斗山集團收購全球第三大半導體晶圓製造商SK Siltron將被收購的股份為70.6%，交易規模預計約為3兆韓元（143億元人民幣）。如果交易達成，斗山集團未來主力半導體等高科技材料業務預計將進一步強化。SK集團控股公司SK有限公司於12月17日宣佈，已選定斗山株式會社為SK Siltron股份出售的優先談判代理，並已向其發出通知。SK株式會社一直在重組業務以獲取流動性，自4月以來一直在與多家私募股權基金（PEF）洽談出售其在SK Siltron中持有的70.6%股權。八個月後，斗山集團被選為首選談判代表。生產半導體片的SK Siltron目前在全球市場份額中位居第三（基於12英吋晶圓）。2017年，SK株式會社以約7900億韓元收購了LG Siltron 51%的股份，其中包括LG Siltron的51%股份，以及金融投資者19.6%的股份。剩餘29.4%的股份由SK集團董事長崔泰元購買，該股份被排除在出售討論之外。自被SK集團收購以來，SK Siltron外觀不斷提升。銷售額在七年間翻了一番多，從2017年的9331億韓元增至去年的2.1268兆韓元。同期營業利潤也從1327億韓元增長至3155億韓元。SK集團出售SK Siltron的決定是為了確保流動性以增強財務穩定性。一位企業官員表示：“SK Siltron最初的主要客戶是SK海力士，但如果出售給外部公司，將吸引更多客戶，增加業務擴展的可能性，從而吸引了市場關注。”鑑於目前SK Siltron的贖金被傳達5兆韓元，預計如果交易完成，SK株式會社將能獲得超過3兆韓元現金。今年3月，SK集團將特殊天然氣公司SK Specialty 85%（約合2.6兆韓元）股份出售給韓公司。包括這些，將確保價值約6兆韓元的流動性。如果斗山集團真的收購SK Siltron，預計其以半導體為中心的業務組合將進一步強化。斗山目前以兩個方向從事半導體業務：斗山有限公司的電子BG部門（控股公司）及其子公司斗山天斯納。斗山特斯拉於2022年被斗山收購，是韓國第一的半導體後處理公司，專注於非儲存半導體測試領域。斗山電子BG生產的半導體基板用銅層壓板（CCL）最終通過PCB公司供應給美國輝達。如果矽片製造商SK Siltron也被接納，斗山將負責晶圓（材料）和後期工藝（測試），這些都是半導體行業的前後環節。一位商業官員表示：“隨著該領域在半導體價值鏈中逐步擴展，將有可能尋求商業協同，從而在價格談判中獲得優勢。”在選定首選談判代表後，兩家公司預計通過現場盡職調查和合同條款談判程序達成股票購買合同。一位熟悉該交易的官員表示：“目標是在明年初簽署銷售合同。”SK株式會社在與本次交易相關的披露中表示：“細節將通過與首選談判代表協商決定。” (大話晶片)

據全球最大的儲存器製造商之一稱，DRAM 供應緊張的局面預計將持續到 2028 年。主流PC市場正面臨記憶體供需長期失衡的局面，據報導這種情況將持續到2028年。SK海力士的內部分析顯示，“商品級”DRAM的增長將十分有限，無法滿足市場需求。我們已經知道DRAM價格高得離譜，但這種情況似乎已經失控，使得大眾難以買到價格合理的PC。使用者@BullsLab分享了據稱是SK海力士內部分析的截圖。該分析預測，除高頻寬記憶體（HBM）和SOCAMM模組外，普通DRAM的增長至少在2028年之前仍將受到限制。這是因為主要的記憶體製造商已經將重心轉移到滿足AI伺服器的需求上，而面向消費市場的產能出現顯著增長的可能性仍然很低。據報導，現有供應商的庫存已降至歷史低位，這進一步加劇了分配壓力。報告顯示，SK海力士等記憶體製造商採取了保守的產能擴張策略，更注重維持盈利能力，而非向市場大量投放新的DRAM產品。伺服器DRAM的需求幾乎呈指數級增長，預計明年增長速度將更快。據估計，伺服器份額將從2025年的38%飆升至2030年的53%。由於人工智慧的蓬勃發展，雲服務提供商正大力建設人工智慧訓練資料中心，預計這將引發DRAM的超級周期。一些報告還指出，製造商2026年的關鍵DRAM生產配額已經售罄，而傳統PC DRAM的產量預計在未來幾年內將無法滿足需求。我們已經看到人工智慧PC市場份額的激增，預計到2026年，人工智慧PC系統將佔整個PC市場的55%左右。儘管預計2025年PC整體出貨量將與此持平。關於NAND快閃記憶體，SK海力士的分析也表明，由於伺服器端需求更高（利潤也更高），NAND快閃記憶體的供應增長可能會滯後於消費市場的需求增長。總而言之，這項分析揭示了消費市場一個令人擔憂的趨勢。我們此前預計這種情況會持續到2027年，但現在看來，它似乎在2028年底之前不會停止。蘋果DRAM長約到期，漲價在即一家公司兆美元的市值並不足以使其免受全球零部件短缺的影響，這幾乎意味著蘋果也將不得不支付巨額資金，從三星和SK海力士等公司購買DRAM晶片，用於其眾多產品。最新傳聞稱，蘋果公司與韓國廠商簽訂的長期協議（LTA）即將到期，而上述韓國廠商可能正摩拳擦掌，準備從2026年1月起向其利潤豐厚的客戶收取高額的DRAM晶片溢價。真正的問題是，蘋果是否會將這些成本上漲轉嫁給其忠實的粉絲群體。這次的情況極其嚴峻，據報導，三星不僅 為了最大化利潤而拒絕了旗下移動體驗部門的DRAM供應請求，而且還將重心從HBM轉向DDR5生產，因為這種策略能帶來更高的利潤。@jukan05 懇請他在X論壇上的讀者儘可能多地購買電子產品，否則將不得不付出慘痛的代價。據稱，蘋果公司將向三星和SK海力士支付更高的DRAM溢價，這將導致其眾多產品價格大幅上漲，例如即將推出的低價版MacBook、M5 MacBook Air、iPhone 18 系列、iPhone Fold、重新設計的OLED M6 MacBook Pro等等。幸運的是，這家總部位於加利福尼亞的科技巨頭擁有兩項優勢，這兩項優勢將在DRAM短缺期間發揮至關重要的作用。首先，蘋果公司坐擁數十億美元的現金儲備；其次，其專注於自主研發晶片的策略使其能夠消化這些成本上漲。例如，iPhone 16e中使用的 C1 5G 數據機 預計可為蘋果節省每台裝置 10 美元的成本。雖然這聽起來不多，但考慮到每年數百萬台的出貨量，最終節省的金額將相當可觀。據稱，蘋果將於今年晚些時候推出其研發數月的C2晶片，該晶片將應用於明年的旗艦機型。此外，與其他競爭品牌不同，蘋果堅持使用其定製的A系列SoC晶片，並將其獨家應用於自家產品。由於成本上漲，據傳高通和聯發科等其他晶片組製造商明年將把LPPDR6晶片獨家用於驍龍8 Elite Gen 6和天璣9600  ，因此蘋果的處境略好一些。然而，計畫明年升級到iPhone的使用者可能會感到意外，因為@jukan05提到，蘋果很可能會在2026年上半年提高包括iPhone在內的產品價格。戴爾大幅度漲價戴爾是最大的個人電腦製造商之一，該公司已內部通知員工，由於DRAM記憶體短缺，公司準備大幅提高多種產品的價格。記憶體短缺似乎已經蔓延到PC供應鏈中的“主流”製造商。據Business Insider報導，戴爾公司披露的內部郵件顯示，該公司預計將在其“商用產品線”（包括筆記型電腦和預裝PC）上調價格。此次漲價幅度預計將是該公司有史以來最大的漲幅之一，據稱筆記型電腦和PC的價格未來都可能上漲“數百美元”。而且，價格上漲不僅限於記憶體短缺，更大容量的儲存裝置也將大幅增加成本告稱，戴爾最新款Pro和Pro Max系列筆記型電腦和桌上型電腦，下周起價格將上漲，最高漲幅達230美元，具體漲幅取決於記憶體配置。此外，如果選擇128GB記憶體的機型，每台裝置的價格可能上漲高達765美元，如此大幅度的漲幅令消費者感到意外。不僅如此，如果遊戲玩家想要額外購買儲存空間，價格也將大幅上漲。一位戴爾員工預計，最終漲幅可能高達30%，具體取決於戴爾的合同條款，而戴爾的合同金額並不小。預計多款產品將受到記憶體短缺的影響，據 Business Insider 報導，戴爾的新定價表顯示價格上漲情況如下：戴爾Pro和Pro Max筆記型電腦及桌上型電腦（配備32GB記憶體）價格上漲130至230美元配置128GB記憶體的系統價格將上漲520至765美元。配備1TB 固態硬碟的配置價格將上漲 55 至 135 美元。戴爾 Pro 55 Plus 4K 顯示器價格上漲 150 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（6 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 66 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（24 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 530 美元值得注意的是，戴爾是全球最大的PC製造商之一，這意味著如果該公司實施大範圍提價，聯想、宏碁、華碩等其他競爭對手很可能也會效仿，這將導致消費者在未來一年面臨艱難的局面。更重要的是，記憶體短缺問題短期內不太可能結束，一些預測甚至認為這種情況可能會持續到2027年，這意味著未來幾個季度記憶體供應仍將受到限制。人工智慧雖然承諾讓人類的遊戲體驗更輕鬆，但卻給遊戲玩家帶來了挑戰，而且未來購買一台計算裝置似乎會變得更加困難。半導體進入超級周期KB證券15日預測，從明年開始，儲存器半導體周期將擴展到伺服器和高頻寬儲存器（HBM），導致前所未有的供應短缺。KB證券研究部主管金東元表示：“受人工智慧和儲存器業務的推動，今年第三季度全球半導體銷售額環比增長15%，達到318兆韓元，創歷史新高。預計今年全球半導體銷售額將比上年增長24%，達到1180兆韓元，首次突破1000兆韓元大關。”金補充道，從明年開始，半導體周期將從專注於HBM擴展到包括伺服器記憶體和HBM，這將導致前所未有的供應短缺。這一預測源於對HBM、伺服器DRAM和企業級固態硬碟（eSSD）的需求不斷增長，因為隨著人工智慧推理工作負載的擴展以及雲服務提供商增加對人工智慧應用的資料處理，這些需求都在不斷增長。雖然HBM在人工智慧訓練階段至關重要，但人工智慧服務的商業化將推動伺服器DRAM需求的快速增長，以處理推理階段的大規模資料。Kim指出：“根據產品速度和規格的不同，HBM4的價格預計將比HBM3E溢價28%至58%。半導體市場預計將進入一個超級周期，甚至超越以往的超級周期。”他繼續說道：“三星電子擁有多元化的專用積體電路（ASIC）客戶群，主要面向大型科技公司。預計其明年的HBM出貨量將比上年增長兩倍。這將使其HBM市場份額從今年的16%擴大到明年的35%以上，增長超過一倍。儘管三星電子擁有全球最大的DRAM產能，但其目前的估值水平卻是最低的，這表明其被嚴重低估的局面即將得到解決。” (半導體行業觀察)

“我不知道”如果你身邊有朋友問你，“記憶體什麼時候能降價”，那麼你可以把這個文章甩給他，直接告訴ta，你不知道。全球主要 DRAM 供應商之一 SK 海力士近日就當前記憶體市場供應短缺及擴產計畫發表了看法。由於 AI 產業需求的爆炸性增長，記憶體供應持續緊張，製造商們面臨著激進的價格上漲壓力。有行業預測顯示，記憶體短缺的局面可能將持續到 2027 年甚至更久。WCCFTech向海力士談論了如今的“記憶體超級周期”以及公司的對策，海力士表示目前下結論還為時尚早。海力士表示，公司已提前完成 M15X 晶圓廠兩年的建設工作並已啟用。該工廠將專注於HBM的生產，計畫在明年啟動全面量產。M15X是SK海力士投入約36億美元的重大項目，預計將為公司整體晶圓產能貢獻重要份額。公司還提及正在建設中的龍仁（Yongin）晶圓廠，該廠預計在 2027 年上半年投產。公司表示，鑑於記憶體需求增長速度超過預期，公司正通過建設 M15X 和龍仁工廠等先進生產基礎設施，主動確保“晶圓廠空間”和“生產能力”，以高效響應不斷增長的 AI 記憶體需求和客戶的演變要求。而問及記憶體短缺何時結束時，海力士認為，由於 AI 領域潛在需求的不確定性，供應鏈仍在適應新的市場格局，無法精準預測短缺的持續時間。目前，公司計畫在HBM 市場保持高份額，不僅繼續供應主要的 GPU 客戶，還將覆蓋包括 ASIC 領域在內的多元化客戶群體。有意思的是，海力士明確知道，當下的消費級通用記憶體市場（用於PC、手機的普通記憶體）供應處於緊迫局勢，其表示這是由於大型雲服務提供商（CSP）和科技巨頭傾向於鎖定長期 DRAM 採購合同，而供給側產量不足導致。公司估計，2027年上半年將大幅增加DRAM生產能力，以滿足市場需求，但考慮到從工廠擴建到生產線重新分配需要數月時間，消費級產品，包括 DDR5 記憶體等，價格短期內恐將持續承壓。顯然，儲存巨頭正在將產能重心從傳統的通用記憶體轉向高利潤、高技術壁壘的 AI 記憶體。而對於普通消費者和終端銷售商，可能不得不繼續承受這一輪 AI 軍備競賽帶來的成本外溢效應。 (AMP實驗室)

“一天一個價，甚至一天幾個價”，深圳華強北的儲存商戶們這樣描述近期的市場行情。這是儲存行業進入超級周期的鮮明寫照。眾所周知，隨著AI需求的爆發，儲存行業正經歷一場前所未有的結構性變革。2025年下半年，尤其是近幾個月以來，儲存行業全面進入加速上行周期，儲存原廠盈利能力持續提升，HBM供應緊張，SK海力士2026年底前的產能已基本被AI大客戶鎖定，三星留給中小廠商的份額不足10%。HBM之外，在這一浪潮中，DRAM作為儲存賽道的另一關鍵領域，重新回到了各大廠商的戰略核心位置，備受追捧。面對當前儲存市場供不應求、價格持續上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光三大儲存晶片巨頭採取了不同的應對策略，以適應市場的變化，搶佔未來發展的制高點。AI熱潮下，儲存巨頭轉向與產能豪賭三星：縮減HBM產能，擴建DRAM產線近期，三星電子計畫將用於HBM3E生產的第四代1a奈米製程產能下調30%-40%，轉而投入第五代1b奈米製程的通用DRAM生產，每月可新增約8萬片晶圓產能。據悉，目前三星的HBM3和HBM3E記憶體均基於1a奈米製程的DRAM，而HBM4則基於1c奈米製程，以形成對SK海力士的競爭優勢，1b奈米製程工藝產能主要由通用DRAM佔據，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會用於生產GDDR7。因此，對於三星電子而言其1b製程DRAM產能的盈利能力反而超過了受益於HBM高價格的1a製程，進而推動其產能從HBM熱潮到DRAM轉向。據瞭解，三星這次調整的背後是明確的利潤考量。三星內部評估顯示，儘管HBM產品單位售價高，但其議價能力弱。雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了輝達的HBM3E供應鏈，但其供應量仍然有限，且供給輝達這些大客戶的HBM3E價格也要比競爭對手低，這也導致了三星當前的HBM3E產品的利潤率只有約30%左右。此外，輝達、AMD等頭部廠商都計畫從明年開始將其主要產品的需求過渡到HBM4，這也將導致HBM3E市場需求減少。據預計，明年12層HBM3E產品的售價可能將再下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤率可能會進一步降低。而相比之下，在AI熱潮下，HBM搶佔標準DRAM產能，短期內DRAM擴產幅度有限等原因，導致基於1b奈米製程DRAM產能的通用DRAM產品供不應求、價格持續上漲。三星基於1b DRAM產能的DDR5等通用DRAM的利潤率將超過60%，遠高於HBM3E產品。因此，對於三星來說，降低HBM3E產能，擴大標準DRAM產出將更有利可圖。不僅如此，三星還將平澤和華城園區的部分NAND快閃記憶體產線改造為DRAM產線，聚焦資料中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X產品，以快速響應AI伺服器的旺盛需求。另一方面，三星為搶佔HBM4先機，也正在加緊提升1cnm DRAM的生產能力，計畫到2026年第二季度將產能提升至每月14萬片晶圓，到第四季度進一步提高到每月20萬片晶圓。據TrendForce報導，為實現這一目標，三星一方面通過現有的DRAM生產線過渡，另一方面通過平澤P4工廠的新投資來實現。不過最近也有傳聞表示，三星對於HBM4的投資偏於謹慎，可能也在考慮進一步削減投資。從整體而言，在這場產能佈局的調整中，三星展現出了果斷的決策力。通過這一系列舉措，旨在最佳化產能配置，提高生產效率，從而在激烈的市場競爭中佔據更有利的地位。正如業內知情人士透露：“三星致力於在明年取得優異的市場業績，其核心目標是實現比SK海力士更高的利潤，並在盈利能力方面實現趕超。因此，這也是三星計畫保持DRAM產量的高速增長，並計畫將大部分產能分配給利潤率較高的通用DRAM的原因所在。”SK海力士：通用DRAM需求激增，產能暴漲8倍與三星的戰略調整相呼應，SK海力士也在調整自己的產能佈局。據報導，為應對旺盛的DRAM需求，SK海力士計畫將DRAM產能投資目標翻了一番。不過不同的是，SK海力士的大部分DRAM產能的擴張仍是投資於HBM等資料中心產品的應用。SK海力士在其第三季度財報會上進一步強化了這一預期：“儘管通用DRAM的利潤率可能與HBM相近，但我們不會僅僅因為盈利能力的暫時性變化就立即調整產能結構。”可見，SK海力士擴產規劃與旨在通過擴大通用DRAM供給來提升獲利的三星電子存在差異，其更傾向於提高面向資料中心的DRAM產品需求來提升獲利，畢竟SK海力士在HBM領域的市場份額遙遙領先，並且2026年的HBM產能已銷售一空。對此，SK海力士M15X晶圓廠預計2025年底量產1b DRAM，初期月產能3.5萬片，主要用於HBM3E核心晶片生產，以鞏固其在HBM市場50%以上的份額優勢，未來預計可擴大至5.5萬-6萬片。業界估算SK海力士的HBM4利潤率約為60%。，其明年HBM銷售額約為40兆至42兆韓元。若維持與今年相同的利潤率，SK海力士僅HBM業務就將產生約25兆韓元營業利潤，較今年的17兆韓元增長近50%。不過值得注意的是，在加碼HBM產能的同時，SK海力士並未放緩通用DRAM的佈局。SK海力士的產能提升計畫重心主要集中在最先進的1c DRAM技術節點。據韓國媒體報導，SK海力士計畫明年將第六代10奈米DRAM（1c DRAM）月產能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達8至9倍，佔其DRAM總產能的三分之一以上。據業內人士透露，SK海力士已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該製程主要用於製造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產品。而此次擴產後的1c DRAM將主要聚焦於生產GDDR7和SOCAMM2等產品，以滿足輝達等大型科技公司的訂單需求。此前，SK海力士將產能重點放在HBM上，判斷HBM需求增長將超過通用DRAM。但隨著AI模型從學習擴展到推理領域，通用DRAM的需求增速預計將與HBM相當。在AI推理應用中，比HBM更節能、更經濟的先進通用DRAM成為主流選擇。輝達近期發佈的AI加速器Rubin CPX採用的是GDDR視訊記憶體而非HBM視訊記憶體，直接部署在處理器旁邊。輝達使用的面向AI伺服器和PC的記憶體模組標準的SOCAMM2記憶體模組同樣採用1c DRAM，與HBM相比頻寬較低但能效更高。Google、OpenAI和亞馬遜網路服務等大型科技公司也在開發整合大量通用DRAM的定製AI加速器。在此行業趨勢下，業內人士預測SK海力士將獲得一定數量的供應訂單。這一戰略調整反映出AI推理應用對成本效益更高的通用DRAM需求激增，SK海力士正將戰略重心從HBM擴展至更廣泛的AI記憶體市場。相比需要複雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產效率更高，能夠更快速響應市場需求的爆發式增長。綜合來看，在HBM和通用DRAM雙輪驅動下，業內人士預計，SK海力士明年設施投資額將輕鬆突破30兆韓元，較今年預計的25兆韓元大幅增長。市場預測該公司明年營業利潤有望超過70兆韓元，創下歷史新高。美光：多業務終止，聚焦高價值DRAM相較於韓國儲存雙雄，美光的戰略轉向顯得更加決絕。美光不僅選擇終止移動NAND產品開發、甚至不惜砍掉消費類業務品牌Crucial，計畫將這部分產能重新分配到毛利潤率更高的HBM/企業級DRAM和SSD產品上來，將未來所有產能和研發資源全力投向資料中心市場，以滿足AI領域日益增長的需求。這個看似簡單的品牌“停擺”決策，背後藏著一張利潤表的激烈博弈。據美光內部一份未公開的財務資料顯示，2025年上半年，資料中心儲存晶片的毛利率高達42%，而消費級儲存產品的毛利率僅為14%，前者的利潤是後者的3倍。對此，Crucial品牌營運負責人在內部會議上無奈表示：“我們不是放棄消費者，而是在資本的選擇裡，沒有太多餘地。”TrendForce集邦諮詢報告指出，美光目前正在新建多個工廠的產能。比如，在台灣的A5工廠，主要是擴大HBM堆疊能力，目前正計畫破土動工；美光在美國的ID1晶圓廠位於愛達荷州博伊西市美光研發中心附近，奠基儀式於2024年舉行，預計新晶圓廠將於2027年上半年開始生產晶圓；在美國的ID2晶圓廠的第二階段將在第一階段晶圓廠完工後開始建設，並比N.Y.Fab更早進入大規模生產；位於美國的N.Y.Fab目前仍處於準備階段，計畫於 2025 年底開始破土動工，預計將於2030年前進入量產階段；位於日本廣島工廠預計將於 2026 年開始建設，主要將用於HBM相關生產。值得注意的是，在愛達荷州的博伊西晶圓廠，美光把原本生產消費級儲存晶片的3條生產線，全部改成了生產HBM和資料中心用DRAM晶片的生產線。“我們跟輝達簽了一份為期3年的供貨協議，每年要給他們供應至少120萬顆HBM晶片，為了完成這個訂單，我們不得不調整產能。”美光首席執行長Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示。據路透社消息，在經過大規模的市場調查之後發現，今年10月，Google、亞馬遜、微軟和Meta也紛紛向美光提出了“無限期訂單”，他們告訴美光，無論價格如何，只要能交付多少，他們就會接收多少。這或許也能解釋，美光為何不惜砍掉自家的消費類品牌來增加資料中心/企業級的供給。美光科技首席商務官Sumit Sadana在接受採訪時表示，2026年DRAM記憶體供應形勢將比當前更為嚴峻。他指出，HBM產品對晶圓的消耗約為傳統DRAM的三倍，而主要廠商正將大量產能轉向HBM，疊加新建DRAM晶圓廠成本上升與周期延長，短期內難以實現大規模擴產。美光計畫於2026年小批次交付HBM4，有望提升其在該領域的市場份額，逐步接近整體DRAM市場的佔有率水平。今年6月，美光宣佈開始逐步停產DDR4，預計在未來6到9個月內出貨量將逐步下滑，直至最終徹底停產。這一動作清晰地展現出其對高端產品的傾斜與對未來趨勢的前瞻判斷。美光通過聚焦高價值儲存戰略，強化了其在高端儲存市場的優勢，也為未來發展積蓄了新的動能。不過，隨著智慧型手機、汽車等領域DRAM搭載量持續提升，美光正與客戶協商調整車用記憶體定價策略，並將適當延長DDR4記憶體生產以滿足市場需求。產能轉向背後，深層邏輯與三重驅動分析來看，儲存巨頭的產能轉向並非偶然，而是由利潤、需求和技術三重因素共同驅動的戰略調整，但其路徑選擇卻因各自市場地位與技術儲備的不同而呈現出顯著差異。利潤是最直接的驅動力： 三星的HBM3E因定價較競爭對手低約三成，且市場份額有限，營業利潤率僅為30%左右。相比之下，AI熱潮導致的供應緊張，使得基於1b奈米製程的通用DRAM（如DDR5）的預期利潤率超過60%。這一巨大的利潤差，直接驅動三星計畫將30%-40%的1a奈米HBM3E產能轉向通用DRAM；而SK海力士因其在HBM市場佔據絕對主導地位，其HBM業務利潤率高達約70%，因此其重心仍優先保障HBM，但也同時加速擴產1c DRAM，應對通用DRAM利潤率即將追平HBM的市場變化；美光則最為決絕，通過砍掉消費級品牌Crucial，將全部產能和資源重新分配給利潤率數倍於消費級產品的資料中心/HBM市場，規避低利潤陷阱。市場需求的變化同樣關鍵：在需求層面，AI應用從訓練向推理及邊緣側延伸，引發了對大容量、高性價比儲存的結構性變化。這不僅持續推高HBM需求，更催生了對GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆發性需求。例如，輝達新發佈的AI加速器也採用了基於通用DRAM的解決方案。面對Google、微軟等雲巨頭“無限期訂單”的強勁需求，巨頭們不得不重新評估產能分配。面對AI浪潮下的市場結構變革，三星聚焦AI伺服器亟需的大容量DDR5/LPDDR5X，搶抓通用DRAM短缺紅利；SK海力士兼顧AI訓練對HBM的剛需與AI推理對GDDR7等高效通用DRAM的新增需求，平衡短期訂單與長期趨勢；美光則響應輝達、Google等巨頭的“無限期訂單”，加碼資料中心儲存供給。技術與產能的適配性是戰略落地的基礎：HBM生產複雜、良率爬升慢，擠壓了通用DRAM的晶圓產能。因此，三巨頭的製程策略出現分化：三星以1b製程提升通用DRAM產能效率，同步押注更先進的1c奈米製程用於未來HBM4，以尋求技術超車；SK海力士則基於其領先優勢，選擇將更成熟、可快速擴產的1b奈米製程作為HBM3E/HBM4的產能基石，實現通用產品快速擴產，規避HBM複雜工藝的產能限制；美光通過產線改造與DDR4停產，集中資源攻克HBM4技術與高端DRAM領域，適配高端市場需求，三者均以製程升級實現產能最佳化與利潤最大化的雙重目標。同時，為快速響應市場，三星和SK海力士都在大幅擴建1c奈米通用DRAM產能，而新建工廠周期較長，普遍到2027年及以後才能達產，也迫使它們必須最佳化現有產能。儲存三巨頭，博弈與分野在這場儲存盛宴中，三星、SK海力士、美光三巨頭憑藉技術優勢、市場份額與產能規模，成為最大受益者，各自謀劃未來藍圖。三星電子、SK海力士和美光科技在DRAM領域的競爭呈現差異化特徵。三星正以規模優勢重塑其市場地位，計畫將每月1b奈米製程產能增加約8萬片晶圓。該公司計畫通過平澤Fab 4工廠的1c製程專用產線，在2026年將DRAM產能提升至每月15萬片。從市場份額來看，2025年Q1三星在全球DRAM市場的份額為34%，落後於SK海力士的36%。但三星憑藉其強大的技術實力和產能優勢，採用“通用DRAM保量、HBM4搶高端”的雙線策略，目標是在2026年實現DRAM營業利潤超越SK海力士，重新奪回全球DRAM市場份額第一的寶座。SK海力士則採取了不同策略，作為HBM市場的絕對龍頭，選擇聚焦高壁壘的HBM3E/HBM4產能擴張，短期以HBM3E保障輝達、Google等核心客戶的確定性需求，規避HBM4量產過早帶來的技術驗證風險；長期通過HBM4、HBM4E的技術迭代與產能擴張，維持市場龍頭地位並鎖定高端溢價。同時增加資料中心級DRAM供應，以1c製程擴產為核心抓手，既通過資料中心專用產品承接AI算力爆發需求，又靈活調整通用DRAM產出，把握價格上漲周期的盈利機遇，同時保障客戶供應鏈穩定。SK海力士在DRAM與HBM兩大賽道的佈局始終緊跟市場需求變化，形成核心業務穩固擴張、高端產品精準卡位的雙軌戰略。據報導，SK海力士2026年全系列儲存訂單基本已經售罄。在面對市場變化和競爭壓力時，美光的策略更加聚焦。在退出中國資料中心市場後，美光將資源集中於HBM4技術研發與DDR5產能建設，計畫在2026年將HBM產能增加四倍，並加速 1α 奈米製程的量產。同時主動縮減消費級DRAM品牌業務，將產能優先分配給蘋果、Google等高價客戶，這一舉措雖然在短期內可能會影響美光在消費市場的份額，但從長期來看，有助於美光提升整體利潤率。在技術研發上美光也不遺餘力，不斷提升HBM和DDR5的性能指標，以滿足高端市場對儲存性能的嚴格要求。儲存漲價潮持續，重塑產業鏈儲存巨頭的產能轉向正在對整個行業產生深遠影響。對消費電子市場的影響首當其衝。有業內人士表示，記憶體價格已經飆升到“幾乎負擔不起”的程度。這種局面大機率會貫穿整個2026年，可能要到2027年下半年才有所緩解。在供應鏈層面，儲存模組廠成為受影響最直接的一環，產品隨行就市，上游漲價，下游傳導。許多頭部模組廠已經決定暫停出貨並重新評估報價。能夠感受到，產業鏈重塑正在悄然發生。尤其是在AI浪潮帶來的超級周期下，儲存市場正從消費驅動向技術驅動轉型。隨著大模型訓練和推理對記憶體容量需求的激增，HBM和DDR5記憶體的緊缺可能進一步傳導至整個儲存產業鏈。市場預計這一供需失衡局面將持續到2027年，當新的產線陸續投入營運，儲存行業的格局也將隨之改變。不過，隨著輝達將AI晶片更新周期縮短至一年，儲存行業的這場技術軍備競賽，遠未到停歇之時。(半導體行業觀察)

“明年的成本預估看得人有點‘驚悚’。”近期，小米通訊技術有限公司產品行銷總監馬志宇的一句感嘆，道出了電子消費產業的被迫漲價，在深圳華強北，儲存現貨“一天一價”已成常態，焦慮情緒正沿著產業鏈迅速傳導。這不是一次簡單的年底旺季波動，而是一場由AI熱潮引發的“儲存超級周期”。當上游產能被AI算力虹吸，下游PC與手機廠商正面臨一場嚴峻的成本大考。漲價已成定局，但如何漲，則成了各家廠商博弈的藝術。終端漲價的“明線”與“暗線”對於消費者而言，電子產品價格的變化往往不會直白地反映在標籤上，而是更微妙地體現在優惠力度、規格組合乃至發佈節奏的調整中。作為對儲存成本最敏感的品類，PC行業最先感受到寒意。多家海外管道商透露，受記憶體（DRAM）和固態硬碟（SSD）成本飆升影響，部分筆記本和商用PC在今年底至明年初將進入新一輪價格調整周期。市場機構預估漲幅大致在10%—20%區間，其中受衝擊最明顯的是標配16GB及以上大記憶體的主流輕薄本與高配辦公本。而在競爭更為慘烈的智慧型手機市場，漲價則呈現出更隱性的姿態。“直接抬高發售價會挑戰消費者的心理底線，廠商更多會採取‘暗漲’策略。”一位資深手機管道商透露。近期，多款熱銷機型在保持官方售價不變的情況下，悄然收縮了上市初期的優惠折扣，或通過減少贈品等方式來避險BOM（物料清單）成本的上漲。這種“體感漲價”的背後，是儲存現貨價格的暴力跳升。行業監測資料顯示，自2024年下半年以來，DDR4、DDR5等主流儲存晶片的現貨價格普遍錄得50%甚至翻倍的漲幅；高端NAND Flash的漲勢同樣凌厲。華強北一位晶片分銷商直言：“現在是幾天一個價，不敢壓庫存，也不敢輕易接長單。”而這一輪價格暴漲的核心原因，在於AI資料中心、伺服器需求的擠佔，導致全球DRAM價格明顯上漲，供應量也出現大幅度短缺。AI算力引發的產能“排擠效應”與以往由手機、PC銷量驅動的傳統周期不同，這一輪漲價完全是由AI驅動的結構性緊缺引發。隨著大模型訓練、推理和雲算力業務的持續擴容，資料中心對高性能儲存（如HBM高頻寬記憶體、企業級DDR5）的需求呈現指數級攀升。這類產品不僅技術門檻高，對晶圓產能和封裝資源的消耗也顯著高於傳統DRAM。這帶來了殘酷的“產能排擠效應”。原廠將有限的先進製程優先“喂”給高利潤的AI相關產品；HBM與高端DDR5的產出佔比快速提升；消費電子常用的DDR4、LPDDR4/5等“普貨”產能被擠壓，供應被人為收緊。業內普遍認為，在高端儲存利潤遠超消費級產品的背景下，三星、SK海力士、美光等巨頭的產能傾斜將是長期戰略。儲存行業的價格話語權，已正式從過去的手機周期讓位給AI周期。庫存深度成為廠商抗壓分水嶺面對上游的驚濤駭浪，下游終端廠商的應對策略走到了分岔口。預警派以小米為代表。小米高管近期在公開場合坦言，新一輪BOM成本“漲得驚人”，並多次預警行業價格壓力。此舉既是為新品定價做預期管理，也折射出智慧型手機BOM結構中儲存佔比過高，廠商難以長期自我消化這部分激增的成本。囤糧派則以聯想為代表。聯想管理層在近期採訪中底氣較足，明確表示“庫存相對充足，短期內不會將壓力轉嫁給消費者”。聯想此前已經採取了積極的備貨策略，為應對記憶體短缺和漲價問題，聯想已將關鍵元器件庫存水平提升至比平常高出50%。同時，聯想還採用了包括合約、期貨、長期供應合同在內的多種方式，確保記憶體整體供應充足。分析人士指出，聯想的底氣源於其龐大的長期供應協議（LTA）與規模採購優勢，這使其在原材料上行周期中築起了一道價格護城河。對於聯想這樣的大廠而言，庫存能夠起到 “蓄水池” 的作用，平滑價格波動。“在記憶體降價的時候，聯想的價格不會降得那麼狠，相應的漲價時候也不會漲得那麼快”，一位大廠產品經理表示。相比之下，庫存深度有限、議價能力偏弱的二三線品牌則面臨生死考驗。隨著舊庫存逐步耗盡，它們將被迫跟進調價，甚至不得不推遲新品發佈或砍掉低端型號。供應鏈能力是新周期的生死線這輪漲價潮何時見頂？業內暫未看到明確拐點。多家權威機構預測，這種因AI需求導致的結構性失衡，在未來6—12個月內難以緩解，儲存價格的高位運行或將持續至2026年。值得注意的是，雖然上游原廠正在增加投入，但在“AI優先”的策略下，新增產能大多流向了昂貴的HBM產線，消費級儲存的供應瓶頸短期內難以打破。這也給市場帶來了新的變數。隨著國際巨頭逐步退出DDR4等成熟製程，國產儲存廠商正在加速填補這一真空。業內人士分析認為，未來能否靈活引入多元化供應鏈，將成為終端品牌控製成本的關鍵變數。在應對儲存供應與技術瓶頸的佈局中，聯想還邁出了戰略收購的關鍵一步。2025年12月，聯想集團將完成對高端儲存公司Infinidat的收購交割。此次收購意味著聯想補足了高端資料底座的自主掌控權，擺脫了在儲存業務上對外部技術合作的長期依賴。據悉，Infinidat成立於2011年，擁有超過170項專利，核心產品InfiniBox以獨特的軟體定義架構，在不完全依賴全快閃記憶體昂貴硬體的情況下，實現了高性能和99.99999%的可靠性。對Infinidat的收購，將讓聯想補齊ISG業務的最後一塊短板，建構起完整的儲存業務版圖。如深圳時創意電子董事長倪黃忠所言，本輪漲價本質上是儲存從AI的成本配件向“戰略物資”的角色轉型。他表示，當以存代算成為降本增效的核心路徑，整個儲存市場的邏輯已被徹底重構。這意味著，行業回歸正常供需尚需時日。對於終端廠商而言，過去比拚的是價格壓縮能力，而在新的周期下，將儲存當作戰略物資做好長期規劃，才是企業生存的根本。 (21世紀經濟報導)

對於PC DIY玩家而言，過去幾個月可能是近十年來最糟糕的時刻。DDR4和DDR5記憶體價格不斷飆升，固態硬碟在悄然跟漲，甚至顯示卡廠商也在密謀漲價，組裝電腦成本每天都在變得昂貴，一部分人選擇繼續等待，一部分人選擇降配省錢，也有一部分人無奈選擇高價買入。但更壞的消息已經出現，美光科技宣佈，將在2026年2月底前全面關閉旗下營運了29年的Crucial消費品牌業務，這個曾經在DIY市場上以物美價廉的原廠品牌，正式退出歷史舞台。這一決定並非突然。美光首席商務官Sumit Sadana直言不諱地指出；“AI驅動的資料中心增長引發了對儲存器的需求激增。美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業務，以改善對更大規模、戰略性客戶的供應和支援。”在三大原廠之一的美光看來，消費級記憶體和SSD處於自己產品組合中利潤率最低的一端，需要在高度波動、價格競爭激烈的市場中掙扎。相比之下，資料中心和企業級產品能鎖定長期合同、更高的平均售價和更可預測的需求。除此之外，目前AI基礎設施對儲存晶圓的需求早已達到了前所未有的程度，這意味著每一片分配給消費產品的晶圓，都會造成超大規模資料中心客戶或企業合同的交付延誤。而即便是縮減規模的消費業務，仍需要最低限度的供應鏈支援，包括產品開發、韌體驗證、合規測試、銷售團隊、零售關係和全球保修營運，這些固定成本在產量縮減時幾乎不會下降。不止是美光，三星和海力士也是如此，對於這些巨頭來說，完全關閉消費業務、釋放產能和研發資源用於HBM4/HBM4E、企業級固態硬碟和高密度伺服器記憶體模組，似乎就是最理智的戰略選擇。美光，打響HBM突圍戰在宣佈退出消費市場的同時，美光正在日本西部籌劃一場規模空前的產業佈局。據知情人士透露，美光將投資1.5萬億日元（約96億美元）在廣島東廣島市建設下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片生產廠。這座新工廠計畫於2026年5月開工建設，目標是在2028年左右開始出貨HBM晶片。日本經濟產業省將為該項目提供高達5000億日元的補貼。這將是美光自2019年以來建設的首座新工廠，也被定位為世界上最先進的HBM晶片生產基地之一。時機的選擇耐人尋味。今年5月，美光已在廣島工廠首次引入極紫外光刻（EUV）系統用於大規模生產——這是生產先進晶片所需的最昂貴製造裝置。而隨著美中對抗加劇以及台灣地緣政治風險上升，美光此前集中在台灣的先進HBM晶片生產正面臨供應鏈多元化的壓力。日本新廠的建設，不僅能為美光確保關鍵的HBM產能，也使日本能夠在國內獲得AI晶片的核心元件供應。這座工廠預計將幫助美光追趕在HBM技術領域保持領先的韓國SK海力士。然而，美光在HBM競賽中的處境依然嚴峻。根據JPMorgan資料，2024年SK海力士佔據55%的HBM市場份額，三星佔40%，而美光僅有5%。匯豐銀行的資料顯示，美光每月晶圓級HBM晶片產能約5.5萬片，僅為三星（15萬片）和SK海力士（16萬片）的三分之一。更糟糕的是，韓媒報導稱美光的HBM4產品難以滿足輝達嚴苛的性能和能源效率要求，可能迫使公司重新設計晶片架構。如果屬實，這將導致量產計畫延遲長達9個月，HBM4上市時間推遲到2026年，並使其無法按時完成輝達訂單。業內人士指出："美光目前甚至難以滿足輝達的訂單量，在結構上根本無法同時滿足GoogleASIC客戶的大規模需求。"這也解釋了為何在GoogleTPU供應鏈中，美光實際上已經退出——產能限制使其無法同時服務多個大客戶，最終韓國企業在規模經濟競爭中佔據了上風。此次關閉 Crucial 品牌、在日本大手筆擴產，是美光為扭轉其在 HBM 競爭中產能落後局面改採取的關鍵舉措。消費級業務的收縮，意味著更多資本、裝置與技術人力可以投入到 HBM 這條高增長賽道。顯而易見，這一決策展現了美光對下一階段競爭格局的清晰判斷。SK海力士，從逆襲到壟斷SK海力士的HBM之路是一部逆襲史。在2016年的Hot Chips研討會上，當美光工程師尖銳批評HBM、力推混合記憶體立方體（HMC）時，SK海力士的演講者只是低調介紹HBM3計畫，並暗諷“即使是小玩家也能從大玩家手中搶走糖果”。那時很少有人能想像，這個在HBM2市場遭遇挫折、內部士氣低落的公司，會在幾年後佔據全球HBM市場62%的份額。轉折點是HBM2E，SK海力士認識到HBM需要與傳統DRAM完全不同的開發方法——必須嚴格遵守客戶時間表和規格，否則什麼也賣不出去。公司組建了跨職能任務小組，高層強調組織敏捷性和跨團隊協調，並在封裝技術上做出關鍵改變——從熱壓縮非導電膜轉向批次回流模塑底部填充，顯著提升了工藝效率和散熱性能。另一個優勢是定製化能力。雖然HBM遵循JEDEC標準，但每個客戶都有獨特要求。SK海力士堅持“客戶永遠是對的”原則，根據需求調整設計。在即將到來的 HBM4 競爭中，海力士同樣將“定製化”視為制勝的關鍵方向。日前，SK 海力士發佈了“全端式 AI 記憶體創造者（full-stack AI memory creator）”願景，以應對這一市場變化。其意圖不僅是提供標準化記憶體產品，而是從 AI 半導體的設計階段就與客戶協同，共同打造“定製化產品”，並提升整體結果。本月 5 日，SK 海力士開放了新一批社招崗位，面向“定製記憶體設計（custom memory design）”領域招募專家。崗位將開放到 15 日，涉及HBM電路設計、物理設計和數字設計。尤其是在“客戶定製化產品”相關的數字設計體系方面，SK 海力士重點招募擁有 RTL 設計、前端和後端經驗的資深工程師。在招聘公告中，SK 海力士表示，HBM 數字設計體系的職責包括“與客戶溝通需求、編寫詳細規格”，並補充說明“團隊將在客戶需求基礎上開展 RTL 設計，並與相關部門共同定義 IP（智慧財產權模組）的行為規範”。除了數字設計體系，SK 海力士在其他社招崗位中也強調“客戶定製能力”。例如，HBM 電路設計體系被定義為“與全球頂尖 AI 客戶協作，主導 HBM 技術的組織”；而物理設計體系則“基於代工廠工藝設計套件（PDK）和 EDA 工具，負責實現全定製設計”。值得關注的是，在12月4日發佈的“2026 年組織架構調整與高管任命”中，SK 海力士同樣將重點放在擴大定製記憶體業務上。公司為定製（Tailored）HBM 封裝新設立了良率與質量專責組織，稱這是“為及時應對定製化記憶體市場擴張而做出的調整”。同時，公司也將加強與正在自研 AI 晶片的全球科技巨頭的接觸。SK 海力士計畫在美洲設立 HBM 技術專責組織，以便為客戶提供更及時的技術支援。此外，還將組建“全球基礎設施”組織，加強全球製造競爭力，包括在美國印第安納州建設先進封裝工廠。在美國、中國、日本等關鍵地區，公司將設立“全球 AI 研究中心”，以吸引人才並強化系統研究能力，同時新設“Intelligence Hub”這一以客戶為中心的矩陣式組織，將客戶、技術和市場資訊整合到一個 AI 系統中，為客戶提供“超預期價值”。SK 海力士所瞄準的“定製化記憶體”已經在行業中逐步顯現。一個典型案例是輝達最近公佈、目標於 2026 年量產的下一代 AI 半導體平台 Rubin。該平台採用 HBM4（第 6 代）作為 GPU 記憶體，CPU 採用 LPDDR5X（低功耗 DRAM），而面向推理最佳化的加速器 CPX 則搭載 GDDR7（圖形 DRAM）。一位半導體行業人士指出：“傳統那種把 DRAM 和 NAND 統一掛在 CPU 上的記憶體架構正在瓦解，行業正轉向‘按功能最佳化的記憶體架構’。能否掌握與之匹配的設計與製造能力，正在成為未來競爭力的關鍵分水嶺。”此外，還值得關注的是SK海力士2026年的擴張策略。韓媒報導稱，SK海力士明年除積極擴產HBM外，也將全力擴充通用DRAM產能。HBM新增產能主要集中在本季度竣工投產的清州M15X晶圓廠，而通用DRAM新產能將來自清州M8、利川M10、M14、M16等現有晶圓廠。其預計，SK海力士的通用DRAM產能將在2026年擴大至每月7萬片晶圓，但實際上有望通過進一步擴產提前達到月投片量10萬的2027年目標。韓媒還爆料稱，SK海力士與輝達談判中佔據上風，成功將HBM4價格上調超過50%，單價約500美元以上，預期明年營業利潤可能突破70萬億韓元。雖然SK海力士回應稱此為“不實消息”，但市場普遍認為HBM4毛利率約達60%，若維持今年水準，HBM業務明年將創造約25萬億韓元營業利潤。對於已在市場中佔據領先地位的海力士而言，強化定製化與持續擴產是一套穩健可靠的雙線策略：一方面通過深度定製鎖定客戶，另一方面以更大的產能承接需求，整體競爭態勢幾乎立於不敗。三星，絕地翻盤對三星電子而言，2024 年第二季度無疑是災難性的。Counterpoint Research 資料顯示，其 HBM 市場份額從去年第四季度的 40% 暴跌至 15%，不僅落後於 SK 海力士（64%），甚至被美光（21%）反超，跌至行業第三。然而，Google TPU 生態系統的擴張為三星提供了強勁的反擊窗口。TPU 是Google與博通合作打造的 AI 加速晶片，每顆晶片整合 6 至 8 顆 HBM。目前，三星和 SK 海力士是Google TPU 的核心 HBM 供應商，今年雙方大致平分了Google的供應份額，甚至部分月份三星略佔優勢。韓國券商分析師預測：“Google第七代 TPU 將在今年採用 HBM3E，明年第八代產品將升級至 HBM4。三星明年對Google的供應量將是今年的兩倍以上。”分析人士普遍認為，隨著三星產能快速擴張，明年的競爭格局很可能發生逆轉。事實上，三星近期實現的反超已經開始顯現。根據來自韓國業內的最新消息，三星電子的 HBM 月產能已提升至 17 萬片（按晶圓投入計），超過 SK 海力士的 16 萬片，重新奪回行業第一的位置。分析認為，這一成績來自三星去年下半年以來持續推進的“刮骨式改革”——包括大規模將通用 DRAM 產線轉換為 HBM 產線、集中攻克良率瓶頸，以及研發體系的全面調整。三星電子在領導層層面也同步推進激進改革。11 月 27 日有消息人士透露，三星召開高管會議，正式確認 DS（半導體）部門的組織重組：原 HBM 開發團隊被併入 DRAM 開發實驗室的設計團隊，由副總裁孫英洙出任負責人。這次重組正是副會長全英賢（Jeon Young-hyun）去年 7 月上任後強力推動 HBM 戰略的延續。事實上，全英賢上任僅兩個月便成立了 HBM 開發團隊，並將先進封裝（AVP）業務團隊調整為直屬管理架構。在新的組織體系下，三星計畫加速下一代 HBM4／HBM4E 的開發。目前，三星已向客戶交付 HBM4 樣品，預計近期將通過關鍵的質量認證。同時，三星在向Google TPU大規模供應 HBM 方面也獲得突破性進展。業內人士指出：“三星加強與輝達、AMD、OpenAI 等全球科技巨頭的合作後，已經獲得一定程度的 HBM4 相關技術驗證，因此將原應急性質的團隊併入常規組織，以提高效率並準備在明年全面擴大市佔率。”在組織重整之外，三星真正的底氣依舊在於產能、規模與 IDM 綜合能力。匯豐銀行資料顯示，截至今年底，三星 HBM 月產能約為 15 萬片，並預計在 2027 年提升到 19 萬片。根據韓國業內最新資料，這一數字已提前增長至 17 萬片。三星正在加速將平澤園區的部分 DRAM 產線（P3、P4）轉換為用於生產 1c（10nm 級、第六代）DRAM 的 HBM 產線，也已經著手推動平澤 P5 廠房建設，以應對新一輪儲存超級週期。隨著定製化 HBM 時代全面來臨，三星的 IDM 一體化優勢將被進一步放大。SK 海力士選擇與台積電組建 One Team 聯盟，利用台積電邏輯工藝生產關鍵 base die，以突破瓶頸；而三星則亮出其王牌——從設計、DRAM、邏輯、到封裝全部自研自造的 turnkey（交鑰匙）模式，依託自家代工工藝生產 HBM 的邏輯層，以在效率、時程與成本上形成整體優勢。HBM 的利潤空間也讓競爭更加激烈。由於 HBM 單價是傳統 DRAM 的 3 至 5 倍，其在 DRAM 總收入中的佔比今年將從去年的 8% 躍升至超過 20%。隨著三星重新奪回 HBM 產能第一的位置，並持續搶佔市場份額，其營業利潤率預計將明顯改善。尤其在全球大型科技公司（如Google、亞馬遜、Meta）加速開發自有 AI 加速器、並提出多樣化的定製化 HBM4E 需求時，三星憑藉其快速響應能力、設計整合能力和自有代工工藝，正在掌握越來越多的主動權。據悉，三星已完成 HBM4 的開發，並在展會上首次公開展示實物，預計將在 2025 年第四季度上市。量產計畫基於 10nm 級 1c DRAM 工藝，目標是在速度與能效上取得領先。作為 HBM4 量產關鍵的邏輯層良率已提升至 90%，DRAM 堆疊單元良率也突破量產門檻。相比美光與 SK 海力士，三星的體量既是負擔也是底牌：規模龐大導致動作不夠靈活，卻也為其提供了更強的資源調度與技術整合能力。而隨著 AI 巨頭加速自研加速器、對定製化 HBM 的需求激增，擁有全端 IDM 能力的三星，反而具備了在下一輪競爭中掀起格局重排的潛力。結語美光砍掉29年消費品牌豪擲96億美元，SK海力士大刀闊斧重組押注定製化，三星憑藉GoogleTPU訂單完成絕地反擊——儲存產業正經歷一場空前的戰略分化。這場變局的本質，是AI時代對儲存技術範式的徹底重構。HBM已不僅是一款產品，更像征著產業邏輯的全面轉向：從規模化量產轉向精準定製，從價格血戰轉向技術壁壘，從多元供應轉向戰略深度繫結。在這場轉型中，消費市場淪為配角，傳統DRAM價格暴漲，PC供應鏈承壓——這些都是AI基礎設施狂吸儲存資源的連鎖反應。而那些在HBM賽道掉隊、產能捉襟見肘的玩家，都將面臨被邊緣化的宿命。可以說，儲存行業的遊戲規則已被徹底改寫。群雄逐鹿，鹿死誰手，一切尚未可知。 (半導體行業觀察)

近期，在AI浪潮席捲、汽車電子滲透率飆升，儲存市場引領趨勢下，半導體行業正迎來需求與技術雙輪驅動的發展熱潮。根據SEMI最新預測，2025年全球半導體產能將實現15%的同比增幅，創下歷史新高。在此背景下，從晶圓製造到先進封裝，從AI晶片到儲存器市場，半導體大廠相繼釋放明確的擴產訊號，新一輪產能佈局的帷幕已然拉開。全球半導體巨頭擴產圖景SK海力士：AI超級周期的最大贏家在全球AI記憶體需求爆發的推動下，儲存晶片巨頭SK海力士啟動大規模產能擴張，以“雙線並進”為核心戰略：在鞏固高附加值HBM市場絕對領先優勢的同時，積極擴充包括1c DRAM在內的通用型DRAM產能，形成“高端突破+通用補位”的戰略佈局。作為第六代10奈米DRAM（1c DRAM）的核心玩家，SK海力士計畫大幅提升該尖端通用DRAM產能。據韓國經濟日報報導，其1c DRAM月產能將從當前約2萬片300mm晶圓，於2026年提升至16-19萬片，增幅達8-9倍，屆時該產能將佔其DRAM總產能的三分之一以上。韓國利川工廠是此次擴產的核心引擎，通過現有產線工藝升級，該工廠1c DRAM月產量將先實現從2萬片到14萬片的增幅，部分業內人士透露實際產能或向17萬片衝刺。擴產的1c DRAM將重點用於生產GDDR7圖形記憶體模組和低功耗SOCAMM2記憶體模組，直接對接輝達、AMD等科技巨頭及雲服務提供商的訂單需求。在HBM領域，SK海力士已佔據全球超過60%的市場份額，幾乎壟斷輝達的HBM訂單。為延續優勢，SK海力士針對輝達HBM4的產能擴張正穩步推進，其位於韓國忠清北道清州園區的M15X工廠將於2025年四季度投產，配備1b DRAM生產線，月均進料量為6萬片晶圓，主要用於生產HBM4核心晶片。目前，SK海力士HBM4已實現漲價超50%，單顆價格突破500美元，且2026年產能已全部售罄，預計將搭載於輝達2025年下半年發佈的Rubin晶片。另一方面，受HBM產能擠壓，全球標準型DRAM供應持續短缺，波及PC、筆記型電腦、智慧型手機及通用伺服器市場。對此，SK海力士計畫2026年標準型DRAM供應量較2025年增加超過一成：一是提升M16晶圓廠產能利用率；二是對M15晶圓廠進行產線轉換，將部分代工業務或CMOS圖像感測器生產線，重新配置為DRAM生產線。SK海力士明確表示，儘管HBM增長迅猛，但標準型DRAM市場規模遠大於HBM，在鞏固AI記憶體領先地位的同時，滿足標準型DRAM需求是公司戰略重心之一，需要通過最佳化現有資產來保障供應，防止因過度傾向HBM而導致傳統市場出現供應缺口。這也是其爭奪DRAM全球市佔率第一的關鍵支撐。大規模擴產背後是密集的資本投入，SK海力士通過最佳化現有基地、佈局新叢集，為產能釋放提供保障，2025年設施投資額預計約25兆韓元，2026年將輕鬆超過30兆韓元。除利川工廠1c DRAM產線升級外，清州M15X工廠作為HBM產能核心載體已啟動1b DRAM試驗生產線，計畫四季度舉行落成典禮，初始月產量目標1萬片晶圓，逐步提升至6萬片。同時，SK海力士將利川、清州工廠的有限生產裝置向新叢集遷移，最大化現有基地產能效率。此外，作為規劃至2050年的長期項目，龍仁半導體叢集是SK海力士未來產能擴張的核心支點。該叢集近期獲得龍仁特別市規劃調整，SK海力士用地（A15）容積率從350%上調至490%，建築物最高高度從120米放寬至150米，使得潔淨室面積較原計畫擴大50%。根據規劃，SK海力士將在該叢集建設4座晶圓廠，單座規模與清州M15X工廠的6座晶圓廠相當。據此估算，4座晶圓廠全部完工後總投資至少達480兆韓元，而SK會長崔泰元透露，該叢集總體投資預計將達約600兆韓元，差異主要源於長期規劃中的物價上漲及開發成本增加因素。目前，龍仁首座工廠於2025年動工，預計於2027年投產。總結來說，SK海力士的擴產計畫展現了一家行業龍頭在技術十字路口的精準判斷，以利潤豐厚的HBM為矛，積極搶佔AI時代的技術制高點；同時以規模龐大的通用DRAM為盾，確保基本盤的穩定與增長。據瞭解，SK海力士已在2025年一季度以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一，終結三星四十多年的壟斷地位。此次擴產將進一步鞏固其優勢，同時在HBM領域通過技術壁壘築牢盈利護城河。三星：儲存晶片加碼對決，2nm代工破局突圍面對SK海力士的強勁攻勢，三星電子正以更大規模的擴產計畫發起反擊，同步推進儲存晶片與先進製程代工兩大領域的激進擴產：一方面以1c DRAM為核心衝刺高階儲存產能，重啟關鍵工廠並佈局長期生產基地，力圖穩固DRAM市場主導權；另一方面加速2nm代工產能落地，斬獲多家客戶訂單，打破台積電在先進製程領域的壟斷格局。在儲存晶片領域，三星主攻高階，1c DRAM成其產能競賽核心。據悉，面對AI伺服器對高頻寬、低功耗記憶體的爆發性需求，三星將第六代10奈米級DRAM作為擴產核心，同步配套HBM產能升級與工廠佈局最佳化，形成短期產能釋放+中長期基地建設的雙線策略。為奪回並鞏固DRAM市場領導地位，三星敲定明確的1c DRAM擴產時間表，規模創公司歷史紀錄。據TrendForce報導，三星採用“三步走”分階段推進策略：2025年第四季度先實現月產6萬片；2026年第二季度再新增8萬片；2026年第四季度追加6萬片，最終於2026年底達成月產20萬片的目標。這一產能規模極具衝擊力，當前三星整體DRAM月產能約65-70萬片，20萬片的1c DRAM產能將佔其總產能的三分之一左右，不僅遠超2022年半導體繁榮期13萬片的DRAM擴產力度，更與競爭對手SK海力士形成直接對壘。據悉，目前其1c DRAM良率已從早期的不足30%大幅提升至50%-70%，並正向80%-90%的目標邁進。三星計畫通過兩大路徑保障產能落地：一是對現有DRAM生產線進行工藝轉換，快速釋放部分產能；二是追加對平澤第4工廠（P4）的投資，其4條生產線中3條已投入營運或即將投產，未來將專門負責1c DRAM與HBM4的量產工作。在HBM領域，三星已憑藉HBM3E出貨量激增實現市場反彈。據CFM資料統計，2025年第三季度三星HBM位單元出貨量環比激增85%，核心得益於向NVIDIA交付第五代HBM3E，這也成為其當季DRAM銷售額環比增長29.6%、重回全球市場第一（份額34.8%）的關鍵推手。近期，三星還重組了記憶體業務部門，將HBM團隊重新整合進DRAM設計部門，以加速HBM4及更下一代產品的開發，這顯示了其技術路線的信心。同時，為夯實中長期競爭力，三星近期重啟了擱置兩年的京畿道平澤工廠第二園區5號線（P5）項目，該項目耗資超60兆韓元，計畫2028年投產，將成為同時生產下一代HBM與1c DRAM的混合型工廠，未來還可能根據市場情況搭建晶圓代工生產線。從更長遠規劃來看，三星正推動平澤第一園區（P1-P4）與第二園區（P5-P6）整合，打造總面積達87萬坪的全球最大半導體生產據點。此外，三星還計畫投資360兆韓元，在龍仁半導體國家產業園區叢集建設6座晶圓廠，2031年前全部完工，首期1號晶圓廠將於2026年底前開工、2030年投產，全部完工後三星將擁有12座營運中的晶圓廠。另一邊，在先進製程晶圓代工領域，三星借台積電產能滿載的窗口期加速突圍，2nm工藝成為其攻堅核心，目前已實現客戶突破與產能初步佈局。據韓國媒體報導，由於台積電2nm產能緊張，多家中國挖礦晶片企業已將訂單轉向三星，兩家企業每月晶圓交付量約為2000片12吋晶圓，佔三星2nm總產能的10%。以每片晶圓約2萬美元計算，這一訂單預計為三星帶來年銷售額4.8億美元，約佔其2024年晶圓代工營收的4%。除挖礦晶片企業外，三星2nm客戶已覆蓋多元領域，包括自身繫統LSI部門及汽車巨頭特斯拉，而台積電的2nm客戶則聚焦蘋果、高通、AMD等傳統頭部廠商，兩者客戶結構形成差異化競爭。產能方面，三星計畫到2026年底將2nm月產能提升至約2.1萬片，較2024年底的目標增長約163%。三星將2nm代工產能佈局納入母公司未來五年韓國450兆韓元投資計畫，依託平澤工廠產能拓展實現落地，與儲存晶片擴產形成協同效應，凸顯其“儲存+代工”雙輪驅動的戰略意圖。此次擴產的背後，是三星對強烈市場需求和內部戰略的取捨。AI需求驅動：生成式AI爆發導致高性能DRAM和HBM供不應求，為三星擴產提供了明確的市場訊號；利潤導向的內部決策：一個值得關注的動態是，三星記憶體部門為確保利潤最大化，已拒絕為自家手機部門提供長期固定價格的DRAM供應。這凸顯了在AI需求旺盛的背景下，三星優先將先進產能和高利潤產品導向外部的戰略選擇。總而言之，三星的擴產計畫是一場多戰線、高技術難度的全面競賽。在記憶體領域，以1c DRAM為槓桿，試圖在HBM4技術上實現後發先至；代工領域則通過繫結大客戶、加速美國本土產能落地來追趕台積電。不過，其成敗關鍵在於1c DRAM和HBM4的良率能否穩定提升至商業成功水平，以及2nm製程能否如期獲得更多頂級客戶訂單。美光：新建HBM專用產線，突破韓系壟斷格局在全球AI驅動的HBM需求爆發期，美光科技近期也正加速產能擴張，核心聚焦日本廣島HBM專屬工廠建設，同步推進先進DRAM工藝落地，意圖突破韓系廠商在HBM市場的壟斷格局，搶佔AI儲存供應鏈核心位置。據日經新聞消息，美光近期宣佈投資約96億美元在廣島現有廠區內新建一座專用HBM生產設施，旨在應對全球HBM供需失衡、提升市場份額。從推進節奏來看，新工廠預計於2026年5月啟動施工，2028年左右實現量產出貨。工廠達產後預計將實現月產10萬片12英吋晶圓，主要聚焦HBM3E及下一代HBM4系列產品生產，預計將貢獻全球HBM產能的15%左右。政策支援上，日本經濟產業省預計為該項目提供高達5000億日元的專項補貼，覆蓋項目初期投資的27%，不過目前美光與日本經濟產業省均未正式證實補貼細節。美光在日本廣島的擴產並非孤立佈局，而是依託既有產能升級與技術突破形成協同效應，為HBM擴產提供支撐。早在去年，美光已宣佈在廣島同一園區引入基於EUV工藝的DRAM生產線，項目投入5000億日元自有資金，並獲得日本政府近2000億日元補貼。技術落地層面，今年5月，該產線首批採用1γ工藝生產的LPDDR5X產品已進入樣品測試階段。1γ工藝作為美光先進DRAM核心技術，採用EUV光刻工藝，相比前代實現速度提升15%、功耗降低20%，不僅支撐LPDDR5X量產，更為HBM產品的良率提升與成本控制奠定基礎。目前美光HBM3E產品已採用相關技術，良率已提升至60%以上，與行業龍頭SK海力士的差距逐漸縮小，並已批次供應輝達H200、GB300及AMD MI350等高端AI晶片平台。在技術迭代方面，美光正加速推進HBM4研發，重點攻克混合鍵合工藝與高堆疊層數技術，計畫2026年推出HBM4樣品，2027年實現量產，與日本HBM工廠2028年出貨的節奏形成銜接，確保產能釋放後可直接對接下一代AI晶片需求。總而言之，美光在日本廣島的96億美元投資，是其面對AI記憶體超級周期的一場關鍵戰略押注。這不僅關乎其自身能否在HBM市場更進一步，也是觀察全球半導體供應鏈如何在技術競賽與地緣政治雙重影響下重構的一個重要案例。值得注意的是，美光擴產也為行業釋放明確訊號：HBM已進入“技術研發+產能規模+供應鏈協同”的系統競爭階段，具備全鏈條能力的企業將在AI儲存賽道佔據主導地位。而對國記憶體儲產業而言，美光與日本的“企業技術+政府支援+產業鏈協同”模式，也為國記憶體儲企業突破HBM核心技術、實現國產替代提供了可借鑑的路徑。台積電：3nm/2nm攻堅+CoWoS加碼受AI晶片需求激增驅動，台積電正加速先進製程與先進封裝產能擴充，核心聚焦3nm、2nm及CoWoS三大領域，同步推進全球產能佈局，以應對客戶訂單缺口。因輝達、AMD、特斯拉等客戶爭搶產能，台積電3nm供應短缺，已啟動緊急擴產。據摩根士丹利報告預估，2025年底前3nm月產能將額外擴增2萬片，達11-12萬片；2026年將進一步提升至14-15萬片，新增產能主要來自美國亞利桑那州二期廠房（約2萬片/月）及台灣現有4、5nm產線轉換（約1萬片/月）。不過擴產受無塵室空間限制，部分區域已轉用於2nm製程，只能依賴現有廠區挖潛。目前台積電正為特斯拉AI5晶片提供3nm製程設計與生產服務，3nm產能利用率已達100%。與此同時，台積電2nm製程已於2025年下半年啟動量產，需求遠超預期。台積電計畫將2nm晶圓廠數量從7座擴充至10座，新增3座落地台南市南部科學園區，與新竹（2座）、高雄（5座）現有工廠形成互補，總投資預估9000億新台幣，最早2026年動工，建成後月產能將超10萬片。預計2026年底2nm月產能將從當前4萬片提升至8-9萬片，2028年達產能峰值。蘋果已鎖定其A20/A20 Pro晶片超半數初始供貨量，特斯拉未來AI6晶片也將採用2nm製程，預計年貢獻約20億美元代工收入。針對AI晶片封裝需求，台積電重啟CoWoS產能加速擴充計畫，2026年月產量預計將從目前的7萬片提升至12萬片以上，新增產能主要來自友達光電原AP8工廠改造。目前台積電已將2025年CoWoS產能提升至兩年前的三倍，嘉義AP7先進封裝樞紐正穩步建設，美國亞利桑那工廠附近兩座先進封裝廠也將於2026年上半年動工，2028年底實現SoIC和CoWoS生產。擴產背後，台積電大幅提升其資本支出，2025年資本支出區間為400-420億美元，70%用於先進製程。摩根士丹利預測，台積電2026年資本支出將升至480-500億美元，70%-80%投向2nm、A16等先進製程，剩餘資金用於先進封裝。台積電在台灣、美國加速擴產，日本、德國工廠進展相對緩慢，全球範圍內同步建設10座工廠，以匹配未來五年穩定的客戶訂單需求。總而言之，台積電的擴產是一場圍繞製程領先、封裝協同和全球佈局的全面競賽。其目標不僅是滿足當前訂單，更是為了構築一道涵蓋技術、產能、供應鏈的綜合性壁壘，以鎖定未來AI時代最核心的製造主導權。格羅方德：歐洲半導體主權的守護者面對全球半導體供應鏈重構及歐洲本土晶片需求激增，格羅方德（GlobalFoundries）近期敲定核心擴產計畫——聚焦德國德累斯頓工廠啟動“SPRINT”擴建項目，以強化歐洲半導體製造能力，搶佔差異化技術賽道。該計畫已獲德國政府高度認可，且有望納入《歐洲晶片法案》支援框架，成為歐洲提升供應鏈韌性的關鍵落子。格羅方德宣佈，計畫投資11億歐元擴大德國德累斯頓工廠產能。該擴建計畫分階段推進，第一階段預計2028年完成，屆時工廠年產能將提升10%，達到每年110萬片晶圓，遠超初期每年超100萬片的目標，使其成為歐洲同類晶片工廠中規模最大的製造基地。作為項目核心，德累斯頓工廠將同步進行設施升級，重點搭建端到端的歐洲本地流程與資料流體系，以滿足汽車、國防等關鍵領域對半導體的安全要求。格羅方德歐洲晶圓廠總經理Manfred Horstmann博士明確表示，此次擴產不僅是為滿足短期需求，更核心是保障歐洲工業基礎的未來競爭力，確保本地獲得關鍵晶片技術。據悉，該擴產計畫深度契合歐洲半導體戰略，已獲得德國聯邦政府與薩克森州的明確支援，預計今年晚些時候將通過歐盟審批，納入《歐洲晶片法案》補貼框架。此次擴產背後，是格羅方德針對市場需求與戰略佈局的雙重考量。從客戶需求來看，全球晶片供應鏈脆弱性日益凸顯，尤其是汽車行業多次因晶片短缺陷入動盪，歐洲主要客戶對供應鏈多元化的訴求持續升級。格羅方德CEO Tim Breen表示，客戶明確“需要非中國大陸、非台灣的供應管道”以降低地緣政治風險，這一需求自新冠疫情期間晶片短缺後愈發強烈。從行業趨勢來看，各行各業都正加速向人工智慧轉型，對低功耗、嵌入式安全記憶體、無線連接等差異化技術晶片需求激增。格羅方德此次新增產能將重點聚焦這些領域，同時為下一代計算架構及量子技術創新提供支撐，鞏固其在定製晶片領域的優勢。此外，歐洲當前全球先進晶片生產市場份額僅8.1%，遠低於其2030年20%的目標，格羅方德的擴產也被視為助力歐洲填補產能缺口的關鍵舉措。總體來看，格羅方德此次擴產，既是對歐洲晶片本土化需求的精準響應，也是其依託政策紅利、深耕差異化賽道的戰略佈局。隨著項目推進，不僅將提升格羅方德在歐洲市場的影響力，更有望推動歐洲半導體供應鏈韌性提升，為全球晶片供應鏈區域化重構注入新動力。日月光加碼先進封測，搶攻AI時代商機近日，全球封測龍頭日月光投資控股也正加速擴產。日月光全資子公司日月光半導體董事會正式通過兩項重大擴產決議，分別聚焦桃園中壢與高雄楠梓兩大基地，通過產權收購與合建開發雙模式擴充產能，凸顯公司搶佔全球先進封裝市場的戰略決心。此次擴產基於雙基地同步發力，圍繞“北整合、南新建”思路展開，兩項決議均與關係企業宏璟建設合作，既保障擴產效率，又最佳化資金配置。一方面，日月光半導體以新台幣42.31億元，向宏璟建設購入桃園市中壢區第二園區新建廠房72.15%的產權。該廠房為雙方此前合建項目，日月光原本已持有27.85%產權，此次收購後將實現100%控股。日月光強調，中壢基地是其北台灣先進封裝與測試的核心據點，此次產權整合將為高階CoWoS封裝測試支援、AI客戶導線、SiP封裝等產能佈局提供關鍵支撐，有效緩解當前先進封裝產能緊張的局面。另一方面，日月光與宏璟建設採用“合建分屋”模式，合作開發高雄楠梓科技產業園區第三園區第一期項目。項目建成後將匯入先進封裝測試裝置，打造南台灣新一波高階封裝基地。日月光指出，楠梓第三園區將成為其南台灣封測戰略的重要樞紐，助力完善AI、高性能計算及車用半導體的封測全流程佈局，與中壢基地形成南北協同效應。此次密集擴產背後，是AI產業爆發帶來的先進封裝需求井噴。日月光明確表示，擴產核心目的是應對AI帶動的晶片應用增長，以及客戶對先進封裝測試產能的迫切需求。供應鏈業者透露，日月光10月剛宣佈高雄K18B廠動土，短短一個月再推兩項擴產案，側面印證AI與HPC領域的長期需求趨勢，且CoWoS等先進封裝訂單能見度已延伸至2027年。資料顯示，日月光先進封裝產能利用率已達100%，2025年前七個月合併營收同比增長7.95%，創歷史同期新高，公司全年目標實現先進封裝與測試業務營收較2024年增加10億美元。因此，日月光此次雙基地擴產是搶進AI世代封測商機的關鍵行動。中壢基地的產權整合可快速釋放高階封裝產能，滿足短期客戶需求；楠梓新基地的建設則著眼長期，進一步強化南台灣封測產業叢集效應——此前日月光已在高雄佈局K18、K28等廠區，覆蓋晶圓凸塊、覆晶封裝、CoWoS等全鏈條，此次新增產能將助力其形成更完整的先進封裝產業生態，抓住AI晶片帶來的增長機遇。德州儀器：“雙線並舉”，模擬晶片的產能巨擘作為全球模擬與嵌入式處理晶片的巨頭，德州儀器（TI）近期的擴產計畫清晰地展現了一條與爭奪最先進製程不同的戰略路徑，通過在亞洲和美國兩線進行投資——馬來西亞馬六甲第二座封裝測試工廠TIEM2投產，以及美國德州、猶他州七座晶圓廠建設，形成“後段封裝強化+前段晶圓攻堅”的全鏈條產能升級，既保障全球供應鏈韌性，又響應美國本土晶片製造回歸戰略。近期，德州儀器宣佈其位於馬來西亞馬六甲的第二座封裝和測試工廠TIEM2正式投入使用，這是其深耕馬來西亞半個世紀後的重要產能補充。該工廠總潛在投資額約11.98億美元，與現有馬六甲封裝測試工廠無縫銜接，形成規模化生產叢集。TIEM2配備先進自動化生產裝置，聚焦模擬與嵌入式晶片的凸點、探針、組裝及測試全後段製程，預計每年可封裝測試數十億顆晶片，廣泛應用於汽車、智慧型手機、資料中心等核心電子系統，將進一步緩解全球電子產業對關鍵封裝產能的需求壓力。德州儀器自1972年在馬來西亞雪蘭莪州開設第一家工廠以來，已在當地佈局馬六甲、吉隆坡兩大封裝測試基地，此次TIEM2投產進一步鞏固其在東南亞的後段製造樞紐地位，與全球15個製造基地形成協同，強化供應鏈區域化佈局的靈活性。2025年6月，德州儀器還宣佈一項創美國成熟晶片生產紀錄的投資計畫——斥資超600億美元在德州、猶他州建設七座晶圓廠，預計創造超6萬個工作崗位，聚焦300毫米模擬與嵌入式晶片產能提升，呼應美國政府半導體製造業回歸戰略。據證券時報報導，該投資中460億美元投向德州大本營，150億美元落子猶他州，分佈在三個核心製造基地：德克薩斯州謝爾曼：首座新晶圓廠SM1於2025年啟動初步生產，距破土動工僅三年；第二座SM2外部結構已完工，後續還計畫增建SM3、SM4兩座晶圓廠，應對長期需求；德克薩斯州理查森：第二座晶圓廠RFAB2持續提升產量，延續2011年全球首個300毫米模擬晶圓廠RFAB1的技術路線，形成雙廠協同；猶他州利哈伊：首座300毫米晶圓廠LFAB1加速建設，相連的LFAB2建設進展順利，未來將形成規模化300毫米產能叢集。德州儀器總裁兼首席執行官Haviv Ilan表示，此次投資旨在打造可靠、低成本的大規模300毫米晶圓產能，蘋果、福特、美敦力、輝達、SpaceX等美國領軍企業均依賴其技術與製造能力。美國商務部長也強調，該合作將為美國晶片製造業提供未來數十年的支撐，強化本土供應鏈安全。目前該項目推進順利，Ilan在2025年4月透露，公司已完成約70%的資本投資階段，進入最後攻堅期，待猶他州廠升級與謝爾曼園區建設完成後，將逐步減少資本支出，恢復股利、庫藏股等股東現金回饋。綜合來看，此次密集擴產源於雙重驅動：一方面，全球電子產業對模擬、嵌入式晶片的需求持續攀升，AI、汽車電動化、資料中心建設進一步放大產能缺口，TIEM2投產與美國晶圓廠建設形成後段-前段產能匹配；另一方面，美國《晶片法案》政策導向及客戶對本土供應鏈的需求，推動其加大美國產能佈局，輝達、SpaceX等客戶已明確依賴其美國製造晶片保障供應鏈安全。值得注意的是，高資本支出曾引發部分投資人擔憂，擔心壓縮短期回報。疊加近年來毛利率下滑，德州儀器近期傳出擬對部分產品線漲價，被視為守住利潤率的關鍵舉措。與台積電、三星等巨頭聚焦於追趕摩爾定律的路徑截然不同，德州儀器選擇在特定晶片領域，通過製造規模來構築護城河，近期擴產進一步打造了“東南亞封裝+美國晶圓”的雙核心格局。這種佈局既平衡了全球供應鏈的區域韌性，又抓住了美國本土製造的政策與市場機遇，為其在模擬晶片賽道的龍頭地位築牢產能根基。半導體產業鏈擴產熱潮不斷與半導體製造大廠的產能競賽同步，上游的材料與裝置廠商也正在加速投資，為核心製造環節的擴張提供關鍵的“彈藥”支撐。其中，日本材料廠商正憑藉其在光刻膠領域的技術優勢，進行密集的全球化產能佈局，以鎖定未來2奈米及更先進製程的市場。東京應化計畫投資200億日元在韓國建設光刻膠工廠，預計2030年投產，投產後其在韓國的光刻膠產能將提升3-4倍，產品主要供應半導體封裝及儲存領域；同時另投120億日元在韓國新建高純化學品工廠，完善半導體材料配套供應。JSR則發力韓國市場，計畫建設MOR生產基地，2026年底前投產，進一步強化其在先進光刻膠領域的全球領先地位。富士膠片規劃未來三年投資1000億日元擴大半導體材料產能，佈局覆蓋日本、美國、歐洲及韓國市場，以應對全球AI產業帶來的材料需求激增。德國默克電子近日宣佈，其位於台灣高雄、投資5億歐元的全球最大半導體材料及電子業務生產基地已啟動資質認證，計畫2026年量產，主要生產先進晶片製造所需的薄膜、配方材料和特種氣體等，其中關鍵的薄膜材料可助力實現先進晶片架構；該工廠投產後將滿足當地約80%的薄膜材料需求及超50%的總體材料需求，提升本地自給率並更好服務亞太地區，這是公司踐行多年“本地化戰略”、增強供應鏈韌性的重要舉措，進一步服務台積電等全球主要晶片製造商，適配3奈米及更先進晶片的生產需求。三星電機也正加碼AI相關半導體封裝基板擴產，其FC-BGA基板產能利用率持續提升，第三季度已達72%並接近峰值，且該基板庫存預計2027年前基本售罄；計畫進一步擴大FC-BGA供應範圍，從亞馬遜、AMD等現有客戶拓展至Google、博通等新客戶，目標明年實現該業務兩位數銷售增長，同時最佳化業務結構，從專注IT產品轉向人工智慧和汽車應用領域，憑藉高附加值產品搶佔AI及高性能計算伺服器相關基板市場，鞏固其韓國唯一大規模生產伺服器用FC-BGA晶片公司的地位。在另一條技術賽道上，為解決AI晶片日益嚴峻的熱管理瓶頸，歐洲金剛石晶圓項目獲得重大推進。美國公司Diamond Foundry位於西班牙特魯希略的工廠，累計獲得約27.7億美元投資，其中西班牙政府最新追加了7.53億歐元，目標是建成全球最大的半導體級單晶金剛石晶圓生產基地，最終年產能目標達1000萬克拉。金剛石是目前已知導熱率最高的材料，能將晶片熱量快速匯出，是突破下一代高功耗晶片散熱瓶頸的關鍵。該項目從技術研發（已能生產4英吋金剛石晶圓）到規模製造，標誌著超高熱導率材料正從實驗室走向產業化。與此同時，SEMI近期發佈的《全球半導體裝置市場統計報告》，進一步從裝置端印證了行業目前如火如荼的擴產趨勢。報告表示，2025年第三季度全球半導體裝置出貨量同比增長11%，達到336.6億美元。2025年第三季度出貨量環比增長2%，營收增長主要得益於對先進技術的強勁投資，尤其是在人工智慧計算領域領先的邏輯晶片、DRAM 和封裝解決方案。此外，對中國地區的裝置出貨量也顯著增長，進一步推動了整體的增長勢頭。“今年迄今為止，全球半導體裝置出貨量已接近1000億美元，創下前三個季度的歷史新高，這反映了該行業持續強勁的發展勢頭以及對技術創新投資的堅定承諾，”SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示。“人工智慧的強勁需求持續推動著先進邏輯和儲存器領域的支出，以及面向節能封裝應用領域的支出。這一積極的發展趨勢凸顯了半導體在建構一個更智能、更互聯的世界中發揮的關鍵作用，而這個世界正是下一代數字解決方案的基石。”總而言之，當前的半導體擴產浪潮是全產業鏈的共振。在製造端大幅增加產能的同時，上游材料和裝置端的巨頭們正通過前瞻性技術投資和貼近客戶的全球化佈局，為這場競賽夯實基礎，確保“彈藥”供應，共同爭奪AI時代的技術與市場主導權。半導體“擴產潮”背後的邏輯當前全球半導體行業的擴產浪潮，並非一次簡單的增產，而是一場由AI革命驅動、供應鏈安全需求倒逼、廠商戰略理性權衡交織下的全方位產業重構。本輪擴產潮是多重因素共振的結果：AI需求的超級周期：AI從訓練擴展到推理，不僅引爆了HBM需求，也帶動了用於AI推理的先進通用DRAM，導致全品類記憶體價格飆升。OpenAI、輝達等巨頭直接鎖定巨額產能，扭曲了傳統市場供應。地緣政治下的供應鏈重構：全球各國將半導體視為戰略資產。美國的《晶片法案》、日本的復興計畫、歐盟的《晶片法案》等都通過巨額補貼，引導產能本土化，這已深刻改變了廠商的選址邏輯。廠商自身的戰略考量：本輪擴產並非盲目。主要廠商在經歷了過去幾年的行業周期性波動後，表現出更強的戰略定力。經歷過嚴重過剩周期的記憶體巨頭們，此次擴產極具紀律性，優先通過提升現有產線利用率、轉換產品線來增加供應，而非盲目建新廠，以防止未來市場反轉。此外，台積電在先進製程上的擴張也表現出戰略聚焦而非全面鋪開。在核心領域，AI記憶體與先進製程賽道的贏家通吃效應持續凸顯，頭部企業展開激烈角逐，既有三星全力追趕SK海力士爭奪HBM市場優勢，也有台積電憑藉產能規模與技術壁壘建構競爭護城河。與此同時，全產業鏈成本壓力逐步傳導，巨額建廠投資、裝置緊缺及原材料價格暴漲共同推高晶片成本，最終通過AI伺服器等中間環節間接影響消費電子市場。產業競爭模式已實現迭代升級，從單一製程節點的比拚，延伸至“先進製造+先進封裝+高端記憶體”的系統性能力較量，而成熟製程領域則圍繞地域安全與特色工藝，呈現差異化競爭加劇的態勢。全球主要半導體企業均在主動重構產能佈局，這場由AI驅動的產能競賽，不僅引發短期價格波動，更將推動行業長期技術迭代與產業格局深度變革。寫在最後站在AI技術爆發的時代關口，半導體行業的擴產競賽早已超越單純的產能比拚，成為關乎未來十年全球算力基礎設施主導權的戰略博弈。從韓國儲存雙雄的HBM話語權爭奪，到晶圓代工與封測龍頭的技術壁壘建構，再到歐美國際廠商的區域化產能佈局，全球半導體產業的競爭邊界不斷拓展，新的生態格局加速成型。成本傳導帶來的短期挑戰固然存在，但更值得關注的是，這場競賽正倒逼行業實現技術創新與供應鏈韌性的雙重提升。未來，隨著產能佈局的逐步落地與技術路線的持續迭代，全球半導體產業將邁入更具彈性卻也更趨複雜的發展階段。這場競賽的最終結果，不僅將決定全球算力版圖的核心架構，更將深刻影響下游諸多產業的發展走向，其深遠意義仍待時間印證，而這場由AI驅動的產業變革，才剛剛拉開序幕。 (半導體行業觀察)

11月27日消息，據韓國媒體dealsite報導，繼SK海力士完成了與輝達的HBM4供應價格談判之後，三星電子與輝達的HBM4供應價格談判也進入了最後階段。雖然三星電子此前供應的12層堆疊的HBM3E的單價相對較低，但是對於12層堆疊的HBM4的供應價格，三星電子的目標是與SK海力士持平，即維持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供應價格提升了超過150%。據業內人士透露，輝達在與SK海力士敲定明年的HBM4供貨合同僅一周後，便邀請三星電子參與明年HBM4供應的價格談判。目前談判已進入最後階段，預計年內將做出最終決定。一位熟悉該公司情況的官員表示：“我們目前內部判斷，三星電子的HBM4 的主要性能，包括速度，優於 SK 海力士的產品。”他還表示：“我們之前向輝達提供的12層堆疊的HBM3E價格相對較低，但我們正在與輝達談判，目標是以輝達與 SK海力士簽訂HBM4供應合同的價格相當。”此前的報導顯示，SK海力士和輝達最近達成的明年HBM4供貨價格約為500美元中段。考慮到SK海力士12層堆疊的HBM3E的定價在300美元中段，這意味著價格上漲超過50%。雖然SK海力士在台積電生產的HBM4晶片總成本比上一代產品增加了30%，但該公司獲得了相應的溢價，從而顯著抵消了成本負擔。目前，三星電子的HBM3E晶片價格比SK海力士的同類產品低約30%。一位消息人士解釋說：“三星電子此前已為輝達預留了HBM3E晶片，但由於認證延遲，導致產品無法及時出貨，迫使該公司緊急將產品供應給其他大型科技公司。這部分產品不得不以更低的價格出售，從而拉低了平均單價。” 據報導，三星電子的HBM3E晶片供應價格在200美元左右。顯示，三星電子要求對輝達供應HBM4的價格與SK海力士一致，這也意味著三星希望供應價格也能夠提高到超過500美元，相比之前的HBM3E的200美元供應價格提升了超過150%。需要指出的是，三星電子正在避免導致其在 DRAM 領域失去主導地位的錯誤，正在利用更先進的1c DRAM 的 HBM4的大規模生產，來確保對SK海力士的基於1b DRAM的HBM4的競爭優勢。而這或許也是三星電子要求對輝達供應HBM4的價格與SK海力士相當的底氣。另一方面，目前明年市場對於HBM4的需求已經超過了市場供應，畢竟目前只有SK海力士和三星電子具有HBM4量產供應能力，所以三星電子自然是不願意降低單價。一位半導體行業內部人士表示：“輝達對HBM4的需求如此之高，以至於三星電子希望以高價確保供應。目前，三星電子沒有理由降低單價。” 他補充道：“即使他們降價，價格差異也不會很大。” 這表明三星電子在談判桌上佔據相對優勢。另外，為了滿足市場對於HBM4的需求，提升對於SK海力士的競爭力，三星電子計畫在明年年底前將其HBM4的1C DRAM產能從目前的每月2萬片晶圓提高到每月15萬片晶圓。一位三星電子公司官員解釋說：“我們計畫明年將 1c DRAM 產能每月增加約 8 萬片晶圓”，並且“如果算上現有成熟工藝線改造為 1c DRAM的產能，我們明年每月將能夠分配約 15 萬個1c DRAM晶圓用於 HBM4。”HBM 樣品分為 WD（工作晶片）→ ES（工程樣品）→ CS（客戶樣品）三類。三星電子已於去年 9 月向輝達交付了 ES 樣品，認證結果將於本月公佈。一旦獲得批准，必須立即提交量產樣品。整個流程完成後，最終認證結果將於明年初公佈。業內人士最初預計，即便三星電子明年初通過最終認證並立即開始量產，產品出貨也要等到明年下半年。然而，隨著近期市場對輝達HBM4的需求激增，一些人預測三星電子最早可能在明年第二季度就開始供應晶片。這將打破SK海力士在上半年壟斷輝達HBM4供應的格局，並將兩家公司之間的供應差距從半年一次縮小到季度一次。然而，要實現這一願景，提早實現大規模量產必不可少。目前，三星電子1c DRAM的HBM4標準良率僅為50%。另一位半導體行業內部人士解釋說：“最大的挑戰是良率，而非質量。”他還表示：“雖然有人擔心發熱問題，但目前已得到顯著改善。包括輝達在內的主要客戶也更注重速度而非發熱，因此不存在重大問題。”三星電子的HBM4核心晶片採用1c DRAM，邏輯晶片則採用4nm工藝製造。雖然這種先進工藝相比競爭對手在速度和能效方面具有優勢，但也可能導致發熱。 (芯智訊)