作為算力的底層基石,記憶體晶片所帶來的資料互動延時與功耗問題,是阻礙算力提升的根本瓶頸。
7月17日,復旦大學周鵬、劉春森團隊在學術期刊《科學》發表最新成果:團隊發明“量子快閃記憶體”技術,研製出具有全球最大非易失量子記憶體窗口的器件,開創單電子量子記憶體理論體系,為量子記憶體工程應用補齊關鍵理論短板。
電子是不可分割的基礎粒子,理論上“一電子、一位元”是記憶體密度的物理極限,但單電子量子效應極難穩定捕捉,長期被學界認定僅停留在理論層面。
該團隊此前已研發400皮秒超快“破曉”器件、“長纓”混合架構快閃記憶體晶片,相關成果入選2025年度中國科學十大進展。此次團隊基於量子力學基本原理,依託二維半導體原子級厚度的電子束縛優勢,設計共面的漏極-溝道-源極“歸壹”結構,首次在27℃室溫環境下觀測到單電子穩定記憶體行為,突破了同類實驗中單電子狀態難以在室溫下穩定保持、量子行為無法清晰觀測的技術瓶頸。