#SK
深度:HBM未來三年不需要上混合鍵合
今天,ZDNet Korea刊出一篇資訊密度極高的報導:三星電子與SK海力士對下一代HBM匯入混合鍵合的時點陷入深度躊躇,原因是這項技術的兩大核心賣點——減薄與散熱——其必要性正在下降,業界預計只有當HBM的I/O數量再度暴增時,匯入的必要性才會重新浮現。圍繞它的討論指向同一個判斷:混合鍵合進入HBM量產線的時間,比市場共識更晚。結論先行:至2029年年中,量產HBM不採用混合鍵合的機率為90%,真正的觸發點在HBM5E的4096個I/O,2030年前後。 判斷一項新工藝的匯入時點,正確的問題從來不是"新工藝有多好",而是"舊工藝什麼時候死"。熱壓鍵合(TC bonding)的死因清單上只有三條:高度不夠、熱散不掉、間距壓不下去。逐條驗屍,會發現三條死因在未來三年內一條都不成立。 高度:一道被算術解開的題 HBM厚度標準在HBM3E之前是720微米,進入HBM4放寬到775微米,主因是堆疊層數從8層、12層上探至12層、16層;如今JEDEC正在討論將20層堆疊的HBM5厚度進一步放寬到900至最高1000微米。這組數字的含義可以用簡單算術展開:扣除基底裸片與頂部保護層約100微米,775微米下堆20層,每層"裸片加鍵合層"的平均預算被壓到約34微米,DRAM裸片必須減薄到25微米以下——那是晶圓翹曲、TSV銅凸出與應力失控的危險區間;放寬到1000微米,回到約45微米的舒適區,現有工藝無需任何革命。業界估計:僅放寬50微米就足以支撐20層堆疊,而匯入混合鍵合意味著現有裝置的整體置換與巨額成本,因此儲存廠商普遍支援放寬厚度標準。