CoWoS的瓶頸——矽中介層的"三座大山"正在把先進封裝推向一塊玻璃。

過去五年，台積電的CoWoS（2.5D封裝的代表技術）成了AI晶片的"標配"。輝達A100、H100、B200，AMD的MI300系列，幾乎每一顆高性能AI晶片都離不開它。供不應求，台積電不斷擴產，仍滿足不了客戶需求。

但CoWoS有一個隱藏天花板——它用的矽中介層，性能雖好，但貴、尺寸受限、容易翹曲。這三座山，在大算力晶片時代越來越沉重。

要理解玻璃基板的價值，得先明白AI晶片封裝的特殊需求。

2.5D封裝，就是把多個晶片（GPU和HBM記憶體）並排放在一個"中介層"上，中介層裡有密密麻麻的線路，把這些晶片高速連接起來。CoWoS是台積電實現的2.5D封裝技術，也是目前最主流的方案。

為什麼AI晶片需要這個？因為傳統PCB電路板線寬太粗（幾十微米級），訊號跑不遠、跑不快。一塊GPU需要同時連接4到8塊HBM，頻寬需求達每秒幾TB，只有矽中介層的超細線路才能接得住。

所以，CoWoS成了過去五年AI晶片封裝的"隱形冠軍"。

但這個冠軍的王座並不穩固。CoWoS的誕生本身就是一種"救火"——2008年晶片做大後基板和晶片熱應力不匹配，台積電用矽片做了一層中介層強行轉接，自此開創了2.5D封裝時代。

而現在，這層矽材料也開始拖後腿了。

二、CoWoS的"三座大山"：成本、尺寸、翹曲

矽中介層是一塊單獨的矽片，裡面刻滿微米級線路。矽片本身就貴，12英吋矽中介層單片成本超100美元，佔封裝成本一半以上。加上微凸塊、底部填充、封裝基板等，整套CoWoS封裝成本佔晶片總成本的20%到30%。

對H100這種單價數萬美元的晶片，似乎還扛得住。但如果用到中低端晶片，根本用不起。 而且晶片越做越大，通路越來越多，矽中介層只會越來越貴。

台積電最先進的CoWoS-L方案最多做到5.5倍光罩尺寸，極限面積約4719平方毫米。5.5倍光罩比巴掌還大，但以輝達B200為例，其封裝面積已達單片矽中介層可承載極限的3到4倍。

下一代Rubin GPU的晶片尺寸更大。矽中介層已經"站不下"了，只能局部矽橋加有機基板"打補丁"，本質已經說明：矽中介層真的做不大了。

第三座山：翹曲——熱脹冷縮惹的禍。

矽中介層的熱膨脹係數（CTE）與矽晶片完美匹配（約2.6-3 ppm/°C），但它下方的有機封裝基板CTE卻大很多（約13-20 ppm/°C）。

想像一塊金屬和一塊塑料粘在一起，加熱後金屬幾乎不動，塑料膨脹明顯——兩者之間的應力會把整個結構掰彎。晶片封裝也是同樣的道理。晶片越大，翹曲越嚴重，良率驟降。

CoWoS-L用局部矽橋加有機基板來降低翹曲，但這種"補丁"解決的是局部，不是根本。

三座山壓下來，業界開始尋找新材料。玻璃基板，就是最被看好的替代者。

玻璃基板，在矽中介層力所不及的地方，接過接力棒。

為什麼玻璃比矽更適合做中介層？三點：

第一，玻璃可調CTE，翹曲不是問題。

有機基板CTE 13-20 ppm/°C，矽晶片CTE約2.6 ppm/°C，兩者差了5倍以上。玻璃的可調範圍極寬，典型低CTE玻璃可精確控制到3-5 ppm/°C，與矽幾乎一致。

所以玻璃基板與晶片結合時，溫差幾乎不產生熱應力。大尺寸封裝下，玻璃基板可將翹曲降低80%以上。焊點不易脫落，封裝壽命和穩定性都會顯著提升。

玻璃基板用面板級工藝，做到500×500mm以上。英特爾在NEPCCON Japan上展示的玻璃基板方案，封裝面積已達78mm×77mm，約6006平方毫米，超過矽中介層能做到的最大面積。10層RDL加雙層玻璃加10層堆疊層，承載能力直接翻倍。這對於輝達Rubin等級的大晶片至關重要。

第三，線寬更細，能塞更多線路。

玻璃基板的線寬線距可做到2-5μm。有機基板目前能做的線寬線距一般在10/10μm以上。互連密度更高，在同樣面積下能塞進更多連線。

更關鍵的是訊號損耗。玻璃是絕緣體，介電損耗（Df）可低至0.001-0.003，有機基板的Df約0.01-0.02——玻璃的損耗是有機基板的幾分之一到十分之一。訊號傳得更快、更乾淨。這對於1.6T、3.2T等超高速互聯至關重要。

玻璃基板是要完全替代矽中介層嗎？

答案更準確說是——在矽中介層做不好的地方，玻璃是更優的選擇。

矽中介層（台積電CoWoS），技術成熟、互連密度高、已大規模量產，短期仍是2.5D封裝的主力，但尺寸和翹曲問題讓它"到頂了"。

玻璃中介層（英特爾/台積電CoPoS/三星），成本更低、尺寸不受限、無翹曲、低訊號損耗。2026年小批次出貨，2028年滲透加速，是矽中介層在2.5D封裝裡的"接棒者"。

有機基板（傳統封裝），成本低、供應鏈成熟，但高端市場將逐步被玻璃替代，退守中低端。

玻璃基板+矽橋混合方案（英特爾EMIB+玻璃），兼具玻璃的大尺寸優勢和矽橋的超高密度互連，是英特爾的旗艦選擇——不是非此即彼，而是"該用玻璃的地方用玻璃，該用矽的地方用矽"。

國內券商將2026年定義為半導體玻璃基板商業化驗證元年，2028年前後才是大規模滲透的真正時間節點。一場從矽到玻璃的材料升級正在穩步推進。

玻璃基板的產業化拐點，2026年就已經到了。各方的動作可以濃縮成一句話：英特爾跑得早，台積電在追，三星在測，國內在跟。

英特爾跑得最早。 2026年1月CES上，英特爾發佈了搭載玻璃芯基板的商用CPU: Xeon 6+ Clearwater Forest處理器。產業鏈很多資訊顯示該產品已進入出貨階段，英特爾是進度最快的玩家。

台積電追得很快。 2026年6月，台積電明確表態，CoPoS（台積電版玻璃基板封裝技術）試產線已於2月交付裝置、6月完成建設，計畫2028至2029年產量大幅提升，目標很明確——替代既有的CoWoS，拿下下一代先進封裝的主導權。

三星在悄悄佈局。 三星電機聯合日本住友化學成立合資企業開發玻璃芯材料，同時積極測試將玻璃基板應用於下一代HBM4記憶體封裝，如果跑通，AI晶片的記憶體頻寬將再上一個台階。計畫2026年下半年建立量產試生產線，2027年後啟動批次生產。

國內的差距仍在。 京東方與康寧簽了三年備忘錄，沃格光電在推進送樣驗證，但整體尚處於"送樣驗證"到"小批次"之間的階段，距離英特爾的量產出貨狀態還有一段路。

玻璃基板的門檻更多在材料和工藝裝置端——誰能掌控TGV（玻璃通孔）裝置和低CTE玻璃配方，誰就掌握了上游話語權。國內廠商目前卡在"送樣驗證"階段，短期看京東方和沃格光電的進展是最重要的風向標。

CoWoS不是不好，而是矽中介層的三座山在大算力晶片時代越來越沉重。

2.5D封裝離不開中介層。而玻璃，正在接過矽的接力棒。TGV裝置、電鍍加入劑、玻璃基板製造、先進封裝服務——每個環節都藏著值得關注的"賣鏟人"。

技術路線的演進往往不是一夜之間，但一旦材料基礎發生變化，整個產業鏈都會被重構。 (矽基部面)

2月26日消息，據三星發佈的 2024 年審計報告顯示，三星已於去年底完成15年歷史的崑山三星電機有限公司清算工作，正式退出高密度互連（HDI）智慧型手機主機板業務！

國家企業信用資訊公示系統的記錄也證實了這一變化，顯示崑山三星電機有限公司的企業狀態在去年 10 月 24 日由存續變更為註銷，註銷原因為決議解散。

這家成立於 2009 年的公司，自 2010 年 6 月起開始進行 HDI 量產，是三星電機 HDI 產品的核心生產基地之一。

由於市場環境變化及成本壓力，導致 HDI 業務盈利能力低下，三星電機在 2019 年 12 月便宣佈計畫逐步退出該業務領域。

此後，三星電機決定轉向更加高附加值的產品線，如先進半導體基板和貼片電容（MLCC），以期提升公司的整體競爭力和盈利水平。

據瞭解，三星集團在華首家工廠 —— 東莞三星電機有限公司已於 2023 年底清算完畢。由此，三星電機在華工廠僅剩天津三星電機有限公司和三星高新電機（天津）有限公司。

三星電機崑山工廠的關停，標誌著這家全球電子巨頭在中國市場的重大戰略調整。這一變化不僅反映了三星電機在全球業務佈局中的轉型，也為整個電子製造行業提供了一個關於產業發展趨勢和市場競爭格局變化的重要訊號。   (半導體行業圈)

彙整鉅亨號中所有使用「三星電機」關鍵字，所發布的內容 (依照時間排序，最新在前，舊的在後)`