#玻璃基板
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三星推出超大玻璃基板：150mm尺寸，最高30層堆疊

在高端AI伺服器晶片先進封裝賽道持續加碼的三星電機（Samsung Electro-Mechanics），於KPCA韓國封裝展上對外展示新一代玻璃核心基板（Glass Core Substrate）研發成果，推出150mm超大尺寸、最高支援30層增層堆疊的玻璃基板樣品，標誌著三星在下一代HPC、AI晶片封裝基板領域，完成從傳統有機FCBGA向玻璃基異構整合的關鍵技術跨越，直面英特爾、台積電、京東方等全球對手的技術競賽。 傳統AI伺服器晶片長期採用ABF有機載板作為晶片承載基底，但隨著GPU、HBM、多晶片Chiplet整合度持續提升，晶片功耗不斷走高，有機材料與生俱來的高翹曲、高溫穩定性差、高速訊號損耗大等短板持續放大，已經逼近物理極限。玻璃基板憑藉熱膨脹係數與矽高度匹配、低介電損耗、高尺寸穩定性三大核心優勢，成為全球算力晶片產業公認的下一代封裝“新地基”，而大尺寸、高層數堆疊，正是玻璃基板量產落地最核心兩大技術門檻。 本次三星推出的150mm玻璃基板，相比此前行業主流110mm級產品，基板有效面積大幅提升，單塊基板可承載更多Chiplet與HBM記憶體組合，適配超大尺寸AI算力晶片封裝需求。而最高30層堆疊工藝，是本次展品最大亮點。在多層增層工藝中，每一層都需要完成超精細線路製作、層間精準對位、TGV玻璃通孔互連，層數越高，層間對位偏差、翹曲、分層失效風險呈指數級上升。三星電機依靠多年FCBGA高層基板工藝積累，結合與住友化學合資成立Glass EM開發的專用玻璃芯材料，攻克多層增層與TGV垂直互連一體化難題，實現30層結構穩定成型，基板內部整合高密度垂直通孔，為多晶片之間提供低寄生、高速電訊號通道，支撐未來Co-Package共封裝、2.1D/2.5D異構整合方案落地。 在材料供應鏈佈局層面，三星電機與日本住友化學聯合設立Glass EM合資公司，在韓國平澤建設玻璃芯產線，鎖定玻璃基板核心原材料供給，計畫2027年下半年啟動量產，為這款150mm、30層規格玻璃基板做好上游材料保障。同時三星已經向頭部AI客戶送樣測試，開展可靠性、高低溫循環、高速訊號完整性驗證，目標用於下一代伺服器AI晶片封裝。
三星推出超大玻璃基板：150mm尺寸，最高30層堆疊
科技#玻璃基板#先進封裝#AI伺服器
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預告：2026全球AI算力與半導體材料產業發展趨勢深度分析報告

報告案例 3.1.3 玻璃基板：下一代封裝基板的確定性方向 當AI晶片的面積越來越大、引腳數越來越多，ABF載板也開始逼近物理極限。比如大尺寸AI晶片+HBM堆疊的封裝，有機基板的翹曲問題越來越嚴重，線路精度也很難繼續提升。這時候，玻璃基板就成了行業公認的下一代解決方案。 圖 封裝翹曲引發各類焊點失效
預告：2026全球AI算力與半導體材料產業發展趨勢深度分析報告
科技#AI算力#半導體材料#產業趨勢分析
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玻璃基板技術重大突破，原本半天起步的工序壓縮到分鐘等級

快要大規模化了 韓國媒體The Elec報導，韓國玻璃基板廠商JNTC（제이앤티씨）近日宣佈，已成功開發出大幅提升玻璃通孔（TGV）銅填充速度的核心技術。這項技術將原本需要半天到一天的填充時間壓縮至分鐘等級，美國主要半導體客戶的產品驗證也已完成，計畫從明年起啟動玻璃芯量產供應。 TGV技術是在玻璃上形成微細通孔並填入銅，以實現基板上下層電氣連接的關鍵工藝。 玻璃基板是先進封裝的下一代載體。相比有機基板，它更平整、熱膨脹係數更低、剛性更高，能減少大尺寸封裝翹曲。它支援更細線路和更高密度互連，適合Chiplet、HBM與AI晶片，可提升訊號完整性、能效和封裝尺寸上限。簡單說，它讓晶片封裝更大、更密、更穩、更快。
玻璃基板技術重大突破，原本半天起步的工序壓縮到分鐘等級
科技#玻璃基板TGV#JNTC#博通
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E&R工程公司將在馬來西亞開設新工廠，完整整合新一代Glass Core與玻璃載板製程需求

高雄，2026 年 10 月 5 日/PRNewswire/ -- 地球領先的半導體封裝裝置供應商 E&R Engineering Corp.（TWSE：8027）今日宣佈，其新的馬來西亞子公司——E&R SEMICONDUCTOR (MALAYSIA) SDN. BHD.——將於 10 月 13 日在馬六甲自由貿易區盛大開業。恭賀新禧，再續輝煌！ 新工廠目前正在進行樣品測試和認證，預計將於明年初開始量產。該工廠預計將創造 50 個本地就業機會，並增強 E&R 為東南亞半導體和 OSAT 客戶供貨的能力。 鈦昇科技出席iTGV2024深圳玻璃基板大會 鈦昇科技（E&R Engineering）是台灣玻璃基板與TGV通孔工藝裝置領域的核心供應商，核心採用雷射改質疊加濕法蝕刻的混合TGV成孔工藝，並配套雷射精密切割、電漿表面處理等核心技術體系，形成適配高端玻璃載板製造的全套工藝解決方案。公司自研的PHB-600A系列自動化裝置可支援600mm×600mm大尺寸面板級玻璃基板加工，基板相容厚度覆蓋100μm至1100μm全規格區間，適配不同場景的封裝製造需求。在關鍵的TGV成孔性能上，現有工藝可穩定實現10:1及以上深寬比，高階研發方案可突破20:1深寬比標準，同時保障孔壁無微裂紋、垂直度優異，百萬通孔良率100%，有效解決玻璃核心基板在精密封裝中的成型缺陷問題。
E&R工程公司將在馬來西亞開設新工廠，完整整合新一代Glass Core與玻璃載板製程需求
台股#鈦昇科技#玻璃基板#馬來西亞
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台積電玻璃基板調研：先替代BT載板，而非ABF

2028年，一個聽起來還有些遙遠的年份。但對半導體行業而言，那可能是一個被寫進產業史的時刻——按照台積電的里程碑規劃，玻璃基板將在那一年正式走進先進封裝產線。 玻璃？對，就是手機蓋板上那塊玻璃。如今，它正被視作晶片封裝領域的"潛力選手"，準備掀起一場材料變革——只不過，這場變革的路線圖，比外界想像的更複雜，也更克制。 四句話看懂全域。 玻璃基板的短期目標是替代BT載板，而非ABF載板；替代路徑是"先BT、後ABF"，是一場有節奏的接力；
台積電玻璃基板調研：先替代BT載板，而非ABF
科技#台積電#玻璃基板#先進封裝
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TGV玻璃基板金屬化產業鏈解析：PVD、電鍍裝置與藥水供應鏈格局

在AI算力晶片、HBM、CPO等高性能封裝需求驅動下，玻璃基板憑藉低翹曲、低介電、大尺寸可加工等優勢，成為下一代芯基板核心方案，而TGV玻璃通孔則是實現晶片垂直互連的核心載體。行業普遍認為，雷射成孔工藝已經進入成熟驗證階段，TGV金屬化（PVD種子層+電鍍填銅+配套化學藥水）是當前整個產業鏈最大的量產瓶頸，直接決定玻璃基板能否在2027–2028年實現規模化匯入。TGV金屬化分為兩大核心工序：首先通過PVD磁控濺射在絕緣玻璃通孔內壁沉積Ti阻擋層與Cu導電種子層；再依靠ECD電鍍裝置與專用填銅藥水，實現高深徑比通孔無空洞填銅。整套工藝對裝置保形鍍膜能力、電化學加入劑體系、玻璃與金屬介面附著力要求極高，全球供應鏈呈現海外龍頭主導、中國廠商加速驗證替代的競爭格局。 一、海外廠商：成熟工藝包領跑，頭部基板廠首選方案 海外半導體巨頭佈局TGV金屬化多年，已經形成PVD裝置、電鍍機台、專用藥水一體化工藝包，是Intel、三星電機、友達、群創等國際基板與OSAT廠商樣品線的主流選型。 在PVD磁控濺射裝置領域，美國應用材料Applied Materials Endura系列是晶圓級TGV種子層標竿裝置，高保形磁控濺射技術，可在高深徑比通孔內部均勻沉積Ti/Cu膜層，是Intel玻璃基板項目主力評估機型；同屬美國的泛林Lam Research Vectra PVD，主打晶圓級通孔濺射，常與Atotech電鍍藥水聯合開發成套TGV金屬化工藝包。日本陣營以ULVAC愛發科、佳能安內華Canon Anelva為代表，ULVAC是日本JOINT3玻璃基板聯盟核心PVD供應商，同時覆蓋晶圓與大板Panel雙路線，日系玻璃基板企業優先選用。
TGV玻璃基板金屬化產業鏈解析：PVD、電鍍裝置與藥水供應鏈格局
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【0930 台股盤後｜反彈留下長上影，面板題材能否轉成基本面？】

台股今日在費半走強、台積電ADR上漲帶動下反彈，盤中一度大漲748點、站上48,379點，但尾盤獲利了結賣壓升高，終場僅上漲308點、收47,940點，留下明顯長上影線。 成交值放大至8,756億元，代表低檔買盤回流，但48,000點附近仍有套牢與調節壓力。加上美國30年期公債殖利率升破5.59%，市場對Fed升息預期仍反覆，高估值科技股短線仍容易受到利率波動影響。 產業面以面板族群最受關注。友達、群創、彩晶等同步漲停，市場焦點已從傳統面板報價，延伸至MicroLED、玻璃基板及面板級封裝。面板廠具備大面積玻璃加工、薄膜沉積與微影技術，若能切入半導體封裝，有機會開拓高附加價值應用，降低對傳統顯示器景氣循環的依賴。 不過，今日漲停較多反映新題材與低基期資金輪動，尚不能直接視為產業全面反轉。後續仍須觀察玻璃基板與面板級封裝的客戶認證、良率、量產時程，以及傳統面板報價、稼動率和現金流是否同步改善。
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