01:三星電子:HBM的散熱趨勢
近日,全球頂級晶片與電腦體系結構會議 Hot Chips 2026 召開,三星在會上分享了題為 “Evolving HBM Base Die” 的下一代HBM技術路線,首次從Base Die演進的角度系統討論了HBM4、HBM5乃至未來3D堆疊記憶體面臨的功耗與散熱挑戰。隨著HBM Base Die開始採用先進邏輯製程,並逐步整合PHY、Memory Controller、SRAM乃至Processing Elements等更多主動邏輯功能,HBM正在從過去相對單純的高頻寬記憶體器,演變為新的高功率密度熱源。
三星在 Hot Chips 2026 公佈的這套 HBM Base Die 路線,最值得關注的其實不是HBM容量,而是一個很明確的趨勢:未來HBM正在從GPU旁邊相對低功耗的記憶體器,逐漸變成一個新的高熱流密度熱點,AI晶片液冷的重點也可能從“只壓GPU/XPU”進一步擴展到“GPU+HBM整體封裝散熱”。
HBM散熱出現一個反直覺的問題:製程越先進,局部熱點反而越嚴重