#散熱
AI算力逼近散熱極限,瑞銀深度報告力推新材料革命:高純度氧化鋁HPA將撬動龐大市場
散熱被認為是AI時代非常重要的一環,當前投資圈普遍認可液冷是散熱的主流方式。然而瑞銀近期發表一篇深度研究報告,從散熱材料出發,拋出了一個全新的方向-高純度氧化鋁HPA。瑞銀在報告中寫道:“為突破下一代AI硬體的散熱效率瓶頸,行業正將目光投向新型封裝材料,高純度氧化鋁(HPA)因其兼具高導熱性、電絕緣性與機械相容性的獨特屬性,關注度持續走高。”與高性能氮化物,如氮化鋁AIN、氮化硼BN相比,HPA的規模化生產成本僅為20-30美元/公斤,且無需對晶片進行大規模重新設計,即可整合至熱封裝方案中。瑞銀預測,若將HPA的應用拓展至整個封裝材料體系,在基準場景下,2030年HPA的總潛在市場可達7,800噸,以25美元/公斤計算對應市場規模1.95億美元;若滲透率提升至50%且價格升至30美元/公斤,其市場規模將突破6億美元。Part.01 AI算力正逼近散熱極限目前人工智慧加速晶片的單裝置功耗已達到700-1200瓦,這一數值正將冷卻系統與封裝材料推向實體效能上限。近期芝加哥商品交易所資料中心因過熱發生當機,恰恰凸顯了當前裝置散熱余量已極度緊張。與此同時,算力攀升也引發了多重永續發展壓力,涵蓋電力需求、關鍵材料消耗、碳排放及冷卻環節水資源消耗等維度。十年內,資料中心耗電量預計將翻倍,而散熱效率低下會直接導致能源支出增加、冷卻負荷攀升及維運風險加劇。隨著人工智慧算力持續擴容,散熱性能已不再是“加分項”,正迅速成為制約系統級性能的核心瓶頸。Part.02 熱封裝新材料:高純度氧化鋁為突破下一代AI硬體的散熱效率瓶頸,業界正將目光投向新型封裝材料,高純度氧化鋁(HPA)因其兼具高導熱性、電絕緣性與機械相容性的獨特屬性,關注度持續走高。特別重要的是,現代提純工藝可實現極低的α粒子發射量,能消除高密度記憶體中易被忽視但影響重大的軟錯誤隱患。這不僅讓HPA成為散熱效能增強劑,更可提升裝置可靠性-尤其是在高頻寬記憶體(HBM)堆疊和高密度封裝對輻射敏感度提升的場景下。與高性能氮化物(如氮化鋁AIN、氮化硼BN)相比,HPA的規模化生產成本僅為20-30美元/公斤,且無需對晶片進行大規模重新設計即可整合至熱封裝方案中。Part.03 足以撬動系統級的巨大價值瑞銀的場景分析從熱介面材料(TIM)切入-它是AI晶片封裝中最薄且對溫度最敏感的層狀結構。若將傳統矽基TIM取代為HPA增強型複合材料,其有效導熱率可提升2-3倍,晶片結溫可降低4-5℃。這將帶來兩大核心收益:一是單加速器的持續性能可提升1.1%-1.2%,二是每年每台加速器可節省約94千瓦時的IT裝置及冷卻系統能耗,同時降低性能降頻風險、冷卻負荷與碳排放。需要說明的是,僅最佳化TIM的收益屬於「下限值」:TIM在現代AI伺服器陶瓷填充材料中的佔比不足10%,而底部填充膠、環氧塑封料(EMC)、晶片黏接劑、間隙填充劑等均存在散熱瓶頸。若將HPA的應用拓展至整個封裝材料體系,在基準場景(20%滲透率)下,2030年HPA的總潛在市場(TAM)可達7800噸,以25美元/公斤計算對應市場規模1.95億美元;若滲透率提升至50%且價格升至30美元/公斤,其市場規模將突破6億美元。Part.04 人工智慧算力的散熱瓶頸AI算力的功耗與散熱挑戰人工智慧算力需求激增,散熱已成為核心限制因素。當前主流AI加速晶片單顆耗電量達700-1000瓦,傳統冷卻方案已瀕臨極限。資料中心產業甚至將「熱管理」列為「算力擴容的最大障礙」。為應對這一難題,半導體產業正探索超越傳統散熱器和液冷的方案,其中核心方向是從晶片源提升散熱效率的先進封裝材料,而HPA正是其中的焦點材料。以廠商動態為例,輝達旗艦AI晶片H100功耗達700瓦,新一代晶片功耗預計突破1000瓦;亞馬遜雲科技(AWS)也透露其新一代Trainium3晶片功耗將超1千瓦,屆時液冷將成為必要方案。但大多數現有資料中心仍依賴風冷,1千瓦級晶片的普及將迫使產業進行高成本的基礎設施升級,因此晶片與封裝層面的散熱突破迫在眉睫。傳統冷卻方案已觸頂歷史上,晶片功耗提升後,產業曾先後採用加大散熱器與風扇、高導熱TIM、均熱板、水冷冷板乃至浸沒式冷卻等方案,但這些手段均是「治標不治本」-僅解決系統級散熱,未攻克封裝內部的積熱問題。即便像晶片直連兩相冷卻這類前緣技術,也存在著複雜度高、成本高的弊端。例如,輝達1000瓦級Blackwell GPU需配備6U液冷機箱,而目前700瓦模組僅需4U機箱。冷卻方案的每一次升級,都伴隨著投入產出比下降與總擁有成本(TCo)上升,這倒逼產業轉向降低封裝內部熱阻的技術路徑,從而讓現有冷卻系統發揮更高效率。熱封裝材料成散熱短板矛盾的是,在晶片毫米級範圍內的封裝高分子材料,恰恰是最大的散熱障礙。在高密度封裝(如搭載HBM的倒裝晶片模組)中,環氧底部填充膠、塑膠封料和基板會嚴重阻礙熱量傳導。這類材料最初因機械支撐和電絕緣性被選用(如矽填充底部填充膠可保護焊點、匹配晶片熱膨脹係數),但導熱性極差——傳統矽填充底部填充膠的導熱率僅0.5-1瓦/米·開,近乎隔熱材料。在晶片功耗較低的年代,這個問題尚不突出,但在多晶片AI模組中,封裝內部積熱會引發熱點、效能降頻和可靠性風險。以GPU堆疊HBM的3D封裝為例,當堆疊層數超過12層,封裝內部熱阻會急劇上升,傳統的均熱板、導熱過孔等方案僅能緩解卻無法根除這個問題。可以說,先進晶片的功率密度已讓封裝材料成為散熱的核心瓶頸,產業亟需高導熱且適配現有封裝設計的新材料。Part.05 高純度氧化鋁(HPA)的核心優勢過去十年的研究表明,以高導熱陶瓷填料替代或增強傳統矽基填料,可大幅提升聚合物複合材料的導熱性,而HPA正是這一方向的最優解之一,其核心優勢體現在以下維度:導熱性能儘管氮化鋁、氮化硼等材料的本征導熱率高於HPA,但HPA在複合材料體系中的實際表現、成本與配方複雜度上具備綜合優勢。矽基TIM因本征導熱率極低,已無法應付現代加速晶片的熱負荷。而HPA憑藉更優的顆粒形態、更窄的粒徑分佈和更低的介面熱阻,可將複合材料TIM的導熱率提升至矽基材料的2-3倍,且成本僅為高端氮化物的幾分之一,是兼顧性能與規模化的「黃金選擇」。熱膨脹與機械相容性熱膨脹係數(CTE)匹配是晶片元件長期可靠性的關鍵。銅、鋁等金屬雖導熱性優異,但熱膨脹係數遠高於矽,易引發剪下應力、分層或焊點疲勞。而HPA等陶瓷填料的CTE與矽更接近,在TIM、底部填充膠等場景中可有效緩解封裝翹曲,提升長期可靠性。儘管氮化鋁、氮化矽是功率電子陶瓷基板的“黃金標準”,但其成本與工藝複雜度限制了在大規模TIM中的應用,這讓HPA成為平衡CTE、散熱性能與量產性的優選。電學與介電性能TIM、底部填充膠等多數封裝層對電絕緣性有硬性要求。 HPA兼具高介電強度、高電阻率與可觀的導熱性,這是金屬材質(需額外絕緣層)和碳化矽(易產生漏電)無法比擬的。雖然氮化鋁、氮化硼也具備介電優勢,但成本與配方難度較高,因此HPA在高密度AI模組和電源架構中具有獨特價值。可持續性、純度與可靠性傳統氧化鋁生產能耗高、廢棄物多,但現代工藝(如氯化物提純、AlphaHPA的專有工藝)大幅降低了能耗與污染物排放。更關鍵的是,新工藝可實現極低的α粒子發射量-HPA中鈾、釷雜質含量可低於1ppb(十億分之一),能徹底消除封裝材料放射性雜質引發的晶片軟錯誤,這是其他填料體系難以規模化實現的可靠性優勢。成本與商業可擴展性商業化的核心是成本與供應鏈能力。氮化鋁、氮化硼等材料本征性能優異,但成本與生產複雜度使其無法大規模應用於聚合物TIM;而HPA單價約25-50美元/公斤,略高於普通氧化鋁,但遠低於高端氮化物,且隨著工藝最佳化,氯化法HPA的成本可望降至10美元/公斤以下。從單晶片用量來看,HPA僅需數克,其材料成本增量僅為幾分錢,而帶來的系統級性能、冷卻成本與可靠性收益則以每年數美元至數十美元計,具備極強的商業性價比。Part.06 HPA工廠調查啟示在瑞銀澳大拉西亞會議期間,瑞銀組織投資者調研了澳洲AlphaHPA公司(ASX:A4N)。該公司正將HPA商業化,應用於科技市場與鋰電池領域,其位於昆士蘭州格拉德斯通的工廠,是全球規劃中最大的單體HPA精煉廠,年產能超1萬噸,可生產4N(99.99%)與5N(99.999%)級氧化鋁產品。專有濕法冶金工藝AlphaHPA採用獨創的「SmartSX」溶劑萃取提純工藝,其核心是從鋁鹽溶液中「精準靶向」提取鋁離子。與傳統工藝不同,該公司以力拓氧化鋁業務的氫氧化鋁中間體為原料,通過酸溶解形成鋁鹽溶液,再經定製溶劑萃取系統實現鋁離子的分子級提純,最終得到超高純度鋁前驅體。生產靈活性與低排放萃取後的鋁有機相可經由兩步驟結晶生成固體前驅體,進而鍛燒為HPA粉末,也可依需求生產5N+級鋁前驅體或勃姆石(AlOOH)。整個工藝為閉環體系,酸與試劑可循環利用,廢棄物經合作方處理後可轉化為工藝原料,實現近乎零排放。此外,該工廠計畫採用再生能源供電,其碳排放強度僅為傳統工藝的1/3左右(再生能源供電下為5.0公斤二氧化碳/公斤HPA,傳統工藝為17.3公斤二氧化碳/公斤HPA)。產品規格與核心優勢AlphaHPA的核心產品包括4N/5N級氧化鋁粉末、電池隔膜用高純度氫氧化物及硝酸鋁溶液等。其優勢在於同一產線可切換4N/5N產品,既能滿足常規應用需求,也可供應半導體基板、藍寶石生長等高階場景。特別關鍵的是,其產品鈾、釷雜質含量低於1ppb,達到「低α粒子」等級,可徹底消除封裝材料引發的晶片軟錯誤,這一指標顯著優於行業同類產品(普遍為5ppb左右)。戰略價值澳洲雖是全球最大鋁土礦與氧化鋁出口國,但先前幾乎無HPA產能。 AlphaHPA項目推動其產業鏈從原礦向高端科技材料升級,同時為全球市場提供了地緣友好的HPA供應來源(當前HPA主要由日本住友化學、法國Baikowski等少數廠商供應),可滿足LED與半導體行業的供應鏈多元化需求。Part.07 產業鏈影響與核心廠商HPA在半導體封裝的應用將牽動全產業鏈,各環節核心廠商如下:氧化鋁原料供應:傳統氧化鋁廠商(如力拓),此環節供應充足,無產能瓶頸;HPA提純廠商:住友化學(TYO:4005)、Baikowski(EP:ALB)、沙索(JSE:SOL)、AlphaHPA(ASX:A4N)、日本輕金屬(TYO:5703);材料配方廠商:漢高(Henkel)、信越化學(TYO:4063)、瑞翁(TYO:4004)、長興材料(TPE:1717)、住友電木(TYO:4203);陶瓷基板廠商:京瓷(TYO:6971)封裝廠商:日月光(NYSE:ASX)、安靠(NASDAQ:AMKR)、長電科技(SSE:600584)、台積電(TSMC)、英特爾、三星;終端使用者:亞馬遜AWS、微軟Azure、Google雲、戴爾、惠普(HPE)。從投資視角來看,HPA的普及將利多特種材料廠商與新興HPA項目公司,同時助力封裝廠承接高端訂單,晶片設計廠商也可藉助HPA實現性能突破,鞏固競爭力。 (智通財經APP)
摩根士丹利預測:2026年,AI硬體將迎"超級爆發"
摩根士丹利近期發佈重磅報告,預測2026年將成為AI科技硬體"爆發式增長"的元年。其核心邏輯是:下一代AI伺服器將迎來由GPU和專用晶片驅動的重大設計革新,並帶動整個產業鏈的價值重塑。驅動引擎:從"單卡升級"到"系統革命"增長的驅動力正在從H100/H200時代,轉向由輝達GB200/300以及下一代Vera Rubin平台引領的新周期。一個顯著趨勢是:GPU的功耗和性能正在"跳躍式"攀升。H100:約700WB200:約1000WGB200:約1200W2026年的Vera Rubin:將飆升至約2300W2027年的下一代架構:可能高達3600W這種算力密度的巨幅提升,意味著伺服器機櫃不再只是"裝更多卡",而是需要全新的系統級設計。大摩預測,僅輝達平台的AI伺服器機櫃需求,就將從2025年的約2.8萬台,在2026年躍升至至少6萬台,實現翻倍以上的增長。這背後也將重塑供應鏈格局:具備強大系統整合與穩定交付能力的製造商(如廣達、富士康等),將在新一代機櫃供應中佔據主導。核心挑戰:電力和散熱如何跟上?功耗的急劇攀升,讓電源和散熱從"配套部件"變成了"價值核心"。1. 電源配置面臨高壓升級當單機櫃變成"吞電巨獸",傳統電源架構已不夠用。行業正朝著800V高壓直流方案過渡。報告預計,到2027年,為最先進機櫃設計的電源配置,其單櫃價值可能是現在的10倍以上。2. 液冷從"可選項"變為"必選項"隨著晶片功耗突破1400W,風冷已到極限,全液冷成為標配。這直接推高了散熱元件的價值:一個GB300機櫃的散熱元件總價值約5萬美元到了下一代Vera Rubin平台,單櫃散熱價值將再增長17%冷板、風扇、快速接頭等液冷核心部件供應商將顯著受益。價值鏈傳導:不止於晶片,整個硬體都在升級這場變革的影響是系統性的,PCB和高速互聯等基礎部件同樣迎來升級浪潮。印刷電路板要求更高每一次GPU迭代,都意味著對PCB的層數、材料和尺寸提出更苛刻的要求:載板層數從12層增至18層主機板PCB向更高層數的高密度互連升級覆銅板材料向"極低損耗"等級遷移這意味著PCB的製造工藝更複雜、單板價值更高,為具備高端技術能力的供應商帶來了明確的結構性增長機會。同時,為匹配爆炸增長的資料傳輸需求,各種高速資料與電源互聯方案也在同步升級。結語:一場由硬體定義的增長周期摩根士丹利的報告揭示了一個核心趨勢:AI的競爭正從軟體和演算法層面,深入到底層硬體基礎設施。2026年,隨著新一代高性能AI伺服器平台大規模上市,整個硬體產業鏈——從晶片、機櫃、電源、散熱到PCB與互聯——都將迎來價值重估與訂單潮。對於投資者和產業參與者而言,這不再是一個遙遠的未來,而是一個正在加速到來的確定性機遇。 (FENTECHAI)
🎯聯發科、台積電不是主角!年底作帳翻倍爆發的黑馬換「它」上台!Line@連結:https://lin.ee/mua8YUP🎯今日台股續漲228點指數即將靠近2萬8接下來自然會有獲利了結、解套賣壓但江江跟你說—不怕因為最重要的訊號剛剛亮了而且是「大行情前」才會出現的訊號🚀關鍵一:日MACD柱狀體正式翻紅!這是多頭延伸走強前的「必備條件」。每次翻紅=行情重新加速。🚀關鍵二:周線轉折指標扣低翻多!這位置過往都是台股「往上衝一大段」的經典起跑點。而且技術面不是單打獨鬥,籌碼正在同步轉強:✔台幣回升外資連2買!✔投信連6天大買!✔年底作帳正式啟動!投信擺脫保守後開買就很少半途而廢行情因此有望一路挺進年底🔥短線有震盪,但長線多頭完全沒結束跡象。農曆春節前主流沒變,AI大軍強勢輪動:CPO光通訊:漲多後會整理,但主升結構穩得像山。BBU/電力:AI耗電爆炸,法人一路買。PCB(AI伺服器板):訂單看到2026年。記憶體:價格往上,股價方向只有一個→多。散熱:水冷、熱板全面缺。💥真正會噴的在這裡:OTC中小型主升股櫃買上周連5紅K,MACD也翻紅,雙線即將往0軸衝上這代表12月最兇的,不是權值股,是中小型主升股像CPO指標股3081聯亞、3163波若威、3363上詮、4971IET-KY已經先噴接下來更多標的會複製這種走法🏆最後觀察投信近日大買的名單裡,年底黑馬正在浮現:TPU:2454聯發科、3661世芯散熱:6805富世達、3653健策、8996高力PCB:2368金像電、2383台光電、3037欣興、5439高技、5469瀚宇博BBU/電力:6781AES-KY、2308台達電有的已經在噴,有的剛剛轉強……這些就是年底補漲+明年成長的雙題材黑馬。🔴想知道我心中「年底最有機會直接噴」的那一檔接下來我們會在粉絲團持續幫大家鎖定+追蹤,若還不知道該如何操作?那建議你務必要鎖定江江在Line @,將有更進一步的訊息給大家了解。https://lin.ee/mua8YUP🔴想了解還未起漲的市場主流,同步了解大盤多空轉折點及學習預測技術分析,江江YT節目都會持續追蹤+預告。https://reurl.cc/02drMk********************************************************有持股問題或想要飆股→請加入Line:https://lin.ee/mua8YUP江江的Youtube【點股成金】解盤:https://reurl.cc/02drMk*********************************************************(本公司所推薦分析之個別有價證券 無不當之財務利益關係以往之績效不保證未來獲利 投資人應獨立判斷 審慎評估並自負投資風險)
【鉅樂部】參訪筆記:靠AI散熱翻身的金屬巨頭(2025.12.01)
《導讀》本報告解析該公司在 AI 伺服器、水冷散熱與電動車結構件的布局,並檢視營收成長、產品組合調整與毛利回升動能,提供投資人掌握轉型關鍵方向。欲觀看全文請先申請加入鉅樂部,歡迎線上諮詢鉅樂部官方帳號(點此加入)鴻準(2354)https://www.cnyes.com/twstock/2354一、公司簡介與產業趨勢鴻準為鴻海集團旗下精密金屬機構件大廠,主要從事3C電子產品系統組裝及零組件製造、加工與銷售。產品涵蓋智慧型手機、遊戲機、伺服器、電動車及機器人等多元應用領域,主要客戶包括蘋果與任天堂等國際品牌。公司長期具備金屬加工與散熱技術整合優勢,近年積極布局高附加價值的伺服器水冷散熱與電動車結構件市場。隨著AI伺服器、高效能運算(HPC)及5G網通需求擴張,伺服器結構件與散熱系統升級趨勢明確,鴻準正由傳統遊戲機組裝轉向高毛利的散熱與金屬外殼業務,逐步提升整體產品組合品質及長期競爭力。二、營運概況2025年第二季鴻準營收達412.2億元,季增37.4%、年增205.4%,創27季以來新高,但毛利率僅2.97%,為2004年以來低點,主要受遊戲機組裝佔比高及匯損影響。第三季營收續增至423.5億元,台幣貶值及水冷產品小量出貨助攻,毛利率預估回升至4.4%,EPS約0.93元。展望2025年下半年,公司水冷散熱模組出貨量將逐季放大,第四季營收動能延續,全年營收預估達1436億元、年增89%,稅後淨利約40億元。遊戲機出貨高峰已過,2026年營收預期成長至1492億元,毛利率可望回升至5%以上。水冷散熱模組具較高毛利,未來將取代遊戲機組裝成為主要成長引擎。公司持續推動自動化產線與製程整合,以提升良率並優化成本結構,營運重心逐漸轉向AI伺服器、電動車與雲端應用領域。三、經營績效2024–2026年間,鴻準營收將由758億元成長至1492億元,年複合成長率達36%。毛利率預期自2024年的6.36%下降至2025年的4.18%,但隨水冷模組貢獻提升,2026年回升至5.25%。營業利益同步攀升至46億元,稅後淨利約56億元。由於新產品附加價值較高,AI伺服器水冷散熱模組將成為主要獲利來源,抵銷遊戲機出貨下滑的影響。公司現金流穩定,且無重大財務負擔。長期來看,憑藉集團垂直整合與金屬製程優勢,鴻準可望在AI伺服器及電動車領域持續擴大市佔,帶動獲利結構改善與評價提升。四、筆記觀點整理水冷散熱將成長主軸:2025–2026 年水冷模組出貨逐季放大,長線替代遊戲機組裝,提升毛利結構。AI/HPC 驅動長期需求:AI 伺服器與電動車結構件需求具可見度,建議關注集團整合效益。毛利率回升是觀察重點:雖短期毛利承壓,但 2026 年後因高附加價值產品比重提升,有望改善獲利體質。匯率為短期變數:台幣貶值對營收有利、毛利因成本結構需觀察波動。本資料係由德信證券投資顧問股份有限公司所提供,未經授權請勿抄襲、引用、轉載。內容若涉及有價證券或金融商品之研究或說明者,並不構成要約、招攬或任何形式之表示及推薦,投資人若進行該資料之投資或交易者,應自行承擔損益投資人應審慎考量本身之投資風險,並應就投資決策及結果自負其責。本公司經主管機關核准之營業執照字號為(110)金管投顧字第021號。如對本資料有任何疑義或需相關服務,請洽詢客服電話:02-87722136*「筆記觀點整理」內容經由人工智慧(AI)彙整與摘要,旨在提供投資人對企業經營現況與市場趨勢的概覽。本摘要僅供參考,不構成任何投資建議或決策依據。投資人應依自身判斷,並諮詢專業顧問,以評估相關風險與機會。本報告所載資訊力求準確,但不保證其完整性或即時性,請審慎使用。
🎯一看AI股拉回你就怕?其實更可怕的是~~你太早下車!Line@連結:https://lin.ee/mua8YUP🎯今天很多人看到台股拉回近300點AI回檔、外資又轉賣就又開始擔心:「AI是不是泡沫?是不是要崩了?」但江江告訴大家AI主菜才剛要上桌呢🚀一個數字,直接打爆「AI泡沫論」百年來最猛的3次科技革命(鐵路、汽車、電力),資本支出都衝到全球GDP的2%~3%。你看現在AI呢?只有0.8%!是的,你沒看錯,連1%都不到。UBS說2030年AI capex會衝到1.3兆美元,也只占全球GDP 1%。這根本不是泡沫,這叫前菜階段。企業瘋狂蓋資料中心,輝達GB300訂單排到天邊,黃仁勳自己都說超乎想像。你卻因為股價漲多後一跌就想逃?這樣很容易就被主力洗掉。💰 資金的「金髮女孩」回來了!最新就業數據一公告,12月降息預期直衝80%以上。這什麼意思?經濟沒崩、通膨下降、聯準會準備降息。資金+AI=雙渦輪。12月行情,你不跟就可惜了。🎯12月飆股密碼:鎖定這3大族群!1.矽光子CPO正式爆發:800G→1.6T→3.2T→6.4T全面狂奔這不是未來式,是現在進行式。能吃肉的就是:✅3363上詮、3163波若威✅3081聯亞、6442光聖✅2345智邦、4977眾達-KYCPO市場2023到2030年將暴衝172倍。這是世紀級趨勢,不是短線情緒。2.AI伺服器最硬族群:散熱+PCB+載板以為散熱漲完?大錯。GB300單台水冷板直接從18塊跳到27塊。液冷滲透率2025年從20%→60%。PCB/載板更狠:2368金像電、8046南電、3037欣興、2383台光電、6274台燿全部受惠AI伺服器換代潮。3.記憶體漲價才剛起步,只走1/4而已!DRAM一輪上行至少8~9季。現在?才第二季。2408南亞科、2344華邦電拉回?那叫「回檔買點」。3260威剛、8271宇瞻、8299群聯、4967十銓都是AI伺服器記憶體的核心軍火庫。🔴接下來我們會在粉絲團持續幫大家鎖定+追蹤,若還不知道該如何操作?那建議你務必要鎖定江江在Line @,將有更進一步的訊息給大家了解。https://lin.ee/mua8YUP🔴想了解還未起漲的市場主流,同步了解大盤多空轉折點及學習預測技術分析,江江YT節目都會持續追蹤+預告。https://reurl.cc/02drMk********************************************************有持股問題或想要飆股→請加入Line:https://lin.ee/mua8YUP江江的Youtube【點股成金】解盤:https://reurl.cc/02drMk*********************************************************(本公司所推薦分析之個別有價證券 無不當之財務利益關係以往之績效不保證未來獲利 投資人應獨立判斷 審慎評估並自負投資風險)
🎯台股V轉背後藏「巨大獲利」?Line@連結:https://lin.ee/mua8YUP🚩揭露法人12月作帳內幕:噴出20%以上的潛力中小型股名單曝光!🚩上週若被嚇到停損?結果本周台股用光速V轉賞你一記巴掌!這就是市場永遠修理追高殺低、猶豫不決的人。但這次V轉真正關鍵,不是漲多少、不是反彈速度,而是籌碼翻了!外資、投信180度大回頭!重點來了,你一定要記住:12月的劇本,跟你以為的不一樣。多數人看到法人回補→轉頭就去買台積電、聯發科、鴻海但江江直接跟你講結論:✔ 大型股:負責「穩盤」✔ 中小型股(OTC):負責「噴出」因為:①大象跑不快:要拉10%要幾百億,外資現在只是回補,不是起飛。②作帳要選小鬼:基金經理人12月拼績效,拉小股比拉台積電有效百倍。③中小型股位階低+被錯殺:籌碼乾淨,一點火就噴。🔥12月勝利方程式:法人回補×作帳行情×OTC轉強=中小型股領跑整個台股。既然方向確立,重點就剩:選股!AI強勢主軸已定:▶CPO/矽光子:2026年超級大主流領頭:3081聯亞、6442光聖爆發:4979華星光、3163波若威、4977眾達-KY、4903聯光通黑馬:4971IET-KY、3363上詮▶高階封裝/CoWoS:沒有封裝就沒有AI2449京元電、6223旺矽、6515穎崴、6510精測▶PCB/CCL:AI伺服器最整齊的強軍2383台光電、6274台燿、3037欣興、2368金像電、4958臻鼎、3715定穎投控、8155博智、5469瀚宇博、5439高技...等利基型▶其他補充火力:重電:1513中興電遊戲:3293鈊象散熱:6805富世達作帳:2312金寶記憶體:6531愛普、2481強茂貴金屬:8390金益鼎你現在回頭看:是不是上週急殺,是「上車」,不是「跳車」。而現在是外資回頭+OTC起跑前的加速段。🔴想知道哪些中小型股還沒噴、哪些籌碼最乾淨?想知道我盯緊的「下一檔大主升」在哪?江江帶你抓住這一波最強主升行情。接下來我們會在粉絲團持續幫大家鎖定+追蹤,若還不知道該如何操作?那建議你務必要鎖定江江在Line @,將有更進一步的訊息給大家了解。https://lin.ee/mua8YUP🔴想了解還未起漲的市場主流,同步了解大盤多空轉折點及學習預測技術分析,江江YT節目都會持續追蹤+預告。https://reurl.cc/02drMk********************************************************有持股問題或想要飆股→請加入Line:https://lin.ee/mua8YUP江江的Youtube【點股成金】解盤:https://reurl.cc/02drMk*********************************************************(本公司所推薦分析之個別有價證券 無不當之財務利益關係以往之績效不保證未來獲利 投資人應獨立判斷 審慎評估並自負投資風險)
行業深度:從風冷到液冷 資料中心散熱的破局與未來
數字經濟爆發下,全球資料中心耗電量佔比逐年攀升。據統計,2024年中國資料中心能耗總量1660億千瓦時,約佔全社會用電量的1.68%,同比增長10.7%。2024年全社會用電增速為6.8%,資料中心用電量增速遠高於全社會用電量平均增速【1】。資料中心能耗已成為不可忽視的能源消耗領域。隨著人工智慧技術的迅猛發展,AI相關行業正經歷著前所未有的快速增長和技術迭代。這一變革不僅推動了社會的進步,也帶來了對計算能力的巨大需求。智能計算中心,作為AI技術發展的核心基礎設施,正面臨著前所未有的挑戰。01AI行業的快速發展AI技術的進步和應用場景的拓展,使得智能計算中心的建設成為推動行業發展的關鍵。技術的快速迭代要求資料中心能夠迅速適應新的計算需求,保持技術的領先地位。02高密散熱的需求關注隨著AI計算密度的增加,散熱問題成為智能計算中心必須面對的挑戰。高密度計算裝置產生的熱量如果不能有效管理,將直接影響資料中心的穩定性和效率,甚至可能導致裝置損壞和性能下降。03液冷技術的應用為瞭解決高密度散熱問題,液冷技術作為一種高效、環保的冷卻解決方案,已經成為智能計算中心散熱管理的重要趨勢。液冷技術能夠有效降低資料中心的能耗,提高裝置的散熱效率,是應對高密度散熱挑戰的有效手段。隨著晶片功耗增長加速,在面對不同業務需求時,製冷解決方案變得更多多樣。隨著機架功率密度的不斷攀升,行業內普遍認同,40~60kW/Rack已經達到了風冷極限,超過這個能力邊界,無論是考慮到散熱能力還是散熱成本,必須開始部署液冷。資料中心製冷從完全風冷邁向風液混合製冷,不同機架功率密度的製冷解決方案推薦如圖1所示。▲ 圖1 不同功率密度機櫃製冷解決方案機櫃功率密度在20~25kW以內時,常規遠端風冷方案即可解決伺服器散熱需求。當機櫃功率密度進一步提升,單機櫃功率密度在25~45kW時,就應該開始考慮近端風冷的解決方案。風冷方案再疊加背板熱交換器(Rear Door Heat Exchanger,RDHx),可以進一步解決單機櫃60kW以內的散熱需求。單機櫃功率密度在40~60kW時,就可以開始考慮採用液冷,但根據伺服器或晶片不同,也可以更早開始採用液冷。即使採用液冷,根據風液比不同,伺服器仍然有5%~50%的熱量需要通過風冷散熱來解決,風液混合將成為大多數高熱密度機櫃散熱方案。根據伺服器供液溫度要求,室外一次側需選擇不同的散熱方案。伺服器供液溫度要求大於40℃時,室外一次側散熱可以採用完全自然冷的解決方案,當伺服器供液溫度要求較低時,室外一次側需要採用機械冷卻。在單機櫃功率密度小於40kW時,考慮伺服器類型,往往更多選用風冷技術。為實現PUE要求,各類自然冷技術在機房空調裝置中已經大量應用。從節能技術維度,可以分為三類:01風側自然冷方案通過利用室外低溫空氣直接為資料中心供冷。在實際應用中有兩種方案:直接空氣自然冷,直接引入自然界新風對資料中心進行冷卻,但該方案受空氣質量、濕度等因素限制,適用場景較為有限。間接空氣自然冷,借助換熱器實現自然界低溫空氣與資料中心高溫空氣的熱交換,以降低機房溫度。此類方案可有效解決空氣質量及濕度問題,但在夏季室外溫度較高時,其應用仍會受到限制。02水側自然冷方案通過利用低溫水源或者水蒸發潛熱來為資料中心供冷。在過往的水側自然冷應用案例中,有直接引入湖水為資料中心供冷的方式,但此方案受水質條件,以及可能對當地生態環境影響的限制,應用範圍較窄。另一種通過水蒸發利用自然冷的方式應用則更為普遍,常見的冷卻塔及間接蒸發冷裝置等,在開啟水噴淋的情況下,均屬於水側自然冷,通過水的蒸發潛熱利用自然冷源。03氟泵自然冷方案通過氟泵來驅動冷媒循環,付出少量機械能,在室外低溫時將室外自然冷源的冷量通過冷媒相變傳遞至機房,從而達到降低機房降溫的效果。一般氟泵自然冷和壓縮機製冷整合在一個系統裡,當室外低溫時,壓縮機停止運行,啟動氟泵完成製冷循環。當時外溫度較高時,則需要啟動壓縮機來完成製冷循環。以上自然冷方式可以單獨應用,或者組合應用,充分挖掘室外自然冷潛能,實現節能效果。近期在資料中心領域應用比較多的混合雙冷源方案,即為一種組合式的自然冷方案。機房空調設計兩組盤管,層疊安裝。高溫迴風首先經過第一組盤管進行預冷,此時預冷冷源可以是氟泵自然冷,也可以是冷卻塔提供的冷卻水,之後通過第二組盤管,第二組盤管可以是氟泵自然冷,也可以是壓縮機機械製冷,根據製冷需求進行自動切換,詳見圖2所示。▲ 圖2 兩種不同雙冷源自然冷方案通過“預冷+補冷”的控制思路,實現自然冷源利用最大化,從而實現空調裝置高能效,有效幫助降低資料中心PUE。以資料中心常用100kW空調為例,採用上述自然冷技術的機組,在以下區域應用,可以達到的製冷因子CLF如表1所示。在空調機組100%輸出的條件下,水側自然冷通過利用更長時長的自然冷,製冷因子更低,見表2所示。在空調機組75%輸出條件下,可以看到氟側機組的能效提升更快,在北京以及上海,均可表現出比雙冷源機組更好的節能效果,見表3所示。隨著負載率進一步降低,在空調機組50%輸出條件下,氟泵自然冷機組的能效已經全面優於水側自然冷雙冷源機組。不管採用那種雙冷源,北方全年室外環境溫度更低,可以收穫更好的節能效果。隨著負載率降低,氟泵自然冷工作時長顯著增加,氟泵功耗遠小於水泵功耗,在各地均可獲得更好的節能效果。可以看到,利用“預冷+補冷”設計方案,兩類雙冷源方案可達到系統級的製冷因子相當,在選擇具體方案時,需結合項目地自然條件進行選擇。液體冷卻是指利用高導熱性能的流體介質(諸如25%丙二醇諸如25%丙二醇,去離子水、冷卻液或製冷劑)而不是空氣來冷卻資料中心。液體直接參與資料中心關鍵發熱源(如伺服器內部高性能晶片)的熱量交換過程。液冷技術縮短了熱傳導路徑,使得熱量能夠更直接、更有效地從熱源匯出,進而顯著降低了對伺服器內部風扇輔助散熱的依賴,從而降低整體能耗與噪音水平。資料中心液冷技術的應用可細分為兩大主流類別:直接到晶片(Direct-to-Chip, DTC)冷卻技術,常被稱為冷板冷卻,其特點在於將冷卻液直接匯入至伺服器內部,通過緊貼晶片的冷板結構實現高效熱交換。浸沒式冷卻技術,該技術將整個或部分伺服器元件完全浸沒於非導電冷卻液中,實現熱量的全面、均勻散發。在DTC配置中,液體不直接與電子元件接觸,液體冷卻劑被泵送到解決伺服器內部電子元件散熱的冷板上。雖然大部分熱量都被冷板帶走了,但仍然需要風扇來幫助去除電路板層面的熱量,儘管風量和風速都非常低。在這種情況下,一些設計通過空氣將熱量從伺服器機箱交換出去,而另一些設計則需要在機架或行級使用熱交換器將熱量傳輸到主冷卻回路,具體見圖3冷板液冷系統原理圖。▲ 圖3 冷板液冷系統原理圖CDU是液體冷卻系統中必不可少的元件,可在整個系統中均勻分配冷卻液。CDU建立了一個獨立的二次側回路,與提供室外散熱的一次側回路隔離開,並調節和控製冷卻液的流量以保持二次側回路所需的溫度和流量。其次,CDU要採用高耐腐蝕性的不鏽鋼材質,確保與冷卻液的完美相容,有效防止腐蝕。設計上尤其要注重關鍵器件的冗餘備份,如電源、泵、感測器及過濾器等,確保系統在任何情況下都能穩定運行。同時,CDU需內建精準溫控系統,能有效消除伺服器CPU和GPU的熱衝擊問題。此外,配備補液罐以滿足長期運行需求,並設有自動排氣裝置以排除空氣,保持冷卻效率。1)供液溫度冷板液冷系統的供液溫度設計需充分考慮不同晶片及伺服器製造商的特定要求,如Dell可能接受高達32℃甚至更高的供液溫度,而Nvidia則設定在25℃至45℃的較寬範圍內。需要注意的是,必須嚴格避免供液溫度過低,以防止水蒸氣凝結現象的發生,這可能嚴重損害IT裝置的正常運行。此外,系統還需具備強大的穩定性,確保在一次側流量出現波動時,二次側仍能維持穩定的供液溫度,以保障整體散熱效能與裝置安全,見圖4所示。▲ 圖4 一次側流量波動,二次側仍可保障穩定供液溫度2)供液流量冷板液冷系統的供液流量設計是確保高效散熱與穩定運行的關鍵環節。CDU(冷量分配單元)在此過程中扮演著核心角色,負責精確調控一次流體與二次流體的流量。具體而言,二次流體需維持穩定的流速進入IT裝置,以在裝置滿載時能夠有效從冷板中帶走所有熱量,保持IT入口溫度的恆定。同時,一次流體的流量則根據需散熱的熱量動態調整,並依據CDU的接近溫度(ATD)進行調整,見圖5所示。▲ 圖5 一次側流量波動,二次側仍可保障穩定回液溫度為了確保流量控制的精準性,系統要採用壓差控制並輔以即時監控,以確保系統中的洩漏不會導致壓力下降。此外,通過CDU內,泵與電源的冗餘設計,系統能夠在關鍵業務場景下保障流量的連續供應,進一步提升整體系統的可靠性與穩定性。3)過濾要求冷板液冷系統要求冷卻液順暢通過冷板內極其微小的通道,這些通道的寬度可精細至低於50微米,甚至達到30微米以內。堵塞不僅會限制流量,甚至可能完全中斷IT裝置的冷卻,導致維護成本急劇上升,因此系統對冷卻液的過濾精度提出了嚴格標準。通常,這一精度需低於冷板通道的最小尺寸,業界經驗傾向於採用25微米或更細的過濾等級。此外,為確保系統長期保持清潔狀態,CDU(冷量分配單元)需持續進行線上過濾,這是維護系統高效運行與延長使用壽命的關鍵措施。4)流體選擇在設計冷板液冷系統的初期,選擇合適的流體化學成分及可靠的供應商非常重要。一旦確定流體策略,後續的任何更改都將涉及繁瑣且成本高昂的清洗與淨化過程。此外,流體的選擇還會在偵錯階段帶來顯著複雜性,包括循環測試、雜質沖洗以及系統氣泡的排除,這些工作對於每台伺服器及整體解決方案的順利運行都至關重要。在整個系統使用周期內,對液體的持續關注同樣不可或缺,需定期進行pH值、外觀、抑製劑濃度及污染物水平的檢測,以確保其性能穩定與系統的持續高效運行。同時,所有冷卻液均需遵循嚴格的儲存與處理規範,並配備適當的個人防護裝置以保障操作安全。在冷板液冷系統的二次側流體選擇中,存在三種主流方案。首先,去離子水配方液換熱效果優越,然而其腐蝕風險不容忽視,需採取額外措施加以防範。其次,乙二醇配方液雖具備一定的防腐能力,但其毒性相對較大,且在環保要求較高的地區,其排放處理成為一大現實問題。最後,丙二醇配方液作為Intel、Nvidia等業界巨頭推薦的選擇,由於其防腐效果更好,成為眾多使用者信賴的優選方案。在選擇時,需綜合考慮流體性能、成本、環保要求及安全性等多方面因素,以做出最適合自身需求的決策。5)故障預防和檢測在冷板液冷系統中,除了二次流體網路內其他感測器的監測外,CDU的嚴密監控與管理是預防並儘早發現故障的關鍵。資料中心尤為關注洩漏問題,大部分洩漏案例發生在manifold與伺服器軟管快速斷開附件處,對IT裝置影響很小。但伺服器機箱內部的洩漏,特別是發生在內部manifold、軟管與冷板之間的洩漏,則對IT裝置構成重大威脅。因此,實施額外過濾與感測器在內的防錯系統至關重要,這些措施不僅能在熱交換性能下降時提供預警,還能有效遏制人為錯誤導致的污染物增加或液體質量漏檢風險,從而全面提升系統的穩定性與安全性。液體輔助DTC冷卻:機箱級、閉環的獨立產品,帶有冷板、泵和散熱器,針對處理器的局部熱點。熱量通過伺服器內部的液體-空氣熱交換器消散。與液體-液體DTC冷卻相比,這種液體輔助DTC產品不需要和伺服器外部的液體進行熱交換,也不需要CDU或其他液體基礎設施或對現有基礎設施進行修改,同時能夠解決高密度點。全液冷板冷卻:目前大部分DTC冷卻伺服器僅覆蓋高功率、高發熱部件,如中央處理器(CPU)、圖形處理器(GPU),其他部件仍需通過風扇提供的氣流進行冷卻,包括記憶體、儲存、硬碟驅動器/固態驅動器、外圍元件互連高速通道/開放計算項目(OCP)卡和電源單元。全液冷板冷卻配置將為所有部件配置冷板,並使用液體進行冷卻,完全消除風扇,進一步提高電源使用效率(PUE)。根據執行階段液體的狀態,DTC還可以進一步分為單相和雙相兩類。在單相系統中,液體冷卻劑始終保持液態。在雙相系統中,液體冷卻劑蒸發以將熱量從液體中轉移出去,然後通過熱交換器冷凝並轉換回液態。負壓液冷:有三個氣密性較好的液腔,分別是主真空腔、儲液腔、輔真空腔。主真空腔和輔真空腔交替保持高真空度確保工藝冷媒從伺服器冷卻環路流回,儲液腔保持較低的真空度使工藝冷媒流進伺服器冷卻環路。二次泵採用低揚程潛水泵,安裝於儲液腔內部,當檢測到二次側供液溫度低於機房的露點溫度時,潛水泵將停止工作以確保不會有凝露產生。配有真空泵等負壓系統(包含氣液分離器、消音排氣口,空氣流量感測器),用以保證三個腔體的真空度。三個腔體各配有兩個氣動開關閥,一個接通真空泵,另一個接通大氣相連的氣液分離器,用於控制各個腔體的真空度,以確保液體順利循環。伺服器不同,伺服器運行的冷卻液體溫度不同。根據水溫,冷板液冷有不同的製冷系統架構設計方案。當一次側水溫在W32及以下時,一次側冷源不能完全依靠冷卻塔全年供應,需要補充額外的機械製冷,即冷凍水冷源機組,常見可用的冷凍水冷源機組有水冷冷水機組、風冷冷水機組等。1)同源液冷方案和風冷部分均採用冷卻塔同源冷卻塔方案,不同末端例如液冷部分(XDU)以及水冷型空氣處理機組(AHU)等所需負荷都由同一冷卻塔進行供應。2)非同源液冷方案採用冷卻塔,風冷部分採用機械製冷或冷機非同源方案,包括高水溫不同源風冷和高水溫不同源冷凍水方案。當採用不同源風冷補冷方案時,精密空調和液冷CDU分別採用不同的冷卻塔或乾冷器;當採用不同源冷凍水方案時,空氣處理機組(AHU)冷源採用冷水機組,液冷部分(XDU)冷源採用冷卻塔,見圖6所示。▲ 圖6 風液混合系統製冷架構3)風液方案:機房已有風冷精密空調裝置,需要部署少量液冷機櫃,此時集中式風液型CDU方案是優選方案。CDU和液冷機櫃間通過軟管連接,液冷伺服器中的熱量通過冷板,Manifold,以及管路傳遞至風液CDUSB 隨身碟管,最後散至機房,再通過機房空調將所有熱量帶至室外,見圖7所示。▲ 圖7 風液方案系統製冷架構在做液冷方案選擇時,需要考慮伺服器可接受的冷卻液溫度,以及機房條件,來選擇適合的製冷系統架構方案。在當前的AI算力範式下,擴大算力的一個基本邏輯是不斷提高“堆疊”密度,由此帶來(單位空間內)的能量密度持續上升,將進一步推動液冷技術的應用。基於此,對於未來智算中心液冷技術發展方向可以概括為以下兩點:目前主流的冷板式液冷仍然存在較大比例的熱量需要風冷解決,這對智算中心的複雜度造成了很大影響。進一步降低風冷佔比,是進一步提升單機櫃功率密度、降低資料中心複雜度的迫切需要。傳統冷板方案可進一步最佳化伺服器和冷板設計,將主要發熱器件儘可能使用冷板散熱,單相浸沒式液冷、全覆蓋冷板液冷也是可以大力發展的方向。單相浸沒式液冷在解決高功率晶片擴熱問題後,可以實現100%液冷。全覆蓋冷板方案可以較好地適配AI伺服器,而不用考慮普通伺服器的通用性要求。進一步降低風冷佔比後,可能會面臨以下難點:晶片層面由於製程改進的效果越來越有限,利用先進封裝技術將多個較小的晶片拼裝為一體的Chiplet技術正得到普遍的應用,其中的一個重要趨勢是3D堆疊,這意味著單位面積上的電晶體數量會繼續高速增長,如何將晶片封裝內的熱量有效的傳匯出來,將成為行業面對的一大挑戰。機櫃層面以NVIDIA GB200 NVL72為代表的解決方案目前採用風液混合模式,櫃內互聯採用大量的銅纜,對散熱風道的設計形成了一定的阻礙。隨著機櫃功率的進一步提高,需要提高冷板在各節點內的覆蓋率,向全液冷的方向演進。隨著AI晶片功率的進一步提升(1500W-2000W以上),風冷散熱器已達瓶頸(1000W),單相水冷板也將很快到達散熱能力瓶頸(1500W),相變散熱技術是必然的方向,包括相變浸沒液冷和相變冷板液冷。相變冷板又包括泵驅兩相(Pumped twophase)冷板和自驅動兩相(Passive 2-Phase)冷板等方向。相比較而言,泵驅兩相冷板國外有較多的研究,但其複雜度較高、可靠性問題比較難以解決;自驅動兩相冷板的技術基於環路熱管(LHP)技術,挑戰更大,但其具有解熱能力強、高可靠、易維運、長壽命等優點。 (零氪1+1)