在HBM3E價格依舊節節攀升之際，儲存龍頭們已圍繞HBM4展開了新一輪的市場份額之爭。據TheElec報導，SK海力士將其位於清州的M15X工廠的量產計畫提前了四個月，將於明年2月開始量產用於HBM4的1b DRAM晶圓。產能方面，該工廠初期規劃約為1萬片，預計到明年底將提升至數萬片。相關人士透露：“裝置投入和安裝工作正在進行，計畫已進行調整，以實現更快、更大規模的量產。”值得一提的是，M15X又被稱作“HBM4專用工廠”，業內人士認為，此次加速生產表明了SK海力士對HBM4供應的信心。截至目前，SK海力士已完成M15X早期投產的技術準備工作，其中就包括完成1b HBM4工藝的認證，其採用改進型電路的HBM4晶圓將於本月底完成晶圓製造，並於明年1月初向輝達交付其下一代12層HBM4記憶體的最終樣品。與此同時，輝達搭載HBM4的Vera Rubin 200平台出貨預期愈發明確。市場預測顯示，偉達GB300 AI伺服器機櫃明年出貨量有望達到5.5萬台，同比增長129%。Vera Rubin 200平台預計將於明年第四季度開始出貨，部分廠商訂單能見度已遠至2027年。▌三巨頭競逐HBM4份額時至今日，SK海力士在全球HBM市場仍佔據龍頭地位。市場調研機構Counterpoint Research資料顯示，今年第三季度，SK海力士全球HBM營收市佔率達57%，雖有下滑但仍好於去年同期。與之相比，三星與美光的市佔率則分別為22%和21%。然而，未來上述格局或將被撼動。據韓國《每日經濟新聞》日前消息，輝達相關團隊訪問了三星，通報了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進展。會議透露，在運行速度與功耗效率兩項核心指標上，三星的產品在所有記憶體廠商中取得了最佳表現。基於其優異表現，輝達也為三星HBM4的供應亮起了綠燈。據悉，輝達要求的明年三星HBM4供應量大大超過了其內部預測值。 預計這將對三星業績的改善起到顯著作用。三星內部人士表示：“與上次的HBM3E不同,我們在HBM4開發上處於領先地位。”據報導，三星考慮到其平澤P4生產線的增設速度和生產能力等,將於明年第一季度正式簽訂供應合同。 預計將從第二季度開始正式供應。除此之外，美光也參與到HBM4的競爭之中。最新財報顯示，其HBM4將在2026年第二財季按計畫量產並實現高良率產能爬坡。HBM4在基礎邏輯晶片和DRAM核心晶片上採用先進的CMOS和先進金屬化工藝技術，這些晶片均由美光自主設計與製造。華泰證券指出，2026年全球三大儲存企業的資本開支或將集中在HBM/DRAM上。根據TrendForce預測，2026年DRAM位增長率或將達到26%。儲存超級周期有望成為2026年半導體行業重要主線，但呈現結構性分化特徵，Batch ALD裝置、測試裝置及封裝加工裝置的市場需求有望明顯增長。 (科創板日報)

HBM3e受追捧，輝達GPU訂單爆滿。 人工智慧浪潮持續推動對人工智慧晶片的需求激增。繼HBM 售罄和製造商加大產量以滿足需求的報導之後，最近有消息稱輝達的Blackwell 架構GPU 也供不應求。 輝達的Blackwell GPU 未來12 個月內已售罄 Blackwell GPU 採用客製化的雙光罩極限4NP TSMC 製程製造，GPU 晶片透過10TBps 晶片到晶片鏈路連接到單一統一的GPU，擁有2080 億個電晶體。這比Hopper 系列的800 億個有所增加，並包括第二代變壓器引擎和新的4 位元浮點AI 推理功能。

三星電子第五代高頻寬儲存器HBM3E的輝達認證備受關注，有主張稱，三星電子在完成HBM3E 8層產品的質量測試後開始供應。 3日，台灣市場調查機構TrendForce表示：“三星（與SK海力士、美國美光相比）雖然投入得有點晚，但最近完成了HBM3E認證，開始出貨H200用HBM3E 8段產品。對Blackwell系列的認證也在順利進行中。” H200是輝達最新的圖形處理器（GPU），搭載HBM3E（8層）。TrendForce上月初預測，由於H200的出貨，今年HBM3E的消費佔有率將提高到60%以上。 TrendForce解釋說：“今年輝達的產品陣容將成為H200首款搭載HBM3E8層儲存器堆疊的GPU，掀起軒然大波。即將上市的Blackwell也計畫完全採用HBM3E。” (大話晶片)