野村認為，受AI需求爆發和供應增加滯後影響，儲存晶片的長期牛市將遠超短期的油價上漲周期。預計2026年二季度大宗DRAM和NAND價格將環比分別暴漲51%和50%，遠超此前預期的6%和20%。儲存行業正加速轉向長期協議模式，供應短缺預計將持續至2028年初。在市場緊盯中東局勢之際，野村表示“儲存長期牛市”將遠超“油價短期上漲”。3月23日，野村證券發佈全球市場研究報告指出，儲存行業的牛市周期持續時間將遠比地緣政治引發的油價上漲更久、更可持續，核心變數在於AI需求的持續擴張與供給擴張的滯後。野村預計2026年第二季度儲存價格漲幅將“顯著超過此前預期”，其中商品DRAM和NAND的價格環比漲幅將分別達到51%和50%。這一數字較其此前預測的6%和20%出現了“量級式”的跳升。基於價格走勢的強勁預期，野村將SK海力士的目標價從156萬韓元上調24%至193萬韓元，並重申“買入”評級。野村認為，近期受中東局勢影響帶來的股價回呼，對投資者而言是極佳的逢低買入機會。AI需求重塑行業邏輯野村在報告中深入分析了為何儲存周期能夠“穿越”宏觀經濟波動。一大邏輯在於AI資本支出驅動儲存“長期牛市”。野村認為，在AI熱潮的推動下，大型科技公司的投資周期將成為AI行業的主導力量。這種由科技巨頭AI資本支出帶來的強勁需求增長，使得其周期“比短期的油價上漲周期更長且更具可持續性”。相比之下，對宏觀環境敏感的消費裝置（PC和智慧型手機）相關需求佔比已大幅下降，從10年前的60%降至如今的不到30%。這為儲存行業的長期穩定性提供了堅實基礎。野村將AI開發趨勢描述為儲存需求的“黑洞”。隨著AI需求從簡單的文字聊天機器人轉向企業級代理，從文字驅動轉向多模態，記憶體需求正在細分化，從以HBM/LPDDR為中心轉向用於RAG的DDR、以及用於更大型上下文處理的下一代SSD。商業模式“長協化”增強穩定性野村認為，儲存行業的另一個亮點是正在發生的商業模式變革。為了應對持續的供應短缺，儲存供應商與客戶正積極轉向長期協議（LTA）。野村在報告中寫道：“由於供應短缺可能長期存在，我們認為儲存廠商正在尋求可持續的長期協議（LTA），而不是簡單的漲價。客戶也在主動要求與供應商簽訂LTA，以滿足持續增長的AI記憶體需求。”據悉，這些協議包含預付款（作為押金）、容量保證和定價方案等條款。野村認為，雖然LTA能否完美抵禦周期尚不確定，但儲存行業正從“現貨驅動”轉變為“長期規劃驅動”，這將顯著提升盈利的穩定性。供應端增速緩慢：缺口或延續至2028年在供應端，野村的結論相對悲觀。報告強調，儘管需求在激增，但供應增長在至少2028年初之前都將處於不足狀態。野村強調，儲存（尤其是處理複雜推理和訓練的HBM）仍然是AI的關鍵瓶頸。報告寫道：“增加記憶體供應以趕上高需求增長仍需要物理時間……至少在2028年初之前，供應增長將不足以趕上高儲存需求增長。”即便SK海力士等巨頭擁有強勁的現金流，但受制於擴產周期和技術瓶頸，短期內產能難以大幅擴張。野村預測，SK海力士在2026年和2027年的營業利潤將分別上調36%和37%，達到256兆韓元和365兆韓元。對於投資者關心的現金回報，野村預計SK海力士2026財年的自由現金流（FCF）收益率將達到19%，具有顯著的估值吸引力。 (invest wallstreet)

國外主流海外券商機構均推出了各自的儲存行業分析模型，對儲存產品價格、銷售額、出貨量、廠商市場份額、產能及資本開支等核心指標進行定期更新與跟蹤。這篇文章來看看美銀於 1 月 31 日發佈的模型更新內容。美銀將全球 DRAM/NAND 銷售額預測上調 25%美銀對 2026 年的預測較此前版本的核心調整包括：動態隨機存取記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND）平均銷售價格（ASP）上調 20% 以上；儲存位出貨量增速小幅提升；3）資本開支（capex）增加，主要由 HBM 擴產及基礎設施投資（晶圓廠土建、電力配套等）驅動；HBM 市場規模進一步擴大，一方面源於美國大型科技企業需求走強，另一方面得益於三星 HBM4 產品量產爬坡進展順利；受 DRAM 供應短缺及儲存成本高企影響，原始裝置製造商（OEM）下調產量，但得益於 AI 伺服器需求持續穩健增長，該因素對整體儲存需求的影響仍較為有限；儲存行業的多年增長周期（超級周期）具備可持續性，但美銀預計 2026 年第二季度至下半年 ASP 將維持穩定，2027 年則會出現低於 10% 的價格回呼。整體來看，在 ASP 上漲 50%-60% 的支撐下，美銀預計全球 DRAM、NAND 銷售額將從 2025 年的 1340 億美元、810 億美元，分別增至 2026 年的 2620 億美元、1470 億美元，同比增幅分別達 95%、82%。DRAM 現貨價格自 2025 年 9 月以來首次走弱本周，DRAM 現貨價格在過去 4-5 個月的持續上漲行情後終於出現走弱。目前將此視為行業硬著陸的早期訊號仍為時尚早，但多家 OEM 已表示，按當前現貨價格計算的 DRAM 成本，已超過其低端個人電腦、智慧型手機、平板電腦的產品售價。通常情況下，DRAM 成本佔產品售價的比例應低於 10%。儘管如此，部分記憶體模組廠商表示，若 DDR4 或 DDR5 價格回落至 20-30 美元區間，無論容量（8Gb 或 16Gb）或規格（DDR4 或 DDR5），均有較強的追加採購意願。目前，兩類 DRAM 產品單價已突破 30 美元：16Gb DDR5 與 8Gb DDR4，而 16Gb DDR4 單價則處於 70 美元以上區間。美銀認為，當前頭部一級 OEM 獲取的合約價格仍維持在每 GB 10-20 美元水平，現貨價格與合約價格仍存在較大價差，因此現貨價格料將向合約價格水平回歸。值得關注的是，受 2025 年上半年減產的滯後效應影響，NAND 現貨供應持續緊張，本周 NAND 現貨價格進一步上漲（1Tb、512Gb 規格漲幅達 5%-6%）。我們節選部分重要圖表呈現如下：美銀預計，即便 2024 年、2025 年全球 DRAM 銷售額已分別實現 86%、52% 的同比增長，2026 年預期仍將大幅增長 95%；核心驅動因素為 SK 海力士的 HBM 業務及平均銷售價格（ASP）強勢反彈（同比 + 65%）。2025 年 NAND 銷售額僅實現低個位數增長，而在平均銷售價格（ASP）同比上漲 53% 的驅動下，預計 2026 年 NAND 銷售額將同比增長 82%美銀將 DRAM 及 NAND 銷售額預期上調 20%-25%，主要因近期價格上漲後，美銀上調了平均銷售價格（ASP）預期（2026-2027 年 DRAM ASP 為 6 美元；NAND ASP 為 3.5-4.0 美元）美銀採用自下而上的分析方法，該方法基於儲存行業三大廠商的過往業績表現與長期發展規劃；預計 2026-2027 年，SK 海力士在 HBM 領域的主導地位將持續保持；假設三星（按 HBM 銷售額口徑計算）市場份額為 20% 左右，而 SK 海力士則佔據 50% 以上的 HBM 市場份額。報告還統計了中國公司CXMT和YMTC的Capex情況... (傅里葉的貓)

對於儲存行業來說，喜憂參半是現在最真實的寫照。 喜的是DRAM和NAND的回暖，還有HBM的異軍突起，憂的是行業前景並不算明朗，增長還沒持續多久就出現了放緩現象。 韓廠如此，美廠如此，日廠亦是如此，儘管AI晶片的持續熱銷帶來了不少機會，但消費市場的持續低迷也讓幾家廠商感到頗為頭疼。 幾家歡喜幾家愁，在各大儲存廠的近來動向裡表現無疑。