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RexAA
2026/09/24
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部分漲幅或超50%!半導體12英吋矽片長約“漲聲”起
隨著AI邏輯晶片與儲存同步擴產,半導體12英吋矽片供需趨緊,2027年長約漲價趨勢逐步確立。 據台灣工商時報今日消息,業界調查顯示,12英吋外延片(Epi Wafer)新長約價格預估上漲15%-25%,拋光矽片(Polished Wafer)漲幅或達40%以上,部分二線客戶漲幅超過50%,且2028年仍有續漲空間。 12英吋主要對應的是算力與手機/PC等先進製程需求,而8/6英吋主要對應汽車與工業功率晶片。 半導體矽片價格分為現貨及長約價。目前,12英吋矽片現貨價格持續上漲,分析師預計,今年第四季度現貨價格有望超過既有長約價格,成為2027年新長約重新議價的重要支撐。不同產品及客戶的對應漲幅各有不同,其中外延片漲幅相對溫和,拋光矽片漲幅相對而言更為顯著。
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#半導體矽片
#AI晶片
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北風窗
2026/09/08
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2026-2030年中國半導體矽片行業深度調研及投資前景預測報告
半導體矽片行業屬於半導體行業的細分領域,為國家重點鼓勵、扶持的戰略性新興行業。半導體矽片是指由矽單晶錠切割而成的薄片,又稱矽晶圓。通過在半導體矽片上進行加工製作,從而形成各種電路元件結構,可以使其成為有特定功能的積體電路或分立器件產品。 從全球看,半導體矽片的市場規模隨著全球半導體行業景氣度波動。2025年,全球矽晶圓銷售額為114億美元,同比下降1.2%,而出貨面積達12973百萬平方英吋,同比增長5.8%,呈現量增價減的態勢。市場競爭方面,國際矽片廠商長期佔據絕對主導地位,日本信越化學以26.3%的全球市場份額排名第一,日本勝高以17.8%排名第二,兩家合計佔據全球44.1%的份額,加上環球晶圓、德國世創、韓國SK Siltron,前五大廠商合計佔據超過85%的市場份額。從產品結構看,12英吋矽片已佔據全球矽片出貨面積的78.8%,是市場的主流產品。 中國大陸半導體矽片市場是全球半導體矽片市場的重要組成部分,在全球市場中佔比呈增長趨勢。2025年中國半導體矽片市場規模達到146億元,同比增長12.3%,增速顯著高於全球。基於全球市場規模及中國佔比估算,中國半導體矽片市場潛在總規模約為660億元人民幣。在12英吋大矽片這一核心細分領域,國產化率約為15%至20%,仍處於從技術突破向規模化量產跨越的關鍵階段。國內主要半導體矽片上市公司2025年整體營業收入超過172億元,是2023年的1.38倍。預計2026年中國大陸12英吋矽片需求將超過300萬片/月,佔全球需求的三分之一,為本土矽片企業提供了巨大的市場空間。 圖表1 2023-2025年中國半導體矽片市場規模
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#中國半導體
#矽片行業
#投資前景
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北風窗
2026/09/08
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【十五五】中國半導體矽片行業產業生命周期分析及市場規模預測
一、執行摘要 (一)核心結論 中國半導體矽片行業當前正處於成長期早期階段,累計滲透率約為22%,已跨越16%的“鴻溝臨界點”,正在向50%的“擴散拐點”穩步邁進。2025年,中國半導體矽片市場規模達到146億元,同比增長12.3%;國內主要半導體矽片上市公司整體營業收入超過172億元,是2023年的1.38倍。與此同時,全球半導體矽片市場則呈現“量增價減”的背離態勢——2025年全球矽晶圓出貨量同比增長5.8%至12,973百萬平方英吋,但銷售額同比下降1.2%至114億美元。中國市場的增速顯著高於全球。 從產業生命周期視角判斷,半導體矽片行業是一個典型的成熟產業中的成長性子賽道——全球矽片市場本身已高度成熟,但中國本土矽片產業仍處於從“進口依賴”向“國產替代”切換的早期成長階段。驅動這一輪增長的核心邏輯有三重:一是國內晶圓製造產能持續擴張帶來的需求拉動,預計2026年中國大陸12英吋矽片需求將超過300萬片/月,佔全球需求的1/3;二是12英吋大矽片國產替代從技術突破邁向規模化量產的關鍵轉折,當前12英吋矽片國產化率約為15%-20%,預計2026年將提升至25%-30%;三是AI算力需求對半導體全產業鏈的溢出效應,正在推動矽片行業從周期底部逐步復甦。
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RexAA
2026/09/01
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半導體矽片3年來首次全尺寸漲價
行業漲價趨勢目前仍在延續。 半導體行業的漲價潮正自下向上層層傳導,作為晶片“製造基石”的矽片迎來三年來首次全尺寸漲價。 近日,據相關媒體報導,半導體矽片市場三年來首現全尺寸漲價潮,覆蓋6英吋、8英吋、12英吋全系列。實際上,今年5月份,海外龍頭已進行年內第二輪提價,主要聚焦在12英吋及高端專用矽片方向。先進製程價格堅挺,成熟製程產品也陸續補漲。 面對供需格局重構,中國部分矽片廠商6月份已陸續跟進調價。在最新的中報裡,多家龍頭證實矽片行業已重回漲價周期,且看好漲價趨勢進一步延續。
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北風窗
2026/07/27
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半導體矽片未來三到五年,價格或只漲不跌——華虹宏力、立昂微、滬矽產業、士蘭微、長江記憶體
一場由AI點燃的“芯”戰爭,正在上游矽片市場掀起驚濤駭浪。 “當前行業內普遍認為矽片已進入一個超級周期。”一位深耕半導體矽片領域的專家如是說。 2026年,對於矽片行業來說,註定是不平凡的一年。 從年初開始,信越化學率先提價,緊接著SUMCO跟進,中國廠商立昂微、浙江晶瑞電子也紛紛上調價格——一輪轟轟烈烈的漲價潮,正在席捲整個矽片產業鏈。
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北風窗
2025/11/07
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荷蘭安世“斷供”!矽晶圓成為中國半導體產業“卡脖子”的關鍵環節?
荷蘭“強搶”安世半導體以來,雙方你來我往,各自出招;雖然依舊未能決出勝負,但卻也牽出中國國產半導體產業一個大“漏洞”——荷蘭安世半導體於10月26日暫停向東莞封裝測試工廠(ATGD)供應晶圓,直接導致該工廠約70%產能停滯;由此也引發全球半導體供應鏈震盪。晶圓作為半導體產業鏈的核心環節,其製造過程從高純度石英砂開始,經過1400℃高溫提純、氯化反應等工藝,最終得到純度達99.9999999%以上的電子級矽。單晶矽錠通過真空拉晶技術成型,再經切割拋光成為晶片製造的“畫布”,其尺寸(如12英吋)和工藝精度直接影響晶片性能與成本,佔據晶片製造成本50%以上。其實,要達到11個9電子級矽純度的技術要求極高,在工藝上涉及多塔串聯精餾、高溫氯化還原等複雜工序;而且生產過程存在安全風險,如矽烷易爆;同時,對核心裝置和產線要求極高的潔淨度與密閉性。這導致,國內的企業長期以來不能批次穩定生產出高品質電子級多晶矽產品;目前全球矽片供應主要由少數幾家大型廠商把控,如日本信越化學、SUMCO,台灣環球晶圓,德國的Siltronic,韓國的SK Siltron等,這些廠商佔據全球90%以上的市場份額。除了綜合性的巨頭,一些企業在特定領域建立了強大優勢。例如,法國的Soitec在FD-SOI襯底技術上全球領先;美國的Wolfspeed則是碳化矽(SiC)襯底領域的龍頭,是特斯拉的獨家供應商;而芬蘭的Okmetic在RF-SOI(射頻絕緣體上矽)領域擁有超過60%的市場份額。當前,矽晶圓主要應用尺寸為8英吋(200mm)和12英吋(300mm);其中8英吋主要用於模擬晶片、功率器件等成熟製程,但當前市場相對疲軟;而12英吋產品稱為是絕對主流,佔大尺寸晶圓出貨量的64%以上,驅動AI等高端晶片製造。根據最新資料,2025年第三季度全球矽晶圓出貨量達到3313百萬平方英吋,同比增長3.1%。增長主要來自用於先進邏輯、雲端運算和儲存的300mm(12英吋)晶圓。但隨著近兩年國內晶圓廠的興建,終端帶動需求的增加,國產矽晶圓產業也取得了一系列的突破。技術上,中國團隊在多塔差壓耦合技術、反歧化反應技術、矽烷法等方面取得了重要突破,打破了國外壟斷。在產業端,滬矽產業、立昂微(旗下有金瑞泓)、中環股份、有研矽等是國內矽片領域的核心企業。其中,滬矽產業是國家大基金重點扶持的企業,也是中芯國際的核心供應商,其12英吋矽片在國內的國產化處理程序中扮演著關鍵角色。目前,國產廠商在28nm及以上製程所需的矽片上已實現突破,自給率突破50%。在產能建設上,各家也在快速擴張,例如滬矽產業計畫將其300mm(12英吋)矽片總產能提升至120萬片/月。但在最先進的12英吋矽片技術,尤其是用於3nm、5nm製程上與國際龍頭仍有差距,部分特殊矽片如RF-SOI的國產化率仍不高。同時,根據的資訊,當前全球半導體矽片市場存在5%-10%的供過於求,這對於仍在擴產中的中國廠商而言,意味著可能面臨更激烈的市場競爭和價格壓力。根據行業資料,2024年全球矽晶圓市場規模達到130億美元,到2029年將增長到169.8億美元。其中中國市場,2024年市場規模為131億元,處於快速上升通道。因此,此次荷蘭安世“斷供”晶圓造成東莞封測廠70%產能停產,正是抓住了國產半導體產業在矽晶圓上的薄弱之處;從某種程度上講國產矽晶圓產業發展的滯後,或將成為國產半導體產業發展的一個巨大瓶頸。附:2025年全球半導體矽晶圓30強!(飆叔科技洞察)
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RexAA
2024/03/28
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鑽石晶片,首次實現
鑽石(diamond,也譯作鑽石)在所有用於下一代電子設備的已知半導體中擁有最高的品質因數(figure-of-merits ),表現遠遠超出了傳統半導體矽的性能。為了實現鑽石積體電路,我們需要開發具有n 通道和p 通道導電性的鑽石互補金屬氧化物半導體(CMOS) 元件,就像為半導體矽建立的元件一樣。 然而,由於n 型通道MOS 場效電晶體(MOSFET) 的挑戰,鑽石CMOS 從未實現。在這裡,我們基於step-flow nucleation 模式製造了具有原子級平坦表面的電子級磷摻雜(phosphorus-doped)n型鑽石外延層。因此,展示了n 通道鑽石MOSFET。 n型鑽石MOSFET在573 K時表現出約150 cm 2 V -1 s -1的高場效應遷移率,這是所有基於寬帶隙半導體的n溝道MOSFET中最高的。 這項工作有助於開發節能且高可靠性的CMOS 積體電路,用於惡劣環境下的高功率電子元件、整合式自旋電子學和極端感測器。 簡介
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林昌興(興哥)
2024/02/23
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興哥就事論事EP193 輝達救全球
輝達臨界點 輝達首席執行官黃仁勳:GPU加速計算和生成人工智慧可謂已經達到臨界點。全球各公司、行業,乃至多數國家的需求都在激增。輝達最新產品將繼續供不應求,但需求沒有的放緩跡象。該公司2024財年Q4(截至2024年4月底)總營收將達到約240億美元。這一強勁無比的業績前景,輝達位列全球企業佈局AI熱潮的最佳受益者,AI核心基礎設施領域的“最強賣鏟人=即將量產性能更強大的AI晶片B100。 B100 輝達B100發佈時間為2024上半年,目前已經進入供應鏈認證階段。
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