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9月2日,在SEMICON Taiwan 2026展會的“大師論壇”活動上,晶圓代工龍頭台積電高級副總裁兼副首席營運官侯永清指出,人工智慧(AI)對產能的需求巨大且持續增長。儘管台積電全球同時建設近20座晶圓廠,但仍然很難完全跟上需求。例如,台積電為滿足客戶需求採購的裝置數量在6個月內幾乎翻倍,遠超預期。 台積電高級副總裁侯永清周三在2026台灣半導體產業論壇上指出,需求增速最直觀的體現是裝置採購量。侯永清以台積電自身資料為例:去年底預估今年裝置採購需求為基準1倍,今年第一季度上調至1.5倍,到7月已飆升至1.9倍——半年內裝置需求幾乎翻倍。這一增速“顛覆了過去幾十年的行業經驗”。 “要在短短6個月內讓整個生態系統與裝置供應鏈支援幾近翻倍的裝置產能擴張需求,正是我們當前面臨的最大難關。”侯永清進一步指出,“沒有任何單一裝置商能立刻消化這個需求,這必須依賴整體生態系統的同步升級。” 他補充稱,人工智慧正在催生巨大的產能需求,整個台灣地區的半導體生態系統必須在短短六個月內應對快速的需求增長,這是業界目前面臨的一項重大挑戰。過去,台積電同時建設四到五個晶圓工廠,但現在全球在建晶圓廠總數已接近20座,台灣同時興建13座晶圓廠,海外也有5到6座廠房推進中。這是他30年來從未見過的增長速度。
爆了!台積電近20座廠同步建設
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《2025半導體展台亞攜手冠亞與積亞 集團轉型展現功率半導體技術實力》台亞半導體(2340)於SEMICON Taiwan 2025攜手集團公司-和亞智慧(7825)、積亞半導體(7787)及冠亞半導體一同參展,為期三天的盛大展場中,台亞除亮相非侵入式血糖監測的HUSD(Hybrid Ultra Sensing Device)技術外,並呼應本屆半導體展【世界同行 創新啟航】主題,展出半導體產業轉型的新格局,以集團合作為驅動力,從晶圓製造、功率元件應用、電源管理到智慧製造,提供一站式服務平台,全面展現近期營運成果與技術突破。本次展會中所聚焦的化合物半導體-SiC與GaN,因具備有高電壓、高溫與高頻的特性優勢,為新世代功率產品的新興寵兒,台亞旗下子公司-積亞半導體專注於(SiC)功率元件的晶圓代工,涵蓋蕭特基二極體(SBD)與金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)等關鍵產品,能廣泛應用於伺服器、工業控制、電動車、充電樁、太陽能與儲能設備等領域,目前已完成SBD與MOSFET 650V,1200V與1700V的平台量產認證,致力於晶片製造並協助客戶將產品推向市場,搶攻高功率應用的全球商機。在氮化鎵(GaN)功率元件部分,台亞子公司-冠亞半導體則具有GaN功率元件的製程平台開發,目前已完成650V GaN D-mode產品平台,預計於今年下半年即將完成E-mode平台開發,廣泛應用於電動車、伺服器電源、通訊設備等領域,打造高穩定性、高可靠性的製程平台,以代工模式提供客戶具競爭力的產品選擇,展示最新製程、材料與應用解決方案。台亞副董事長暨日亞化學常務取締役戴圳家表示,雖然功率元件市場受到中國的政策影響,但以長期來看功率半導體市場仍持續快速成長,因此未來將透過積亞與冠亞的技術整合與集團的策略佈局,強化在功率半導體市場的領導地位,並積極拓展全球合作機會。延續日亞化學小川英治會長所倡導的核心精神,以提升供應鏈整合度為目標,靈活調度資源、優化營運效率,創造新契機並進一步鞏固競爭優勢,持續創造「世界第一的產品」。
2025半導體展台亞攜手冠亞與積亞 集團轉型展現功率半導體技術實力
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《和亞智慧亮相國際半導體展 AI驅動產業智慧升級》2025年剛於興櫃市場掛牌的新星和亞智慧(7825)參加台北南港展覽館「SEMICON Taiwan 2025 國際半導體展」,一直致力於推動智慧製造的和亞智慧今年以「智慧賦能、引領創新」為主題,展示出結合 「AI 、智慧製造 、光學感知」三大關鍵技術並輔以「軟硬整合x跨域應用」策略,除 AI 與智慧製造外,也同步發表全新「光學模組產品線」,進軍智慧感知市場提供全方位的解決方案,展現從智慧製造、智慧工廠到智慧交通的全方位實力。和亞推出的 NST AI 系列解決方案,協助客戶在半導體製程中「看得更清楚、判斷更快速」,涵蓋瑕疵檢測、缺陷分類、即時數據分析與決策輔助,全面實現「從檢測到決策」的智慧化跨越。 同時,生成式 AI 平台的導入,為企業帶來知識管理與流程自動化的新契機,成為智慧工廠的強大引擎。同時和亞也考量到在智慧工廠與產業數位轉型浪潮下,半導體產線往往面臨「大量老舊設備無法整合」的瓶頸,因此同步展出「智慧製造整合方案」,包含電子標籤與物流追溯系統、RCM 遠端控制管理系統、良率分析系統等解決方案,讓工廠無需汰換設備即可升級智慧化生產。除 AI 與智慧製造外,和亞智慧也同步發表全新「光學模組產品線」,進軍智慧感知市場,推出長波紅外線熱感測器與車載RGB攝影機模組,透過應用於車載熱成像輔助駕駛、無人機夜視、電動車充電監控與智慧安防等,為智慧交通與安防應用提供更完整解決方案。並憑藉多年在 AI 演算法、光學模組、製程自動化與 AOI 設備的技術積累,展現和亞智慧科技在「AI × 影像 × 光學」的跨界整合能力。和亞智慧今年4月以於興櫃市場掛牌,上半年也以EPS 1.33繳出亮眼的成績單,接下來並計畫於 2026 年申請上櫃,和亞董事長 石文機表示,和亞智慧同為台亞集團的「亞家軍」一員,期許可以承擔起集團智慧製造的整合重任,透過軟體檢測與 AI 數據整合提出製程優化建議,確保落實台亞集團「創造世界第一的商品」的理念。在追求技術創新與產品卓越的同時,和亞智慧也憑藉多年在 AI 演算法、光學模組與自動化製程的深厚實力,已成為半導體、車用電子與元宇宙領域的重要解決方案供應商,並展現積極拓展國際市場的決心,未來將持續以 AI 技術為核心,協助集團建立完善的知識管理體系,強化整體競爭力,推動產業向高效率、高良率與智慧化的方向發展。
和亞智慧亮相國際半導體展 AI驅動產業智慧升級
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《半導體跨界智慧醫療 台亞 HUSD 技術掀健康革命》SEMICON Taiwan 2025 國際半導體展今日(10日)於南港展覽館盛大登場,台亞半導體(2340)攜手集團子公司和亞智慧(7825)、積亞半導體(7787)及冠亞半導體共同展出,呈現最新研發成果。台亞半導體正式發表 HUSD(Hybrid Ultra Sensing Device)技術,展現半導體跨足智慧醫療的創新應用。HUSD 為台亞專為非侵入式血糖監測所開發的光學感測技術,採用多顆 SWIR(短波紅外)高密度複合元件集成,並結合表面光學多層膜技術,藉以驅動高精度非侵入式血糖檢測穿戴裝置的全新應用場景,此一突破開啟血糖監測新紀元,讓糖友免受扎針之苦。台亞表示,提供高精準度的血糖監控解決方案,為日常控糖更具便利性,並在政府「A+企業創新研發淬鍊計畫」支持下,台亞半導體已規劃完整 HUSD 技術發展藍圖,展現逐步邁向醫療應用的明確策略與決心,並預計在今年推出 HUSD-HS2(Healthcare Series 2)模組,臨床前測試平均 MARD(誤差率)約 15%,已可支援日常健康管理穿戴式應用。預計於明年推出誤差率降至 10% 以下的 HUSD-HS3,搭配AI演算法,邁向臨床使用門檻,最終計畫開發出HUSD-MS(Medical Series),進軍醫療級血糖監測市場。此外,台亞半導體將於 9 月 11 日 攜手集誠資本舉辦產業交流會,邀集半導體產業高階主管、策略夥伴、投資人與客戶齊聚,共同探討跨域合作與投資契機。會中將由台亞半導體發表「以化合物半導體 SWIR HUSD 感測技術驅動高精度 NICGM 創新」專題,並邀請臺北醫學大學營養學院院長謝榮鴻教授,以「非侵入式連續血糖檢測:生活中的健康革命」為題,從產業與醫療雙視角剖析 HUSD 的應用與未來發展。台亞半導體副董事長暨日亞化學常務取締役戴圳家表示:「台亞深耕感測元件領域已邁入第 40 年,歷經積極轉型後,HUSD 是台亞近期在光學感測技術上的重大突破。此技術能在無需針頭與耗材的情況下完成血糖監測,真正將健康檢測融入日常生活。我們將先從穿戴式應用落地,逐步優化精度,最終挑戰醫療級監測,實現半導體技術與醫療需求的完美結合。」隨著全球健康意識提升,非侵入式血糖監測需求快速成長,台亞半導體布局 「感測半導體 × 智慧醫療」的跨域創新,加速 HUSD 技術的商業化與國際化,擘劃智慧醫療、健康台灣與永續發展的核心願景。
半導體跨界智慧醫療 台亞 HUSD 技術掀健康革命
為產業注入強勁動能。今日,SEMICON China 2025在上海開幕。在本次展會上,新凱來展區人頭攢動。這是新凱來首次公開亮相,同時發佈多款產品,覆蓋半導體製造全流程。發佈的產品,在工藝裝備方面包括:擴散裝備RTP(三清山)、EPI(峨眉山);刻蝕產品ETCH(武夷山);薄膜產品PVD(普陀山)、CVD(長白山)、ALD(阿里山)。在量檢測裝備方面包括:光學檢測產品岳麗山BFI、丹霞山DFI、蓬萊山PC、莫干山MBI;光學量測產品天門山IBO、天門山DBO;PX量測產品沂蒙山AFM、赤壁山-XP XPS、赤壁山-XD XRD、赤壁山-XF XRF;功率檢測產品RATE-CP、RATE-KGD、RATE-FT。具體來看部分裝備EPI (峨眉山)12英吋單片減壓外延生長裝置,採用創新架構設計,全面覆蓋邏輯及儲存外延等應用場景,支援向未來先進節點演進。RTP (三清山1號)12英吋單片柵極氧化/氮化裝置,覆蓋氧化/氮化/退火等邏輯及儲存應用場景,具備精準溫度控制和電漿體控制能力,支撐先進工藝持續演進。三清山2號覆蓋尖峰退火/超快尖峰退火等邏輯及儲存應用場景,具備大行程磁懸浮升降運動控制及背照式退火能力,支撐先進工藝持續演進。三清山3號覆蓋均溫退火/尖峰退火等邏輯及儲存應用場景,具備低熱預算調控及超低溫退火能力,支撐先進工藝持續演進。武夷山1號MASTER為電容耦合電漿體(CCP)干法刻燭裝置,腔室採用全對稱架構設計,整機可組態6個工藝腔(PM),滿足先進節點各類精細介質刻蝕場景需求。武夷山3號為電感耦合電漿體(ICP) 干法刻蝕裝置,全對稱、高流導架構設計,整機可組態6個工藝腔(PM),滿足先進節點各類精細矽及金屬刻蝕場景需求。武夷山5號為自由基幹法刻蝕裝置,氧化矽及矽選擇性刻蝕組合解決方案,單腔設計,整機可組態6個工藝腔(PM),滿足先進節點高選擇性刻蝕場景需求。普陀山1號適用於邏輯、儲存及先進封裝等主流半導體金屬平面膜應用場景,鍍膜均勻性高,同時具備高產能與高穩定性。普陀山2號適用於邏輯、儲存等主流半導體中道金屬接觸層及硬掩膜等應用場景,顆粒缺陷低,同時具備高性能與高穩定性。普陀山3號適用於邏輯、儲存和先進封裝等主流半導體後道金屬互連場景,架構領先,填孔品質優異,支援向未來先進節點演進。阿里山1號搭配五邊形平台和Twin腔領先架構,覆蓋先進邏輯/儲存前中後段介質薄膜應用場景,滿足圖形化,超薄薄膜,超高深比gap fill 需求,支援向未來先進節點演進。阿里山2號具備單腔4-Station領先架構,覆蓋先進邏輯刻蝕阻擋層薄膜應用場景,支援向未來先進節點演進。阿里山3號可全面覆蓋邏輯和儲存金屬原子層沉積應用場景,具備創新架構和領先性能,多種工藝高度整合,金屬柵極全場覆蓋,支援向先進節點演進。長白山1號具備單腔4-Station領先架構,全面覆蓋邏輯及儲存介質薄膜多種工藝,支援向未來先進節點演進。長白山3號全面覆蓋邏輯和儲存金屬化學氣相沉積應用場景,具備創新架構和領先性能,多種工藝高度整合,支援向未來先進節點演進。從產業鏈角度看,半導體裝置位於半導體產業的最上游,是決定整個產業發展水平的關鍵環節。長期以來,這一領域被應用材料(AMAT)、ASML、東京電子(TEL)等國際巨頭壟斷。而隨著新凱來、北方華創、中微公司等國內企業的技術突破,這種格局正在被逐步打破。近年來,國內半導體裝置實現了從無到有、從弱到強的質的飛躍,令中國半導體產業生態和製造體系得以不斷完善,國內高端裝置的自給率逐步提升。科創板作為中國“硬科技”企業的聚集地,已形成了市值規模超兆的積體電路產業叢集,已上市公司超過110家,佔A股同行業上市公司數量超6成。其中,半導體裝置公司共12家,覆蓋刻蝕、薄膜沉積、CMP、量檢測、清洗、塗膠顯影等多個半導體製造的關鍵環節,2023年合計出廠國產自主裝置超過6000台套,有力推動中國半導體產業自主可控處理程序。 (半導體產業縱橫)
一口氣發佈數十款裝備,新凱來火了