SK海力士第一季度營收52.58兆韓元，首次突破50兆韓元大關。今日，SK海力士發佈 2026 財年第1財季（截至2026年3月31日）財報，營業收入為52.5763 兆韓元，同比增198%、環比增長60%；營業利潤為37.6103兆韓元，同比增長405%、環比增長96%。從季度業績來看，銷售額首次突破 50 兆韓元大關，營業利潤為 37.6 兆韓元，營業利潤率達到 72%，創下公司成立以來的最高紀錄，營業利潤環比激增約兩倍。值得注意的是，SK 海力士的營業利潤率不僅遠遠超過了輝達公司在去年第四季度的65%的營業利潤率——當時該公司營利率在全球半導體領域排名第一，也超過了台積電今年第一季度的營利率58.1%。SK海力士生產用於儲存資料的記憶體晶片，這些晶片廣泛應用於從伺服器到智慧型手機和筆記型電腦的各種裝置中。作為全球領先的高頻寬記憶體(HBM)供應商，SK海力士受益於人工智慧需求的激增，HBM廣泛應用於人工智慧資料中心。HBM屬於動態隨機存取儲存器(DRAM)的範疇——DRAM是一種用於儲存資料和程式碼的半導體儲存器，廣泛應用於個人電腦、工作站和伺服器。憑藉在HBM領域的早期領先地位以及作為全球領先的人工智慧處理器製造商輝達的關鍵供應商，SK海力士在DRAM市場中超越了美光和三星等競爭對手。SK海力士在其財報中表示：“儘管第一季度通常是季節性淡季，但由於對人工智慧基礎設施的投資增加，強勁的需求依然持續。隨著人工智慧從大型模型訓練發展到智能體人工智慧階段，智能體人工智慧能夠反覆在各種服務環境中執行即時推理，對DRAM和NAND快閃記憶體的記憶體需求基礎正在不斷擴大。”根據市場追蹤機構 TrendForce 的資料，第一季度某些 DRAM 晶片的合約價格比上一季度上漲了近 83%，而某些 NAND 產品的價格飆升了約 160%。然而，根據Counterpoint Research的資料，三星在上一季度重新奪回了DRAM晶片收入榜首的位置。與此同時，SK海力士繼續在HBM領域佔據主導地位，市場份額高達57%。Counterpoint補充道，由於記憶體價格上漲，DRAM市場已連續兩個季度環比增長30%。記憶體價格上漲源於對HBM需求的激增，這佔用了製造商的產能，導致近幾個季度記憶體供應普遍短缺。受此優異業績推動，截至第一季度末，SK海力士現金及現金等價物環比增加19.4兆韓元，達到54.3兆韓元。與此同時，借款額減少2.9兆韓元，降至19.3兆韓元，實現了35兆韓元的淨現金頭寸。財報寫道，隨著人工智慧從以“大型模型訓練”為中心，進化為在各種服務環境中反覆進行即時推理的“代理式人工智慧（Agentic AI）”階段，儲存器需求的基礎正擴展至DRAM和NAND快閃記憶體所有領域。SK海力士預測，儲存效率化技術的擴散將提高人工智慧服務的經濟性，進而推動整體服務規模的擴大，這將進一步拉動儲存器需求。基於此，公司預計DRAM和NAND快閃記憶體市場均將維持有利的價格環境。SK海力士明確了其將在DRAM和NAND快閃記憶體全領域持續推進新產品開發與供應的戰略方針，以靈活應對多樣化的儲存器需求。在HBM方面，其將進一步加強整合性能、良率、質量及供應穩定性的綜合執行能力。並且在DRAM方面，將全面啟動全球首款採用第六代10奈米級（1c）工藝的LPDDR6 DRAM，以及基於同一工藝並於本月開始量產的192GB SOCAMM2的供應。在NAND快閃記憶體方面，SK海力士開始供應基於CTF且採用321層QLC技術的客戶端固態硬碟（cSSD）“PQC21”的同時，將通過在eSSD的全領域建構涵蓋高性能TLC和大容量QLC的產品陣容，靈活應對人工智慧領域的整體需求。此外，公司將依託在大容量QLC eSSD領域擁有優勢的Solidigm產生的協同效應，進一步加強在AI資料中心和AI PC儲存器市場的競爭力。另一方面，SK海力士強調，在客戶需求持續超過供應能力的環境下，能夠應對AI時代需求結構性增長的供應能力已成為核心競爭優勢。對此，公司表示將以韓國清州M15X產能爬坡和龍仁叢集為核心，推進基礎設施建設及EUV等核心裝置引進，為此今年的投資規模將同比大幅增加。SK海力士表示：“公司將戰略性地擴充生產基礎，以先發應對中長期需求增長。也將通過基於需求可見性的投資，同時確保供應穩定性和財務穩健性。” (半導體產業縱橫)

兩頭都要抓，兩頭都不能放。當全球半導體進入地緣博弈最激烈、技術迭代最迅猛、格局重構最深刻的時代，韓國兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士，幾乎在同一時間做出了一個耐人尋味的選擇：重倉中國。2025年，兩家巨頭聯手向中國砸下1.5兆韓元，折合人民幣近70億。2026年，押注仍在繼續。一個牽動全球半導體產業的疑問隨之而來：為什麼是現在？為什麼依然是中國？故事要從1997年說起。那一年，亞洲金融風暴席捲漢城（現首爾）。企業成片倒下，銀行門口排起擠兌的長龍，整個韓國經濟像一棟被抽掉地基的大樓，搖搖欲墜。大多數企業選擇了收縮、防守，甚至永久退出製造業。但有兩家公司，反其道而行之。一家叫三星電子，另一家是當時還叫“現代電子”的海力士。他們在最危險的時候，做了一個最瘋狂的決定：豪賭半導體。那時的半導體，根本不是什麼黃金賽道，而是高投入、高周期、高失敗率的“地獄賽道”。日本築起技術壁壘，美國掌控核心技術，韓國只是夾縫中的追趕者。但韓國人以破釜沉舟的決心，將半導體升級為國家命運工程。從九十年代開始，韓國企業以“燒錢換未來”的極端方式，死磕技術迭代。DRAM（動態隨機儲存器，一種廣泛用於電腦、智慧型手機和伺服器中的主記憶體技術）一代接一代趕超，NAND（一種非易失性儲存技術，能在斷電後保留資料）從無到有突破，投資佔利潤比例一度超70%。就此，韓國完成了逆襲。到2012年前後，韓國儲存產業已佔據全球主導地位，三星全球第一，SK海力士全球第二。在DRAM記憶體領域，韓國雙雄一度壟斷全球近七成份額。這已不僅是產業勝利，而是小國憑半導體完成的國家級躍遷。但一個致命的問題，很快擺在了檯面上：巨量晶片，銷往何方？答案，很快浮現：中國。進入21世紀，全球製造業發生結構性遷移。中國，加冕“世界工廠”。智慧型手機、PC、家電、伺服器……所有電子產業齊聚中國，形成吞噬晶片的超級巨獸。完美的產業共生就此誕生：韓國管供給，中國管需求。在此基礎之上，一種遠比簡單出口更深的繫結，就此拉開序幕。2012年，古都西安，迎來了一場足以改寫城市命運的招商大戰。同年，三星電子正在為其最先進的NAND快閃記憶體尋找海外生產基地。北京、重慶等一線城市悉數下場，競爭白熱化。為了拿下這個項目，西安開出了令全球矚目的條件：除了千畝土地和巨額資金支援外，西安甚至為三星專門修建了一條高速公路，以及保障晶片生產所需的大量純水和穩定供電系統。在招商過程中，面對三星提出的超過一千個問題，陝西省定下“四小時回答制度”。無論涉及多少部門，四小時內，必須給出專業答覆。最終，三星時任掌門人李健熙親自拍板，定下了這個當時中國中西部地區最大的外資項目。僅三星一期第一階段投資，即達70億美元。十幾年過去了，三星在西安的累計投資已超過280億美元。西安工廠不僅是三星在海外最大的晶片製造基地，更承擔著三星全球約40%的NAND快閃記憶體產能。這意味著，全球每7塊快閃記憶體晶片，就有1塊來自西安。▲西安三星半導體工廠，圖源：環球時報如果說三星在西安成就了“錦上添花”的霸業，那SK海力士在無錫，則是一場關乎生死的涅槃。2004年前後，還未被SK集團收購的海力士，正深陷財務泥潭，命懸一線。生死關頭，他們將最後的目光投向了中國。在無錫市政府的鼎力支援下，海力士與意法半導體結成戰略聯盟，打造了當時國內半導體領域單體投資規模最大的項目之一，並將工廠落戶無錫。這一關鍵佈局，不僅幫助海力士走出了困境，更讓無錫從此成為全球儲存晶片產業的重鎮。此後，SK海力士又斥資90億美元，接盤了英特爾位於大連的NAND快閃記憶體工廠。如今，SK海力士全球30%至40%的DRAM產能，都集中在無錫。與此同時，SK海力士每生產3塊NAND快閃記憶體晶片，就有至少1塊來自大連。過去十多年裡，韓國人出技術，中國人出土地、工程師和廣闊的市場。這種“中韓蜜月期”造就了全球半導體產業最有效率的分工模式。在中國的工廠裡，矽片日夜不息地運轉，變成一顆顆儲存顆粒。然後，它們被直接送上貨車，運往深圳、東莞、鄭州，裝進蘋果、華為、小米、OPPO、vivo的手機裡，銷往全球。這也是韓國晶片的黃金時代。巔峰時期，韓國半導體出口額的近六成，流向的都是中國。中國市場，就是韓國晶片巨頭們最可靠的“印鈔機”和最穩固的“定海神針”。而從地理版圖上看，西安、無錫、大連三座城市，也構成了韓國半導體產業的“第二本土”。然而，故事翻到這一頁，風雲突變。2022年10月，美國商務部祭出對華半導體裝置出口全面限制。一時間，所有在華設有先進產線的外國企業都面臨生死抉擇：繼續在中國升級裝置，等於與華盛頓對著幹；放棄升級，等於眼睜睜看著數十億、數百億美元的投資貶值。在美國企業利益受損、盟友強烈抗議的多重壓力下，拜登政府給了三星和SK海力士一個“窗口期”，授予“經驗證終端使用者”（VEU）資格，允許它們無需逐項申請許可就能向中國工廠引進受控裝置。韓企鬆了一口氣。但所有人都知道，這只是暫時的。2025年8月，靴子落地。川普政府宣佈，撤銷三星電子和SK海力士的“經驗證終端使用者”資格。美國商務部產業安全保障局直言不諱：“這一舉措彌補了拜登政府時期的漏洞，當時少數外國企業無需許可，即可向中國出口半導體裝置和技術。”更狠的是，美國商務部還明確表示，不打算向這兩家公司發放在中國工廠擴產或進行技術升級的許可。消息傳出，韓國半導體業界一片嘩然。要知道，三星西安工廠承擔著約40%的NAND產能，SK海力士無錫工廠承擔著30%至40%的DRAM產能。如果無法引進先進裝置，這些產線將從“主力”迅速淪為“累贅”。韓國對外經濟政策研究院高級研究員鄭衡坤說得直白：“川普政府一向把一切當作談判工具，可能會利用被收回的VEU豁免資格作為槓桿，誘導韓國企業追加對美投資。”他同時補充道：“無論是否追加投資，美國要求與中國市場脫鉤的政策基調都不會改變。”壓力之下，韓國企業開始了一場精密又無奈的“技術走鋼絲”。SK海力士無錫工廠的升級故事，堪稱全球化時代最荒誕的技術博弈案例。2026年初，SK海力士宣佈無錫工廠完成製程升級，90%的DRAM產能從1z奈米轉向更先進的1a奈米。1a製程相比1z，單位晶圓可多產出約25%的晶片，功耗降低約20%。這是一次實實在在的技術躍升。但問題來了：1a DRAM製程需要使用極紫外（EUV）光刻裝置，而這種裝置受美國出口管制，嚴禁對華進口。SK海力士的解決方案堪稱“神操作”：將晶圓運回韓國，在利川工廠完成EUV光刻，再把晶圓運回無錫完成後續工序。一片晶圓要在中國和韓國之間來回折騰，物流成本飆升，生產周期拉長，品控風險翻倍。但SK海力士別無選擇。這種“分段製造”策略，本質上是韓國企業在中美夾縫中求生存的極限操作。美國不讓先進裝置進中國，韓國就把最關鍵的工序留在本土，用物流成本換取政治合規。與此同時，三星也在走類似的鋼絲。西安工廠2025年完成了從128層到236層的工藝升級，並計畫2026年向280層邁進。同時，三星在韓國本土加速推進400層NAND的量產，在中國則保持“次先進”但“高產能”的定位。也就是說，西安做大規模，韓國做最尖端。兩頭都要抓，兩頭都不能放。但這種平衡註定是脆弱的。2025年12月31日，路透社報導稱，美國已向三星和SK海力士頒發2026年度的裝置出口許可證，但需按年度審批。這項政策標誌著美國對華半導體出口管制進入了“精細化管控”的新階段。簡單來說，美國不再給三星和SK海力士發“長期通行證”（VEU），而是改發“一年一簽的臨時簽證”。更深層的變化也正在發生。2025年第一季度，韓國對華半導體出口額同比下降23.5%，對華出口總額降至288億美元，為九年來的最低水平。事實上，中韓貿易的轉折點早在2023年就已到來。那一年，韓國與中國的貿易收支31年來首次出現逆差，這成為自1992年兩國建交以來中韓經濟關係的一個關鍵分水嶺。韓國《中央日報》發出預警：韓國原本引以為傲的半導體領先地位，恐在未來五年內被中國反超。當三星與SK海力士在夾縫中艱難求生時，中國晶片，正強勢突圍。2025年11月，IC China博覽會。長鑫儲存的展台前，一塊不起眼的參數牌引發全場騷動：DDR5，速率8000Mbps，最高顆粒容量24Gb。同台亮相的LPDDR5X，最高速率飆至10667Mbps，比上一代提升了66%。▲圖源：上海證券報這不是實驗室樣品，而是量產產品。全球高科技產業研究機構集邦諮詢（TrendForce）資料顯示，2025年長鑫儲存合肥與北京工廠總產能已從每月23萬片提升至28萬片，2026年將進一步攀升至30萬片。其全球DRAM出貨量份額已升至約8%，出貨量增長超過50%，已實現DDR4、DDR5雙線佈局。長鑫的野心遠不止於此。2026年初，消息傳出：長鑫已啟動HBM3高頻寬儲存器的量產工作，計畫每月用約6萬片晶圓生產HBM3，佔總產能的20%。據《經濟日報》報導，長鑫已向包括華為在內的境內客戶交付16奈米製程的HBM3樣品，產品良率已接近三星電子水準。長鑫身側，長江儲存也在狂奔。憑藉自主研發的Xtacking架構技術，長江儲存在消費級SSD市場已具備與國際巨頭正面競爭的能力。2025年，長江儲存全球NAND快閃記憶體出貨量份額首次衝破10%大關，這也標誌著，長江儲存已穩固躋身全球NAND快閃記憶體市場的第一梯隊。長江儲存的年產量也從2024年的129萬片增長至2025年的177萬片，預計2026年將接近200萬片。其武漢三期項目預計2026年下半年量產，屆時總產能將達每月30萬片晶圓，有望超越SK海力士和美光，躍居全球第三，僅次於三星和鎧俠。然而，比產能數字更讓首爾坐立不安的，是另一個正在發生的場景。2026年2月，一則報導震動業界：惠普、戴爾、宏碁、華碩——全球四大PC巨頭，幾乎同時考慮啟動對長鑫儲存DRAM產品的質量驗證。知情人士稱，惠普已啟動產品品質與供應穩定度的認證流程，若DRAM供應持續受限、價格繼續上漲，可能首次採購長鑫儲存的DRAM用於非美國市場。戴爾同樣已對長鑫儲存的DRAM產品啟動認證程序，主要出於對2026年記憶體價格可能繼續攀升的擔憂。為什麼這些PC巨頭突然集體轉向中國供應商？答案很簡單：因為韓國的晶片，被AI搶走了。美光、三星、SK海力士等國際儲存巨頭，正在把最優質的產能優先保障輝達、Google、亞馬遜等AI客戶。AI伺服器需要的HBM高頻寬記憶體，利潤高、需求旺，巨頭們趨之若鶩。而利潤率較低、對成本敏感的消費電子市場，正在被無情擠出產能。於是，許多PC製造商將長鑫儲存視為消費電子領域的“救星”。中國儲存晶片的崛起速度，超出了大多數人的預期。韓國人的危機感，已經溢出產業界，進入國家層面。韓國產業研究院的權威報告指出：韓國半導體產業正面臨“三重夾擊”——美國的技術封鎖、中國的國產替代、日本在材料裝置領域的強勢地位。韓國產業研究院中國產業分析組組長趙恩教在解讀報告時說了一句份量極重的話：“現在韓中產業競爭已經不光是技術追趕的事，而是進入了產業生態、供應鏈和市場的結構性競爭階段。”然而，危機之中也藏著轉機。三星和SK海力士繼續重倉中國，說明聰明的企業不會被動等待政治風向的改變。它們會想盡一切辦法，通過分段製造、工藝分級、產能轉移……在規則的縫隙中尋找生存空間。三星電子會長李在鎔在訪華時明確表示，中國是三星全球戰略中重要的組成部分。SK海力士首席執行長郭魯正也表態，中國已成為SK海力士最重要的生產基地和銷售市場之一，將繼續紮根中國。韓國晶片重倉中國的故事還遠沒有結束。2026年第二季度將是關鍵節點，三星西安X2產線向280層V9 NAND轉換，SK海力士先進NAND產線轉換將逐步落地。這正是中國半導體產業最值得深思的地方。韓國晶片之所以能在夾縫中博弈，根本原因在於它們掌控了核心技術、主導了全球產能、擁有成熟的品牌和客戶關係。中國儲存晶片要想走出一條獨立道路，唯一的答案就是自主——在全球化的框架下，把核心技術握在自己手裡。三十年前，韓國人從夾縫中的追趕者，逆襲為全球霸主。今天，同樣一條路，中國儲存晶片正以更猛烈的加速度重走一遍。當長鑫儲存的HBM3切入全球高端供應鏈，當長江儲存的產能直逼全球前三，當四大PC巨頭集體為中國晶片亮起綠燈，一個屬於中國儲存晶片的時代，即將到來。而這一刻，或許比所有人想像的都要來得更早。 (華商韜略)

SK海力士一季度一季度營收52.58兆韓元，淨利潤40.33兆韓元，遠超預期的29.39兆韓元。預計二季度DRAM出貨量環比錄得較高的個位數百分比增幅，NAND出貨量環比增幅將處於10%至20%區間中部。SK海力士2026財年第一季度業績全面刷新歷史紀錄，營收、營業利潤及淨利潤均創單季峰值，印證了高性能儲存器市場的供需緊張格局仍在持續深化。該公司一季度營收達52.58兆韓元，環比增長60%，同比增幅高達198%。營業利潤為37.61兆韓元，環比暴漲96%，同比激增405%，對應營業利潤率72%，創下單季歷史最高水平。淨利潤為40.35兆韓元，淨利潤率77%。業績躍升的核心驅動來自DRAM和NAND產品價格的大幅上漲，以及高附加值產品組合佔比的持續提升。該公司表示，隨著AI計算對儲存器的戰略需求日益凸顯，高性能儲存供應仍處於受限狀態，有利的定價環境預計將在一段時間內延續。展望第二季度，該公司預計DRAM出貨量環比增長高個位數百分比，NAND出貨量（含Solidigm）環比增長中十幾個百分比。同時，公司宣佈今年資本支出將較上年顯著增加，並計畫於年內製訂包括分紅、股票回購及註銷在內的附加股東回報方案。記憶體價格全線上漲，利潤率持續擴張記憶體價格的強勁上行為SK海力士業績提供了有力支撐。據市場研究機構DRAMeXchange資料，8GB DDR4 PC記憶體基準合約價格已連續11個月上漲，上月觸及約13美元。一季度DRAM平均售價較上季度環比上漲60.8%，NAND平均售價環比上漲55.3%。企業級固態硬碟需求亦隨資料中心投資的擴張而大幅攀升，進一步夯實了公司的營收基礎。SK海力士及其競爭對手三星電子、美光科技均在將更多產能向利潤率較高的HBM產品集中，這一趨勢導致傳統記憶體供給趨緊，價格持續走高，從而在更廣泛的層面提振了記憶體廠商的整體收入。資本開支大舉提速，佈局下一代製造能力為應對旺盛需求，SK海力士正加速擴大產能投入。公司今年1月宣佈，2026年資本開支將較2025年的30.2兆韓元大幅增加。上月，公司進一步宣佈計畫斥資約80億美元，向ASML採購最先進的極紫外光刻（EUV）晶片製造裝置。競爭對手三星電子同樣不甘示弱，計畫今年在晶片產能擴張與研發上投入逾110兆韓元，創歷史新高，意在爭奪AI半導體領域的領先地位。值得關注的是，三星已率先實現HBM4晶片的商業出貨，並在輝達GTC大會上展示了最新一代HBM4E產品，在下一代HBM競爭中佔據先機。股價強勢領跑，估值仍遠低於AI頭部企業資本市場對SK海力士的AI敘事給予了積極回應。繼2025年股價翻逾三倍後，今年以來該股累計漲幅已接近90%，表現明顯領先三星電子。然而，記憶體晶片股的估值倍數仍遠低於輝達、台積電等AI晶片領域的頭部企業。質疑者認為，這一折價有其合理性——記憶體行業盈利的周期性波動特徵難以忽視。總部位於倫敦的Polar Capital全球新興市場及亞洲業務主管Jorry Noeddekaer在業績發佈前表示："從某種程度上說，我們正處於記憶體行業的新範式之中。但'記憶體將永遠告別周期性'這一說法，我們並不認同。" (invest wallstreet)

近期，NAND儲存巨頭閃迪（SanDisk）正式開建高頻寬快閃記憶體（HBF）原型生產線，並計畫在下半年推出樣品，瞄準於2027年實現商業化量產。早在2025年8月，閃迪就與SK海力士簽署諒解備忘錄，宣佈共同推動HBF新技術標準。2026年2月，雙方在美國加州閃迪總部高調成立“HBF規格標準化聯盟”，合作進入實質性推進階段。很顯然，這場合作蓄謀已久。如今回望，這並非一次尋常的技術合作，而是兩家儲存巨頭在AI從訓練轉向推理的關鍵節點上，鋪墊一場基於未來的深刻產業判斷，以及商業化層面的戰略佈局。01為何選擇此時搶跑要理解此次合作的意義，必須看清AI發展帶來的階段性挑戰。過去三年，AI突破集中在訓練階段，極度依賴高頻寬記憶體HBM為GPU提供海量資料流。HBM通過3D堆疊緊貼GPU，頻寬極高，但容量有限且成本高昂。目前，大模型開始進入推理階段，進而需求發生了根本性變化——推理業務需要頻繁呼叫已訓練好的龐大模型，進而性能瓶頸從純粹頻寬轉變為頻寬與容量的雙重挑戰。HBM雖快但容量不足，同時傳統固態硬碟SSD雖容量大，但通過PCIe通道的訪問速度太慢，也無法滿足即時推理的低延遲要求（如SK海力士HBM3E可提供超1.2TBps 頻寬，但其頂級SSD僅可提供14GBps，相比HBM3E速率慢了近100倍）。也基於此，HBM和SSD之間，就缺少了一個既能提供接近HBM的高頻寬，又能提供遠超HBM的大容量，而且成本可控的中間儲存層級——這也成了制約AI推理業務進行規模化部署的巨大記憶體牆。自此，HBF正是為了填補這一未來產業必要的中間層而生：1）架構方案：它借鑑HBM的先進封裝理念，將多層NAND快閃記憶體晶片通過矽通孔TSV技術垂直堆疊，並與底層中介層相連，實現了遠超傳統SSD的平行資料通道和訪問速度。2）性能目標：在成本相近的情況下，可提供媲美HBM3的頻寬，同時將儲存容量提升至HBM的10倍以上。畢竟，HBF單個堆疊上的容量可達512GB（16層堆疊），也遠超HBM4的上限64GB（16層堆疊），進而預計HBF將在HBM6推廣階段實現廣泛的行業應用。這也就意味著，AI伺服器能以更經濟的成本，在GPU近端放置一個巨大的HBF倉庫，使得推理過程無需頻繁向遠端SSD取數，進而極大地提升了效率。簡而言之，HBF試圖在AI儲存體系中創造出一個全新的層級——它不是要取代HBM在訓練中的核心地位，而是瞄準了更具潛力的AI推理市場，以及未來需要更大記憶體池的複雜AI應用。02瞄準的是整個AI生態的未來長期以來，閃迪作為NAND快閃記憶體製造商，始終處於產業鏈的元件層。而當前由SK海力士、三星和美光主導的HBM市場，是AI訓練領域的核心戰場。也基於此，為了破局，閃迪決心開闢HBF這一未來趨勢——其本質還是利用自身在3D NAND堆疊（如超過332層的BiCS技術，暫時領先於三星）和晶圓鍵合CBA工藝上的深厚積累，製造出一種高容量，同時也可以快速訪問的NAND版HBM，從而與巨頭站上新的起跑線。自此，其戰略意圖很明確，主動創造一個介於百億美元HBM市場與近千億美元SSD市場之間的全新增量市場，而非在自己並不擅長的存量市場之中博弈。這也無非正是瞄準了AI推理場景的下一波需求——如長上下文對話、多輪互動，以及智能體Agent等持續運行皆會產生海量的工作資料集和鍵值快取（KV Cache）的應用場景。但這些資料也需要比SSD更快的訪問速度，而HBF正是瞄準這一未來需求而生。如今回望，閃迪選擇與SK海力士結盟，也是相當具有產業邏輯的一步。畢竟，SK海力士作為HBM市場的首席（2025年市佔率近60%），在TSV矽通孔、3D堆疊、高速介面，以及與輝達等AI晶片巨頭的協同設計上，擁有無與倫比的大規模量產經驗——這場合作也必將是優勢的完美互補，閃迪提供高密度NAND堆疊的核心製造工藝，SK海力士則提供其已被HBM驗證的稀缺先進封裝和高速互連解決方案。自此，這能極大加速HBF從概唸到產品的成功落地。對閃迪而言，此舉也是其切入全球主流AI算力生態的關鍵。數十年以來，一項新技術要成為產業標配，單打獨鬥幾乎不可能，最終皆離不開產業生態的支援。因此，獲得HBM首席的支援，就等於提前備好了進入頂級資料中心生態的資質，並且能有效應對接下來以三星為主的強大市場競爭。對SK海力士來說，這同樣是一次防禦性進攻。儘管目前統治HBM市場，但AI推理的廣闊前景必將催生新的儲存層級，HBF市場規模未來很可能超越HBM——通過與閃迪合作，SK海力士可以將其在高速儲存介面和封裝上的優勢提前延伸至NAND領域，進而共同定義下一代儲存標準，從而鞏固其在整個高端儲存的全球市場地位。也基於此，閃迪與SK海力士於2026年2月在全球開放計算項目的框架之下，成立了專項工作組，意圖也非常清晰，即，通過開源協作，拉攏晶片設計商、伺服器製造商和雲服務商共同制定標準。畢竟，也只有實現標準化，才能吸引整個生態參與，最終將HBF打造成像DDR或HBM那樣普及的基礎設施元件。閃迪也將借此前所未有的契機，被納入納斯達克100指數。整體來看，這場合作遠不止於技術融合。本質上，它是在為2030年前後即將爆發的AI推理儲存需求，進行一場前瞻性的基礎設施的戰略佈局。閃迪也很可能從元件供應商，晉陞為解決方案供應商，而SK海力士則意在將當前的領先優勢延續到下一個AI時代。03SK海力士的成功有何借鑑2025年，國際固態電路會議（ISSCC）上，閃迪與鎧俠聯合宣佈了第10代BiCS 3D NAND快閃記憶體，其堆疊層數達到332層，一舉超越了當時主要競爭對手如三星、SK海力士等普遍在300層徘徊的水平，刷新了行業紀錄——這是兩大儲存巨頭長達二十餘年的深度聯盟，以及一次關鍵的架構轉型，同時也是對儲存市場格局的再次洗牌。此次，閃迪的突破核心在於 CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到儲存陣列）技術路線的有效佈局。畢竟，單純的堆疊層數如同盲目蓋高樓，倘若無架構革新，性能與穩定性終將遇到行業天花板——傳統做法是在同一晶圓上同時製造儲存單元和外圍CMOS控制電路，兩者設計相互妥協，也限制了性能與工藝最佳化。相較之下，CBA方案是採用分而治之的策略，進而將CMOS控制電路與NAND儲存陣列分別在兩片獨立晶圓上製造，再通過先進混合鍵合工藝精準鍵合成三明治一般的結構。很巧的是，此架構與長江儲存的Xtacking技術，存在異曲同工之處。也基於此，這麼做的好處於儲存行業而言也是巨大的：1）性能飆升：控制電路可採用更先進邏輯工藝，儲存陣列專注堆疊密度。介面速度達4800MT/s（基於Toggle DDR 6.0-NAND快閃記憶體介面標準），比其第8代產品提升33%，足以滿足AI推理、即時分析等高頻寬任務需求。2）密度暴漲：得益於層數的增加和工藝最佳化，儲存密度達到了每平方毫米36.4Gb，比第八代提升了驚人的59%。這意味著在同樣大小的晶片裡，能塞進去的資料量大幅度增加，是降低單位儲存成本的根本。目前，三星也計畫在其第10代NAND中引入類似技術（三星已與長江儲存簽署了相關專利許可協議，計畫從第10代NAND開始，全面採用長江儲存的專利技術，特別是混合鍵合技術——該技術是長江儲存“晶棧Xtacking”的核心，可以有效解決高堆疊層數下的可靠性和性能問題）。也可以說，閃迪和鎧俠的332層晶片，不僅是工藝的勝利，也是此類快閃記憶體架構的勝利。畢竟，全球儲存市場由三星、SK海力士和美光主導的格局之下，閃迪和鎧俠的業務協同，常被視為儲存市場的二線聯盟。但也正是這種市場地位，迫使其形成了獨特而堅韌的生存模式——長達二十年的合資與聯合研發。自NAND快閃記憶體誕生以來，雙方通過合資工廠分攤巨額的製造投入，再通過聯合研發分擔技術的創新成本。這種深度繫結也讓其在資本與技術密集的行業之中，始終保有一席之地——建造和維護一座先進的NAND晶圓廠，動輒需要上百億美元的投資，研發332層這樣的尖端技術，更是燒錢的無底洞。自此，閃迪通過合資以相對較小的規模，撬動與巨頭抗衡的資本開支，進而共同營運四日市（Yokkaichi）和北上（Kitakami）生產基地。這也是全球數一數二的NAND快閃記憶體生產所在（北上的工廠專門為生產先進3D NAND而建，採用了革命性的CBA技術）。此次，這332層的快閃記憶體，正是閃迪和鎧俠聯盟的最新結晶，其量產時間也提前一年至2026下半年，就開始大規模生產這款332層的BiCS10快閃記憶體，甚至有部分客戶已經開始洽談2027-2028年的長期供應合同。這在此前周期中也是罕見的，也是明確的市場進攻訊號。如今回望，SK海力士的成功，是一個堅定押注技術路線，並深度影響行業HBM標準建立的成功。早在2023年，SK海力士在行業尚處觀望之時，就已經全力押注HBM，進而也最早實現HBM3的大規模量產，甚至一度成為輝達H系列AI晶片的獨家供應商。簡而言之，SK海力士本質上是通過堅定押注並持續最佳化MR-MUF技術路線（這項技術在散熱、良率和堆疊質量上表現出色，使其在HBM2E、HBM3時代獲得了領先的客戶驗證和市場份額），從而在HBM市場取得了壓倒性的客戶認可。這種市場和技術主導地位，使其SK海力士有能力顯著影響行業標準的走向。2025年，國際組織JEDEC發佈HBM4標準之時，將封裝高度從720微米放寬至775微米。這一調整被普遍認為有利於SK海力士沿用其成熟的MR-MUF技術，實現16層堆疊，而不必立即轉向其競爭對手（如三星）正在大力投資的混合鍵合技術——這是一場典型的技術領先（MR-MUF）、市場統治（HBM3獨家供應）、標準話語權（HBM4高度放寬）的商業勝利。也基於此，以史為鑑，閃迪能否真正崛起，將取決於三個關鍵變數：1）一是HBF能否走向行業主流標準，這是其價值暴漲的關鍵。畢竟，技術再好，沒有生態支援也只是空中樓閣。閃迪深知此道，因此在2025年就與SK海力士簽署了諒解備忘錄，共同制定HBF規範。2026年，雙方在開放框架下也聯合啟動了HBF規格標準化聯盟，目標就是將其打造成行業通用標準——拉攏HBM領域的SK海力士合作，無疑是為HBF的普及鋪就未來的道路。閃迪的目標是2026年下半年推出樣品，並在2027年初看到首批搭載HBF的AI推理裝置。2）二是能否在企業級市場，特別是AI資料中心，成為市場支柱。HBF是未來的增量，而企業級SSD是當下的基本盤。閃迪在這方面並非沒有籌碼，其背靠與鎧俠的合資產能，在全球NAND快閃記憶體供應合計30%以上市場份額。同時，鎧俠自身也在與輝達合作開發直連GPU的SSD，這也說明整個快閃記憶體陣營都在積極向AI計算核心靠攏。閃迪需要利用其技術優勢和產能保障，在AI資料中心這個高增長領域，擴大自己的市場份額，進而為HBF的未來商業化，提供現金流和市場基礎。3）三是駕馭獨立營運的能力。儲存行業的周期，波峰波谷十分劇烈。作為一家獨立的公司（從西部資料分拆後），閃迪需要在技術投入、產能規劃，以及財務健康之間做到智慧的平衡——在行業上行期佈局投資HBF等前沿技術，在下行期又能保持原有的戰略佈局，這將十分考驗其管理層的企業經營智慧。從更廣闊的產業視角來看，閃迪與SK海力士的合作，也揭示了一個明確的產業趨勢：AI儲存架構正在從單一性能競賽，轉向分層的生態必然——未來的AI伺服器將不再僅僅依賴HBM，而是形成“HBM + HBF + SSD”的混合儲存層次。在這種架構中，HBM負責最核心的即時計算，HBF負責近存的大容量，而傳統儲存SSD則負責冷資料歸檔。基於以上判斷，閃迪的核心戰略，並非取代海力士，而是定義並佔據這個全新的、不可或缺的生態位置。閃迪或許無法擁有HBM那樣的極致利潤，但如果HBF成功普及，閃迪也將實現真正崛起——三年之後，海力士鞏固了其在AI儲存全端解決方案的領導力，而閃迪則獲得了重返行業中心的絕佳機遇，進而共同描繪的是，一個由異構儲存驅動、更高效，也是必然的AI未來。 (新財富)

韓股收盤創歷史新高，年內累漲51.59%冠絕全球在半導體股漲勢強勁的帶動下，韓國綜合指數今日收盤收在盤中最高位，收漲2.72%報6388.47點，創收盤歷史新高。韓國綜合指數年內累漲51.59%，位居全球主要市場第一位。據悉，韓國半導體巨頭SK海力士將於23日發佈第一季度業績，市場對其業績表現持樂觀預期，帶動半導體類股領漲大盤。SK海力士股價今日一度漲超5%，至122.8萬韓元，創下歷史最高紀錄。台股收盤再創歷史新高，年內累漲近30%，單月外資湧入超百億美元，有望創歷史紀錄台灣加權指數盤中漲2.23%報37781.83點，再創歷史新高；最終收漲1.75%報37605.11點，再創收盤歷史新高。台灣加權指數年內累漲29.84%，在亞股中漲幅排名僅次於韓國綜合指數，高於日經225指數的18%漲幅。彭博分析，隨著一些投資人重新佈局亞洲AI投資題材，台灣正逐漸取代韓國，成為更受青睞的市場。策略師認為，這主要歸因於台灣在晶片供應鏈中的佈局更為全面。韓股指數依然高度集中於記憶體產業，但台灣企業橫跨整個AI硬體供應鏈，從晶圓代工、先進封裝到基板與組裝，為投資人提供更廣泛的AI佈局機會。在中東衝突期間，台股波動相對較小，也有助於支撐反彈，台股加權指數更是率先收復伊朗戰爭帶來的跌幅，並創下歷史新高。儘管台韓股市的市值規模相近，但隨著4月市場反彈大漲，台股吸引更強勁的外資買盤。根據彭博彙編資料，全球基金本月來淨買進台股達107億美元，有望創下歷來單月最大資金流入，而且遠遠超越淨流入韓國的30億美元。 (格隆匯電報)

據韓媒報導，美伊以衝突導致卡達天然氣設施受損，其天然氣副產品氦氣供應出現了短缺訊號，導致市場擔憂這一關鍵材料將限制全球半導體的生產。然而，除了氦氣之外，市場忽略了另一個致命風險。溴是專業化學品供應商生產半導體級溴化氫氣體的原材料，韓國公司在所有DRAM和NAND快閃記憶體晶片生產中，離不開這一關鍵氣體。目前，韓國記憶體巨頭三星和SK海力士合計佔到全球DRAM市場約70%的份額，是全球市場的關鍵供應方，但其97.5%的溴進口來自以色列。全球其他的溴供應商也無多餘產能可以替代以色列的空白，這讓以色列的供應至關重要。由於DRAM和NAND是所有現代計算裝置的基礎，溴供應中斷的影響將波及整個消費電子和工業電子產業鏈，甚至是國防行業。目前全球其他地區的溴供應商幾乎沒有多餘的產能可以填補以色列的供應空白。這種極度單一的供應結構，使得以色列的產出狀況直接決定了全球儲存晶片的供應安全。以色列跨國公司ICL集團是全球溴生產的絕對核心。由於死海的含溴量極高，該公司能夠以全球最低的成本完成生產。目前，以色列與約旦兩國的供應量合計已佔到全球總供應量的三分之二。風險的核心在於生產設施的高度集中。ICL集團將溴提取與轉化的核心綜合設施設在死海附近的索多姆地區。這一位置極其敏感，距離此前遭受軍事襲擊的內蓋夫沙漠不到35公里。該生產基地目前完全處於潛在的打擊範圍之內。如果地區衝突進一步升級，導致相關生產設施受損或運輸通道受阻，全球儲存晶片供應鏈將面臨極其嚴重的連鎖反應。對於極度依賴以色列原材料的韓國儲存巨頭來說，這種地緣政治引發的斷供風險已成為當前最緊迫的挑戰。在全球半導體產業鏈中，這種由於上游原材料高度集中而引發的單點故障風險正變得愈發凸顯。 (半導體技術天地)

2026年的半導體圈，正在上演一場現實版的“搶椅子”遊戲。而攪動這場戰局的核心變數，正是AI引爆的儲存需求。01 邏輯變了！儲存廠成EUV大買家在這一輪遊戲中，光刻機便是這把“椅子”。近日，儲存晶片大廠SK海力士宣佈將在2027年12月31日前向荷蘭ASML採購價值11.95兆韓元（約79.7億美元）的極紫外光（EUV）光刻機，旨在應對日益增長的記憶體晶片需求。該交易已作為正式披露檔案提交給韓國監管機構，並成為近年來ASML客戶公開的最大一筆EUV光刻機採購訂單。根據預計，SK海力士採購的這些EUV光刻機將主要用於先進DRAM晶片和HBM晶片的生產。主要會部署在兩個晶圓廠：一個是SK海力士位於龍仁的新晶圓廠，該晶圓廠計畫於2027年2月投產；另一個則是位於清州的M15X工廠，該晶圓廠專門用於生產高頻寬記憶體晶片。伯恩斯坦公司的分析師戴維·道則預計，SK海力士的這份訂單將使得其在兩年內新增約30台EUV光刻機。這略高於其之前預測的SK海力士兩年內將採購26台EUV光刻機的數量。無獨有偶，儲存龍頭三星也傳出了大舉採購光刻機的動作。韓國媒體Sedaily援引知情人士的消息報導稱，三星電子已確定向光刻機大廠ASML和佳能訂購了約70台光刻機，總金額高達10兆韓元（約67億美元），其中包含20台EUV光刻裝置。不過三星方面隨後回應稱，該消息並不屬實，公司至今尚未作出相關決策。儘管三星的採購傳聞未得到證實，但這一消息本身就折射出當前半導體行業對光刻機的迫切需求。02 決戰1c節點的勝負手，壓給光刻機在探究三星、SK海力士兩大儲存龍頭大舉採購EUV光刻機的戰略邏輯前，需先系統梳理五大核心影響因素，這些因素直接決定了兩家企業的採購規模、節奏及行業後續格局：第一，兩大巨頭當前EUV光刻機保有量。第二，兩家公司1c DRAM現有產能基數、2026年底規劃產能的落地路徑及產能爬坡節奏。第三，不同生產製造能力帶來的市場競爭力差異。第四，ASML的EUV產能供給能力、交付周期及現有訂單積壓情況，能否匹配兩大龍頭的擴產需求。第五，是否需要警惕2028年產能集中釋放導致的過剩風險？以下是關於上述五點的具體分析：儲存雙雄EUV光刻機保有量日前，調研機構BOFA公佈了2021到2025年為止的EUV光刻機數量，如下所示：如圖所示，三星的EUV 光刻機持有量已超過SK海力士的兩倍，這一裝置數量優勢直接對應到產能層面——在儲存晶片製造中，光刻機部署密度是先進製程產能釋放的核心約束條件，而多層EUV光刻更是10nm級以下工藝量產的核心前提。2026年作為全球DRAM行業的“1c節點爆發年”，這場製程微縮競賽已全面邁入第六代10nm級1cDRAM時代，成為AI算力爆發背景下高端記憶體供給的核心戰場。當下，三星和SK海力士都已釋放擴產1c DRAM的核心資訊。1c DRAM現有產能基數根據規劃，三星1c DRAM產能將在2025年第四季度率先達到每月6萬片產能，2026年第二季度再新增8萬片產能，並於2026年第四季進一步擴增6萬片，屆時整體月產能達到20萬片。具體的時間節點以裝置完成安裝為基準，目標是在上述各個階段具備立即量產條件。知情人士指出：“三星將在明年底前持續強化1c DRAM 的供給能力，意在提前卡位下一代市場。”SK海力士方面，據韓國媒體報導，SK海力士計畫2026年將1c DRAM月產能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達8至9倍，佔其DRAM總產能的三分之一以上。據悉，SK海力士已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該製程主要用於製造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產品。擴產後的1c DRAM將主要用於滿足輝達等大型科技公司的訂單需求。這一戰略調整反映出AI推理應用對成本效益更高的通用DRAM需求激增，該公司正將戰略重心從HBM擴展至更廣泛的AI記憶體市場。分析指出，相比需要複雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產效率更高，能夠更快速響應市場需求的爆發式增長。HBM是3D堆疊+系統級整合方案，需通過TSV矽通孔、超薄減薄、多層鍵合及CoWoS等先進封裝技術，將多顆DRAM Die與基片垂直整合，技術鏈路極複雜。1cDRAM則是DRAM製程的迭代升級，核心是通過4F²單元架構、EUV曝光最佳化實現單Die密度提升與良率改善，無需重構產線，直接復用現有DRAM成熟產線即可量產。相較於HBM，1c DRAM 主打通用化、規模化供給，是AI伺服器、移動終端的核心基礎，同時也是 HBM4/HBM4E 的最佳核心片。SK 海力士已明確，將基於第六代 10nm 級 1c 製程 32Gb DRAM 裸片打造 HBM4E 記憶體。三星同樣在推進相關佈局，其研發的 12 層堆疊（12-Hi）、16 層堆疊（16-Hi）HBM4 產品，均會採用 1c DRAM 技術。三星在2026年2月宣佈，已率先達成HBM4的量產，並向全球最大AI晶片公司輝達發貨。 該HBM4將搭載於輝達最新Rubin GPU中。市場預計，Rubin GPU將於2026年下半年正式出貨，以供應給Google、亞馬遜等美國科技大廠，並帶來超過1兆美元的市場規模。與此同時，三星也在配合Rubin GPU上市節奏，擴大華城H3 工廠17線，以及平澤P3、P4 工廠的HBM4 產能。去年9月，SK海力士完成HBM4開發，但隨後在去年12月，SK海力士宣佈HBM4的量產已推遲至2026年3月或4月，HBM4產能大幅擴張的時間也進行了靈活調整。SK海力士決定至少在2026年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM產品中最高的產量佔比。據悉，SK海力士在與輝達討論2026年HBM的產量時，大幅增加了HBM3E的產量。不同生產製造能力帶來的市場競爭力差異2025年第一季度，SK海力士佔據了全球DRAM市場36%的份額，略高於三星電子的34%和美光的25%。這也是SK海力士自1983年成立以來首次在全球儲存器市場佔據主導地位。隨後在2025年第三季度，三星電子DRAM銷售額達到139.42億美元，環比增長29.6%，市場份額回升至34.8%，重新奪回行業榜首。同期SK海力士以137.9億美元的銷售額位居第二，市場份額為34.4%，與三星電子的差距僅為0.4個百分點。三星電子業績的反彈，得益於是製造端兩大關鍵能力的集中釋放：一是HBM 高端產能的快速爬坡與精準交付。該公司第三季度HBM位單元出貨量環比激增85%，主要由於開始向輝達交付第五代HBM3E產品。二是通用 DRAM 產能的彈性調控與價格主導力。人工智慧資料中心對記憶體需求的爆發式增長，導致PC和智慧型手機等消費級IT裝置的DRAM供應趨緊，進一步推高了產品價格。ASML的EUV產能供給能力反過來思考，SK 海力士敲定 30 台 EUV 訂單、三星或可能採購 20 台的情況下，ASML 的產能能否跟上？在此之前，先來看一組 ASML 歷年光刻機的出貨量資料。上圖可見，2023年、2024年、2025年，ASML的EUV光刻裝置數量分別為53台、44台和48台。從這組資料中，首先能捕捉到兩個核心資訊：一是ASML的EUV年出貨量始終維持在40-55台的區間，產能釋放呈現“緩慢線性增長”的特徵，並未出現爆發式提升——這與EUV裝置的製造複雜度直接相關，一台EUV整合超過12萬個高精度零部件，依賴德國蔡司的光學系統、美國Cymer的極紫外光源等全球獨家供應商，任何一個環節的產能瓶頸都會限制整體出貨。二是2024年出貨量較2023年有所下滑，2025年雖有回升但未突破2023年峰值，這背後既有ASML產能調整的因素，也反映出前兩年行業擴產潮後，部分企業進入產能消化期，而2025年的回升則與AI驅動下高端儲存、先進邏輯晶片的需求復甦直接相關。SK海力士的採購計畫具備明確的產能落地支撐。上文提到，這批裝置將分別部署在清州M15X工廠和在建的龍仁半導體叢集，其中龍仁基地的首座潔淨室啟用時間已從2027年5月提前至2027年2月，與裝置交付節奏高度匹配。若三星也計畫採購20台EUV，且同樣計畫在2027年底前交付，那麼SK海力士與三星的訂單合計將達到50台，佔ASML兩年產能的一半以上，這將大幅擠壓台積電、英特爾等其他頭部客戶的產能配額。還需注意的是，日前ASML在財報中寫道，截至2025年底，公司積壓在手訂單達388億歐元，其中EUV系統積壓訂單達255億歐元，佔比65%。其中或許包含SK海力士的已下訂單，因此倘若三星和SK海力士均在當下向ASML追加大量EUV訂單，短期內也難以獲得充足的產能配額。2028年，產能過剩？據韓國媒體報導，三星內部預計本輪儲存短缺將於2028年前後趨於緩解，並據此校準投資節奏，以避免重蹈過度擴張的覆轍。與此同時，SK海力士亦多次公開表態，將以實際需求而非樂觀預期作為擴產依據。然而EUV光刻機的產能存在硬約束，當下不搶購，未來幾年將徹底失去高端賽道的競爭力。因此，三星與SK海力士當下大量採購EUV光刻機，與警惕2028年產能過剩並不矛盾。警惕2028年過剩，是著眼於遠期的風險防控；而現在搶購EUV，則是應對近期市場剛需、應對行業競爭、推進產品結構升級的必然選擇。03 DRAM技術下一步，該搶什麼？長期以來，DRAM的密度提升高度依賴於製程微縮，這使得對EUV等高端光刻機的投入成為剛性需求。隨著3D 堆疊儲存的發展，3D NAND 為提升儲存密度，將儲存單元垂直堆疊，層數不斷增加，目前主流產品已超過 300 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這種技術路徑的轉變，意味著廠商對光刻精度的極致追求將有所放緩，進而削弱對EUV光刻機的需求。相應的對刻蝕裝置的需求量和性能要求呈指數級增長，比如從 32 層提高到 128 層時，刻蝕裝置用量佔比從 35% 提升至 48%。此外，近存計算方案的發展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充裝置佔比接近 70%，進一步增加了刻蝕裝置的需求。同時，3D NAND 堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積裝置提出了更高要求。因此，半導體製造的未來重點，或將從單純依靠光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜關鍵的刻蝕與薄膜沉積工藝。DRAM 對光刻機的依賴程度，也將明顯低於當前水平。 (半導體產業縱橫)

4月7日消息，據市場研究機構分析，消費型DRAM價格在今年一季度已大漲75-80%，預估第二季DRAM合約價格仍將再增45-50%！分析指出，2026年三月份消費型 DRAM的漲價動能主要集中在4Gb以下容量產品，其中DDR4 4Gb均價月增20%以上，漲幅明顯超出高容量產品。然而，目前DDR3與DDR2市場開始出現轉單需求。受限於產能嚴重不足，三月份DDR3、DDR2各容量產品均價出現20-40%不等的上調，漲幅較DDR4更加顯著。加上三星電子、SK海力士、美光等三大原廠正逐步關停DDR4產線，導致供小於求愈演愈烈。大廠將產能轉向DDR5與HBM等先進製程產品的趨勢，也在進一步加劇成熟市場供給緊張的局面。業內人士分析認為，大廠退出成熟製程的策略短期內難以逆轉，供給端收縮趨勢將持續主導市場走向。訂單轉移效應預計將在未來幾個季度內繼續擴大。部分下游廠商已開始提前備貨以應對後續可能出現的更大幅度漲價。另據報導，三星在今年一季度將 DRAM 合約價大幅上調 100% 後，二季度合約價將再度環比上漲 30%。目前三星已確認，於 3 月底與全球主要客戶完成新一輪價格談判並正式簽署供貨合同，漲價方案已全面落地。此次30%的漲幅並非侷限於單一品類，而是全面覆蓋 AI 伺服器所需的 HBM 高頻寬記憶體，以及 PC、智慧型手機等終端產品使用的通用 DRAM，屬於全產品線同步上調，體現出行業整體供需格局持續緊張。 (國芯網)