2026年1月以來中國商務部展開兩項對日的反制措施。第一個是加強兩用物項對日本出口管制，這個規定挺莫名其妙的，涵蓋上千種關鍵物資，包羅萬象，也不知道是要禁啥。看資料內容包括半導體產業核心材料如鎵、鍺、稀土、石墨、超硬材料等，以及光刻膠上游原料、專用積體電路晶片、高性能感測器等半導體相關物項。但是這些也只有原料鎵，我們中國有壟斷力，但是鎵前幾年我們早就管制了，這兩年小日本搞回收鎵，DOWA的回收鎵比中國的原料鎵成本還要低4成，這兩年國際上鎵的價格一直在下跌。鎵是卡不了日本。其他什麼光刻膠上游原材料，晶片，高性能感測器，小日本也不需要咱們，反而是我們需要他的。所以什麼兩用物質管制，到底管制啥完全沒法理解，有點不知所以。第二個管制是對原產於日本的進口二氯矽烷發起反傾銷立案調查。這個調查可能僅限於中國關注多點，日本媒體有報導但都是一筆帶過，也就是說這件事不是很重要。二氯矽烷也就是DCS，全世界很多企業在做，不只有日本，日本的信越跟日酸是全球前二，美國AP跟REC，法國法液空，德國林德，韓國，台灣都有廠家。我們中國也有好幾家生產Sih4的工廠，其中一家河南矽烷的裝置正是筆者在行業內的時候參與規劃設計的。可以算是中國矽烷自主的第一套裝置。DCS是西門子法生產矽片的副產品，中國的裝置以生產矽烷為主。全球半導體用的DCS一年一億多美元的銷售額，大約10億人民幣左右吧。信越是龍頭佔20多個點，全年DCS這個品類全球總銷量大約2億人民幣，對中國大陸的出貨佔全球2-3成，也就是中國的反傾銷調查，信越可能每年得損失4-6千萬的業績，日酸大概也得損失3千萬左右。這個反傾銷調查，如果最終成功，對整個日本的打擊大約是7-9千萬人民幣左右。為何我們非得針對DCS這個微不足道的玩意呢？筆者認為，針對信越殺雞儆猴的可能比較大，信越一直比較鷹派，好幾年前針對中國大陸的先進光刻膠就是新客戶不給報價的狀態。在JSR以及TOK在日本政府禁止下還想盡辦法賣給我們的時候，信越是主動不提供報價，主動不賣的廠家。我們搞DCS二氯矽烷的反傾銷，那信越一年得損失5-6千萬人民幣，雖然對營收超過千億人民幣，利潤2-3百億的信越沒啥影響但多多少少也能𫫇心一下信越。而且搞DCS，那JSR跟TOK這兩家一直透過第三方在賣的日本光刻膠廠家也不會受影響。DSC這個微不足道的東西，我能想到的大概是這原因，其實行業內估計沒有人會去想這事，屬於可以忽略不計的一件事，畢竟能供貨的也不只有日本，全世界太多供應商了。至於我們發起什麼兩用物質管制以及DCS反傾銷，從行業來看，屬於不知所以也不知道目的為何的操作，應該就是純政治意義的操作了。政治意義的話，可解讀的就多了，畢竟政治解讀，可以用任何角度且都沒有絕對的對錯，政治永遠都是公說公有理，婆說婆有理的兩條平行線。咱們這是講專業的半導體公眾號，啥國仇家恨那些就不浪費時間討論了。至於能否解讀出我們對日展開政治制裁，就代表我們的光刻膠已經不依賴，這種毫不相關的東西，只能算自己的意淫，或者那些以立場為歸，不講專業與技術的中文媒體的意淫。我們針對日本展開連別人都感覺莫名其妙的管制，直接掛鉤我們光刻膠不依賴了？ 中間缺乏太多需要證明的環節，所以這樣的猜測我只能說意淫。就跟我們中國幾年前對金屬鎵出口的管制，25年稀土出口的管制，對美國為首的西方發起反擊，我們這個反擊是因為我們有自己的光刻機了？我們敢反擊西方就代表我們不再需要進口裝置了？自然不是如此。反擊是一種表態，更是對未來談判籌碼的積累。比如這次對小日本的反制來說是忽略不計的，壓根打不到痛處，但我們表達態度了，日本自然是得掂量，我們總不能啥表示都沒，這方面國家職能部門一直拿些得很精準，該用多大力度，以及節奏掌控都非常得宜，這方面相信國家即可。但是用我們反制來聯想中國國產光刻膠不依賴了，就純屬不知所以的邏輯。至於光刻膠，一直都是檯面下運作的，在明面上日本早就對中限制先進製程的光刻膠，2023年5月，日本產經省已明確規定。但是我們還是一直能拿的到，這一切有一條明面上看不見的交易網路，這並不是我們能100%或者大部分能中國國產，那還是有點遠。光刻膠的影響目前中日事態演變繼續惡化下去光刻膠斷供確實是一個風險。不得不防，也不要心存僥倖。畢竟目前中國能維持光刻膠不斷供，是產業界透過無數人，無數企業，代理商如螞蟻搬家的力量去找到各式各樣的管道建立起來的。這個不斷供的機制也是建立在日本政府沒有從源頭強力管控的大原則之下才得以運行，如果日本政府強力稽核所有光刻膠企業的每一筆去向，違法者重罰，那局面會截然不同，所以一切都必須維持這種檯面下的恐怖平衡不能失控。我想一月以來商務部兩次對日不痛不養的反制，除了正式表達我們的立場以外，也是在克制不打破這個檯面下平衡的努力。斷供光刻膠是日本以技術影響外交的慣用手法，2019年對付韓國就是來這招。光刻膠一直是筆者與行業內擔心的事，它太重要了，中國國產化率又非常低，一但斷供那對中國先進製程是毀滅的打擊，但很可惜還是有很多人包含業記憶體在僥倖心理。要明白這事有多嚴重，首先還是得從光刻膠本身談起光刻膠有非常多種，PCB，面板，LED，先進封裝都要用到，但這些領域的光刻膠要求不高，主要還是線寬要求不高。半導體用光刻膠是最高等級，分類主要以曝光的光源波長也可以說光刻機來分1. G-line (436 nm)、i-line (365 nm)：對應0.25um以上的工藝。2. KrF (248 nm)：對應0.13~0.25um工藝。3. ArF (193 nm)ArF dry (乾式) : 0.11um~65nm工藝ArF immersion（浸沒式）：45nm~7nm4. EUV (13.5 nm)：7nm~2nm從曝光波長也就是光刻機種類來區分，針對不同的波長有不同的光刻膠，這屬於光刻膠的大分類。事實上不論那種波長的光刻膠，都不是單一種光刻膠，而是每種波長的光刻膠高達數十種甚至上百種。每種波長光刻膠之下，我們還能依照不同功能來區分比如正/負膠，line/space 以及 contact-hole 專用配方，topcoat / BARC（底抗反射塗層），顯影劑/去膠劑、以及不同硬掩膜（hard mask）材料 等。每一類都有專門配方。所以光刻膠不是「一個產品」，即便是同一波長，比如A膠他也會有多個用途/多種化學配方/多個 tone 與不同解析度-靈敏度 trade-off 取捨。光刻膠用在那？一顆先進製程晶片有大幾十層，大致可分為器件層，金屬層，介質層，接觸孔層，鈍化層等。把這些功能層加工出來，主要就是透過反覆的增材與減材的逐層加工，一層一層把晶片所有功能層做出來，整個過程可能會超過上百層幾千道的工序。我們以中國用DUVi光刻機＋SAQP四重曝光製作7nm的工藝為例，由於多重曝光會顯著增加 litho-step、mask 、以及所需的材料/處理步驟，最終整個加工步驟在120～130層左右。其中需要光罩做圖型定義的mask layer超40層，硬掩膜hard mask約20層，有些非關鍵層可以直接用光刻膠做軟掩膜，剩下有一半是不需要光刻的沉積層，離子注入層以及平坦化層等等。也就是說四重曝光的7nm晶片製程，需要用到光刻膠的超60層左右。這代表製作一顆7nm晶片需要60種光刻膠？事實上數量不是這麼算的，60層有很多是同一個SKU，而一個layer也不一定只用一種光刻膠。大類來說，這個7nm晶片製作過程需要用到 I膠，K膠，A膠以及浸沒式A膠，因為7nm晶片，在高層數金屬層也會用到i-line以及KrF這類成熟製程的光刻機。單單針對ArFi的光刻膠，就多達數十種，vendor必須推出多個不同配方以滿足不同的「解析度／靈敏度／線寬/孔徑/溶解特性/耐刻蝕性/熱穩定性／相容底層」的需求。比如，不同的正膠 L/S（line/space）配方、接觸孔（contact hole）最佳化配方、極高解析（低 LER）配方、低溶解度配方、低殘留配方、雙重圖形化/間接 patterning 專用配方、以及配合某些硬掩膜的專用配方等。每一種配方在化學組成，聚合物主體、PAG、溶劑、溶解抑製劑、加入劑等都會不同。目前全球主要光刻膠供應商，JSR、TOK、信越等對於 ArFi 都有數十款SKU以供選擇（按層、按用途、按曝光工具/資料窗）。而且上述每一家都有自己擅長的配方，比如否種功能用某家的良率會更好，整體來說目前ArFi光刻膠，信越的評價最好，良率最高。所有的ArFi膠有數十種，那製作一顆7nm晶片需要用到多少種呢？我們以M1/M2這樣的key metal layer用多曝製程來說，這會牽涉到不同的材料/塗層步驟，每一步都可能用不同配方，首先，第一道光刻（mandrel）用 ArFi 正膠（line/space 配方) ;刻蝕／形成 spacer，這牽涉到hard mask材料，而hard mask可能用不同的沉積材料/蝕刻配方。接下來用氧化或氮化層沉積，再做 spacer，然後再用stripper去除 mandrel；然後再做第二次光刻，如果是LELE，可能要另一種光刻膠或相同配方但不同曝光條件；上述的一個多重曝光工藝要用到許多的不同功能的光刻膠，但還遠不止與此，因為每一次coating塗膠前還得先涂一層BARC底部抗反射塗層。浸沒式光刻製程，coating之後，前烘完還得在光刻膠上涂一層topcoat用來保護光刻膠跟純水直接接觸。也就是說光刻膠塗膠之前跟之後分別還要再上一層特殊功能的膠。這也還沒完，每次曝光後的developer還得用顯影劑，刻蝕完之後還得用stripper去除殘留光刻膠還有清洗液。上述就是一個多重曝光需要用到光刻膠以及各種化學藥劑的過程，而上述的所有化學品，在14nm以下的先進製程中，所有品類目前的中國國產化率都非常低，對日本的依賴嚴重。即便門檻較低的顯影液或去膠液整體中國國產化率還不錯，但是針對先進製程的中國國產化率卻不到20%，ArFi光刻膠，BARC以及topcoat則更低都在10%以下。這些正是中國國產7nm晶片生產過程必須用到的化學品，沒有這些化學品，剛剛公佈的麒麟9030將沒辦法生產。更麻煩的是，一個做先進製程的fab，其前段與後段、所有層，會用到上百種不同的 resists / BARC / topcoat / stripper / developer 。這也是為什麼「替換光刻膠供應商」不是換一桶膠就能完成的原因，因為每個 layer 的相容性、曝光窗口process window、熱處理、黏著性、殘留物、與光刻機與塗膠顯影裝置高度繫結。也就是說用ASML的scanner配套TEL的Track，每一個 layer 用的 resists / BARC / topcoat / stripper / developer也是必須是固定Vendor與配方，研發能力強的Fab甚至會要求Vendor出獨特的配方，配套自家工藝。如果今天我們把ASML的scanner換成Nikon或者中國國產光刻機，那上述的所有化學品都要有跟著全換一遍相配套的配方。簡單說就是未來如果裝置換了，光刻膠與化學品也得跟著換相應的配方。所以一直有很多人關心中國國產光刻機進度，卻沒有人關心光刻製程中還有一大堆要配套的裝置與化學品甚至還有計算光刻等軟體，這是一整套的系統級工藝，每一項缺一不可。如此多環節配套且高度系統化的光刻工藝，確實大大增加了攻關難度。目前全球光刻膠的主力供應商為 JSR、TOK、信越、Fujifilm、DuPont、Merck、Sumitomo等大型化學廠，這些公司在配方、純度控制、批次穩定性、以及長期與Fab合作的認證生態方面非常成熟。其中JSR、TOK、信越為D3，幾乎壟斷全球高端光刻膠市場，D3的ArFi市佔約92%，EUV光刻膠更是達95%。D3對高端光刻膠的絕對壟斷，而且全部來自日本，這正是日本有恃無恐的底氣。從日韓摩擦的歷史經驗找契機2019年日本產經省宣佈對韓國的光刻膠，高純度氫氟酸，氟聚酰亞胺等三種對半導體行業至關重要的材料實施強力管控。瞭解當初日本對韓國斷供的來龍去脈，有助於我們對此事的深層次瞭解，它到底有啥影響以及如何應對2019年的起因是韓國在對日強硬派總統文在寅上台後，韓國法院判決日本三菱重工與新日鐵須向二戰強徵的韓國勞工賠償，而日本以1965年的『日韓請求權協定』已完全解決所有歷史賠償問題，認為韓國違反國際法。遂於2019年7月宣佈光刻膠在內的三種化學品對韓出口管制。日本管制的同時，2019年Q2～Q4三星因為光刻膠儲備不足，營收同比下滑3成以上，利潤暴跌53%。而業務多元化不如三星的海力士則更為慘烈，營收接近腰斬，利潤暴跌89%。2019年韓國半導體出口同比下滑27%，一個國家的最大支柱產業出口大跌，拖累當年韓國GDP增長接近1個百分點。韓國半導體行業被日本狠狠地上了一課。2019年11月韓國總統文在寅在曼谷東盟峰會期間主度呼籲雙方會談，12月正式雙方首腦會談之前，日本在斷供5個月之後，宣佈小幅度放寬對韓光刻膠管制，整個韓國半導體行業稍稍鬆了一口氣。2020年3月日本又首次批准向韓國出口EUV光刻膠，並特別允許三星獲得至少9個月用量的7/5nm EUV光刻膠，當時三星的7nm邏輯製程已經接近停擺。面對日本的斷供，韓國採取不卑不亢的軟硬兼施的策略，雖然是文在寅事先喊話日本要求會談，但日本也很好的反饋韓國，也就是雙方並沒有把事做絕，都留了一線。這裡面當然也有美國的強力斡旋，畢竟屬於盟友關係，所以日本當時是開了口子，韓國半導體也得到喘息機會。最終韓國在2023年提出第三方代償方案，由韓國政府設立公共賠償基金向韓國受害勞工賠付，等於是用韓國的錢還日本的債，最終日韓於2023年3月正式和解，日本正式解除對韓半導體材料管制。正因這段管制期間，韓國政府痛定思痛，舉國之力發展半導體材料，三星在2020-21年投資韓國14家材料企業，投入資金超3800億韓元。經過四年的努力，韓國光刻膠中國國產化率提升到15%左右，高純度HF自給率70%，氟聚酰亞胺則是聯合中國供應鏈把日本供應商打壓至30%以下。這段期間韓國光刻膠經過不斷努力突破了日本封鎖，成就了東進世美肯以及SK Materials兩家本土光刻膠公司。東進世美肯除了開發了ArFi光刻膠，更是成功開發出EUV光刻膠成為日本三巨頭以外的全球少數能做EUV光刻膠的企業。SK Materials除了ArFi光刻膠也開發出針對3D NAND高厚度KrF光刻膠。不過在韓國本土光刻膠廠商取得不錯的進展同時，我們看到韓國的光刻膠中國國產化率還是很低只有10～15％，這又是為何？兩家韓國光刻膠企業不是都能做ArFi光刻膠了嗎？真正的原因是這兩家是開發出了ArFi產品，但有產品不代表好用，文章開頭說了，這是一個極度龐大且繁瑣的系統工藝，涉及的品類以及配方太多，每一種又必須跟光刻機與塗膠顯影裝置搭配。所以即便韓國本土廠商開發出來相關產品，最終fab還是不太願意使用。這裡還有一個很大的原因，事實上日本只有5個月的時間是真正禁死的，這幾個月韓國半導體產出確實暴跌，但同年12月日本開了口子之後，韓國半導體工廠也開始恢復，務實的政治談判功不可沒。透過2019年日韓的半導體材料摩擦，我們可以清楚地看出所有對應關係與對半導體行業的影響。目前日本由比當初安倍更右的高市早苗領導，挑釁意味確實更高，如此一來，我們也很難保持戰略定力，該出手教訓還是得出手。可以預見，中國半導體產業尤其是先進製程將承受非常大的壓力，光刻膠正是這幾年來美國拉著日本荷蘭對華封鎖筆者最擔心的事。中國半導體行業對此也一直在努力，除了強力攻關，提升中國國產化率以外，也準備了很多辦法，不管檯面上還是檯面下，你想得到或你想不到的方法，中國無數從業者與貿易商都在看不見的層面上下功夫。但最終的關鍵還是日本到底有沒有留口子，跟當初的對韓國一樣，沒有把事情做絕，這是我們半導體行業是否能正常運轉的核心關鍵。中國國產光刻膠進度如何？我想，即便像當初韓國本土光刻膠廠家那般快速，只要沒有百分百中國國產化，那怕是90%中國國產，只有10％需要日本，那中國先進製程也可能幾個月之後停擺，因為少了10%也不行。實際上，目前的先進製程光刻膠中國國產化率不到10％，差距如此之大，談中國國產不中國國產都沒太大意義，因為1-2年短期根本不可能實現100%中國國產。針對性的全力攻關是目前唯一可行的辦法，主要針對可能被禁，也就是配合ASML光刻機多重曝光7nm製程所需的浸沒式A膠與相關的化學品，先縮小攻關品類，重點突破。其他不涉及先進製程的，比如28nm相關的材料，本來就不會禁，這些可以先放著，這樣一來是有可能在一兩年搭建起不怕日本斷供的供應鏈來。先針對ASML裝置的配套光刻膠化學品出來，能抱持產線運行，在開發中國國產光刻機配套的相關化學品，不同項目組同時進行。這是我們能目前能做的辦法。但在1-2年的短期維度上，光刻膠這件事的核心還是日本會不會禁死，這才是唯一關鍵，就跟當初韓國一樣，不會也沒有其他看點。 (Techcoffee)

在全球科技博弈愈演愈烈的當下，半導體已不僅是產業問題，更成為大國戰略角力的核心戰場。近日，一位日本知名半導體材料企業高管在閉門會議上語出驚人：“中國雖宣稱突破7nm製程，但若沒有我們的光刻膠、高純氣體和關鍵化學品，整個晶片製造體系將在一周內停擺。”此言一出，彷彿要為日本在全球供應鏈中的“不可替代性”蓋上金印。然而，這番看似底氣十足的宣言，實則暴露了日本產業界一種根深蒂固的焦慮——他們害怕被取代，更害怕失去對中國這個全球最大半導體市場的控制權。不可否認，日本確實在半導體上游材料領域擁有深厚積累。從東京應化、信越化學到JSR，這些名字長期主導著高端光刻膠市場。資料顯示，截至2025年底，中國進口的ArF乾式與浸沒式光刻膠中，超過70%仍來自日本；在矽片、CMP拋光液、電子特氣等關鍵環節，日本企業的市佔率同樣居高不下。這種結構性優勢，讓部分日本企業滋生出一種“技術霸權”的幻覺——彷彿只要掐住材料閥門，就能扼住中國晶片產業的咽喉。但現實遠比想像複雜。日本的“材料霸主”地位，並非建立在絕對技術壟斷之上，而是依託於過去數十年形成的全球分工體系。而在這一體系中，中國早已不是被動接受者，而是日益重要的需求引擎與創新參與者。事實上，日本半導體材料出口對中國的依賴程度，遠超外界認知。2024年全年，日本對華半導體材料出口額佔其全球總出口的58%，部分細分品類甚至超過70%。這意味著，一旦日本真如某些政客或企業所願實施全面斷供，首當其衝受損的，將是自身企業的營收與研發循環能力。畢竟，沒有中國市場支撐，高昂的研發成本將難以為繼。更關鍵的是，中國並未坐以待斃。近年來，在“國產替代”戰略驅動下，本土材料企業正以驚人速度填補空白。南大光電的ArF光刻膠已通過中芯國際驗證並小批次供貨；安集科技的CMP拋光液在14nm及以下節點實現穩定量產；滬矽產業的300mm大矽片月產能突破30萬片，逐步替代進口；凱美特氣、金宏氣體等企業在高純氨、氟化物等電子特氣領域打破海外封鎖。這些進展或許尚未完全覆蓋最尖端的EUV材料，但在7nm及以上成熟與先進製程所需的關鍵材料上，中國已建構起“可用、可靠、可擴產”的本土供應網路。更重要的是，這種替代不是孤立的技術攻關，而是嵌入在中國龐大的製造生態、政策支援與資本投入之中的系統工程。日本高管口中的“塌陷論”，本質上是一種心理威懾，試圖用過去的供應鏈優勢嚇阻中國的自主創新步伐。但歷史早已證明，技術封鎖往往催生更強的反制動力。2019年日本對韓限供光刻膠，結果催生了韓國SK Materials的快速崛起；如今若對中國故技重施，只會加速鼎龍、晶瑞電材、彤程新材等中國企業的全球佈局。真正的產業安全，從來不是靠“卡脖子”維繫，而是靠開放合作與多元共存。日本若繼續沉溺於“材料霸權”的舊夢，忽視全球供應鏈正在向多極化、區域化重構的趨勢，終將錯失與中國共同塑造下一代半導體生態的歷史機遇。中國7nm不是終點，日本材料也不是永恆支柱。在這場沒有硝煙的科技長跑中，誰真正擁抱創新、尊重市場、敬畏合作，誰才能贏得未來。而那些妄圖以斷供為武器的人，終將發現——握刀的手，也會被刀鋒所傷。 (晶片研究室)

半導體產業的賽道熱度，從來都是技術迭代與市場需求共同催生的動態圖像。當下，AI晶片在大模型浪潮推動下需求井噴，HBM以其高頻寬特性在資料儲存領域大放異彩，先進製程與先進封裝也在持續突破，搶佔業界的聚光燈。相較之下，一度被全球資本追逐的「明星賽道」——功率半導體產業的「光環」逐漸被這些新興熱點覆蓋，顯得些許冷清。在這波熱度更迭中，全球功率半導體的競爭格局也正發生微妙變化。曾經手握技術與產能優勢、計劃大力擴產以鞏固地位的日本廠商，其擴產進程屢屢陷入「拖延」困境，從專案啟動到產能落地的節奏遠不及預期，往日的行業主導力漸顯疲態；與之相對，國內功率半導體產業則抓住機遇加速突圍不難看到，從熱點退潮到格局生變，功率半導體產業正站在新的十字路口。日本功率半導體，疲態盡顯近年來，隨著新能源汽車、太陽能、風電等產業的快速發展以及寬禁帶半導體材料等新技術的應用推廣，功率半導體產業將迎來更廣闊的發展。日本廠商在功率半導體領域一直以來具有較強的競爭力，高峰時，三菱電機、富士電機、東芝、瑞薩、羅姆等日本廠商在全球功率半導體市場佔有率排名前十中佔據了五個席位。根據Omdia 2021年數據顯示，三菱電機（第4）、富士電機（第5）、東芝（第6）、瑞薩（第9）、羅姆（第10）這五家企業合計佔有全球20%以上的功率晶片市場份額。同時，日本政府在推動功率半導體發展上扮演積極的角色。去年5月，日本政府發布關於發展半導體的成長策略草案，旨在到2030年前將日本企業在全球功率半導體的市場佔目前20%左右提高至40%。日本經濟產業省（METI）也正透過推出補貼政策來支持功率半導體產業，展現出志在必得的擴張野心然而，現實的發展並未如日本大廠們所預期的順利。儘管日本在功率半導體領域具有舉足輕重的地位，但隨著全球競爭加劇、技術發展與市場需求變化，日本功率半導體產業迎來市場和行業變遷所帶來的挑戰，優勢逐漸消失，曾經野心勃勃的擴產計劃也一拖再拖。從2024年全球功率半導體市場TOP10榜單來看，日本廠商僅剩三席，且全球市佔率均不足5%。日本功率半導體廠商，陷入睏局從當前企業動態和進展來看，日本功率半導體產業陷入了重重困境，撤退之勢愈發明顯。羅姆：投資動能放緩羅姆，這家在功率半導體領域曾經勃勃雄心的企業，與當下的發展態勢形成鮮明反差。在財務數據上，截至2025年3月的財年，羅姆公司錄得500億日元淨虧損，這是其12年來首次全年虧損。而在截至6月的季度，雖錄得29億日元淨利潤，卻較去年同期下降14%。據報導，羅姆2025財年第一季的營收為1,162.05億日元，年減1.8%，營業利潤更是大幅下降84.6%至1.95億日元。從市場需求端來看，作為羅姆功率半導體最大需求方的電動車市場，成長步伐放緩，這對其營收產生了極大的衝擊。同時，來自中國新興企業的激烈競爭，正持續侵蝕羅姆的利潤空間。為因應需求疲軟，羅姆不得不調整投資策略。原計劃在2025財年起的三年內對碳化矽（SiC）半導體投資2800億日元，如今考慮將投資額縮減至1500億日元。資本支出也隨之收縮，羅姆預測2025財年的資本支出將較上一財年下降36%至850億日元，預計折舊費用將下降26%至616億日元。在產能擴張與產品開發計畫方面，羅姆同樣進展不順利。近年來，羅姆積極投資於宮崎縣新功率半導體工廠等設施，計劃透過擴大產能、向8英寸平台過渡以及推出新一代功率SiC裝置和模組，大幅提升功率SiC業務收入。其中，新廠已開始SiC基板的試生產，並計畫於2026年春季開始SiC功率半導體的量產。但目前投資動能已放緩，產能擴張速度遠不及預期。在產品開發上，儘管羅姆加速推出下一代SiC功率半導體，2024年6月宣布第六代產品將比原計劃提前一年上市，從2028年提前至2027年，原定於2029年上市的第七代產品也提前至2028年上市，第五代SiC MOSFET預計將於2025年上市的第七代產品也提前至2028年上市，第五代SiC MOSFET預計將於2025年產品的設計形式提供第八代產品的設計但即便如此，面對來勢洶洶的中國競爭對手，羅姆仍倍感壓力。羅姆功率元件業務負責人Kazuhide Ino坦言，如果開發速度無法超越中國競爭對手，羅姆將無法在市場上取得成功。羅姆甚至承認，中國製造商在SiC基板功能方面已達到頂級水準。此外，羅姆新任社長東克己在分析公司產品時表示：「部分產品市場表現良好，但目前已缺乏羅姆獨有的特色產品。」這一言論也從側面反映出羅姆在產品競爭力上的不足。展望未來，東克己計畫“強化與客戶的聯繫，開發契合市場需求的產品”，並“考慮實施組織變革，讓研發人員能夠專注於產品研發”。公司高層也持續研討深化與東芝於2024年3月宣佈建立的半導體業務合作關係，試圖以此尋求新的發展機遇，然而成效仍有待時間檢驗。東芝：本土進展寥寥，瞄準中國供應商近年來，東芝在功率半導體類股的發展之路也佈滿荊棘。在合作拓展方面，東芝與羅姆的深度合作陷入僵局，2024年初宣布的深化合作討論已「停滯」。此前，雙方進行了兩輪合作談判，第一輪於2023年12月宣布製造合作，旨在利用彼此工廠降低投資成本；第二輪羅姆提出更廣泛合作意向，涉及研發、銷售和採購等多方面。 2023年，羅姆向東芝投資3,000億日元，作為東芝私有化收購案的一部分，彼時雙方優勢互補，被市場寄予厚望。然而，如今實質進展寥寥，消息人士稱羅姆已「放棄」在共同製造之外尋求更深入合作的努力。儘管羅姆表示共同製造穩步推進，更廣泛合作談判仍在進行，東芝也堅稱共同製造按計劃開展，但對更廣泛合作不予置評，這與東芝此前的回應一致，足見其合作拓展計劃嚴重受阻。從投資報酬率來看，東芝在功率半導體領域也未達預期。 2023年東芝將功率半導體業務定位為成長領域，計劃在截至2026財年的三年內共投資約1,000億日元。雖有兵庫縣姬路半導體工廠新廠房竣工，將承擔IGBT等功率半導體後道封裝業務，產品供應日本汽車相關廠商；石川縣加賀工廠也已建成，用於製造12英寸IGBT晶圓，投入運營後汽車功率半導體產能比2022財年增加一倍以上。但市場環境變幻莫測，電動車需求半停滯，即便電動化趨勢未改，可短期內東芝功率半導體業務難從大規模投資中獲得足夠報酬。此外，全球功率半導體市場競爭激烈，東芝面臨各方的挑戰。中國新興企業不斷崛起，在成本控制與市場反應速度上具有優勢，正逐步蠶食東芝的市場佔有率。老牌競爭對手也持續發力，不斷推出新技術、新產品，壓縮東芝的生存空間。能看到，在當前大環境下，東芝在功率半導體領域的動作愈發放緩，若無法進一步在合作、投資策略以及技術創新等方面做出有效調整，未來發展之路將愈發艱難。在撰稿期間，前方傳來東芝與天嶽先進簽署諒解備忘錄（MOU）的消息。根據該備忘錄，雙方將探討合作提升天嶽先進開發和生產的碳化矽（SiC）功率半導體晶圓的特性和質量，並擴大天嶽先進向東芝供應穩定、高品質的晶圓。瑞薩電子：放棄SiC瑞薩電子在功率半導體領域的發展，也可謂深陷泥沼、危機四伏。2025年上半年，瑞薩電子淨虧損1753億日元，創下同期歷史最高虧損記錄，這一數據直觀地展現出其當下糟糕的財務狀況。然而禍不單行，瑞薩電子6月無奈宣布放棄進入碳化矽市場的計畫。這項決定背後，是許多複雜因素交織。而碳化矽市場情勢的變化正是關鍵因素之一。碳化矽雖未“退潮”，但泡沫與現實的邊界正逐漸顯現。瑞薩的退出不是終結，而是一個信號：SiC不再是所有廠商的“必選項”，而是成為真正有產能兌現力與成本控制力者的賽場。從市場需求端來看，一方面電動車市場成長的緩慢態勢，大大衝擊了碳化矽晶片的需求預期。瑞薩電子先前試圖擴大功率晶片產能，將寶押在不斷增長的電動車需求上，期望藉此提振基於碳化矽構建的晶片市場，然而日本在電動車普及速度上，遠不及中國或歐洲，作為與日本汽車製造商關係密切的功率晶片公司，瑞薩電子深受其害。另一方面，來自中國的競爭愈發激烈，市佔率不斷被蠶食。伯恩斯坦研究公司分析師David Dai指出，功率晶片製造商陷入困境的最大原因是與中國公司的價格戰，而瑞薩電子顯然在這場價格博弈中處於劣勢。在這樣的市場周期下，對所有仍堅守SiC賽道的玩家而言，技術投入不再是唯一護城河，資本結構、產能兌現節奏、客戶結構與供應鏈安全，正在成為決定生死的新變量，而瑞薩電子在這些方面顯然未能佔據優勢。同時，瑞薩電子也受到美國公司Wolfspeed破產的沉重打擊。 Wolfspeed作為碳化矽晶片襯底製造商，曾與瑞薩電子簽訂長期供貨協議，瑞薩早在2023年就向Wolfspeed支付20億美元定金，以鎖定未來十年的SiC晶圓供應，可如今Wolfspeed資金鏈緊張、產能難以兌現，瀕臨破產，這使得瑞薩交易計畫不僅徹底生產」SiC$CD。在產能與人員規劃上，瑞薩電子同樣舉步維艱。原定於2025年初開始的大規模功率半導體生產被迫推遲，數據顯示，截至2024年12月的三個月內，公司製造設施產能利用率僅約30%，相較於上一季的約40%進一步下滑。為削減成本，緩解經營壓力，瑞薩電子計畫在日本和海外的21,000個職位中，裁減不到5%（約1,050人）的員工。不僅如此，瑞薩電子因為中斷利用碳化矽材料開發新一代功率半導體的項目，原計劃2025年在群馬縣高崎工廠啟動的量產計劃取消，碳化矽產品團隊也已解散，後續量產時機仍在重新評估之中。不難看到，曾經躊躇滿志的佈局，如今化作泡影，瑞薩電子在功率半導體領域的發展，正面臨前所未有的挑戰，未來發展之路迷霧重重。三菱電機：投資縮減、擴建延後曾幾何時，三菱電機對功率半導體業務滿懷憧憬，佈局雄心勃勃。 2023年3月，其宣布計劃在5年內投資約1000億日元，用於建設新的8英寸SiC工廠並加強相關生產設施，彼時規劃該廠房於2026年4月投入運營，還計劃在熊本縣合志市的工廠增強150毫米晶圓生產設備，在功率元件製作所（福岡市）投資100億日元建造新廠房用於後製程，並預計到2026年度，晶圓產能大幅增加至2022年度的5倍，目標是到2030財年將功率半導體業務中SiC的銷售額比例提高到30%以上。甚至一度宣布位於熊本縣正在建設的SiC晶圓廠將提前至2025年11月開始運營，工廠完工時間定為2025年9月。然而，市場的風雲變幻遠超預期，如今三菱電機在市場浪潮中也顯露出諸多頹勢。當下，三菱電機不得不直面發展受阻的困境。其位於熊本縣、原定今秋投產的功率半導體新廠的擴建計畫已被推遲。原本規劃在2026至2030財年的五年間豪擲3000億日元用於發展，如今卻陷入了投資額縮減的考量。在當前市場需求變緩、市場競爭加劇的大環境下，三菱電機即便前期做了諸多準備，也難以抵擋市場下行的壓力，投資計劃被迫調整，未來發展增添了諸多不確定性，曾經的宏偉藍圖如今正面臨嚴峻挑戰。富士馬達：營收下降，措手不及在財務表現上，2024財年富士電機淨利達1,188億日元，年增10.1%，但因市場環境的急劇變化，其2025會計年度淨利預計下降12.2%，至810億日元。從業務類股來看，電動車（EV）用功率半導體訂單的減少，給富士馬達帶來了沉重打擊。半導體設備營收下降5.8%，營益更是銳減42%，僅剩215億日元。與之形成鮮明對比的是，其能源和工業設備業務表現相對較好，能源事業營收預計增長5.7%，營益增長38%；工業設備盈利增長19%，凸顯出功率半導體業務的發展不利。全球市場競爭的加劇，讓富士馬達的處境愈發艱辛。在全球功率半導體市場中，中國新興功率半導體公司正憑藉成本與價格優勢，加速搶佔市場份額。富士馬達曾經引以為傲的產品優勢，也逐漸被削弱。在國內市場，富士馬達更是面臨巨大挑戰。歐美外資品牌在中國市場掀起了降價潮，降價幅度超過30%，這一舉動雖為無奈之舉，試圖透過價格戰延緩國產SiC和IGBT模組的替代進程，但也側面反映出富士電機在面對中國本土企業競爭時的無力感。像比亞迪半導體、中車時代等國產IGBT廠商，在新能源汽車市場的份額從2019年的20%躍升至2023年的60%以上，富士馬達在這一細分領域的市場空間被嚴重壓縮。市場需求的變化也讓富士馬達措手不及。富士經濟調查顯示，由於電動車需求放緩、工廠自動化投資下降以及中國經濟成長態勢的轉變等因素，功率半導體市場在2024年遭受庫存積壓的衝擊，這對富士馬達的生產與銷售計畫產生了極大的干擾。為了因應市場環境的變化，富士電機也嘗試透過合作來尋求突破。 2025年，電裝收購了羅姆約5%股份，並與富士馬達在碳化矽領域建立合作關係，期望藉助合作開發新技術、拓展市場。然而，過往日本企業間的合作困境重重，各公司產品線廣泛且對專有技術保密甚嚴，導致合作推進緩慢。富士電機此次合作能否打破僵局，取得實質成果，仍充滿不確定性。日本功率半導體困局，原因何在？在全球功率半導體的激烈競爭格局中，日本企業曾經佔據著領先地位，如今卻深陷頹勢，面臨著諸多嚴峻挑戰，造成這一問題的原因歸結為內外兩部分因為。一方面，內部整合艱難：缺乏信任與協作：從企業內部來看，各家公司對自身專有技術過度保護。一位日本大型晶片製造商的資深員工透露，公司的生存高度依賴能否開發出契合客戶規格的產品，所以在產品規格資訊共享方面極為謹慎，生怕專有技術洩露，即便是對客戶也小心翼翼。這種對科技外洩的擔憂，使得企業間難以建立深度信任，而信任恰是深度整合與協作的基石。並且，由於每家企業都擁有廣泛的產品線，在協調過程中，從生產安排到技術融合，都面臨著許多難題，大大阻礙了企業間的合作進程。無明確領導者：在整個產業層面，日本功率半導體領域缺乏一個能主導整合的龍頭企業。目前各企業市佔率相當，且各自具備獨特優勢，沒有一家企業願意在整合過程中做出讓步，缺乏核心引領者來統籌規劃，使得大規模的產業整合難以推進。策略差異：以羅姆為例，它於1954年在京都成立，最初是收音機電阻器製造商，之後憑藉專業元件製造取得成功，這種獨立發展起來的模式與東芝、三菱電機等隸屬於大型電子或汽車集團的企業有著截然不同的文化與戰略目標。羅姆更專注於特定元件領域，而東芝和三菱電機的業務範疇更為廣泛，戰略重心的不同使得它們在尋求合作時，難以達成一致。另一方面，外部競爭壓力也是日本功率半導體產業衰退的關鍵：中國企業的崛起：中國新興功率半導體企業發展迅猛，在全球市場上迅速搶佔份額。在碳化矽基板製造市場，天科合達和天嶽先進等企業已嶄露頭角，甚至可以說中國企業幾乎主導了這個市場。中國企業不僅在產能上不斷擴張，而且憑藉國內龐大的電動車市場需求，能夠實現規模化生產，有效降低成本。同時，中國企業還能藉助客戶數據持續改進產品，進一步提升產品競爭力。在全球功率半導體市場，中國企業的價格優勢也迫使日本企業陷入價格戰的困境，不斷壓縮其利潤空間。市場需求變化：全球電動車市場的發展態勢並未如日本企業預期的那麼樂觀。歐洲等地電動車市場成長率低於預期，而日本在電動車普及方面，相較於中國和歐洲明顯落後。這使得日本功率半導體企業在面向電動車應用的晶片產能擴張計畫受挫，前期大量的投資無法透過市場需求得以消化，造成產能過剩與投資回報不足的問題。中國功率半導體崛起，日本承壓加劇在全球功率半導體領域，日本企業曾長期憑藉深厚的技術累積與成熟的產業體系佔據優勢。然而，近年來中國功率半導體產業如同一顆迅猛升起的新星，以令人驚嘆的速度佈局、突破與進展，對日本產業和企業造成了巨大衝擊，使得日本功率半導體行業的競爭力面臨前所未有的嚴峻挑戰。《日經亞洲》8月20日的報導鮮明地指出，中國企業在矽（Si）和碳化矽（SiC）基板製造方面正逐步構建起完整的生產能力，依托低廉的能源成本與龐大的國內市場，實現了快速成長，其獨特的垂直整合模式更是對日本企業形成了強有力的挑戰。儘管局勢緊迫，但東芝、羅姆、三菱電機等日本廠商至今仍未能形成統一戰線，協同應對競爭。業內專家直言，日本與中國企業在矽晶片技術上的差距或許僅一到兩年，在碳化矽晶片方面也至多三年。日本企業先前高估了本土電動車市場的發展潛力以及自身在全球的競爭力，當下必須加速產業整合，才有可能提升成本競爭力。天科合達與天嶽先進作為碳化矽襯底領域的領跑者，逐漸打造了「技術-產能-市場-國際化」的全鏈路體系。其中，天科合達以17.3%的市場份額位居全球第二，其碳化矽襯底年產能覆蓋北京、江蘇、深圳等地，僅深圳基地2024年襯底和外延產能就達25萬片；天嶽先進則以17.1%的份額提升50%，並使其達到884%，實現88%，在供應鏈端，天科合達和天嶽先進已深度綁定國際大廠。英飛凌與兩家企業簽訂長期供應協議，其SiC襯底採購量佔比達兩位數，而意法半導體透過與三安光電合資建廠，將中國作為其全球SiC製造基地之一；還有上文提到的，東芝與天嶽先進日前新簽署了一份諒解備忘錄（MOU），根據該備忘錄，雙方將探討合作提升天嶽先進開發和生產的碳化矽（SiC）功率半導體晶圓的特性和質量，並擴大天嶽先進向東芝供應穩定、高質量的晶圓。這種合作模式不僅降低了國際大廠的成本，也加速了中國技術標準的全球化推廣。在終端應用領域，士蘭微、基本半導體、三安光電等一眾中國企業已實現關鍵突破，逐步取代海外進口產品。這些進展直接擠壓了日本企業的市場空間——2024 年三菱電機、富士電機等日本廠商全球市場份額均不足5%，且面臨中國企業在中低端市場的價格圍剿和高端市場的技術追趕。在氮化鎵領域，英諾賽科作為全球首家實現8吋矽基GaN晶圓量產的企業，自2023年以33.7%的營收份額穩居全球GaN功率元件市場第一以來，持續主導市場份額。其IDM全產業鏈模式（從設計、製造到封測）保障了產品穩定性，並為NVIDIA Kyber機架系統提供全鏈路GaN電源解決方案，成為其800V直流架構中唯一的中國供應商。近日，英諾賽科市值更是突破740億港元大關，上市短短不到一年時間便躍升為功率器件企業市值TOP1，可見其實力非同一般。中國功率半導體產業的快速發展，憑藉著成本優勢、規模效應以及對市場的快速反應能力，從多方面對日本產業和企業造成了衝擊，不斷搶佔市場份額。在技​​術競爭上，中國企業的快速追趕​​壓縮了日本企業的技術領先優勢。曾經日本在功率半導體技術上大幅領先，但如今在矽晶片和碳化矽晶片技術方面，與中國企業的差距不斷縮小。日本企業過往依賴的技術壁壘正逐漸被打破，若無法加快技術創新與產業整合，未來在技術競爭中將愈發被動。寫在最後在功率半導體產業版圖中，局勢瞬息萬變。曾經，日本企業憑藉著深厚底蘊在該領域佔據重要地位，可如今，卻在重重挑戰下艱難摸索前行之路。回顧往昔，20世紀90年代，日本晶片產業因未能敏銳洞察產業從垂直整合轉型為專業化分工的大勢，致使富士通、NEC等產業巨擘走向沒落，無疑是一記沉重的歷史警鐘。當下，功率晶片產業正站在命運的十字路口，中國企業憑藉著價格戰與規模化優勢，如同一股新興的強大力量，強勢攪動市場格局。面對功率半導體產業的競爭困局，日本企業因產業碎片化、內部協作匱乏陷入被動，即便政府與企業已著手應對，產業整合步伐仍顯遲緩，曾經的技術優勢也在逐步縮小。正如日本畢馬威FAS合夥人岡本純所言，“電動汽車用功率半導體的需求要到2026年以後才會真正復甦”，在市場復甦尚需時日的當下，日本功率半導體產業的破局更需政府與企業協同發力、當機立斷，若執著短期利益而無法凝守在全球競爭中。政府層面，雖已透過經濟產業省推動設計與製造流程合作，並為富士電機-電裝聯盟、羅姆-東芝合作分別提供資金支持，但相較對尖端邏輯晶片項目的投入仍顯不足。後續需進一步加大功率半導體領域資金扶持、優化投入結構，同時透過稅收優惠、行政核准便利等政策，引導企業深化整合。企業層面，則需徹底摒棄「各自為戰」思維，一方面深化合作聯盟－在研發端聯合設中心攻克技術、銷售端整合通路拓展市場、供應鏈端協同降本保穩定；另一方面調整戰略佈局，擺脫對電動車單一領域的過度依賴，轉向工業自動化、能源等需求成長領域開發劣勢唯有如此，日本功率晶片產業才有可能在風雲變幻的市場中，找準新的定位，重拾往日輝煌，在全球功率半導體產業的激烈競爭中贏得一席之地。(EDA365墊子論壇)

EDA工具限制影響●BIS限制現狀BIS（美國商務部工業與安全域）已要求Cadence和Synopsys暫停向中國銷售EDA工具。截至當前，中國IC設計公司工程師無法登錄Synopsys系統以獲取EDA軟體工具的更新，但使用離線軟體進行設計的晶片項目仍可繼續推進。目前BIS尚未公佈具體細節，包括中國IC設計公司是否可申請許可，以及限制是否針對14nm或7nm以下工藝節點等資訊均未明確。●本地EDA現狀2024年，美國企業（如Synopsys、Cadence和Siemens EDA）仍主導中國EDA市場，市場份額超過80%。中國本土最大的EDA企業Empyrean（概倫電子）市場份額僅為10%。過去兩年，本土EDA自主替代進展較為緩慢，主要原因包括：其一，Empyrean僅具備模擬晶片、儲存晶片和射頻晶片的全流程設計工具，缺乏數字IC（用於邏輯晶片設計）的全流程工具；其二，中小規模IC設計公司更傾向於使用市場口碑和歷史記錄良好的國際大廠工具。BIS的限制可能促使更多中國IC設計公司意識到本土EDA的重要性，但需注意，自2024年12月Empyrean被列入美國實體清單後，有美國客戶的中國IC設計公司可能不會考慮其工具。當前對Empyrean的評級維持"中性"，因其估值已較大程度反映了未來市場份額提升預期。先進封裝市場趨勢●封裝與主流對比主流半導體市場復甦處理程序較為緩慢，半導體單位年同比增速僅為個位數。與之形成對比的是，封裝領域的資本支出（capex）佔收入的比例正從2023年第四季度的多年低位，回升至2025年第一季度的歷史高位。這一變化的主要原因在於，大部分capex投向了先進封裝領域，而主流半導體領域的capex投入規模較小。從全行業來看，基於自下而上的分析，2025年半導體全行業capex預計將增長15%，且增長集中於先進封裝方向。受此影響，2025年主流半導體的需求可能仍保持溫和狀態。●裝置需求增長先進封裝領域受益於HBM、CoWoS、CPO等長期增長動力，呈現樂觀發展態勢。通過自下而上分析，熱壓鍵合機與混合鍵合機的復合增速預計未來三年可達37%。這一增速略低於台積電所指引的雲AI半導體五年收入增速（約40%中值水平）。基於這一37%的較快增長預期，新的產品週期將成為後道裝置公司收入的重要組成部分。●重點公司推薦在股票投資建議方面，歐洲分析師對Besi維持超配評級，其熱壓鍵合技術目前已被多家大型半導體製造商採用，預計未來幾年收入貢獻將持續增長。韓國半導體裝置分析師對Hemi半導體同樣維持超配評級，其近期獲得SK海力士的訂單進一步鞏固了市場競爭地位，且預計今年海外收入佔比將提升至30%，美國（美光）及中國市場的機會持續擴大。對於ASMPT，維持平配評級，認為其風險與回報較為平衡——儘管HBM、CoWoS、CPO等長期增長驅動因素持續存在，但主流市場的疲軟態勢仍在延續。供應鏈關鍵事件●Amedia與TSMC動態Amedia上週公佈業績並在財報電話會上提及，其多個客戶每週採購1K伺服器機架，該訂單資訊被視為更廣泛的管道進展，可能包含部分HGX產品。針對台積電（TSMC）的CoWoS產能，當前團隊判斷2025年產能更傾向於維持390K的預測，高於市場傳聞的340K。關於2026年CoWoS需求，目前不看空，預計台積電在7月前不會給出具體預測，因此當前維持2026年90K的需求預期，而市場普遍預期約為115K。當前假設下，2026年雲AI半導體需求將同比增長21%，與AI資本支出增速保持一致。若主要雲服務提供商的AI伺服器佔比從今年的50%提升至明年的65%，該增長預期將進一步支撐。●中國GPU需求中國AI GPU供需方面，輝達財報電話會顯示，對華出口AI GPU的新許可尚未獲批。但供應鏈資訊顯示，B30中國版GPU設計可能與Computex展會上展示的RTX Pro 6000類似，此前B30預計出貨量為50萬單位，但需求持續增長。此外，《電子時報》報導稱，AMD可能推出基於遊戲顯示卡的GPU產品，以替代MI300X供應中國市場。裝置公司優先順序●日本裝置排序在半導體裝置覆蓋範圍內，當前的投資優先順序排序為：頭部推薦Advantest，其次是Baccus，雷射相關公司優先順序較低。關於Advantest的推薦邏輯，1個月前其曾表示有削減產能的計畫，但近2-3週情況發生變化，相關報告顯示將增加產能，因此會購買更多測試裝置且測試時間顯著增加。經核實，Advantest的業務表現符合預期，其指引顯示存在更多上行空間，因此維持對其的樂觀看法。次選Baccus的邏輯未展開詳細說明，僅提及該公司情況較有吸引力。雷射相關公司如iPhone雷射相關企業則優先順序較低。日本半導體市場動態●HBM進展日本半導體市場中HBM（高頻寬記憶體）相關進展值得關注。Micron與Hynix均對HBM業務持樂觀態度，雙方計畫於2025年底啟動大規模量產。其中，Micron目標成為HBM全球第一，其資本開支將遠超市場共識，預計2025年底產能至少超過三星。目前日本半導體廠商反饋，Micron的HBM性能當前優於Hynix。HBM封裝環節因技術難度較高（如封裝與模塑工藝複雜），Yamaha、Towa等裝置商或迎來業務機會。材料方面，HBM封裝涉及的Qual's oil及相關供應鏈出現供應短缺，部分材料商已開始向各公司分配封裝材料。此外，HBM的量產還涉及3D HBM DRAM的整合，材料用量或較此前增加一倍以上。●YMTC擴產影響長江儲存（YMTC）近期公佈擴產計畫，其Purple 2產線將於2025年下半年擴產至50K片/月，Purple 3產線計畫於2026年實現102K片/月的產能目標。受實體清單限制，Achi和東京電子（Tokyo Electron）無法向YMTC提供裝置，因此YMTC轉向國內廠商（如Ameke、Donald's）尋求裝置支援。值得注意的是，Ameke已向日本材料商下達大額訂單，Total、Sinco等企業與Ameke關係良好。此外，Horiba（堀場製作所）已從中國獲得有意義的業務訂單，日本材料商或因此受益。●雷射技術挑戰雷射技術在半導體製造中的應用面臨量產延遲及掩膜壽命問題。目前，Hianua公司的雷射技術預計於2027或2028年實現量產，另一家公司的相關技術量產時間更晚至2029年，這對雷射技術及相關企業構成利空。EUV光刻中，當前掩膜壽命僅為20%-60%，而pediculars技術可將掩膜壽命延長約3倍，對掩膜基板、掩膜檢測及掩膜寫入裝置有積極影響。此外，台積電（TSMC）雖自主研發pediculars技術，但該技術可能對雷射檢測裝置產生負面影響。●材料供應鏈日本半導體材料供應鏈因GPU/CPU需求激增出現供需矛盾。Qual's oil及相關材料供應短缺，部分材料（如封裝材料）已由Nitobo等廠商開始向各公司分配。受此影響，東京半導體（Tokyo Semis）、澀谷（Shibuya）等日本材料商業務機會增加。 (Alpha外資風向標)

商務部新聞發言人就日本擬實施半導體等多項出口管制措施事答記者問 有記者問：1月31日，日本政府宣佈擬對十余種半導體相關物項實施出口管制，並將多家中國企業列入「終端使用者清單」等。請問中方對此有何評論？ 答：中方注意到有關情況。一段時間以來，個別國家泛化國家安全概念，濫用出口管制措施，對中國半導體等產業實施制裁打壓。日方擬實施的出口管制措施，將影響產業鏈供應鏈安全穩定，干擾企業間正常商業往來，損害兩國企業利益。 當前，日方相關措施正在面向社會公眾徵求意見。我們希望日方能聽到業界理性聲音，從維護國際經貿規則及中日經貿合作大局出發，及時糾正相關做法，避免有關措施阻礙中日兩國經貿關係健康發展，共同維護全球產業鏈供應鏈穩定暢通。中方將保留採取措施的權利，堅決維護自身合法權益。

提及半導體產業，首先想到的為頭部的歐美、韓國和台灣，很少有人能想到日本，但在上世紀末，日本的半導體產業曾一度佔到全球產值的45%，也是當時世界上最大的半導體生產國，全球十大半導體企業中，就有六個出自日本。那麼，曾經稱霸全球的日本半導體，為何一度從神壇跌落？讓我們從事件的時間順序來詳述。 01 借勢啟航 20世紀40年代，日本產業正處於重建之際，美國處於自身利益和制衡國家的考慮，積極向日本轉移先進技術，日本就此開始全方位複製美國的半導體技術。

相隔一年，再度走進秋葉原的家電·電子“量販店”，想選個USB 隨身碟或者固態硬碟（SSD）時，看到貨架上懸掛的相關產品只有一種顏色——紅色的“鎧俠”（KIOXIA）。過去所熟悉的其他品牌產品已經少之又少，日本這個國家在半導體產品上的衰落，從貨架產品愈發單一，價格不再親民看，便知道總體的銷量有限，生產企業處境相當艱難。 鎧俠原為東芝半導體部門，受核電投資嚴重損失的影響，東芝需要切割出這個最為盈利的部門，以填補核電損失。 2017年6月16日從東芝集團中的東芝儲存器公司獨立出來，變成的鎧俠株式會社，曾有幾次想單獨上市，但均未成。 2024年12月18日，如果沒有太大變故的話，這次應該能夠成功上市。只可惜通過上市所能夠籌集的款項相當有限。