近日外媒及國內權威管道確認，上海微電子自研SSA800系列193nm浸沒式DUV深紫外光刻機正式進入量產階段，成為國內可商業化交付的28nm製程光刻核心裝置。2026年規劃首批產出5台裝置，2027年產能擴充至20台以上，整機國產化率超85%，可原生滿足28nm晶片製造，依託多重曝光工藝可向下相容14nm成熟製程。首批裝置將優先交付中芯國際、華虹半導體、長鑫記憶體等頭部晶圓廠，用於功率半導體、記憶體晶片、車規級MCU等大批次成熟工藝生產。在海外持續收緊DUV裝置出口與維保管制的背景下，國產DUV量產直接補齊晶片製造最關鍵短板，打破艾斯摩爾在浸沒式光刻領域的獨家壟斷，標誌國內半導體裝置自主可控從技術攻關邁入規模化商用落地新階段。 國產浸沒式DUV光刻機量產是半導體產業鏈里程碑式突破，直接避險海外裝置管制風險，保障國內成熟製程晶圓廠擴產產能穩定。裝置放量將帶動光刻光源、雙工件台、光學鏡頭、精密結構件等上萬項零部件國產替代訂單集中釋放，倒逼上游精密製造、光學材料、特種陶瓷產業技術迭代。中長期將完善國內晶片製造閉環，降低成熟製程晶片對外裝置依賴，夯實功率晶片、記憶體晶片自主化根基，重塑全球半導體裝置供需格局。 相關上市公司梳理（不作個股買入推薦） 整機股權端，張江高科通過子公司參股上海微電子，直接受益整機量產估值重估。核心零部件領域，華卓精科為光刻機雙工件台獨家供應商，是裝置核心剛需部件；福晶科技供應DUV光源核心非線性光學晶體，深度繫結國產光源廠商；波長光電、炬光科技提供光刻照明系統、光學透鏡與光場勻化元件，訂單確定性較強。精密結構件方面，富創精密、華亞智能批次供貨光刻機腔體與鈑金結構件；先導智能佈局光刻特種陶瓷零部件與光源配套。配套耗材與工藝端，至純科技提供光學元件濕法清洗裝置，強力新材光刻膠、容百科技光刻配套電子化學品同步受益晶圓廠產線擴容，全鏈條充分分享國產DUV規模化放量紅利。 (翔談財經)

半導體“卡脖子” 核心環節迎來里程碑突破！據行業獨家知情人士消息，上海一家國資背景企業正式啟動國產浸沒式DUV 光刻機規模化量產。在美國持續加碼晶片管制、艾斯摩爾裝置漲價、維修服務受限三重壓力下，國產光刻裝置從樣機驗證邁入商用交付階段，徹底打破單一海外裝置依賴格局。本文完整梳理本次產業突破核心資訊，並簡要拆解A 股全產業鏈受益標的。 一、事件核心全貌：國產DUV 光刻機量產落地 1. 企業背景與研髮根基 本次量產主體為上海國資控股裝置企業，整合國內多家浸沒式DUV 研發團隊，核心研發載體為國資晶片裝置初創公司上海宇量昇科技。項目由上海、深圳兩地國資協同佈局，華為參與統籌協調國內全產業鏈資源，研發模式從早年單一科研院所攻堅，轉為科研機構、裝置企業、晶圓廠協同產業化模式。早在去年，該企業已向國內頭部晶圓廠交付DUV 光刻機原型樣機，各工廠上機測試資料表現良好，為今年量產奠定基礎。因項目高度敏感，企業完整名稱未對外披露。

據 The Information 報導，中國已開始大規模量產自主研發的深紫外光刻機（DUV）裝置，計畫 2026 年生產 5 台，2027 年生產 20 台。不過，將這些裝置投入實際量產線仍需數月甚至更長時間，晶片製造商需要測試其精度、可靠性和相容性。 據消息人士稱，國產 DUV 主要使用國產零部件，但部分關鍵部件仍來自日本，且性能和製造質量目前仍落後於 ASML 產品。今年本地供應商的延誤已影響生產進度，因此 ASML 短期內幾乎沒有直接威脅，但國產裝置產量上升可能逐漸侵蝕其在中國市場的地位，若西方實施更嚴格限制，將加速中國晶片製造商轉向本土裝置。 (財經實驗室TheFinanceLab)

韓媒同步披露重磅動態：長鑫記憶體（CXMT）成功落地晶圓混合鍵合DRAM技術，依靠成熟DUV多重曝光工藝，徹底繞開EUV依賴，挑戰三星、SK海力士、美光三巨頭的記憶體壟斷格局。這不是工藝升級，是換賽道的非對稱突破。 在半導體產業裡，有一條被全球默認的"鐵律"： 想做下一代高密度記憶體晶片，必須依賴EUV極紫外光刻機。 EUV裝置，既是先進製程的基石，也是外部技術封鎖最堅硬的壁壘。三星、SK海力士、美光三家記憶體巨頭，長期依靠EUV產線迭代，壟斷全球高端DRAM與HBM市場，形成難以撼動的寡頭格局。

EUV光刻機被認為是5nm以下工藝不可或缺的關鍵裝置，然而EUV成本高，再加上受限的情況下，半導體工藝只靠當前的DUV光刻能做到什麼地步？ 這個問題是Intel、台積電、三星等公司不會面對的，因為他們已經切換到EUV路線了，但一家名為SMIC的公司還在不斷最佳化DUV光刻極限，業內的光刻技術大佬Frederick Chen日前又注意到了SMIC申請的2個專利，展示了該公司在這方面的探索。 SMIC公司在中美兩地都申請了這個專利，最早在2024年10月份就率先在中國境內申請了，目標是提高電晶體密度的同時也提高設計的靈活性。 文章的技術內容太過高深，感興趣的可以看原文，簡單來說就是SMIC公司在SAQP自對準四重圖案與傳統的LELE（光刻+蝕刻）兩個技術中如何尋求平衡的技術。

晶片製造有新突破 6月5日，璞璘科技發佈消息稱，公司與深圳力策合作採用真空氣壓式奈米壓印方案實現8英吋光晶片量產突破：依託璞璘科技自主研發的PL-AS真空氣壓式晶圓級奈米壓印光刻裝置，配合定製化雙層壓印膠材料體系與核心工藝，完全繞開深紫外（DUV）光刻路線，成功實現8英吋光晶片晶圓可規模化量產，並將晶片製造成本壓縮至傳統DUV方案的十分之一。 璞璘科技是一家專注於奈米壓印裝置及材料研發的企業。公司官網顯示，2025年8月，其自主設計研發的首台PL-SR系列噴墨步進式奈米壓印裝置，順利通過驗收並交付至國內客戶，該裝置可對應線寬＜10nm的奈米壓印光刻工藝。 奈米壓印不用光學曝光，靠“奈米印章”物理壓印復刻奈米圖案，具有超高解析度、易量產、低成本、一致性高的技術優點，被認為是目前光刻技術替代方案之一。

路透社報導，美國國會一項旨在阻止更多晶片製造裝置流入中國的法案提案，已刪減部分內容，但仍包含針對艾司摩爾（ASML）深紫外光浸潤式微影裝置（DUV）的限制。 艾司摩爾對此拒絕評論。維護美國在AI領域領先地位這項在眾議院提出、名為「MATCH」的立法提案，獲得兩黨議員支援，目的是要填補對銷往中國大陸晶片製造裝置限制中的漏洞，並使美國與日本、荷蘭等其他國家的政策保持一致。路透看到的MATCH法案新版本當中，許多初版列出的限制條款已被刪除，例如，刪除了針對晶片低溫蝕刻裝置的全國性限制。 這類晶片製造裝置的生產商包括總部在加州的科林研發（Lam Research）和日本東京威力科創（Tokyo Electron）。不過，經調整後的新版法案仍禁止外國企業向中國的長鑫儲存、長江儲存和中芯國際等，已被美國列入停用美製裝置的陸企提供裝置。MATCH是「硬體技術管制多邊協調法案」（Multilateral Alignment of Technology Controls on Hardware Act）的縮寫，希望維護美國在人工智慧（AI）領域的領先地位。專家形容是一列「失控的列車」法案4月初提出最初版本後，令美國及海外業者感到不安，有專家形容是一列「失控的列車」，該案不僅要迫使盟友與美國的管制措施保持一致，還施加了新的全國性的、廣泛的企業限制。 製造商表示，這些限制會減少出口，損害銷售。提出法案的眾議員鮑加納（Michael Baumgartner）現在計畫以新版本替代最初版本。 眾議院外交事務委員會預定下周三表決MATCH法案，同時還將對十余項涉及AI、半導體及出口管制的其他議案進行表決。美國2022年底開始管制晶片製造裝置輸往中國大陸，限制實施後，美國一直試圖與荷蘭、日本協調管制政策。 MATCH法案為美國與盟國供應商進行的外交談判設定了最後期限，並明定在期限屆滿後要求美國單方面實施管制。中國大陸的晶片製造商未回應路透的置評請求。 中國駐華盛頓大使館發言人則是表示，北京將密切關注事態發展，並維護自身權益。 (大話晶片)

美國對中國半導體製造裝置的出口管制正從行政令走向立法化。一個跨黨派議員小組近日提出《MATCH法案》，旨在進一步限制向中國出口電腦晶片製造裝置，直接影響到荷蘭ASML等裝置供應商以及中芯國際、華虹、華為等中國頭部晶片製造商。這項於周四晚公佈的法案草案，核心目標是保護美國在人工智慧領域的領先地位，防止中國公司獲得其無法自制的晶片製造工具，並確保位於美國盟國的公司面臨與美國競爭對手相同的限制。此前美國已通過川普或拜登政府主導實施了多輪出口限制，但此次是國會層面的立法行動。議員們表示，他們的重點是將限制措施對準中國依賴進口的技術領域，例如用於晶片電路圖案化的浸沒式DUV光刻裝置。該市場由荷蘭ASML主導，日本尼康為次要競爭者。根據法案，不僅禁止向上述五家中國領先晶片企業出售此類裝置，還將禁止對這些裝置進行維修和維護服務。這意味著，即便中國晶片製造商現有進口的浸沒式DUV光刻機，未來也可能因無法獲得原廠維修而面臨停產風險。該法案若通過，將對中國成熟製程和先進儲存晶片的產能擴張構成實質性打擊。目前，該法案尚處於提出階段，後續需經國會表決和總統簽署方能生效。 (晶片行業)