儘管美伊談判仍未有定論，儲存晶片收復損失股價均創出新高。身處在敘事最好的硬體周期行業，當前仍是多空方激烈爭論的時期。站在當下的價格高點以及敘事轉換階段，如何理解當前一輪儲存晶片的牛市，以及價格能否長期持續？1. 儲存周期輪動：從尖端溢價到全線普漲自3月以來，拋開美伊戰爭的宏觀背景，儲存晶片的敘事存在一定程度的切換，晟碟（SNDK）和希捷的股價表現蓋過了三大記憶體巨頭（美光、三星、海力士）。這背後的核心邏輯在於“AI儲存需求的結構性外溢”。首先對不瞭解儲存晶片的小夥伴科普一下基礎知識。AI發展對儲存晶片的需求大概有四層，分別是：1. HBM（高寬頻記憶體）：主要負責GPU核心與視訊記憶體間極速傳輸海量資料。主要代表是海力士、三星電子和美光。2. DRAM（記憶體）：傳統的系統記憶體（DDR5和DDR4）。如在模型推理時支撐上下文窗口，決定了AI響應的速度和多工能力，主要代表公司如美光。值得一提的是HBM實際上將多層DDR5晶片像疊羅漢一樣堆在一起，並使用特殊技術使電流垂直穿透這些晶片。換句話說，對HBM的生產天然就會佔據一些DDR5的產能。3. SSD（快閃記憶體/NAND）：固態硬碟，目前主流是高性能企業級SSD，儲存待訓練的原始資料集和模型檢查點。例如，在AI訓練階段，需要把成千上萬的書籍、圖片喂給 AI，SSD負責把這些資料快速“推”給大腦。主要代表是公司是晟碟（SNDK）、西部資料。4. HDD（機械硬碟）：屬於磁頭讀寫的大容量廉價儲存。AI每天產生的海量日誌、音視訊資料。主要代表公司是希捷和西部資料。如果說2025年的行情由高寬頻記憶體（HBM）的性能溢價主導，那麼當前的敘事則轉向了基礎產能的稀缺性回歸。因為當三大記憶體巨頭將核心資源全力傾注於HBM和DDR5這類“塔尖產品”，主流DRAM和大容量儲存領域形成了一個巨大的供應真空，從而推動了其價格的上漲。算力爆發導致企業轉向SSD。由於今年GPU算力的爆發，原本集中在HBM的關注度轉移到了高性能大容量的SSD。結果是AI伺服器對64TB/128TB 企業級SSD的需求激增，而SNDK在企業級 NAND 市場的垂直整合優勢使其利潤率彈性在3月份得到集中釋放。機械硬碟（HDD）枯木逢春。隨著 AI 生成視訊（Sora 類應用）和多模態資料的爆炸式增長，網際網路巨頭發現連SSD都快存不起了，所以高容量機械硬碟重新成為香餑餑。於是希捷這類股票受益於這種“廉價大容量”的需求回歸，迎來補漲。一言以蔽之，目前晟碟和希捷的股價彈性，本質上是在吃上行周期後半段最肥美的溢價，因為它們填補了巨頭轉身留下的生態位。2. 這次不一樣？Memflation的周期挑戰這種敘事的切換是儲存周期從單純的算力飢渴進化到了全產業鏈溢價的過程，這種現象被業內戲稱為儲存通膨（memflation）。這究竟是AI時代賦予的長期溢價，還是一場即將觸頂的泡沫狂歡？首先，需要先潑一瓢冷水，晶片行業沒有永遠的牛市，漲價最終會觸及兩個天花板：一個是需求端的成本熔斷。當儲存成本在伺服器的物料清單中的佔比超過臨界值（目前正逼近25%-30%）時，下游雲巨頭會放緩採購頻率，轉而通過軟體演算法，比如更高壓縮比技術，來減少記憶體依賴。這也是為什麼Google的一篇Turboquant論文能引起軒然大波帶動股價大跌。需求端的上限還在於當晶片價格進一步上漲並傳導至終端消費需求，會從消費端的需求降低來抑制供給端的價格上漲。另一個是產能建設錯位。雖然目前產能告急，但三星P4和海力士龍仁產業園的新產能預計在2027年上半年會集中釋放，而美光產能則在2028年逐漸釋放。產能大增之日也同樣是價格鬆動之時。而建立一座現代化的儲存晶圓廠需要動輒上百億美金的投入和長達兩年的建設周期，這種時間上的滯後導致了供需錯配和價格的暴漲暴跌。當市場需求爆發時，新產能無法瞬間到位，當所有廠家看到暴利砸錢擴產，兩年後產能集中釋放時，市場需求已經在萎縮了。其次，摩爾定律決定了廠商存在降價壓力。積體電路上的電晶體數量大約每 18-24個月翻一倍，但生產這顆晶片的原材料（矽片）成本沒怎麼變，那麼單位容量（每 GB）的生產成本就大幅下降了。因此儲存晶片廠家必須每18-24個月需要實現儲存密度的翻倍和成本的下降。這意味著如果不持續投入大量資金研發，現有產品很快失去競爭力。這種技術推動的生產力爆炸，註定了供應端始終存在一種“過剩”的衝動和時間上的競賽，價格的長期下行壓力是刻在基因裡的。最後，各家生產的儲存晶片大差不差，很難擁有品牌溢價，在最終的價格戰環節，成本低、規模大的廠商才能活到最後。這種非理性的博弈邏輯，拉長了每一次衰退的痛苦期，也使得價格的波動更加劇烈。也因此，即便我們回顧歷史，無論是PC時代、智慧型手機時代，還是現在的 AI浪潮，儲存晶片的價格和需求始終是周期性的，主要依託於CPU/GPU的性能飛躍帶動資料爆發，只是這一輪的漲價周期被拉長了。3. 價格何時見頂？從目前的資料預測來看，在2026年下半年我們大概能看到這輪價格峰值，然後隨著新增產能的顯著貢獻，價格將逐步趨於穩定，並在產能爆發期價格將逐漸迎來價格下行周期，主要原因來自以下幾個方面：首先，今年一季度DRAM價格環比上漲90%，主要是由於供給超預期短缺造成的，但製造商到下半年將加速擴產能。三星、SK海力士和美光這三家廠商合計控制著全球95%以上的DRAM產量。其中海力士計畫今年全面投產1cnm DRAM，而三星的目標是在今年Q2實現每月1cnmDRAM晶圓14萬片的產能，並計畫到在今年Q4進一步擴大到每月20萬片。同時，考慮到美光也在日本廣島和新加坡進行工廠收購和擴建項目，預計將在2028年量產。這意味著從今年下半年開始，三星逐漸產能增加，雖然不足以完全填補市場空缺，但從當前的嚴重短缺到廠商加速釋放產能的轉變，將逐漸改變市場供需格局。其次，從需求端來看，目前雲巨頭對SSD和高容量HDD的瘋狂掃貨，帶有明顯的戰略防禦屬性。但到2026年底，隨著AI應用端如的商業化ROI審計期到來，下游廠商可能從“不計成本買卡買儲存”轉向“精細化存量管理”。屆時，儲存廠商目前的訂單能見度可能會因為下游的訂單修正而迅速縮短。儘管一些企業已經售罄2026年產能，並持續簽訂長期框架協議，但需要注意的是這只會框定供給量而不會定死價格。最後，DRAM價格漲幅並不是一直加速的，反而可能從Q2開始增幅逐漸放緩。根TrendForce預測，消費級DRAM合約價格在Q2將繼續環比上漲45%-50%。環比上季的價格增長放緩的原因不是本季度供給得到改善，而是價格上漲速度本身已達到足以抑制需求的水平。價格在一個季度內翻倍，導致下游逐漸控制消費、推遲非必需品的購買，因為現有的高價已經通過抑制需求部分出清了市場。回望這一輪儲存晶片的上行周期，我們實際正處漲價速度放緩和產能逐漸提升的過渡年。儘管AI敘事拉長了這一輪牛市，但正如文中所述，當產能逐漸追趕，價格斜率放緩，周期的鐘擺終將回歸。 (M2M研究)

據韓媒報導，美伊以衝突導致卡達天然氣設施受損，其天然氣副產品氦氣供應出現了短缺訊號，導致市場擔憂這一關鍵材料將限制全球半導體的生產。然而，除了氦氣之外，市場忽略了另一個致命風險。溴是專業化學品供應商生產半導體級溴化氫氣體的原材料，韓國公司在所有DRAM和NAND快閃記憶體晶片生產中，離不開這一關鍵氣體。目前，韓國記憶體巨頭三星和SK海力士合計佔到全球DRAM市場約70%的份額，是全球市場的關鍵供應方，但其97.5%的溴進口來自以色列。全球其他的溴供應商也無多餘產能可以替代以色列的空白，這讓以色列的供應至關重要。由於DRAM和NAND是所有現代計算裝置的基礎，溴供應中斷的影響將波及整個消費電子和工業電子產業鏈，甚至是國防行業。目前全球其他地區的溴供應商幾乎沒有多餘的產能可以填補以色列的供應空白。這種極度單一的供應結構，使得以色列的產出狀況直接決定了全球儲存晶片的供應安全。以色列跨國公司ICL集團是全球溴生產的絕對核心。由於死海的含溴量極高，該公司能夠以全球最低的成本完成生產。目前，以色列與約旦兩國的供應量合計已佔到全球總供應量的三分之二。風險的核心在於生產設施的高度集中。ICL集團將溴提取與轉化的核心綜合設施設在死海附近的索多姆地區。這一位置極其敏感，距離此前遭受軍事襲擊的內蓋夫沙漠不到35公里。該生產基地目前完全處於潛在的打擊範圍之內。如果地區衝突進一步升級，導致相關生產設施受損或運輸通道受阻，全球儲存晶片供應鏈將面臨極其嚴重的連鎖反應。對於極度依賴以色列原材料的韓國儲存巨頭來說，這種地緣政治引發的斷供風險已成為當前最緊迫的挑戰。在全球半導體產業鏈中，這種由於上游原材料高度集中而引發的單點故障風險正變得愈發凸顯。 (半導體技術天地)

2026年的半導體圈，正在上演一場現實版的“搶椅子”遊戲。而攪動這場戰局的核心變數，正是AI引爆的儲存需求。01 邏輯變了！儲存廠成EUV大買家在這一輪遊戲中，光刻機便是這把“椅子”。近日，儲存晶片大廠SK海力士宣佈將在2027年12月31日前向荷蘭ASML採購價值11.95兆韓元（約79.7億美元）的極紫外光（EUV）光刻機，旨在應對日益增長的記憶體晶片需求。該交易已作為正式披露檔案提交給韓國監管機構，並成為近年來ASML客戶公開的最大一筆EUV光刻機採購訂單。根據預計，SK海力士採購的這些EUV光刻機將主要用於先進DRAM晶片和HBM晶片的生產。主要會部署在兩個晶圓廠：一個是SK海力士位於龍仁的新晶圓廠，該晶圓廠計畫於2027年2月投產；另一個則是位於清州的M15X工廠，該晶圓廠專門用於生產高頻寬記憶體晶片。伯恩斯坦公司的分析師戴維·道則預計，SK海力士的這份訂單將使得其在兩年內新增約30台EUV光刻機。這略高於其之前預測的SK海力士兩年內將採購26台EUV光刻機的數量。無獨有偶，儲存龍頭三星也傳出了大舉採購光刻機的動作。韓國媒體Sedaily援引知情人士的消息報導稱，三星電子已確定向光刻機大廠ASML和佳能訂購了約70台光刻機，總金額高達10兆韓元（約67億美元），其中包含20台EUV光刻裝置。不過三星方面隨後回應稱，該消息並不屬實，公司至今尚未作出相關決策。儘管三星的採購傳聞未得到證實，但這一消息本身就折射出當前半導體行業對光刻機的迫切需求。02 決戰1c節點的勝負手，壓給光刻機在探究三星、SK海力士兩大儲存龍頭大舉採購EUV光刻機的戰略邏輯前，需先系統梳理五大核心影響因素，這些因素直接決定了兩家企業的採購規模、節奏及行業後續格局：第一，兩大巨頭當前EUV光刻機保有量。第二，兩家公司1c DRAM現有產能基數、2026年底規劃產能的落地路徑及產能爬坡節奏。第三，不同生產製造能力帶來的市場競爭力差異。第四，ASML的EUV產能供給能力、交付周期及現有訂單積壓情況，能否匹配兩大龍頭的擴產需求。第五，是否需要警惕2028年產能集中釋放導致的過剩風險？以下是關於上述五點的具體分析：儲存雙雄EUV光刻機保有量日前，調研機構BOFA公佈了2021到2025年為止的EUV光刻機數量，如下所示：如圖所示，三星的EUV 光刻機持有量已超過SK海力士的兩倍，這一裝置數量優勢直接對應到產能層面——在儲存晶片製造中，光刻機部署密度是先進製程產能釋放的核心約束條件，而多層EUV光刻更是10nm級以下工藝量產的核心前提。2026年作為全球DRAM行業的“1c節點爆發年”，這場製程微縮競賽已全面邁入第六代10nm級1cDRAM時代，成為AI算力爆發背景下高端記憶體供給的核心戰場。當下，三星和SK海力士都已釋放擴產1c DRAM的核心資訊。1c DRAM現有產能基數根據規劃，三星1c DRAM產能將在2025年第四季度率先達到每月6萬片產能，2026年第二季度再新增8萬片產能，並於2026年第四季進一步擴增6萬片，屆時整體月產能達到20萬片。具體的時間節點以裝置完成安裝為基準，目標是在上述各個階段具備立即量產條件。知情人士指出：“三星將在明年底前持續強化1c DRAM 的供給能力，意在提前卡位下一代市場。”SK海力士方面，據韓國媒體報導，SK海力士計畫2026年將1c DRAM月產能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達8至9倍，佔其DRAM總產能的三分之一以上。據悉，SK海力士已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該製程主要用於製造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產品。擴產後的1c DRAM將主要用於滿足輝達等大型科技公司的訂單需求。這一戰略調整反映出AI推理應用對成本效益更高的通用DRAM需求激增，該公司正將戰略重心從HBM擴展至更廣泛的AI記憶體市場。分析指出，相比需要複雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產效率更高，能夠更快速響應市場需求的爆發式增長。HBM是3D堆疊+系統級整合方案，需通過TSV矽通孔、超薄減薄、多層鍵合及CoWoS等先進封裝技術，將多顆DRAM Die與基片垂直整合，技術鏈路極複雜。1cDRAM則是DRAM製程的迭代升級，核心是通過4F²單元架構、EUV曝光最佳化實現單Die密度提升與良率改善，無需重構產線，直接復用現有DRAM成熟產線即可量產。相較於HBM，1c DRAM 主打通用化、規模化供給，是AI伺服器、移動終端的核心基礎，同時也是 HBM4/HBM4E 的最佳核心片。SK 海力士已明確，將基於第六代 10nm 級 1c 製程 32Gb DRAM 裸片打造 HBM4E 記憶體。三星同樣在推進相關佈局，其研發的 12 層堆疊（12-Hi）、16 層堆疊（16-Hi）HBM4 產品，均會採用 1c DRAM 技術。三星在2026年2月宣佈，已率先達成HBM4的量產，並向全球最大AI晶片公司輝達發貨。 該HBM4將搭載於輝達最新Rubin GPU中。市場預計，Rubin GPU將於2026年下半年正式出貨，以供應給Google、亞馬遜等美國科技大廠，並帶來超過1兆美元的市場規模。與此同時，三星也在配合Rubin GPU上市節奏，擴大華城H3 工廠17線，以及平澤P3、P4 工廠的HBM4 產能。去年9月，SK海力士完成HBM4開發，但隨後在去年12月，SK海力士宣佈HBM4的量產已推遲至2026年3月或4月，HBM4產能大幅擴張的時間也進行了靈活調整。SK海力士決定至少在2026年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM產品中最高的產量佔比。據悉，SK海力士在與輝達討論2026年HBM的產量時，大幅增加了HBM3E的產量。不同生產製造能力帶來的市場競爭力差異2025年第一季度，SK海力士佔據了全球DRAM市場36%的份額，略高於三星電子的34%和美光的25%。這也是SK海力士自1983年成立以來首次在全球儲存器市場佔據主導地位。隨後在2025年第三季度，三星電子DRAM銷售額達到139.42億美元，環比增長29.6%，市場份額回升至34.8%，重新奪回行業榜首。同期SK海力士以137.9億美元的銷售額位居第二，市場份額為34.4%，與三星電子的差距僅為0.4個百分點。三星電子業績的反彈，得益於是製造端兩大關鍵能力的集中釋放：一是HBM 高端產能的快速爬坡與精準交付。該公司第三季度HBM位單元出貨量環比激增85%，主要由於開始向輝達交付第五代HBM3E產品。二是通用 DRAM 產能的彈性調控與價格主導力。人工智慧資料中心對記憶體需求的爆發式增長，導致PC和智慧型手機等消費級IT裝置的DRAM供應趨緊，進一步推高了產品價格。ASML的EUV產能供給能力反過來思考，SK 海力士敲定 30 台 EUV 訂單、三星或可能採購 20 台的情況下，ASML 的產能能否跟上？在此之前，先來看一組 ASML 歷年光刻機的出貨量資料。上圖可見，2023年、2024年、2025年，ASML的EUV光刻裝置數量分別為53台、44台和48台。從這組資料中，首先能捕捉到兩個核心資訊：一是ASML的EUV年出貨量始終維持在40-55台的區間，產能釋放呈現“緩慢線性增長”的特徵，並未出現爆發式提升——這與EUV裝置的製造複雜度直接相關，一台EUV整合超過12萬個高精度零部件，依賴德國蔡司的光學系統、美國Cymer的極紫外光源等全球獨家供應商，任何一個環節的產能瓶頸都會限制整體出貨。二是2024年出貨量較2023年有所下滑，2025年雖有回升但未突破2023年峰值，這背後既有ASML產能調整的因素，也反映出前兩年行業擴產潮後，部分企業進入產能消化期，而2025年的回升則與AI驅動下高端儲存、先進邏輯晶片的需求復甦直接相關。SK海力士的採購計畫具備明確的產能落地支撐。上文提到，這批裝置將分別部署在清州M15X工廠和在建的龍仁半導體叢集，其中龍仁基地的首座潔淨室啟用時間已從2027年5月提前至2027年2月，與裝置交付節奏高度匹配。若三星也計畫採購20台EUV，且同樣計畫在2027年底前交付，那麼SK海力士與三星的訂單合計將達到50台，佔ASML兩年產能的一半以上，這將大幅擠壓台積電、英特爾等其他頭部客戶的產能配額。還需注意的是，日前ASML在財報中寫道，截至2025年底，公司積壓在手訂單達388億歐元，其中EUV系統積壓訂單達255億歐元，佔比65%。其中或許包含SK海力士的已下訂單，因此倘若三星和SK海力士均在當下向ASML追加大量EUV訂單，短期內也難以獲得充足的產能配額。2028年，產能過剩？據韓國媒體報導，三星內部預計本輪儲存短缺將於2028年前後趨於緩解，並據此校準投資節奏，以避免重蹈過度擴張的覆轍。與此同時，SK海力士亦多次公開表態，將以實際需求而非樂觀預期作為擴產依據。然而EUV光刻機的產能存在硬約束，當下不搶購，未來幾年將徹底失去高端賽道的競爭力。因此，三星與SK海力士當下大量採購EUV光刻機，與警惕2028年產能過剩並不矛盾。警惕2028年過剩，是著眼於遠期的風險防控；而現在搶購EUV，則是應對近期市場剛需、應對行業競爭、推進產品結構升級的必然選擇。03 DRAM技術下一步，該搶什麼？長期以來，DRAM的密度提升高度依賴於製程微縮，這使得對EUV等高端光刻機的投入成為剛性需求。隨著3D 堆疊儲存的發展，3D NAND 為提升儲存密度，將儲存單元垂直堆疊，層數不斷增加，目前主流產品已超過 300 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這種技術路徑的轉變，意味著廠商對光刻精度的極致追求將有所放緩，進而削弱對EUV光刻機的需求。相應的對刻蝕裝置的需求量和性能要求呈指數級增長，比如從 32 層提高到 128 層時，刻蝕裝置用量佔比從 35% 提升至 48%。此外，近存計算方案的發展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充裝置佔比接近 70%，進一步增加了刻蝕裝置的需求。同時，3D NAND 堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積裝置提出了更高要求。因此，半導體製造的未來重點，或將從單純依靠光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜關鍵的刻蝕與薄膜沉積工藝。DRAM 對光刻機的依賴程度，也將明顯低於當前水平。 (半導體產業縱橫)

4月7日消息，據市場研究機構分析，消費型DRAM價格在今年一季度已大漲75-80%，預估第二季DRAM合約價格仍將再增45-50%！分析指出，2026年三月份消費型 DRAM的漲價動能主要集中在4Gb以下容量產品，其中DDR4 4Gb均價月增20%以上，漲幅明顯超出高容量產品。然而，目前DDR3與DDR2市場開始出現轉單需求。受限於產能嚴重不足，三月份DDR3、DDR2各容量產品均價出現20-40%不等的上調，漲幅較DDR4更加顯著。加上三星電子、SK海力士、美光等三大原廠正逐步關停DDR4產線，導致供小於求愈演愈烈。大廠將產能轉向DDR5與HBM等先進製程產品的趨勢，也在進一步加劇成熟市場供給緊張的局面。業內人士分析認為，大廠退出成熟製程的策略短期內難以逆轉，供給端收縮趨勢將持續主導市場走向。訂單轉移效應預計將在未來幾個季度內繼續擴大。部分下游廠商已開始提前備貨以應對後續可能出現的更大幅度漲價。另據報導，三星在今年一季度將 DRAM 合約價大幅上調 100% 後，二季度合約價將再度環比上漲 30%。目前三星已確認，於 3 月底與全球主要客戶完成新一輪價格談判並正式簽署供貨合同，漲價方案已全面落地。此次30%的漲幅並非侷限於單一品類，而是全面覆蓋 AI 伺服器所需的 HBM 高頻寬記憶體，以及 PC、智慧型手機等終端產品使用的通用 DRAM，屬於全產品線同步上調，體現出行業整體供需格局持續緊張。 (國芯網)

受全球儲存晶片需求激增影響，三星和海力士正加快本土及中國市場的擴產步伐。據韓國財經媒體 SeDaily 援引兩家企業最新發佈的 2025 年經營報告，三星對其西安工廠的投資額同比大增 67.5%，而 SK 海力士去年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體生產基地的注資總額超 1 兆韓元。三星轉變對華投資策略據 SeDaily 援引三星 2025 年經營報告顯示，該公司 2025 年對西安工廠的投資額增至 4654 億韓元，較 2024 年的 2778 億韓元同比增長 67.5%。與此同時，在大舉擴產的背景下，三星（中國）半導體有限公司 2025 年發展勢頭強勁，全年營收約達 8.64 兆韓元，淨利潤攀升至 1.11 兆韓元。這一舉措標誌著三星的投資策略出現顯著轉變。SeDaily 指出，三星 2019 年對西安工廠完成約 6984 億韓元的初始投資後，2020 年至 2023 年期間，基本未對該工廠進行大規模資本投入。如今，面對本土產能難以消化的全球儲存晶片需求激增現狀，三星正加大在華佈局力度。報告顯示，依託新增投資，三星計畫將西安 NAND 快閃記憶體工廠的產線從 128 層（第六代）升級至 236 層（第八代），同時計畫 2026 年在韓國本土實現 400 層（第十代）NAND 快閃記憶體的量產。集邦諮詢的資料凸顯出中國作為三星核心 NAND 快閃記憶體生產基地的重要地位，該機構預估，2025 年三星中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 30% 至 35%。海力士投資超兆韓元，無錫DRAM產線向高附加值升級與此同時，SeDaily 指出，SK 海力士 2025 年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體子公司的投資總額超 1 兆韓元。其經營報告顯示，僅無錫 DRAM 晶圓廠就獲得 5810 億韓元投資，較 2024 年的 2773 億韓元同比增長 102%；大連 NAND 快閃記憶體工廠投資額達 4406 億韓元，同比增長 52%。據悉，這是 SK 海力士 2022 年收購英特爾大連 NAND 快閃記憶體工廠後，首次對其在華工廠進行兆韓元規模的投資。無錫和大連兩大工廠仍是 SK 海力士的核心生產基地。集邦諮詢資料顯示，2025 年 SK 海力士中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 40% 至 45%，DRAM 記憶體產能佔比也達到 35% 至 40%。韓國《中央日報》報導了一組值得關注的資料：2025 年 SK 海力士對其在華半導體工廠的裝置投資較上一年增長 9 倍。此舉是該企業在遵守美國製裁規定的前提下，最佳化在華生產設施的重要舉措，具體包括將韓國本土工廠的裝置運往中國，同時把中國工廠的老舊裝置運回韓國。《中央日報》還指出，2025 年 SK 海力士約 90% 的裝置交易都集中在無錫 DRAM 晶圓廠。此外 SeDaily 稱，SK 海力士通過此次新增投資，將無錫工廠的 DRAM 工藝節點從 1z 升級至 1a，為 DDR5 等更高附加值產品的量產鋪平了道路，也為企業實現業績增長提供了支撐。 (銳芯聞)

隨著投資者準備應對中東地區持久的衝突，他們正選擇拋售近幾個月來市場表現最強勁的科技股。儲存晶片製造商美光科技(MU.US)周一收盤下跌 9.9%，並在盤後交易中進一步走低。在同行業中，三星電子股價大跌近 5%，而 SK 海力士在周二韓國交易所早盤交易中一度跌幅高達 7.7%。美國與以色列針對伊朗的戰爭能否通過潛在和平談判結束，其不確定性正令全球市場感到不安，市場上的“割肉”投降跡象正在增加。在經歷了幾年的由人工智慧(AI)驅動的上漲後，科技股目前錄得最慘烈的跌幅。Ortus Advisors 分析師安德魯·傑克遜寫道，“隨著季度末臨近，投資者正在逃離近期的贏家，”“今天需要一些極其重大的利多消息才可能扭轉跌勢。”Bloomberg半導體股指數 3 月份跌幅已超過 13%，有望創下三年半以來最差單月表現。儘管如此，該指數仍有望在季度末維持 10% 的漲幅。由於擔心伊朗戰爭導致石油供應中斷的影響，投資者一直轉向更具防禦性的股票。在經歷了熾熱的上漲後，考慮到對高支出水平和估值的額外擔憂，AI 交易顯得尤為脆弱。“情緒正從 AI 領域轉移，”Reed Capital Partners 首席投資官傑拉爾德·甘在周一的採訪中表示，“我會考慮更多地獲利了結，而不是增加更多頭寸。” (invest wallstreet)

在全球AI記憶體需求持續緊張以及美國出口管制猶存的背景下，韓國兩大儲存晶片巨頭三星電子與SK海力士仍選擇加大對中國現有晶圓廠的投資。根據兩家公司向韓國金融監督院提交的年度報告，2025年它們在華工廠的資本支出均實現顯著增長。三星電子的年報顯示，其位於西安的工廠在2025年投資了4654億韓元（約合3.085億美元），較上年同期增長67.5%。這一投資是在2024年恢復對西安工廠投入後的持續加碼。SK海力士則分別向其無錫工廠和大連工廠投入了5811億韓元（約合3.852億美元） 和4406億韓元（約合2.92億美元），同比增幅分別高達102% 和52%。世宗研究所的一名研究員分析指出，與建設全新晶圓廠相比，最佳化現有中國廠區能夠更快地響應市場變化。當前，由人工智慧驅動的記憶體需求正在收緊全球供應，擴產成為頭部廠商的共同選擇。然而，也有分析師警告，在美國持續實施出口管制的大環境下，這一投資勢頭能否長期維持仍存在不確定性。儘管地緣政治因素給半導體供應鏈帶來挑戰，但三星和SK海力士仍選擇深耕中國成熟產能基地，以更靈活的方式參與全球AI記憶體市場的產能競賽。 (晶片行業)

3月27日消息，美國國際貿易委員會宣佈，將對NAND和DRAM儲存晶片展開調查，涉及日本鎧俠、韓國SK海力士等儲存巨頭！據悉，本次調查基於美國MonolithIC 3D公司於2026年2月17日提交的投訴。投訴指控被告違反了1930年《關稅法》第337條，在進口和銷售某些NAND和DRAM儲存晶片的過程中侵犯了原告主張的某些專利權。原告請求美國ITC發佈有限排除令以及停止侵權令。美國國際貿易委員會將於立案後45天內確定調查結束期。除美國貿易代表基於政策原因否決的情況外，美國國際貿易委員會在337案件中發佈的救濟令自發佈之日生效並於發佈之日後的第60日起具有終局效力。 (國芯網)