半導體產業的賽道熱度，從來都是技術迭代與市場需求共同催生的動態圖像。當下，AI晶片在大模型浪潮推動下需求井噴，HBM以其高頻寬特性在資料儲存領域大放異彩，先進製程與先進封裝也在持續突破，搶佔業界的聚光燈。相較之下，一度被全球資本追逐的「明星賽道」——功率半導體產業的「光環」逐漸被這些新興熱點覆蓋，顯得些許冷清。在這波熱度更迭中，全球功率半導體的競爭格局也正發生微妙變化。曾經手握技術與產能優勢、計劃大力擴產以鞏固地位的日本廠商，其擴產進程屢屢陷入「拖延」困境，從專案啟動到產能落地的節奏遠不及預期，往日的行業主導力漸顯疲態；與之相對，國內功率半導體產業則抓住機遇加速突圍不難看到，從熱點退潮到格局生變，功率半導體產業正站在新的十字路口。日本功率半導體，疲態盡顯近年來，隨著新能源汽車、太陽能、風電等產業的快速發展以及寬禁帶半導體材料等新技術的應用推廣，功率半導體產業將迎來更廣闊的發展。日本廠商在功率半導體領域一直以來具有較強的競爭力，高峰時，三菱電機、富士電機、東芝、瑞薩、羅姆等日本廠商在全球功率半導體市場佔有率排名前十中佔據了五個席位。根據Omdia 2021年數據顯示，三菱電機（第4）、富士電機（第5）、東芝（第6）、瑞薩（第9）、羅姆（第10）這五家企業合計佔有全球20%以上的功率晶片市場份額。同時，日本政府在推動功率半導體發展上扮演積極的角色。去年5月，日本政府發布關於發展半導體的成長策略草案，旨在到2030年前將日本企業在全球功率半導體的市場佔目前20%左右提高至40%。日本經濟產業省（METI）也正透過推出補貼政策來支持功率半導體產業，展現出志在必得的擴張野心然而，現實的發展並未如日本大廠們所預期的順利。儘管日本在功率半導體領域具有舉足輕重的地位，但隨著全球競爭加劇、技術發展與市場需求變化，日本功率半導體產業迎來市場和行業變遷所帶來的挑戰，優勢逐漸消失，曾經野心勃勃的擴產計劃也一拖再拖。從2024年全球功率半導體市場TOP10榜單來看，日本廠商僅剩三席，且全球市佔率均不足5%。日本功率半導體廠商，陷入睏局從當前企業動態和進展來看，日本功率半導體產業陷入了重重困境，撤退之勢愈發明顯。羅姆：投資動能放緩羅姆，這家在功率半導體領域曾經勃勃雄心的企業，與當下的發展態勢形成鮮明反差。在財務數據上，截至2025年3月的財年，羅姆公司錄得500億日元淨虧損，這是其12年來首次全年虧損。而在截至6月的季度，雖錄得29億日元淨利潤，卻較去年同期下降14%。據報導，羅姆2025財年第一季的營收為1,162.05億日元，年減1.8%，營業利潤更是大幅下降84.6%至1.95億日元。從市場需求端來看，作為羅姆功率半導體最大需求方的電動車市場，成長步伐放緩，這對其營收產生了極大的衝擊。同時，來自中國新興企業的激烈競爭，正持續侵蝕羅姆的利潤空間。為因應需求疲軟，羅姆不得不調整投資策略。原計劃在2025財年起的三年內對碳化矽（SiC）半導體投資2800億日元，如今考慮將投資額縮減至1500億日元。資本支出也隨之收縮，羅姆預測2025財年的資本支出將較上一財年下降36%至850億日元，預計折舊費用將下降26%至616億日元。在產能擴張與產品開發計畫方面，羅姆同樣進展不順利。近年來，羅姆積極投資於宮崎縣新功率半導體工廠等設施，計劃透過擴大產能、向8英寸平台過渡以及推出新一代功率SiC裝置和模組，大幅提升功率SiC業務收入。其中，新廠已開始SiC基板的試生產，並計畫於2026年春季開始SiC功率半導體的量產。但目前投資動能已放緩，產能擴張速度遠不及預期。在產品開發上，儘管羅姆加速推出下一代SiC功率半導體，2024年6月宣布第六代產品將比原計劃提前一年上市，從2028年提前至2027年，原定於2029年上市的第七代產品也提前至2028年上市，第五代SiC MOSFET預計將於2025年上市的第七代產品也提前至2028年上市，第五代SiC MOSFET預計將於2025年產品的設計形式提供第八代產品的設計但即便如此，面對來勢洶洶的中國競爭對手，羅姆仍倍感壓力。羅姆功率元件業務負責人Kazuhide Ino坦言，如果開發速度無法超越中國競爭對手，羅姆將無法在市場上取得成功。羅姆甚至承認，中國製造商在SiC基板功能方面已達到頂級水準。此外，羅姆新任社長東克己在分析公司產品時表示：「部分產品市場表現良好，但目前已缺乏羅姆獨有的特色產品。」這一言論也從側面反映出羅姆在產品競爭力上的不足。展望未來，東克己計畫“強化與客戶的聯繫，開發契合市場需求的產品”，並“考慮實施組織變革，讓研發人員能夠專注於產品研發”。公司高層也持續研討深化與東芝於2024年3月宣佈建立的半導體業務合作關係，試圖以此尋求新的發展機遇，然而成效仍有待時間檢驗。東芝：本土進展寥寥，瞄準中國供應商近年來，東芝在功率半導體類股的發展之路也佈滿荊棘。在合作拓展方面，東芝與羅姆的深度合作陷入僵局，2024年初宣布的深化合作討論已「停滯」。此前，雙方進行了兩輪合作談判，第一輪於2023年12月宣布製造合作，旨在利用彼此工廠降低投資成本；第二輪羅姆提出更廣泛合作意向，涉及研發、銷售和採購等多方面。 2023年，羅姆向東芝投資3,000億日元，作為東芝私有化收購案的一部分，彼時雙方優勢互補，被市場寄予厚望。然而，如今實質進展寥寥，消息人士稱羅姆已「放棄」在共同製造之外尋求更深入合作的努力。儘管羅姆表示共同製造穩步推進，更廣泛合作談判仍在進行，東芝也堅稱共同製造按計劃開展，但對更廣泛合作不予置評，這與東芝此前的回應一致，足見其合作拓展計劃嚴重受阻。從投資報酬率來看，東芝在功率半導體領域也未達預期。 2023年東芝將功率半導體業務定位為成長領域，計劃在截至2026財年的三年內共投資約1,000億日元。雖有兵庫縣姬路半導體工廠新廠房竣工，將承擔IGBT等功率半導體後道封裝業務，產品供應日本汽車相關廠商；石川縣加賀工廠也已建成，用於製造12英寸IGBT晶圓，投入運營後汽車功率半導體產能比2022財年增加一倍以上。但市場環境變幻莫測，電動車需求半停滯，即便電動化趨勢未改，可短期內東芝功率半導體業務難從大規模投資中獲得足夠報酬。此外，全球功率半導體市場競爭激烈，東芝面臨各方的挑戰。中國新興企業不斷崛起，在成本控制與市場反應速度上具有優勢，正逐步蠶食東芝的市場佔有率。老牌競爭對手也持續發力，不斷推出新技術、新產品，壓縮東芝的生存空間。能看到，在當前大環境下，東芝在功率半導體領域的動作愈發放緩，若無法進一步在合作、投資策略以及技術創新等方面做出有效調整，未來發展之路將愈發艱難。在撰稿期間，前方傳來東芝與天嶽先進簽署諒解備忘錄（MOU）的消息。根據該備忘錄，雙方將探討合作提升天嶽先進開發和生產的碳化矽（SiC）功率半導體晶圓的特性和質量，並擴大天嶽先進向東芝供應穩定、高品質的晶圓。瑞薩電子：放棄SiC瑞薩電子在功率半導體領域的發展，也可謂深陷泥沼、危機四伏。2025年上半年，瑞薩電子淨虧損1753億日元，創下同期歷史最高虧損記錄，這一數據直觀地展現出其當下糟糕的財務狀況。然而禍不單行，瑞薩電子6月無奈宣布放棄進入碳化矽市場的計畫。這項決定背後，是許多複雜因素交織。而碳化矽市場情勢的變化正是關鍵因素之一。碳化矽雖未“退潮”，但泡沫與現實的邊界正逐漸顯現。瑞薩的退出不是終結，而是一個信號：SiC不再是所有廠商的“必選項”，而是成為真正有產能兌現力與成本控制力者的賽場。從市場需求端來看，一方面電動車市場成長的緩慢態勢，大大衝擊了碳化矽晶片的需求預期。瑞薩電子先前試圖擴大功率晶片產能，將寶押在不斷增長的電動車需求上，期望藉此提振基於碳化矽構建的晶片市場，然而日本在電動車普及速度上，遠不及中國或歐洲，作為與日本汽車製造商關係密切的功率晶片公司，瑞薩電子深受其害。另一方面，來自中國的競爭愈發激烈，市佔率不斷被蠶食。伯恩斯坦研究公司分析師David Dai指出，功率晶片製造商陷入困境的最大原因是與中國公司的價格戰，而瑞薩電子顯然在這場價格博弈中處於劣勢。在這樣的市場周期下，對所有仍堅守SiC賽道的玩家而言，技術投入不再是唯一護城河，資本結構、產能兌現節奏、客戶結構與供應鏈安全，正在成為決定生死的新變量，而瑞薩電子在這些方面顯然未能佔據優勢。同時，瑞薩電子也受到美國公司Wolfspeed破產的沉重打擊。 Wolfspeed作為碳化矽晶片襯底製造商，曾與瑞薩電子簽訂長期供貨協議，瑞薩早在2023年就向Wolfspeed支付20億美元定金，以鎖定未來十年的SiC晶圓供應，可如今Wolfspeed資金鏈緊張、產能難以兌現，瀕臨破產，這使得瑞薩交易計畫不僅徹底生產」SiC$CD。在產能與人員規劃上，瑞薩電子同樣舉步維艱。原定於2025年初開始的大規模功率半導體生產被迫推遲，數據顯示，截至2024年12月的三個月內，公司製造設施產能利用率僅約30%，相較於上一季的約40%進一步下滑。為削減成本，緩解經營壓力，瑞薩電子計畫在日本和海外的21,000個職位中，裁減不到5%（約1,050人）的員工。不僅如此，瑞薩電子因為中斷利用碳化矽材料開發新一代功率半導體的項目，原計劃2025年在群馬縣高崎工廠啟動的量產計劃取消，碳化矽產品團隊也已解散，後續量產時機仍在重新評估之中。不難看到，曾經躊躇滿志的佈局，如今化作泡影，瑞薩電子在功率半導體領域的發展，正面臨前所未有的挑戰，未來發展之路迷霧重重。三菱電機：投資縮減、擴建延後曾幾何時，三菱電機對功率半導體業務滿懷憧憬，佈局雄心勃勃。 2023年3月，其宣布計劃在5年內投資約1000億日元，用於建設新的8英寸SiC工廠並加強相關生產設施，彼時規劃該廠房於2026年4月投入運營，還計劃在熊本縣合志市的工廠增強150毫米晶圓生產設備，在功率元件製作所（福岡市）投資100億日元建造新廠房用於後製程，並預計到2026年度，晶圓產能大幅增加至2022年度的5倍，目標是到2030財年將功率半導體業務中SiC的銷售額比例提高到30%以上。甚至一度宣布位於熊本縣正在建設的SiC晶圓廠將提前至2025年11月開始運營，工廠完工時間定為2025年9月。然而，市場的風雲變幻遠超預期，如今三菱電機在市場浪潮中也顯露出諸多頹勢。當下，三菱電機不得不直面發展受阻的困境。其位於熊本縣、原定今秋投產的功率半導體新廠的擴建計畫已被推遲。原本規劃在2026至2030財年的五年間豪擲3000億日元用於發展，如今卻陷入了投資額縮減的考量。在當前市場需求變緩、市場競爭加劇的大環境下，三菱電機即便前期做了諸多準備，也難以抵擋市場下行的壓力，投資計劃被迫調整，未來發展增添了諸多不確定性，曾經的宏偉藍圖如今正面臨嚴峻挑戰。富士馬達：營收下降，措手不及在財務表現上，2024財年富士電機淨利達1,188億日元，年增10.1%，但因市場環境的急劇變化，其2025會計年度淨利預計下降12.2%，至810億日元。從業務類股來看，電動車（EV）用功率半導體訂單的減少，給富士馬達帶來了沉重打擊。半導體設備營收下降5.8%，營益更是銳減42%，僅剩215億日元。與之形成鮮明對比的是，其能源和工業設備業務表現相對較好，能源事業營收預計增長5.7%，營益增長38%；工業設備盈利增長19%，凸顯出功率半導體業務的發展不利。全球市場競爭的加劇，讓富士馬達的處境愈發艱辛。在全球功率半導體市場中，中國新興功率半導體公司正憑藉成本與價格優勢，加速搶佔市場份額。富士馬達曾經引以為傲的產品優勢，也逐漸被削弱。在國內市場，富士馬達更是面臨巨大挑戰。歐美外資品牌在中國市場掀起了降價潮，降價幅度超過30%，這一舉動雖為無奈之舉，試圖透過價格戰延緩國產SiC和IGBT模組的替代進程，但也側面反映出富士電機在面對中國本土企業競爭時的無力感。像比亞迪半導體、中車時代等國產IGBT廠商，在新能源汽車市場的份額從2019年的20%躍升至2023年的60%以上，富士馬達在這一細分領域的市場空間被嚴重壓縮。市場需求的變化也讓富士馬達措手不及。富士經濟調查顯示，由於電動車需求放緩、工廠自動化投資下降以及中國經濟成長態勢的轉變等因素，功率半導體市場在2024年遭受庫存積壓的衝擊，這對富士馬達的生產與銷售計畫產生了極大的干擾。為了因應市場環境的變化，富士電機也嘗試透過合作來尋求突破。 2025年，電裝收購了羅姆約5%股份，並與富士馬達在碳化矽領域建立合作關係，期望藉助合作開發新技術、拓展市場。然而，過往日本企業間的合作困境重重，各公司產品線廣泛且對專有技術保密甚嚴，導致合作推進緩慢。富士電機此次合作能否打破僵局，取得實質成果，仍充滿不確定性。日本功率半導體困局，原因何在？在全球功率半導體的激烈競爭格局中，日本企業曾經佔據著領先地位，如今卻深陷頹勢，面臨著諸多嚴峻挑戰，造成這一問題的原因歸結為內外兩部分因為。一方面，內部整合艱難：缺乏信任與協作：從企業內部來看，各家公司對自身專有技術過度保護。一位日本大型晶片製造商的資深員工透露，公司的生存高度依賴能否開發出契合客戶規格的產品，所以在產品規格資訊共享方面極為謹慎，生怕專有技術洩露，即便是對客戶也小心翼翼。這種對科技外洩的擔憂，使得企業間難以建立深度信任，而信任恰是深度整合與協作的基石。並且，由於每家企業都擁有廣泛的產品線，在協調過程中，從生產安排到技術融合，都面臨著許多難題，大大阻礙了企業間的合作進程。無明確領導者：在整個產業層面，日本功率半導體領域缺乏一個能主導整合的龍頭企業。目前各企業市佔率相當，且各自具備獨特優勢，沒有一家企業願意在整合過程中做出讓步，缺乏核心引領者來統籌規劃，使得大規模的產業整合難以推進。策略差異：以羅姆為例，它於1954年在京都成立，最初是收音機電阻器製造商，之後憑藉專業元件製造取得成功，這種獨立發展起來的模式與東芝、三菱電機等隸屬於大型電子或汽車集團的企業有著截然不同的文化與戰略目標。羅姆更專注於特定元件領域，而東芝和三菱電機的業務範疇更為廣泛，戰略重心的不同使得它們在尋求合作時，難以達成一致。另一方面，外部競爭壓力也是日本功率半導體產業衰退的關鍵：中國企業的崛起：中國新興功率半導體企業發展迅猛，在全球市場上迅速搶佔份額。在碳化矽基板製造市場，天科合達和天嶽先進等企業已嶄露頭角，甚至可以說中國企業幾乎主導了這個市場。中國企業不僅在產能上不斷擴張，而且憑藉國內龐大的電動車市場需求，能夠實現規模化生產，有效降低成本。同時，中國企業還能藉助客戶數據持續改進產品，進一步提升產品競爭力。在全球功率半導體市場，中國企業的價格優勢也迫使日本企業陷入價格戰的困境，不斷壓縮其利潤空間。市場需求變化：全球電動車市場的發展態勢並未如日本企業預期的那麼樂觀。歐洲等地電動車市場成長率低於預期，而日本在電動車普及方面，相較於中國和歐洲明顯落後。這使得日本功率半導體企業在面向電動車應用的晶片產能擴張計畫受挫，前期大量的投資無法透過市場需求得以消化，造成產能過剩與投資回報不足的問題。中國功率半導體崛起，日本承壓加劇在全球功率半導體領域，日本企業曾長期憑藉深厚的技術累積與成熟的產業體系佔據優勢。然而，近年來中國功率半導體產業如同一顆迅猛升起的新星，以令人驚嘆的速度佈局、突破與進展，對日本產業和企業造成了巨大衝擊，使得日本功率半導體行業的競爭力面臨前所未有的嚴峻挑戰。《日經亞洲》8月20日的報導鮮明地指出，中國企業在矽（Si）和碳化矽（SiC）基板製造方面正逐步構建起完整的生產能力，依托低廉的能源成本與龐大的國內市場，實現了快速成長，其獨特的垂直整合模式更是對日本企業形成了強有力的挑戰。儘管局勢緊迫，但東芝、羅姆、三菱電機等日本廠商至今仍未能形成統一戰線，協同應對競爭。業內專家直言，日本與中國企業在矽晶片技術上的差距或許僅一到兩年，在碳化矽晶片方面也至多三年。日本企業先前高估了本土電動車市場的發展潛力以及自身在全球的競爭力，當下必須加速產業整合，才有可能提升成本競爭力。天科合達與天嶽先進作為碳化矽襯底領域的領跑者，逐漸打造了「技術-產能-市場-國際化」的全鏈路體系。其中，天科合達以17.3%的市場份額位居全球第二，其碳化矽襯底年產能覆蓋北京、江蘇、深圳等地，僅深圳基地2024年襯底和外延產能就達25萬片；天嶽先進則以17.1%的份額提升50%，並使其達到884%，實現88%，在供應鏈端，天科合達和天嶽先進已深度綁定國際大廠。英飛凌與兩家企業簽訂長期供應協議，其SiC襯底採購量佔比達兩位數，而意法半導體透過與三安光電合資建廠，將中國作為其全球SiC製造基地之一；還有上文提到的，東芝與天嶽先進日前新簽署了一份諒解備忘錄（MOU），根據該備忘錄，雙方將探討合作提升天嶽先進開發和生產的碳化矽（SiC）功率半導體晶圓的特性和質量，並擴大天嶽先進向東芝供應穩定、高質量的晶圓。這種合作模式不僅降低了國際大廠的成本，也加速了中國技術標準的全球化推廣。在終端應用領域，士蘭微、基本半導體、三安光電等一眾中國企業已實現關鍵突破，逐步取代海外進口產品。這些進展直接擠壓了日本企業的市場空間——2024 年三菱電機、富士電機等日本廠商全球市場份額均不足5%，且面臨中國企業在中低端市場的價格圍剿和高端市場的技術追趕。在氮化鎵領域，英諾賽科作為全球首家實現8吋矽基GaN晶圓量產的企業，自2023年以33.7%的營收份額穩居全球GaN功率元件市場第一以來，持續主導市場份額。其IDM全產業鏈模式（從設計、製造到封測）保障了產品穩定性，並為NVIDIA Kyber機架系統提供全鏈路GaN電源解決方案，成為其800V直流架構中唯一的中國供應商。近日，英諾賽科市值更是突破740億港元大關，上市短短不到一年時間便躍升為功率器件企業市值TOP1，可見其實力非同一般。中國功率半導體產業的快速發展，憑藉著成本優勢、規模效應以及對市場的快速反應能力，從多方面對日本產業和企業造成了衝擊，不斷搶佔市場份額。在技術競爭上，中國企業的快速追趕壓縮了日本企業的技術領先優勢。曾經日本在功率半導體技術上大幅領先，但如今在矽晶片和碳化矽晶片技術方面，與中國企業的差距不斷縮小。日本企業過往依賴的技術壁壘正逐漸被打破，若無法加快技術創新與產業整合，未來在技術競爭中將愈發被動。寫在最後在功率半導體產業版圖中，局勢瞬息萬變。曾經，日本企業憑藉著深厚底蘊在該領域佔據重要地位，可如今，卻在重重挑戰下艱難摸索前行之路。回顧往昔，20世紀90年代，日本晶片產業因未能敏銳洞察產業從垂直整合轉型為專業化分工的大勢，致使富士通、NEC等產業巨擘走向沒落，無疑是一記沉重的歷史警鐘。當下，功率晶片產業正站在命運的十字路口，中國企業憑藉著價格戰與規模化優勢，如同一股新興的強大力量，強勢攪動市場格局。面對功率半導體產業的競爭困局，日本企業因產業碎片化、內部協作匱乏陷入被動，即便政府與企業已著手應對，產業整合步伐仍顯遲緩，曾經的技術優勢也在逐步縮小。正如日本畢馬威FAS合夥人岡本純所言，“電動汽車用功率半導體的需求要到2026年以後才會真正復甦”，在市場復甦尚需時日的當下，日本功率半導體產業的破局更需政府與企業協同發力、當機立斷，若執著短期利益而無法凝守在全球競爭中。政府層面，雖已透過經濟產業省推動設計與製造流程合作，並為富士電機-電裝聯盟、羅姆-東芝合作分別提供資金支持，但相較對尖端邏輯晶片項目的投入仍顯不足。後續需進一步加大功率半導體領域資金扶持、優化投入結構，同時透過稅收優惠、行政核准便利等政策，引導企業深化整合。企業層面，則需徹底摒棄「各自為戰」思維，一方面深化合作聯盟－在研發端聯合設中心攻克技術、銷售端整合通路拓展市場、供應鏈端協同降本保穩定；另一方面調整戰略佈局，擺脫對電動車單一領域的過度依賴，轉向工業自動化、能源等需求成長領域開發劣勢唯有如此，日本功率晶片產業才有可能在風雲變幻的市場中，找準新的定位，重拾往日輝煌，在全球功率半導體產業的激烈競爭中贏得一席之地。(EDA365墊子論壇)
