3月30日消息，據報導，中東衝突下，韓國晶片廠商正密切關注局勢發展，擔心供應中斷可能影響氦氣、稀釋劑、乙醇和異丙醇（IPA）等關鍵原材料的供應，其中氦氣供應風險已然暴露！業內人士稱，近日氦氣現貨價格飆升，漲幅已超過50%。三星電子、SK海力士、東部高科等半導體製造商正優先考慮以當前市場價格確保充足庫存，其採購部門每天檢查關鍵材料的供應情況和價格波動，以防止生產中斷，供應穩定已超越成本考量。據報導，即便和平談判達成，拉斯拉凡工業城的重建也可能需要數年時間，因此供應短缺和價格波動將成為中長期風險。氦氣在半導體產業中扮演著舉足輕重的角色，是一種被稱為“黃金氣體”的稀有惰性資源。作為天然氣生產的副產品，其嚴重依賴卡達，該國約佔全球供應量的三分之一。此前由於伊朗襲擊了拉斯拉凡工業城，LNG基礎設施受損，可能擾亂長期供應合同。截至目前，氦氣在半導體製造過程中尚無替代品。儘管台積電和聯電已實現60%至75%的氦氣回收率，顯著降低了對進口的依賴，但每日約25%的氦氣損耗仍需通過進口補充，且回收系統耗電量巨大。另據韓國國際貿易協會的資料，去年韓國氦氣進口總量的64.7%來自卡達。 (國芯網)

在全球AI記憶體需求持續緊張以及美國出口管制猶存的背景下，韓國兩大儲存晶片巨頭三星電子與SK海力士仍選擇加大對中國現有晶圓廠的投資。根據兩家公司向韓國金融監督院提交的年度報告，2025年它們在華工廠的資本支出均實現顯著增長。三星電子的年報顯示，其位於西安的工廠在2025年投資了4654億韓元（約合3.085億美元），較上年同期增長67.5%。這一投資是在2024年恢復對西安工廠投入後的持續加碼。SK海力士則分別向其無錫工廠和大連工廠投入了5811億韓元（約合3.852億美元） 和4406億韓元（約合2.92億美元），同比增幅分別高達102% 和52%。世宗研究所的一名研究員分析指出，與建設全新晶圓廠相比，最佳化現有中國廠區能夠更快地響應市場變化。當前，由人工智慧驅動的記憶體需求正在收緊全球供應，擴產成為頭部廠商的共同選擇。然而，也有分析師警告，在美國持續實施出口管制的大環境下，這一投資勢頭能否長期維持仍存在不確定性。儘管地緣政治因素給半導體供應鏈帶來挑戰，但三星和SK海力士仍選擇深耕中國成熟產能基地，以更靈活的方式參與全球AI記憶體市場的產能競賽。 (晶片行業)

3月27日消息，美國國際貿易委員會宣佈，將對NAND和DRAM儲存晶片展開調查，涉及日本鎧俠、韓國SK海力士等儲存巨頭！據悉，本次調查基於美國MonolithIC 3D公司於2026年2月17日提交的投訴。投訴指控被告違反了1930年《關稅法》第337條，在進口和銷售某些NAND和DRAM儲存晶片的過程中侵犯了原告主張的某些專利權。原告請求美國ITC發佈有限排除令以及停止侵權令。美國國際貿易委員會將於立案後45天內確定調查結束期。除美國貿易代表基於政策原因否決的情況外，美國國際貿易委員會在337案件中發佈的救濟令自發佈之日生效並於發佈之日後的第60日起具有終局效力。 (國芯網)

全球儲存格局生變。2026 年 3 月 26 日，美國 ITC 正式立案。針對NAND 快閃記憶體、DRAM 儲存晶片啟動 337 調查，案號 337-TA-1492。矛頭直指儲存巨頭。日本鎧俠全體系、韓國 SK 海力士及旗下美企，悉數列為被告。調查緣起專利圍剿。2 月 17 日，美國 MonolithIC 3D 發起投訴。指控涉案儲存晶片侵犯其 8 項美國專利，訴求發佈有限排除令與禁止令。調查節奏極快。ITC 將在 45 天內敲定結案期限。救濟令一經發佈，60 日即生終局效力，直指儲存晶片在美市場准入。337 調查涉案企業整理本次 337 調查主要針對日本鎧俠（Kioxia）及韓國 SK 海力士旗下多家關聯企業，具體涉案主體如下：鎧俠（Kioxia）系Kioxia Holdings Corporation（日本東京）Kioxia Corporation（日本東京）Kioxia America Inc.（美國加州聖何塞）Kioxia Engineering Corporation（日本名古屋）Kioxia Iwate Corporation（日本岩手）Kioxia Systems Co., Ltd.（日本神奈川）Kioxia Semiconductor Taiwan Corporation（台灣台北）SK 海力士系SK hynix Inc.（韓國京畿道）SK hynix America Inc.（美國加州聖何塞）SK hynix Memory Solutions America Inc.（美國加州聖何塞） (第一快閃記憶體)

3月25日，據韓國媒體Businesskorea報導，儲存晶片大廠三星電子和SK海力士正在對他們在中國的工廠進行大規模設施投資，以同時提升工藝技術和產能。隨著全球人工智慧（AI）投資熱潮加劇儲存半導體短缺，三星電子和SK海力士正全力調動包括中國工廠在內的所有產能來增加對客戶的供應。三星和SK海力士去年合計對中國工廠投資了1.5兆韓元（約合69億人民幣、10億美元），希望通過升級當地工廠的NAND Flash和DRAM生產工藝和產能來擴大晶片供應並提高盈利能力。據韓國金融監督院3月24日發佈的資料顯示，三星電子去年在其位於中國西安的工廠投資了4654億韓元（約合3.44億美元），較上年的2778億韓元（約合1.85億美元）大幅增長了67.5%。西安工廠是三星電子唯一的海外NAND Flash生產基地，產量約佔其總產量的40%。△三星西安工廠報導稱，三星電子在 2019 年向西安工廠投資約 6984 億韓元後，從 2020 年到 2023 年沒有進行任何重大投資。但是該公司已恢復 2024 年的投資，投資了 2778 億韓元，去年又將投資額增加到 4654 億韓元，用於升級西安工廠的生產線。同樣，SK海力士去年在其位於中國無錫的DRAM生產工廠和位於大連的NAND Flash製造子公司進行了超過1兆韓元（約合6.66億美元）的投資。其中，無錫DRAM工廠投資5810億韓元，較2024年的2873億韓元增長102%；大連NAND Flash工廠投資4406億韓元，增長52%。這是SK海力士自2022年收購英特爾大連NAND Flash工廠以來，首次在中國工廠進行兆韓元規模的投資。△SK海力士無錫工廠儘管在2022年10月以來，美國對中國實施了針對半導體裝置的出口管制，但三星電子和SK海力士這兩家全球儲存器“兩大巨頭”仍然積極投資中國生產設施，其背景是持續增長的儲存晶片需求。目前全球儲存晶片市場供應短缺，三星、SK海力士、美光等頭部大廠的DRAM 和 NAND Flash今年的全部產能已售罄。隨著AI服務從簡單的搜尋發展到需要更多推理和學習的“智能體”形式，對高性能DRAM 和NAND Flash的需求不斷增長，AI資料中心所需的HBM訂單也在激增。事實上，瑞銀證券預測，全球半導體市場規模將較去年增長超過40%，達到1兆美元（約合1496兆韓元）。此外，由於AI基礎設施投資，中國國內需求強勁。去年，中國儲存晶片市場規模約為4580億元人民幣（約合99兆韓元），預計今年將進一步擴大。由於僅靠韓國國內產能無法滿足全球需求，三星電子和SK海力士正通過升級其位於中國的工廠（其關鍵生產基地之一）來擴大供應。三星電子計畫通過大量追加投資，將其西安NAND工廠的主要生產工藝從128層（第六代）升級到236層（第八代）。一位業內人士解釋說：“為了防止核心技術外洩，三星中國工廠和韓國工廠之間通常保持著大約兩代的工藝差距。” 他補充道：“由於三星計畫今年在韓國生產400層（第十代）NAND產品，中國工廠向第八代NAND的過渡可能會加快。”據瞭解，SK海力士近期投資升級了其無錫工廠的DRAM生產工藝，從10奈米級的第三代（1z）工藝升級到第四代（1a）工藝。此次升級後，無錫工廠將能夠量產高附加值產品，例如DDR5記憶體，預計這將顯著提升其業績。另一位業內人士評論道：“無錫工廠佔SK海力士DRAM總產量的30%以上，已經轉型為高附加值產品生產基地。”他還預測：“大連工廠也將通過加大投資，改善財務結構，提高生產效率。” (芯智訊)

野村認為，受AI需求爆發和供應增加滯後影響，儲存晶片的長期牛市將遠超短期的油價上漲周期。預計2026年二季度大宗DRAM和NAND價格將環比分別暴漲51%和50%，遠超此前預期的6%和20%。儲存行業正加速轉向長期協議模式，供應短缺預計將持續至2028年初。在市場緊盯中東局勢之際，野村表示“儲存長期牛市”將遠超“油價短期上漲”。3月23日，野村證券發佈全球市場研究報告指出，儲存行業的牛市周期持續時間將遠比地緣政治引發的油價上漲更久、更可持續，核心變數在於AI需求的持續擴張與供給擴張的滯後。野村預計2026年第二季度儲存價格漲幅將“顯著超過此前預期”，其中商品DRAM和NAND的價格環比漲幅將分別達到51%和50%。這一數字較其此前預測的6%和20%出現了“量級式”的跳升。基於價格走勢的強勁預期，野村將SK海力士的目標價從156萬韓元上調24%至193萬韓元，並重申“買入”評級。野村認為，近期受中東局勢影響帶來的股價回呼，對投資者而言是極佳的逢低買入機會。AI需求重塑行業邏輯野村在報告中深入分析了為何儲存周期能夠“穿越”宏觀經濟波動。一大邏輯在於AI資本支出驅動儲存“長期牛市”。野村認為，在AI熱潮的推動下，大型科技公司的投資周期將成為AI行業的主導力量。這種由科技巨頭AI資本支出帶來的強勁需求增長，使得其周期“比短期的油價上漲周期更長且更具可持續性”。相比之下，對宏觀環境敏感的消費裝置（PC和智慧型手機）相關需求佔比已大幅下降，從10年前的60%降至如今的不到30%。這為儲存行業的長期穩定性提供了堅實基礎。野村將AI開發趨勢描述為儲存需求的“黑洞”。隨著AI需求從簡單的文字聊天機器人轉向企業級代理，從文字驅動轉向多模態，記憶體需求正在細分化，從以HBM/LPDDR為中心轉向用於RAG的DDR、以及用於更大型上下文處理的下一代SSD。商業模式“長協化”增強穩定性野村認為，儲存行業的另一個亮點是正在發生的商業模式變革。為了應對持續的供應短缺，儲存供應商與客戶正積極轉向長期協議（LTA）。野村在報告中寫道：“由於供應短缺可能長期存在，我們認為儲存廠商正在尋求可持續的長期協議（LTA），而不是簡單的漲價。客戶也在主動要求與供應商簽訂LTA，以滿足持續增長的AI記憶體需求。”據悉，這些協議包含預付款（作為押金）、容量保證和定價方案等條款。野村認為，雖然LTA能否完美抵禦周期尚不確定，但儲存行業正從“現貨驅動”轉變為“長期規劃驅動”，這將顯著提升盈利的穩定性。供應端增速緩慢：缺口或延續至2028年在供應端，野村的結論相對悲觀。報告強調，儘管需求在激增，但供應增長在至少2028年初之前都將處於不足狀態。野村強調，儲存（尤其是處理複雜推理和訓練的HBM）仍然是AI的關鍵瓶頸。報告寫道：“增加記憶體供應以趕上高需求增長仍需要物理時間……至少在2028年初之前，供應增長將不足以趕上高儲存需求增長。”即便SK海力士等巨頭擁有強勁的現金流，但受制於擴產周期和技術瓶頸，短期內產能難以大幅擴張。野村預測，SK海力士在2026年和2027年的營業利潤將分別上調36%和37%，達到256兆韓元和365兆韓元。對於投資者關心的現金回報，野村預計SK海力士2026財年的自由現金流（FCF）收益率將達到19%，具有顯著的估值吸引力。 (invest wallstreet)

01 前沿導讀據美國資訊技術研究分析公司Gartner發佈的對比資料表示，在全球半導體企業Top10的營收排名當中，美國上榜7家企業，分別是輝達、英特爾、美光、高通、博通、AMD、蘋果。韓國上榜兩家企業，三星和SK海力士。在前十名企業當中，除英特爾較2024年出現了營收下滑，其他企業均實現了營收增長。輝達依靠人工智慧的浪潮，其增長幅度達到了誇張的63.9%。在Top10榜單當中，只有聯發科這一家台灣企業上榜，中國大陸地區無一家企業上榜。02 營收規模在其他機構發佈的2024年第四季度全球半導體企業20強中，前20名也是以美國企業居多，總共有11家美國企業，分別是輝達、博通、英特爾、美光、高通、AMD、德州儀器、ADI、閃迪、安森美和Marvell。韓國的三星和SK海力士，依然穩居榜單的二三名。然後則是日本與歐洲的部分企業上榜，分別是日本索尼、鎧俠、瑞薩電子，歐洲英飛凌、恩智浦、意法半導體。中國唯一一家上榜的企業還是台灣省的聯發科，大陸企業沒有一家上榜。無論是前10名，還是前20名，均沒有中國大陸企業的影子。首先來說，榜單當中的企業絕大部分都是晶片設計企業，少部分是類似於三星、SK海力士、英特爾這種集合了設計與製造一體的企業。並沒有將台積電、中芯國際、華虹、ASML、應用材料、北方華創等代工廠商和裝置供應商統計在內，這具有極大的侷限性。晶片產業是上下游供應鏈合作的關係，晶片設計只是上游的一環，除此之外還包括晶片製造、裝置材料供應等多個領域。晶片設計固然重要，但是更重要的則是後端的裝置與製造。華為海思的設計水平已經達到國際一線地位，但是其遭受到了美國的制裁，無法與台積電等先進工廠建立聯絡，只能採用本土產業鏈製造，導致海思的設計能力被壓制在了7nm+節點。而製造產業鏈正是中國晶片產業開始爆發的階段，中芯國際和華虹在近幾年當中專注於在28nm及以上節點擴充產能，以滿足國內外市場龐大的產能需求。根據華虹公司2025年發佈的財報資料顯示，其2025年第四季度的銷售收入再創歷史新高，達到了6.599億美元，同比增長22.4%，環比增長3.9%。2025年全年的營業收入達到了24.02億美元，同比增長19.86%。華虹半導體的主營業務是嵌入式╱獨立式非易失性儲存器、功率器件、模擬及電源管理、邏輯及射頻等8英吋+12英吋的差異化特色工藝技術，這種工藝技術可以滿足於各領域所需的特定晶片產品。雖然華虹沒有先進晶片生產線，但是依靠成熟製程的特色工藝，在營收資料與資本市場上均表現出了很強的企業競爭力。而中芯國際則是在先進技術上進行攻堅，繼中芯上海、中芯南方之後，中芯國際開始在中芯北方等上海總部之外的其他分工廠建設具有FinFET電晶體結構的先進生產線。一邊發展傳統的成熟晶片，一邊對先進技術進行產能擴充。03 規模優勢決定晶片發展情況的因素有很多，企業的規模大小、營收與投資比例、政府的政策扶持、供應鏈的完整性都是影響晶片產業發展的關鍵因素。中國晶片產業的核心主旨就是實現規模化發展，只有實現了規模化發展，才能帶動整個產業鏈前進，從而實現可持續性發展，這需要巨額的資金投入。英特爾、輝達、高通、三星等海外企業都屬於規模龐大的科技集團，不但能掙錢，而且還能花錢，大部分錢都花在了技術投資上面。在ASML製造EUV光刻機的過程中，三星、英特爾、台積電等企業就瘋狂給ASML注資，確保ASML擁有充足的資金去製造裝置。當EUV光刻機實現量產之後，這些投資的企業將會獲得首批採購光刻機的機會。這種在技術投資上面的“滾雪球”效應，是美國、韓國晶片企業發家致富的核心原因之一。而中國大部分晶片企業，都被美國實施了制裁，沒辦法順利採購國外的製造裝置，所以就需要相關企業聯合本土供應鏈共同開發製造裝置。對於大型科技集團來說，這種聯合開發所付出的經濟代價還能承受，但是對於中小晶片企業來說，這直接壓縮了其有限的利潤空間。先進晶片的研發，那怕是一顆晶片的成功流片，都需要投入3000萬美元。晶片越先進，其投入的成本也就越高。流片合格之後才能進入到下一步的規模化量產，量產階段還需要繼續投資，最後將搭載先進晶片的終端產品投入市場上銷售，以此來賺取利潤。與本土供應商聯合開發製造裝置，然後聯合本土製造工廠進行先進晶片的製造，最後將先進晶片搭載到本土品牌的產品上面進行營利。這一套流程下來，每一個步驟都在“燒錢”，並且其“燒錢”的金額巨大。一般的中小企業根本就沒有能力來承擔製造成本，只有大型的科技集團才有機會開發先進晶片。但是現階段國內的先進晶片，基本都是依靠曾經採購的ASML浸潤式光刻機，通過自對準多重圖案化技術實現量產。這種技術的成本高、良品率低，只有不斷的試錯，提升製造效率和良品率，才能實現最終的規模化量產。只要進入規模化量產階段，下一步便可以依靠終端產品實現盈利，分攤供應鏈成本。中國晶片企業現在處於“以戰養戰”的階段，一方面通過對成熟晶片進行擴產，依靠大規模的成熟晶片來賺取利潤，另一方面在先進晶片上繼續進行研發。將成熟晶片賺取的利潤投入到先進晶片的研發當中，用這種“以戰養戰”的方法同時推進兩個產業的技術進步。 (逍遙漠)