經網路”，它們必須在GHz級的頻率下，精準無誤地傳遞每一個位元。任何一絲訊號的失真、反射或損耗，都可能導致“看得見”卻“看不清”的災難性後果。因此，在晶片設計和板級系統設計階段，對PCIe、DDR等高速匯流排進行精準的模擬預測，是確保產品成功的“鐵律”。圖：萬里眼90GHz新一代超高速即時示波器然而，回到我們的日常工作中：你是否曾為PCIe鏈路的不穩定、誤位元率高而熬夜偵錯？你是否在面對LPDDR5/5X的苛刻時序要求時，感到理論到實踐的脫節？你是否希望像設計“萬里眼”那樣頂級系統的工程師一樣，在設計之初就“預見”所有訊號風險，而不是在測試階段“亡羊補牢”？如果你的答案是肯定的，那麼這門《晶片-封裝-PCB系統級HSPICE及WaveView訊號電源完整性分析_PCIE及LPDDR模擬》視訊課程，正是為你量身打造的進階之梯。訊號完整性工程師在模擬DDR時候一般用ADS和HSPICE,這兩個軟體各有優勢：請查看《HSPICE及WaveView教學—PCIe4和LP5（8533Mbps）模擬》，今天具體介紹下在HSPICE中模擬DDR的一些優勢。在DDR4和LPDDR4標準中，JEDEC明確提出了隨機抖動的概念，目標誤位元率為10E-16。由於單端平行介面通常以顯著的SSO噪聲為特徵，因此必須開發一種模擬方法來捕獲與低誤位元率操作相關的SSO影響（是強非線性的）和RJ影響。本文將探討關於使用HSPICE StatEye功能在減小模擬時間的同時捕獲這些非線性影響的可能方法(同時考慮RJ、SSO、DCD等影響)。01瞬態模擬挑戰在DDR5和DDR4之前，SIPI模擬建立和保持時間要求集中在確定性的時序預算上。通常，基於PRBS-7 Pattern會捕捉到最壞情況的影響（ISI影響），如果同時激勵多個訊號來模擬激勵的串擾和SSN效應。在模擬中使用電晶體級模型可能會導致較長的執行階段間，具體取決於介面的寬度和IO模型提取的複雜性。30到40個小時並不少見；時間很長，但也是可以控制的。試圖通過暴力模擬來捕獲足夠的位元來捕獲低誤位元率性能是不現實的。02統計分析優勢諸如StatEye之類的通道模擬器通過從通過瞬變模擬建立的脈衝/邊沿響應生成機率密度函數來獲得低誤位元率性能。被模擬的通道應該具有線性時不變響應（LTI系統），以支援標準脈衝響應的統計方法。03PSIJ（電源導致抖動）什麼是PSIJ:當多個IO同時翻轉時，電源上會產生紋波，導致IO輸出產生抖動，接收端DQS觸發DQ產生眼圖，DQ的抖動會影響建立和保持時間；如何模擬PSIJ: 對於DDR應用，PSIJ嚴重影響系統級時序預算。精準地模擬這些效應需要包含電晶體級電路模型（IBIS緩衝器在捕獲由電源導軌噪聲引起的抖動效應方面不能提供足夠的精度）。當電路通過電源路徑汲取電流時，它會在電源線上產生L*(Di/Dt)噪聲，從而導致非線性響應。上面提到統計分析只能處理LTI系統響應，為了準確地捕捉PSIJ這一強非線性一效果，StatEye提供了兩種可能的方法來解決這一問題，即邊緣模式和完全瞬時模式。04系統鏈路模擬在進行統計模擬之前，先運行瞬態模擬，瞬態模擬作為統計模擬分析的對比，驗證其精度。搭建如下的模擬環境：通過運行瞬態分析和統計分析（FT），可以看出，電源和訊號波形基本一致。05其他抖動上面的系統鏈路中並沒包含PLL抖動（通常表示為RJ），PHY 前級電源導致的PSIJ、DCD抖動和Traning 誤差的影響。所以模擬中還需要在激勵中加入下面幾種抖動。最終得到如下眼圖和相關的Mask。對於以上的內容，如何進行實際操作模擬實現？這需要搭建電源、訊號模擬路徑，需要有IO模擬模型等等。對於初學者或者有一定DDR模擬經驗但是並沒有考慮那麼多模擬因素的同學來說，實現上面的模擬還是需要些時間來研究。為了節省研究和學習成本，可以研學下下面的課程，課程提供了上面類似模擬的實現細節和網表，大大縮短了數周甚至數月的學習時間成本。不僅僅對比DDR，課程還對HSPICE實現TDR、時域頻域模擬、W-element建模、PDN紋波等系統的講解了各類訊號完整性問題。已經購買課程的同學問了很多DDR和SERDES模擬的問題，如DDR DBI模擬實現、CPM模擬修改PWL檔案、統計模擬眼圖剛開始沒進入穩態等等，群裡討論氛圍非常好，互相學習提升的也很快。如果你也對HSPICE模擬感興趣，但是獨自學習數千頁的HELP文件很苦惱和迷茫，不仿來一塊學習吧。06我的HSPICE視訊教學對於很多朋友想從封裝、PCB Layout設計轉模擬，或者想從PCB模擬轉系統模擬，預先善其事 必先利其器，首先必須掌握一個電路模擬工具，才是求職的敲門磚。作為電路模擬的黃金標準，那HSPICE是首選。結合自己多年工作經驗，最近花費半年時間整理了一個HSPICE模擬教學，涉及了訊號和電源完整性的主要知識點，為滿足目前市場主流應用，以PCIe4.0(16Gbps)和LPDDR5X(8533Mbps)為例，講解IBIS和IBIS-AMI模型應用，包含PDN效應的系統鏈路模擬。我的《晶片-封裝-PCB系統級HSPICE及WaveView訊號電源完整性分析_PCIE及LPDDR模擬》課程內容涉及多篇論文，既具有深度也有很大實際價值，感興趣的朋友可以學習下。 (半導體先進技術與模擬)