#2nm晶片
韓媒:三星2nm,還差點
台積電正在擴大其在尖端晶圓代工市場的領先地位。該公司去年第四季度大幅提升了3nm工藝的銷售份額,並計畫於今年開始量產2nm工藝。三星電子也在順應這一趨勢,將其第一代2奈米工藝的良率提高到50%左右。此外,據報導,該公司正在積極準備,以確保獲得更多增長動力,包括指導其合作夥伴推廣其第二代2奈米工藝。15日, 台積電在去年第四季度財報電話會議上披露了尖端晶圓代工工藝的研發和商業化進展情況。台積電董事長魏哲家表示:“N2(2奈米)工藝已於去年下半年成功進入量產階段,基於我們持續提升性能的戰略,我們預計今年將實現快速量產(全面量產)。”N2P工藝是N2工藝的後續工藝,也計畫於今年下半年開始量產。與N2相比,N2P工藝在性能和能效方面均有所提升。此外,採用專有背面供電(BSPDN)技術的16A(1.6nm)工藝也將於今年下半年開始量產。BSPDN將電源線置於晶片背面,從而提升晶片性能並增加設計自由度。業內人士認為,台積電的2nm工藝自量產以來良率一直保持穩定。 台灣當地消息人士甚至聲稱,該工藝的良率超過80%。得益於此, 台積電有望繼去年的成功之後,今年繼續保持其在尖端晶圓代工市場的領先地位。截至去年第四季度,3nm工藝佔台積電總銷售額的28%,創歷史新高。三星電子於去年第四季度開始量產其基於第一代2nm(SF2)工藝的最新移動應用處理器Exynos 2600。Exynos 2600 將搭載於三星電子旗艦智慧型手機Galaxy S26系列中,該系列計畫於今年第一季度發佈。Exynos 2600的設計目標是與高通最新的晶片組平行部署。根據對三星電子內部和外部的綜合分析,該工藝的晶圓良率估計約為 50%。與去年年中 30% 左右的良率相比,這是一個顯著的提升。與前代產品(Exynos 2500)不同,該晶片在初始量產過程中未出現任何重大缺陷。一位半導體行業內部人士表示:“具體數字可能會因評判產品優劣的標準不同而有所差異,但我瞭解到Exynos 2600的良率已經達到了50%左右的相對穩定水平。”他還表示:“MX部門也在鼓勵使用這款晶片組,因此它將佔所有Galaxy手機的約25%。”然而,業內普遍認為,三星電子第二代2nm工藝(SF2P)的成功對於該公司尖端晶圓代工業務的復甦至關重要。與SF2相比,SF2P的 性能提升了12%,能效提升了25%  ,晶片尺寸縮小了8%。另一位半導體行業內部人士表示:“三星電子一直致力於開發基於SF2工藝的下一代SF2P工藝,並於去年年中完成了基礎工藝設計套件(PDK)。” 他補充道:“據我瞭解,他們最近已向DSP(設計解決方案合作夥伴)傳送了指導方針,要求他們積極向客戶推廣SF2P工藝,而不是SF2工藝。”潛在客戶也在密切關注SF2P的成功。除了三星電子的下一代移動應用處理器Exynos 2700之外,SF2P還負責特斯拉人工智慧半導體的量產。去年,三星電子與特斯拉簽署了一份價值22兆韓元的半導體代工生產合同。其主要目標是量產“AI6”,這是一種高性能系統半導體,將應用於特斯拉的下一代前端驅動(FSD)、機器人和資料中心。據報導,AI6晶片採用了三星電子的SF2P工藝。三星電子計畫利用其國內的晶圓代工和封裝設施生產AI6晶片的初始樣品,隨後在其位於泰勒市、目前正在建設中的新晶圓廠進行全面量產。一位半導體行業內部人士表示:“SF2P工藝是三星電子首個獲得外部客戶正式確認可進行大規模量產的2nm工藝。”他還補充道:“如果該晶片的量產順利啟動,其他客戶將能夠以此為參考,更加積極地向三星電子提出量產要求。” (半導體行業觀察)
台積電2nm獲客戶積極採用,投片量已達3nm同期1.5倍
1月9日消息,據外媒wccftech報導,隨著台積電2nm製程的量產,目前的投片(tape-outs)量已經達到了3nm製程同期1.5倍,顯示出全球頭部晶片設計廠商對於最近尖端製程技術的迫切需求。在人工智慧(AI)熱潮的推動下,台積電在AI 晶片市場中維持著高達95%的高市佔率,這也將公司的營收推向新的高度。而根據市場消息指出,台積電2nm的營收有望在2026年第三季超越3nm與5nm營收的總和。這不僅反映了技術轉換速度的加快,預計2nm將成為台積電歷史上最具經濟效益與影響力的製程節點。而在首批2nm客戶名單中,傳統大客戶蘋果(Apple)依舊扮演著最關鍵的角色。身為台積電的最大客戶,蘋果據傳已搶先預訂了2nm超過一半的初期產能。這些產能預計將優先用於生產A20 與A20 Pro 晶片,並搭載於未來的iPhone 18 系列手機上。此外,搭載於MacBook Pro 所使用的M6 晶片,預計也將採用2nm製程技術。除了蘋果之外,其競爭對手高通(Qualcomm)與聯發科(MediaTek)的新一代旗艦晶片也正積極切換到2nm製程。其中,聯發科已經宣佈其首款採用2nm製程技術的系統單晶片(SoC)已經於2025年底前進行投片。報導引用市場消息的說法指出,蘋果、高通與聯發科三家公司甚至可能在同一個月份內宣佈其2nm節點製程新一代旗艦SoC。因此,雖然蘋果鎖定了大部分台積電2nm產能,但台積電也提供了改良版的N2P 製程來應對。雖然N2P 僅提供小幅度的性能提升,但它將允許高通與聯發科等廠商鎖定更高的CPU 工作頻率,並確保有足夠的產能供應給其廣大的客戶群。對於2026年全球晶圓代工的競爭格局中,英特爾(Intel)的動向格外引人注目。英特爾已經推出了基於自家Intel 18A製程的代號為“Panther Lake”的第3代 Core Ultra 處理器,但最新消息指稱,英特爾也在積極推動Intel 18A製程為外部客戶代工。當然,英特爾目前也在積極研究將台積電N2 製程用於自家多款產品的可能性。摩根士丹利(Morgan Stanley)在一份報告指出,儘管台積電擁有目前最先進的晶圓廠,蘋果仍被傳出正在考慮於未來讓英特爾代工服務(IFS)生產部分M 系列晶片的消息。不過,這項合作預計將集中在Intel 18A 製程技術上,且可能僅用於入門款的平價版Mac 機型。分析師普遍認為,鑑於台積電長年累積的可靠性,以及對先進技術的掌握,在未來幾年內恐怕難有其他代工廠能對其龍頭地位造成實質挑戰。 (芯智訊)
貴到離譜的2nm,被瘋搶
人工智慧的蓬勃發展給台積電帶來了嚴峻挑戰,該公司正努力克服2nm製程工藝供應緊張的困境,以滿足市場需求。據報導,台積電將於1月1日起上調其下一代製程工藝的價格,但儘管客戶需要支付少量溢價,訂單量似乎並未減少。事實上,根據最新資訊,到2026年第三季度,台積電2nm製程的營收有望超過3nm和5nm製程的總和。預計台積電將在其本土和美國共建設10座2奈米製程工廠,到2026年底,產能將達到8萬至10萬片晶圓。由於其2nm產能已排滿至2026年全年,台積電計畫通過在台灣新建三座工廠來滿足旺盛的市場需求,這項工程預計耗資高達286億美元。據Liberty Times Net報導,台積電的2nm技術已成為其“獨角戲”,人工智慧的爆炸式增長帶動了客戶訂單的激增。這家台灣半導體巨頭還將受益於其尖端晶圓價格的上漲,預計到2026年第三季度,2nm工藝的收入將超過3nm和5nm工藝的總和。報告還提到,台積電可能在其本土和美國建立多達10座2奈米晶圓廠,但顯然沒有將這項技術引入海外的計畫,據說它將提前一年推出3奈米晶圓,以防止三星等競爭對手搶佔先機。目前,台積電位於高雄的Fab 22工廠是其主要生產中心,其餘Fab 20工廠則位於新竹科學園區。台積電將建設5至6座晶圓廠,用於生產各種光刻工藝,總產量為3.5萬片晶圓,預計到2026年底將增至8萬至10萬片。2奈米工藝自2023年第三季度開始為台積電貢獻營收,最初約佔季度總營收的6%,隨後在第四季度躍升至15%。目前,5奈米工藝佔據了營收的絕大部分,佔總營收的60%,但隨著時間的推移,隨著3奈米和2奈米工藝的逐步發展,這一比例應該會逐漸下降。分析師估計,台積電的3奈米產能將在2026年達到極限,因為這項技術已經進入了“量產的黃金時期”。 不幸的是,台積電也必須為2奈米晶圓騰出空間,因為蘋果、高通、聯發科、AMD、輝達以及其他無數客戶都將使用2奈米晶圓。2nm製程大PK,史上最貴手機晶片來了台積電、三星製程節點都推進至2nm,智慧型手機可望成為首批終端應用,其中,台積電通吃蘋果、高通、聯發科最新2nm處理器大單,成為大贏家;三星也大秀2nm肌肉,打造Exynos 2600處理器,用於自家手機。由於2nm製程更先進,能耗將更低、效能與AI處理能力大增,但價格也將同步攀高。業界預期,以2nm製程打造的手機處理器將是「史上最貴手機晶片」。外媒披露,蘋果以台積電2nm製程打造的A20處理器成本高達280美元,比A19貴逾八成,伴隨近期記憶體價格飆漲,在處理器價格激增下,智慧型手機漲價恐箭在弦上。台積電2nm(N2)製程技術如期於去年第4季量產,採用第一代奈米片(Nanosheet)電晶體技術。台積電也發展低阻值重設導線層與超高效能金屬層間電容,以持續進行2nm製程技術效能提升。該公司先前也提到,會推出N2P製程技術,作為N2家族延伸,具備更佳的效能及功耗優勢,預計今年下半年量產。台積電強調,N2技術將提供全製程節點的效能及功耗的進步,以滿足節能運算日益增加的需求。 N2及其衍生技術將因其持續強化的策略,進一步擴大技術領先優勢。台積電2nm獲得客戶積極採用,手機更是主要應用之一。外媒報導,蘋果正開發今年iPhone 18系列高階款新機搭載的A20處理器,就是採用台積電2nm製程生產。另外,即便高通與聯發科並未對外證實,外界大多預期今年下半將發表的高通旗艦手機晶片驍龍8 Elite Gen 6系列與聯發科的旗艦晶片天璣9600,也都採用台積電2nm製程生產。聯發科已於去年9月宣佈,首款採用台積電2nm製程的旗艦系統單晶片已成功完成設計定案(tape out),成為第一批採用該技術的公司之一,預計2026年底進入量產。三星也大秀先進製程肌肉,宣佈旗下Exynos 2600處理器,採用自家2nmGAA製程打造。該晶片整合CPU、GPU與NPU,配置採用最新安謀(Arm)v9.3架構的10核心CPU,增強CPU端機器學習效能,GPU 運算效能是前一代產品的二倍,NPU則讓生成式AI效能比上一代提升113%,並降低功耗與延遲,帶來更佳的AI與遊戲體驗。三星強調,將強化Exynos處理器的競爭力,將其匯入主要旗艦機種。其晶圓代工事業部今年也將專注於穩定供應採用2nmGAA製程的新產品與HBM4。2nm,三雄爭霸台積電已於 2025 年第四季度正式啟動 2 奈米(N2)半導體工藝的量產工作,此舉創下行業里程碑 —— 台積電成為全球首家基於環繞柵極(GAA)架構奈米片電晶體技術,提供芯粒(Chiplet)代工服務的晶圓代工廠商。目前,台積電新竹寶山廠區(20 號晶圓廠)與高雄廠區(22 號晶圓廠)的 2 奈米產能正逐步爬坡,為滿足 2026 年起持續增長的市場需求做好準備。台積電董事長魏哲家表示,市場對 2 奈米工藝的客戶需求已超出公司當前的供應能力。在近期的財報電話會議上,台積電還披露其 2 奈米晶片的流片量創下歷史新高,超過了此前 3 奈米工藝同期的流片規模。為應對這一需求熱潮,台積電需在 2025 年底前實現 20 號與 22 號晶圓廠的全面投產。流片完成意味著晶片的設計階段宣告結束,正式進入量產環節。目前基於 2 奈米工藝的項目數量已超過 3 奈米階段,不過台積電並未透露具體客戶名單。與台積電在 2 奈米工藝量產上的低調推進不同,英特爾在其等效 2 奈米等級的 18A 工藝上表現得更為高調,多次對外披露該工藝的研發進展。在首席執行長陳立武的主導下,英特爾開放了其亞利桑那州 52 號晶圓廠供媒體參觀,並通過投資者溝通會發佈了工藝良率與節點研發的最新動態。英特爾首款基於 18A 工藝的處理器 “豹湖”(Panther Lake)預計將於 2025 年底交付,並計畫在 2026 年國際消費電子展(CES)上正式發佈。這款晶片將成為檢驗英特爾代工服務(IFS)吸引外部客戶能力的關鍵產品。英特爾副總裁約翰・皮策指出,18A 工藝的良率目標是在 2026 年底或 2027 年初達到行業標準水平。儘管英特爾積極推進 18A 工藝商業化,三星電子也已於 2025 年 12 月宣佈,其基於 2 奈米 GAA 工藝的移動應用處理器 Exynos 2600 正式量產,但兩家企業均面臨良率提升至商用水平的挑戰。目前,台積電仍是全球唯一一家可為外部客戶提供 2 奈米代工服務的晶圓廠,在市場競爭中佔據顯著領先優勢。在台積電龐大的客戶體系之外,2 奈米代工市場的外部客戶爭奪戰主要在英特爾與三星之間展開。SemiWiki 的消息源顯示,英特爾預計到 2026 年為其 18A 工藝爭取到 4 家外部客戶,相關產品的量產計畫定於 2028—2030 年。不過,在晶片正式流片之前,客戶的合作意向仍存在變數。特斯拉首席執行長埃隆・馬斯克曾多次提及,公司對採用台積電 N2 工藝和三星 2 奈米工藝的人工智慧晶片需求旺盛。但三星能否在這一領域搶佔更多市場份額,很大程度上取決於其位於美國德克薩斯州泰勒市的晶圓廠能否提升良率 —— 馬斯克本人正對該工廠的生產進度進行直接監督。在當前的 2 奈米代工市場,台積電佔據主導地位,三星暫時處於次要位置。業內觀察人士推測,若三星的 2 奈米產能無法滿足需求,馬斯克或許會將部分訂單轉移至台積電,或是考慮英特爾的代工服務 —— 尤其是在 2026 年英特爾與特斯拉建立合作關係的情況下。這種局面或將進一步加劇三星在新興 2 奈米市場的競爭壓力。有報導稱,高通與 AMD 正在評估三星的 2 奈米工藝,但二者仍更傾向於採用台積電技術成熟的 3 奈米(N3)與 2 奈米(N2)工藝。與此同時,英特爾正積極爭取蘋果、高通、亞馬遜雲科技、微軟等行業頭部企業,推動其採用 18A 工藝。英特爾計畫為 52 號晶圓廠配備至少 15 台極紫外(EUV)光刻機,併力爭在 2028 年實現亞利桑那州 62 號晶圓廠的投產,以支撐其 18A 工藝及後續 14A 工藝的 2 奈米 GAA 晶片量產。英特爾代工業務負責人納加・錢德拉塞卡蘭透露,英特爾下一代 14A 工藝的量產目標定在 2028 年,且該工藝在研發階段的性能與良率已超過當前的 18A 工藝。至於 14A 工藝的具體發展規劃,首席執行長陳立武將根據市場需求情況再做詳細披露。英特爾計畫在 2026 年國際消費電子展(CES)上重點展示兩款產品:基於 18A 工藝的豹湖(Panther Lake)消費級處理器,以及新一代至強 6+(Xeon 6+)資料中心晶片。這兩款產品的推出,凸顯出英特爾的核心戰略 —— 擴大自身 2 奈米 GAA 工藝的產能規模,降低對台積電代工服務的依賴。與此同時,全球 2 奈米代工市場的競爭格局已逐漸清晰:英特爾 18A 工藝與三星 2 奈米 GAA 工藝將展開正面角逐,而台積電則專注於穩步擴大產能,以滿足全球市場對 N2 工藝的強勁需求。在 2 奈米時代來臨之際,儘管競爭對手正試圖縮小技術與市場差距,但台積電憑藉低調卻果斷的技術推進,進一步鞏固了其在半導體製造領域的龍頭地位。晶圓代工,走向何方?輝達斥資超過7兆韓元(約合48.6億美元)收購英特爾股份,再次撼動了全球晶圓代工格局。此舉被解讀為輝達正在實現供應鏈多元化的訊號,此前該公司幾乎完全依賴台積電生產人工智慧晶片。隨著台積電正式宣佈2奈米製程工藝量產,三星電子和英特爾也加入競爭,圍繞大型科技公司的晶圓代工競爭正迎來一個重要的轉折點。根據近期行業報告,輝達以每股23.28美元的價格購入了214,776,632股英特爾股票,總投資額達50億美元,約合7.2兆韓元。此次收購使輝達成為英特爾的主要股東,持有約4%的股份。業內人士認為,這筆投資並非簡單的財務決策,而是一項戰略舉措。分析表明,此舉旨在將英特爾的CPU設計技術與輝達的AI能力相結合,同時為未來在晶片生產領域的合作留下空間。目前兩家公司之間尚未簽署任何代工合同。然而,鑑於雙方通過股權投資建立的緊密聯絡,評估認為輝達未來將部分人工智慧晶片生產委託給英特爾的可能性有所增加。尤其值得注意的是,這項投資與美國政府正在進行的“英特爾代工重建”戰略相契合。英特爾已從美國政府獲得57億美元的補貼,並正基於這筆資金準備大規模生產其18A工藝。輝達的這一舉措也符合旨在降低對台積電依賴的供應鏈重組趨勢。隨著人工智慧半導體需求的激增,台積電的先進工藝產能正迅速被大型科技公司的訂單填滿。此外,台灣地區的地緣政治風險以及地震可能造成的生產中斷也加劇了供應鏈多元化的必要性。與此同時,台積電通過量產其2奈米工藝,再次鞏固了其技術領先地位。去年年底,台積電正式宣佈,位於高雄南部南子科技園的Fab 22工廠已開始量產2奈米N2工藝產品。據報導,位於北部新竹科技園寶山Fab 20工廠的量產時間更早。台積電2奈米工藝的核心在於採用比現有工藝更小、更高效的電晶體結構。據評估,該工藝旨在提升性能的同時降低功耗。電源結構也得到了改進,以增強人工智慧計算所需的穩定性和效率。預計產量將從目前的每月5萬片逐步提升。蘋果、AMD和英特爾被認為是首批客戶,輝達隨後採用的可能性也正在增加。這些變化預計將為三星電子帶來機遇和挑戰。這是因為隨著台積電先進製程產能接近極限,三星必須與英特爾競爭日益增長的大型科技公司訂單,市場格局正在形成。今年,三星電子與特斯拉簽署了一份價值23兆韓元的AI晶片供應合同,並成功獲得蘋果iPhone圖像感測器的訂單,這增強了人們對其先進製程的信心。基於2奈米工藝的Exynos 2600移動晶片也有望搭載於明年的Galaxy S26手機中。業內人士評估三星電子2奈米工藝的良率約為50%。一些分析表明,就技術成熟度而言,它領先於仍處於早期階段的英特爾18A工藝。專家指出,“量產能力”是關鍵因素。分析認為,如果三星電子能夠確保良率穩定,而不僅僅是發佈技術公告,它就有可能成為包括輝達在內的大型科技公司客戶的可行替代方案。祥明大學系統半導體工程教授李鐘煥表示:“英特爾的18A工藝在數值上是1.8奈米,但實際上它本質上是2奈米等級的。”他補充道:“關鍵在於量產能力和良率,而不是技術本身。”他評估道:“由於英特爾涉足代工業務的時間並不長,因此很難在實際量產階段確保競爭力。”他還表示:“如果沒有良率保障,就很難承接大型科技公司的訂單。”關於三星電子,他表達了有條件的預期。李教授表示:“三星的2奈米製程目前還不能算是足夠成熟。”但他補充道:“如果三星的2奈米製程能夠實現與台積電持平或更優的量產能力,那麼整個行業格局可能會發生改變。”他指出:“由於2奈米製程目前是最高等級的製程,其良率的穩定必然會吸引輝達等大型科技公司的關注。”他還補充道:“如果Exynos晶片能夠在2奈米製程領域站穩腳跟,將會對代工廠的可靠性和商業可行性都產生積極影響。”他繼續分析道:“這可能是縮小與台積電差距的一個重要轉折點。” (半導體芯聞)
台積電2nm,交卷了!
台積電2nm,正式登場。2022年12月29日,台積電宣佈量產3nm晶圓代工製程。2025年12月,2nm製程的“終局考”也正式進入閱卷階段。此前台積電、三星、英特爾三大巨頭幾乎同時官宣,要在2025年Q4攻克2nm先進製程,讓這場頂尖晶片工藝的競速賽進入白熱化。時至Q4最後一周,在行業各方的高度關注之下,這一年半導體領域的最大懸念,終於揭開關鍵序幕。01. 台積電2nm,交卷了本周一,半導體產業縱橫注意到台積電在其2nm 技術官方網頁上發表聲明稱:“台積電的 2nm (N2) 技術已按計畫於 2025 年第四季度開始量產。 ”從性能提升的角度來看,N2 的設計目標是在相同功耗下實現 10%–15% 的性能提升,在相同性能下降低 25%–30% 的功耗,並且對於包含邏輯、模擬和 SRAM 的混合設計,電晶體密度比 N3E 提高 15%。對於純邏輯設計,電晶體密度比 N3E 高出 20%。台積電的N2工藝是該公司首個採用環柵奈米片電晶體(GAA)的工藝節點。在這種電晶體中,柵極完全環繞由水平堆疊奈米片構成的溝道。這種幾何結構改善了靜電控制,降低了漏電,並能夠在不犧牲性能或能效的前提下實現更小的電晶體尺寸,最終提高了電晶體密度。此外,N2工藝還在電源傳輸網路中加入了超高性能金屬-絕緣體-金屬(SHPMIM)電容器。這些電容器的電容密度是上一代SHDMIM設計的兩倍以上,並將薄層電阻(Rs)和過孔電阻(Rc)降低了50%,從而提高了電源穩定性、性能和整體能效。位於台灣的寶山(Fab 20)和高雄(Fab  22)是台積電2nm首發晶圓廠,2026年這兩座晶圓廠的所有2nm產能都已經被預訂,其中蘋果佔據了超過一半的初始產能。其餘的2nm客戶還包含高通、聯發科、AMD和輝達等主要晶片廠商。值得注意的是,台積電並非首家宣佈 2nm 製程量產的廠商。與此前 3nm 製程的發展節奏一致,三星再次率先實現技術落地。02. 2nm,三星代工的“背水一戰”對於三星而言,這場2nm的首發之戰,是關乎代工業務生死的背水一戰。2025年12月19日,三星電子正式發佈全球首款採用2nm工藝打造的移動應用處理器(AP)Exynos 2600,並宣佈這款新晶片已進入量產階段。據介紹,該晶片採用基於Arm最新架構的十核設計,CPU計算性能較上一代產品(Exynos 2500)提升高達39%;同時憑藉高性能NPU,將生成式AI性能提升113%。更值得關注的是,三星在這款晶片中首次引入熱路阻斷(HPB)技術,將熱阻降低最高16%,試圖徹底終結Exynos 2100、2200系列晶片因過熱導致性能下降的負面標籤。要知道,正是此前的過熱問題,讓三星付出了慘痛代價:2022年下半年,核心代工客戶高通將所有4nm以下製程訂單轉至台積電;就連三星自家移動(MX)事業部門,也在Galaxy S25中棄用自研Exynos AP,轉而搭載高通驍龍8 Elite晶片,讓三星代工業務陷入內外交困的境地。事實上,三星在先進製程上的激進策略早有先例。早在2022年,三星就搶先全球首發3nm工藝,並成為首家採用GAAFET電晶體技術的廠商,但良率問題卻成為其致命短板——2024年第一季度被曝光3nm工藝良率不足20%,至今仍在爬坡階段苦苦掙扎。此次2nm工藝,三星再次押注GAA架構,儘管當前披露的良率已穩定在50%-60%,但行業對其規模化供貨能力仍持觀望態度。不過,三星並非毫無籌碼。據悉,三星電子晶圓代工部門已與AMD展開深度談判,雙方計畫基於2奈米第二代製程(SF2P)技術聯合開發下一代CPU產品,目標產品或為EPYC Venice系列處理器。技術合作方面,三星將採用多項目晶圓(MPW)技術為AMD提供晶片原型試制服務。這項允許在同一片晶圓上整合多個設計項目的技術,可顯著降低初期開發成本。據知情人士稱,雙方有望在明年初達成最終合作協議,這將成為三星代工業務的重要轉折點。除了台積電與三星外,參與2nm製程競爭的還有兩家公司,分別為英特爾和Rapidus。英特爾日前也披露了18A製程的相關進展。基於Intel 18A製程的首款客戶端SoC——代號為Panther Lake的下一代AI PC處理器,正在英特爾最新的晶圓廠進行生產。Panther Lake不僅融合了Lunar Lake的高能效與Arrow Lake的高性能,其多核性能在同功耗下提升了50%,圖形性能提升超過40%,整體AI算力更是高達180 TOPS。英特爾副總裁兼中國區軟體工程和客戶端產品事業部總經理高嵩表示,明年1月的CES,英特爾將正式發佈Panther Lake。日本晶圓製造廠商Rapidus 已經啟動了2nm製程晶圓的測試生產,並計畫推動其IIM-1 廠區的2nm製程在2027年量產。據悉IIM-1 廠區已經展開對採用2nmGAA電晶體技術的測試晶圓進行原型製作。Rapidus公司確認,早期測試晶圓已達到預期的電氣特性,這表示其晶圓廠裝置運作正常,製程技術開發進展順利。03. 價格風暴,席捲而上2025年Q3全球前十大晶圓代工商的營收,達到了450.86億美元,高於上一季度的417.18億美元,環比增長8.1%。具體到廠商方面,台積電依舊是營收和份額最高的廠商,其第三季度營收330.63億美元,高於上一季度的302.39億美元,環比增長9.3%,所佔的份額也由上一季度的70.2%,增至71%,近一步提升。其餘九家公司:三星、中芯國際、聯電、格芯、華虹、世界先進、晶合整合、高塔半導體、力積電總共佔到了29%的市場份額。台積電Q3財報顯示,先進製程(定義為7nm及以下技術)合計佔總晶圓營收的74%。其中, 3 nm製程出貨量佔總晶圓收入的 23%;5 nm製程的出貨量佔 37%;7 nm製程的出貨量佔 14%。Q3台積電毛利率為59.5%,較去年同期的57.8%增長1.7個百分點,較上一季度的58.6%增長0.9個百分點。2nm不僅是技術競賽,更是一場成本與定價權的博弈。最新報告顯示,台積電計畫 2026 年將 2nm 產能擴至月產 10 萬片晶圓。相比 3nm,2nm 成本結構更優、終端需求更旺,是核心驅動力。價格方面,市場消息稱台積電的2nm晶圓的價格將超過3萬美元,幾乎是4nm晶圓的兩倍。根據Semi Analysis最新研究,台積電晶圓ASP(平均售價)在過去二十年呈現出明顯的“斷崖式增長”:從2005年到現在的20年可以分為兩個階段,2005年—2019年以及2019年—2025年。2005-2019年雖然長達14年,但台積電的晶圓ASP均價每片晶圓僅僅增加了32美元,CAGR年複合增長率只有0.1%,COGS(銷售成本)也是一樣的0.1%增長率。2019年之後相關資料均迎來快速增長,ASP均價上漲了133%,年複合增長率高達15.2%,而成本增長只有10.1%,累積下來每片晶圓利潤增長了3.3倍。究其原因,台積電於2018年開始量產EUV工藝,隨後在2019年開始放量。如今台積電的晶圓ASP均價已達到7000美元,作為對比,Q3中芯國際的晶圓ASP均價僅924美元。11月,市場消息稱台積電已通知客戶,自9月起,針對5nm以下先進製程啟動連續4年漲價計畫,漲幅將依個別客戶採購等級與合作情況而異。其中最搶手的3nm製程報價預計至少上漲個位數百分比。業界形容這是“AI時代以來首次長期漲價行動”。分析認為,台積電罕見啟動連續4年漲價,恰與聯發科法說會提到“將反映成本調整晶片售價”相呼應,預料將引爆下一波晶片漲價潮。市調機構指出,隨著全球通貨膨脹盛行,加上台積電海外建廠與生產成本提高,為了維持高毛利率,預估2026年起台積電5nm製程以下價格將上漲約5-10%。據悉,三星 2nm 工藝在 2026 年底時月產能有望達到 21000 片晶圓,相比之下,公司在 2024 年預定的目標產量是每月 8000 片,這意味著三星可能在短短兩年內實現163% 的增長。當2nm製程進入“閱卷階段”,一個更值得深思的問題浮現:製程微縮的極限已近在眼前,這場延續數十年的競賽,未來將向何處去?從行業趨勢來看,2nm絕非“終點”,但競賽的核心邏輯已從“尺寸微縮”轉向“多維創新”。台積電表示,下一代工藝製程A14將會採用第二代GAAFET技術與NanoFlex Pro標準單元架構,預計會在2017年年底啟動風險試產,大規模量產要等到2028年。三星也已啟動“夢想製程”1nm晶片研發,計畫於2029年後實現量產。英特爾也已經開始研發更先進的Intel 14A。Rapidus、東京大學將與法國半導體研究機構Leti合作,共同開發電路線寬為 1nm 級的新一代半導體設計的基礎技術。多維創新的第一個突破口,在於材料的多元化探索。傳統矽基晶片的潛力逐漸耗盡,行業開始將目光投向新材料與新架構。在材料領域,碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料憑藉更高的擊穿電壓、更快的開關速度,成為高壓、高頻場景的優選,在新能源汽車、5G基站等領域快速滲透;而更具顛覆性的二維材料(如石墨烯、二硫化鉬),則有望突破矽基材料的物理限制,實現更極致的尺寸微縮與性能提升,儘管目前仍面臨量產工藝的諸多挑戰,但已成為全球科研機構與企業的重點佈局方向。多維創新的第二個突破口,在於架構的革新。Chiplet(芯粒)技術打破了傳統單晶片的整合模式,通過將不同功能、不同製程的晶片裸片封裝在一起,實現“按需整合”的定製化方案——既可以用先進製程打造核心計算單元,用成熟製程實現外圍功能,降低整體成本,又能通過多晶片協同提升系統性能,成為平衡性能、成本與功耗的關鍵路徑,英特爾、AMD、台積電等行業巨頭已紛紛推出相關產品與技術方案。多維創新的第三個突破口,在於封裝技術的不斷突破。先進封裝不僅是連接晶片與電路板的橋樑,更成為提升晶片性能、整合度與可靠性的核心環節。除了前文提到的Chiplet封裝,3D IC封裝通過垂直堆疊晶片裸片,大幅縮短互聯距離,提升資料傳輸速度與整合密度;CoWoS(晶圓級系統整合)封裝則專為高性能計算晶片設計,實現晶片與高速互連、高頻寬記憶體的一體化整合,已成為高端GPU、AI晶片的標配封裝方案。封裝技術的突破,讓不同製程、不同材料的晶片能夠高效協同工作,為多維創新提供了更靈活的實現路徑,也讓“非尺寸微縮”的性能提升成為可能。 (半導體產業縱橫)
AMD官方首次公佈Zen6設計!首發2nm、全新計算核心
AMD近日官方公佈了第一份關於Zen6架構設計的檔案《AMD Family 1Ah Model 50h-57h處理器性能監控計數器》,通過性能監視介面了,披露了Zen6架構設計的不少細節。當然,這次講的是EPYC資料中心處理器的Zen6,而不是消費級銳龍,但底層邏輯是相通的。在此之前,我們只知道EPYC Zen6是首個採用台積電2nm工藝的高性能處理器,最多256個核心。最新檔案支出,Zen6架構並不是Zen4/5的漸進式小幅度升級,而是經過了全面翻新,專門為高吞吐量設計的更寬架構,擁有8個寬度的指令調度引擎(蘋果9個寬度),當然繼續支援SMT同步多線程。Zen6重點增強了對向量(向量)運算、浮點運算執行狀態的監測能力,顯然非常重視密集型數學運算負載。Zen6核心還配備了特殊的計數器,用於統計閒置調度窗口、後端流水線阻塞、線程選擇損耗等,再次印證Zen6架構上對更寬發射技術與SMT仲裁機制的戰略思路。Zen6依然支援512位完整寬度的AVX-512指令集,相容FP64、FP32、FP16、BF16等資料格式,支援FMA(融合乘加)、MAC(乘積累加)運算,以及浮點-整數混合向量執行,包括VNNI(向量神經網路指令集)、AES(高級加密標準)、SHA(安全雜湊演算法)等。不僅如此,Zen6 AVX-512的持續吞吐量極高,需要借助合併式性能計數器才能實現精準測量。這兩年,AVX-512指令集反而已經成為AMD的殺招,Zen6每個時鐘周期能夠完成的向量運算任務量,更是超出了傳統測量方法的適用範圍,所以才需要新的監視介面。總體而言,Zen6將是AMD首次從底層開始、專為資料中心和AI應用場景打造的微架構,必將成為一款計算利器。至於消費級版本將保留那些特性,實際表現如何,還有待觀察。AMD已經確定明年推出Zen6架構的新一代處理器,EPYC產品會首發台積電2nm工藝,銳龍版Zen6還有很多謎團未公佈,預計下月初的CES展會上會有消息。再往後就是Zen7架構了,代號Prometheus,雖然也沒啥規則可說,但它跟Zen6一樣應該都是AM5插槽的,至少會用到2027年。知名爆料大戶Moore's Law is Dead現在又給出了後面的Zen架構路線圖,Zen8代號Penelope,Zen9代號Nemesis,它們的一大升級就是換用新一代的AM6插槽。此前消息稱AM6插槽將擁有2100個針腳,相比AM5插槽的1718個針腳,增加了22%,但尺寸預計將保持與AM5相同,散熱器也是理論上能相容的。Zen8預計在2029到2030年問世,Zen9則是2032到2033年發佈,屆時應該支援DDR6記憶體及PCIe 6.0插槽了。那時候應該會解決記憶體缺貨漲價的問題了,不然未來的處理器成本本身就很貴,再加上記憶體還是高價的話,那DIY真沒得玩了。(硬體世界)
全球首顆2nm晶片:正式發佈
三星Exynos 2600重磅發表:2nm一、全球首款2nm移動晶片周五,三星電子丟下行動半導體產業重磅炸彈-正式公佈業界首款2奈米製程智慧型手機應用處理器Exynos 2600的完整細節。這款承載三星頂尖半導體實力的晶片,不僅標誌著行動晶片正式邁入2nm新紀元,更以環繞閘極(GAA)架構為基石,在性能、AI、影像、散熱四大維度實現顛覆性突破,重新定義旗艦移動運算核心的技術天花板。作為智慧型手機的“超級大腦”,Exynos 2600由三星系統LSI部門傾力打造,代工廠全程保障GAA架構的精密製造,將直接賦能明年初發佈的Galaxy S26系列旗艦機型。基於最新Arm架構的10核心CPU配置堪稱豪華:1顆3.8GHz Cortex-C1 Ultra超級核心領銜,搭配3顆3.25GHz Cortex-C1 Pro性能核心與6顆2.75GHz Cortex-C1 Pro能源效率核心,形成「超高高性能+均衡能效」的黃金組合,整體運算效能較上一代暴漲39%。AI與圖形效能提升顯著:整合32K MAC NPU的AI引擎,使生成式AI負載性能翻倍;三星Xclipse 960 GPU加持下,圖形效能較Exynos 2500飆升100%,配合Kinetic Reality技術,光線追蹤效能提升50%,Exynos Neural Super Samplingling 技術讓遊戲流暢度上升影像能力拉滿:單攝最高支援3.2億像素CMOS及108MP@30fps連拍,雙攝64MP+32MP滿足專業需求;顯示與編解碼實力頂尖,支援4K/WQUXGA@120Hz高刷螢幕、8K編解碼,整合全格式編解碼器覆蓋影音場景。核心亮點在於,Exynos 2600首次在行動SoC中植入散熱路徑模組(HPB),採用高介電常數材料,熱阻最多降低16%,破解高階晶片散熱痛點。同時,作為首款2nm GAA智慧型手機晶片,其率先支援混合後量子加密保障安全,更將成為未來Exynos晶片基礎平台,奠定技術優勢。二、三星手機策略:半數S26機型搭載Exynos 2600量產落地,既是技術突破,也是三星重振自研行動處理器策略的重磅訊號。根據《韓國經濟日報》先前報導,三星計畫為Galaxy S26系列約半數機型配備該晶片,這是其自研晶片受挫後的激進反攻舉措。規劃顯示,韓歐市場Galaxy S26全系列(含Ultra版)將搭載Exynos 2600,美日中市場仍用高通驍龍。這種均衡分佈,意味著三星2021年後首次在旗艦Galaxy系列大規模部署Exynos晶片,標誌自研策略全面回歸。回溯歷史,2015年前三星旗艦Galaxy全用Exynos晶片,2016年開始轉向高通。2022年Galaxy S22系列Exynos晶片的散熱問題與低良率打擊消費者信心,加速轉向。去年起三星開啟自研回歸:Galaxy S24基礎版/Plus版搭載Exynos 2400,後續Galaxy Z Flip7(僅韓國銷售)搭載Exynos 2500,逐步重建信任。如今Exynos 2600量產與大規模搭載,是三星自研回歸的關鍵一步。這反映其對自身半導體能力的自信,也是重構行動晶片市場格局的重要舉措。憑藉2nm製程先發優勢,三星試圖重奪高階行動晶片話語權,扭轉被動局面。隨著Galaxy S26臨近,這場與高通的正面較量,將成2025年高階手機市場最大看點。(深科技)
日媒:中國多年前開始申請EUV和2nm晶片的專利,全球的競爭對手需要緊張了
01. 前沿導讀根據日經中文網發文指出,日經XTECH、日經ELECTRONICS根據日本專利調查公司Patentfield的專利分析工具對中美晶片公司的技術專利進行了總體分析。從整體的數據資訊來看,中國大陸企業在GPU、電晶體結構、晶片製造技術等多個領域開始對美國老牌企業窮追猛打,並且在先進技術領域提前進行技術佈局,與美國、韓國等國家的企業展開持久性的未來競爭。中國企業在晶片產業上搶佔技術制高點的決心,對國際企業造成了一種未知的恐懼感。02. 技術專利2019年,中國企業在GPU領域的專利申請數量開始呈現上升的趨勢。到了2023年,中國的技術申請數量達到了3091項,對比2018年的數量增長幅度將近10倍,相當於美國英特爾的3倍、輝達的5倍,但是遠低於韓國三星。三星電子的大規模專利申請,與高頻寬記憶體有直接關係。高頻寬記憶體與GPU進行ai領域的協同工作,三星本身就是記憶體業務的巨頭,這種大規模技術申請的數量也標誌著三星正在為以後的ai產業埋下技術伏筆。在技​​術含量最高的電晶體和晶片製造領域,中國企業正在緩慢地向前推進。現階段的國際晶片產業,一致認為想要將晶片技術推進到2nm的下一個時代,採用GAA電晶體結構是最直觀的技術方案。晶片的電晶體結構分為三個階段,14nm以上的製程採用平面電晶體結構,14nm及以下製程使用胡正明開發的Fin FET電晶體結構,到了2nm及以下工藝,需要採用GAA電晶體結構。在GAA架構的專利申請中,台積電毋庸置疑的成為了全球企業的老大。而大陸企業則是在2018年開始佈局,2023年的時候申請了大約20項相關專利。雖然數量不多,但還在持續推進,這種在專利層面的循序漸進,也標誌著中國企業正在進行未來2nm晶片的研究,與國際巨頭打持久戰。在EUV以及光刻技術的專利申請上面,中國大陸企業也在積極佈局。由於美國的製裁封鎖,大陸企業無法獲得先進的EUV光刻機,這極大限制了中國開發自主先進晶片的進度。在此之前,中國晶片企業一直以設計為主,並且在某些設計領域具備與美國企業比拚的實力。但是本土製造技術與設計水準存在脫節,以至於美國的出口管制讓許多中國企業空有設計能力,卻無法將晶片製造出來銷售。這也在一定程度上迫使設計企業進入晶片製造領域,並聯合國內的老牌晶圓工廠解決先進晶片的卡脖子問題。03. 技術路徑儘管中國被封鎖了EUV光刻機,但是中國企業曾經採購了一批先進的浸潤式DUV光刻機,這些DUV光刻機搭配先進的刻蝕機,再加上自對準多重圖案化技術(SAQP)實現7nm晶片的製造。根據前側積電研發副總裁林本堅在個人作品中表示,多重圖案化技術對於套刻精度的要求很高,假設套刻的CD偏差為1.5%,如果該偏差無法得到有效的解決,那麼其最終將會導致6階的誤差也就是8.4%,這對於晶片製造來說是致命的影響。前台積電研發處長、前中芯國際董事楊光磊也在接受採訪時表示,採用比EUV差一些的浸潤式光刻機製造先進晶片,這是可行的方案,也是一條被驗證過的方案。但想要繼續製造5nm甚至是更先進的晶片,理論上是可能的,不過良品率不可控,所投入的資源也不可控,這完全是一個技術無人區。尤其是對於那些沒有涉足製造業的晶片公司來說,這個難度就更大了,短時間內看不到成果,需要持續累積經驗才有可能成果。彭博社早在2024年就發布了相關報告,報告指出中國本土企業正在嘗試使用有限的設備,透過傳統方法製造5nm晶片。這種方法無異於霸王硬上弓,目前在國際層面還沒有企業能夠成功。台積電、三星、英特爾都已轉向EUV技術,中國企業是目前唯一以DUV光刻機衝擊5nm晶片的企業。未來2nm晶片的結構將會從Fin FET過渡到GAA,電晶體內部的閘極四麵包圍著奈米片,因此會電晶體會獲得更好的電流控制,盡量避免量子穿隧效應。以現在的情況來看,中國企業已經在積極佈局電晶體結構的技術專利,從底層的基礎結構開始研發,逐步建立一套屬於中國企業的晶片產業鏈。在沒有解決EUV光刻機的情況下,採用浸潤式微影機和自對準多重圖案化技術依然是折中且成熟的方法。麒麟晶片的重新回歸,標誌著中國企業已經走通了採用多重圖案化技術製造先進晶片的路線,下一步就是要繼續降低供應鏈風險,實現晶片製造的可持續性發展。在確保供應鏈體係安全穩定的情況下,去嘗試透過現有的技術設備製造全新電晶體結構的晶片。 (逍遙漠)
蘋果首顆2nm晶片!
最新爆料顯示,蘋果將於2026年推出A20和A20 Pro晶片,台積電2奈米工藝製造,並引入創新的WMCM封裝技術,預計性能提升15%,功耗降低30%。A20系列晶片將是蘋果首次進入2奈米工藝時代,也是其封裝技術從InFO轉向WMCM的重要轉折點。這一變革不僅關乎製程工藝的微縮,更是晶片設計思路從高度整合向模組化靈活配置的轉型。台積電2奈米工藝基於全環繞柵極(GAA)奈米片電晶體技術,電晶體密度較3奈米工藝提升約1.15倍,同時導線電阻降低20%。這一基礎性提升為晶片性能和能效的飛躍奠定了物理基礎。WMCM(晶圓級多晶片模組)封裝技術是此次升級的核心亮點。與當前將所有元件整合在單一晶片上的InFO技術不同,WMCM允許將CPU、GPU和神經網路引擎等多個獨立裸片(die)整合到單一封裝中,而 InFO 封裝則是在單塊裸片上整合各類元件。這種“先封裝再切割”的方式省去了傳統封裝中的中介層,使訊號傳輸路徑更短,延遲更低。各功能模組可以獨立運作,根據任務需求動態調整功耗,從而實現更精細的能效管理。封裝技術的變更將帶來以下多項優勢:更出色的晶片組設計靈活性:通過加入不同裸片,蘋果可採用不同 CPU 和 GPU 核心組合打造多樣化晶片配置。該公司在推出 M5 Pro 和 M5 Max 時可能會採用類似方案,據悉這兩款晶片將具備獨立的 CPU 和 GPU 模組。提升可擴展性,支援多產品衍生:WMCM 可為蘋果提供基準配置,後續可基於該配置設計 A20、A20 Pro,以及性能顯著更強的 M6、M6 Pro 和 M6 Max。能效升級:與單塊裸片整合所有元件的方案相比,多裸片的緊密整合有助於降低功耗。CPU、GPU 和神經網路引擎裸片可獨立運行,並根據具體任務需求調節功耗。簡化製造流程以降低成本、提高良率:WMCM 採用模塑底部填充(MUF)技術,有助於減少材料消耗和工序步驟。簡而言之,蘋果 A20 與 A20 Pro 的產能將進一步提升,同時缺陷晶片數量降至最低,這將有助於抵消明年採用台積電 2nm 工藝所增加的成本。 (半導體技術天地)