隨著 AI 熱潮推動資料中心建設激增，半導體公司必須採取大膽的戰略舉措——而非漸進式的調整——以捕捉下一波價值浪潮。半導體行業目前是全球利潤最高的行業之一，近期的一系列發展預示著其未來前景廣闊。AI 的興起正在改變幾乎所有領域，隨著公司建設更多資料中心並日益依賴邊緣裝置，這可能會引發對晶片前所未有的需求。根據麥肯錫最新的基準案例預測，隨著新計算模型、領域特定架構、先進晶片組和其他下一代技術的出現，半導體行業的收入到2030年可能達到 1.6 兆美元，高於 2024 年的 7750 億美元。然而，一些挑戰也隨之顯現。在不斷加劇的地緣政治緊張局勢、新的關稅政策、材料和元件短缺以及潛在的出口限制背景下，半導體行業高度相互依存的全球價值鏈正面臨壓力。鑑於半導體行業具有“贏家通吃”的動態特徵，每個細分領域的少數領軍企業佔據了絕大部分價值，公司需要果斷且協調一致的戰略才能取得成功。但是，那些戰略最有可能幫助半導體公司蓬勃發展？為了回答這個問題，我們分析了頂尖的半導體公司——即那些在每個行業細分領域產生最高利潤的少數贏家。具體而言，我們研究了它們為提升投資組合和業績而採取的協調一致、時機恰當的大規模舉措，即“大動作”。隨後，我們確定了它們關於投資組合和業績的戰略決策如何使其形成一個聚焦於技術領先、平台敏捷性或投資組合廣度的清晰戰略核心。我們所研究的投資組合和業績舉措在麥肯錫高級合夥人 Chris Bradley 以及前高級合夥人 Martin Hirt 和 Sven Smit 所著的《戰略超越曲棍球棒》（Strategy Beyond the Hockey Stick，Wiley，2018年出版）一書中有詳細描述。我們將分析建立在該書的框架之上，因為我們相信它為審視和理解當今半導體行業的公司業績提供了一個極具說服力的、資料驅動的視角。經濟利潤的大幅增長半導體行業的平均年度經濟利潤（EP）排名從 21 世紀初的 31 個行業中的第 12 位，上升到 2020 年至 2024 年期間的第 3 位。總體而言，從 21 世紀初到 2025 年，經濟利潤增長了約 40 倍（見圖表 1）。在過去 15 年裡，股東總回報也一直表現強勁。價值創造因公司類型而異，且佔據大部分利潤的細分領域正在發生轉移。儘管垂直整合製造（IDM）和完全整合型公司多年來創造了最多的價值，但它們的增長已經放緩。與此同時，自研晶片玩家、擁有內部設計能力的原始裝置製造商（OEM）以及無晶圓廠（Fabless）公司現在正創造更多的價值。跨領域的成功秘訣為了確定適應不斷發展的市場的最佳戰略，我們研究了從 2000 年到 2024 年在每個主要價值鏈環節（裝置、無晶圓廠、IDM 和代工）中經濟利潤（EP）增長最高的 11 家半導體公司。借鑑《戰略超越曲棍球棒》中的見解，我們重點關注了為半導體行業帶來最大利益的五個“大動作”。三個投資組合舉措是：程序化併購、動態資源重新配置以及超越對手的投資；兩個績效槓桿是：提高生產率和產品差異化。結果顯示，從 2020 年到 2024 年，這 11 家半導體領軍企業都至少執行了五個大動作中的三個，並且總是包含至少一個投資組合舉措和一個績效舉措。請注意，這與平均水平的公司有著顯著不同，後者每十年平均僅做出一個大動作。這些發現與《戰略超越曲棍球棒》中的跨行業分析結果一致，該分析顯示，與不採取任何大動作的公司相比，如果公司採取了至少一個績效舉措和一個投資組合舉措，其進入前 20% 梯隊的可能性要高出六倍（見圖表 2）。總體而言，進入前 20% 梯隊的平均機率為 8%。成功的投資組合舉措三個重大的投資組合舉措屬於資源密集型，且並不保證高投資回報率（ROI）。然而，當執行得當時，其收益會超過風險。掌握動態資源重新配置的藝術。 在我們的分析中，頂尖半導體公司根據市場發展戰略性地重新配置資源。在十年間，它們將至少 60% 的年度投資或資本支出資金轉移到了不同的業務部門。輝達（Nvidia）展示了動態資源重新配置。在遊戲圖形處理器（GPU）業務建立之後，該公司認識到 GPU 的平行性可以加速廣泛的計算密集型工作負載。隨著時間的推移，GPU 被證明不僅對圖形有用，而且對高度平行的任務也極具價值。這些任務隨後包括加密貨幣挖礦，以及最終的 AI 訓練和推理。隨著輝達從晶片擴展到系統，再到完整的資料中心基礎設施，網路成為了價值主張的核心部分：在收購 Mellanox 之後，輝達擴展了 InfiniBand 和乙太網路平台（以及資料處理單元 DPU），這些平台將 GPU 連接成叢集，並將 AI 伺服器轉變為工業規模的 AI 基礎設施。遵循動態戰略已幫助輝達成為首家市值達到 5 兆美元的公司。恩智浦（NXP）採取了類似的策略，根據市場動態重新配置其資本支出投資。在 21 世紀 00 年代後期，它退出了數字電視和移動裝置這兩個波動劇烈的領域，轉而專注於汽車行業和安全連接。以超越對手的投資實現超越對手的表現。頂尖表現者在資金投入上始終領先於競爭對手。在半導體領域，領先公司的資本支出佔營收比率是行業中位數的1.7 倍，有些公司甚至更高。當頂尖公司進行重大押注時，它們會專注於核心技術並保持堅定。請看幾個例子：阿斯麥（ASML） 在超過 17 年的時間裡，為極紫外（EUV）光刻技術的研發投入了超過 60 億美元，以加速其核心技術——這大約是同行公司在過去十年研發支出的兩倍。台積電（TSMC）計畫投資約 1650 億美元在美國建設三座新的晶圓廠、兩座先進封裝設施和一個研發中心。SK 海力士（SK hynix）計畫在 AI 最佳化記憶體和高密度解決方案領域投資約 750 億美元。該公司將把約 80% 的資金分配給其核心的 HBM（高頻寬記憶體）技術，以努力鞏固其領導地位。超大規模投資在半導體領域尤為重要，因為晶片具有高固定成本和長開發周期的特點。為了實現投資回報率（ROI）最大化，公司應採取前瞻性的投資戰略，將研發支出和資本支出集中在選定的重點領域。這種方法可以通過在下一波創新勢頭形成之前很久就進行佈局，從而創造早期優勢。預見到未來發展的公司也更有可能對行業標準和動態產生大規模的影響。通過程序化併購產生動力。程序化併購通常涉及平均每年至少兩筆交易。在十年內，這些交易的總價值通常至少佔公司市值的30%，通常每年佔比5%到10%，且單筆交易不超過 30%。我們的分析顯示，頂尖半導體企業系統性地收購或合併多家小公司，以進入高增長的相鄰市場。博通（Broadcom）最初專注於開發有線和無線通訊晶片，它實施了有針對性且按順序排列的收購戰略，以追求極具吸引力的 AI 和資料中心機會。該公司的投資組合現在包括交換機晶片、伺服器連接解決方案和定製化專用積體電路（ASIC）。遵循類似的策略，應用材料（Applied Materials）進行了程序化併購，將其重點從化學氣相沉積擴展到物理氣相沉積，使公司能夠提供電漿刻蝕和計量解決方案。追求端到端流程控制的客戶對此反應積極。讓卓越者脫穎而出的績效槓桿兩個能帶來巨大收益的績效槓桿——提高生產率和產品差異化——對於任何商業領袖來說都是熟悉的。它們通常至關重要，因為它們提供了新的投資組合舉措所需的資金。然而，令人驚訝的是，它們在半導體行業內區分贏家與普通者的程度之深。低成本，高生產率。根據我們的定義，生產率方面的最佳表現者在行業內排名前 30%，且能夠高效地進行規模擴張。它們的成功既需要專注的執行戰略，也需要致力於利用現有資產。德州儀器（Texas Instruments）依靠精益營運效率和直面客戶的銷售模式來提高生產率。例如，該公司在將重點轉向 200 毫米和 300 毫米晶圓後，實現了裝置維護自動化，並剝離了其 150 毫米的傳統晶圓廠。更優的產品差異化，更健康的利潤率。《戰略超越曲棍球棒》中的一個洞察是：在各行各業中，表現最出色的公司通過創造獨特的、高品質的產品，更強的定價能力和/或新的商業模式，其毛利率提升速度超過了 70% 的同行。這一發現在我們的領先半導體公司樣本中同樣成立，這些公司謹慎地確保核心技術產品提供獨特的利益並預見未來的客戶需求。請看幾個例子：阿斯麥（ASML）為其核心 EUV 技術和綜合光刻平台開發了長期技術路線圖，要求持續改進，使公司成為全球半導體裝置的領導者。台積電（TSMC）是最早為其產品開發並執行技術路線圖的公司之一。結合公司強大的製造流程和技術領先地位，該路線圖幫助台積電強化了其領先的工藝技術。高通（Qualcomm）對能效高、高性能片上系統（SoC）的關注，使其能夠將最初為移動領域開發的技術產品擴展到汽車和物聯網領域。一些半導體公司通過在產品中結合技術堆疊或價值鏈的不同元素來開發獨特的產品，而不是隨著時間的推移專注於單一技術的漸進式創造。通過採取平台化方法，它們為客戶提供了更大的便利，甚至可能塑造行業標準和生態系統。例如，高通通過開發跨 3G、4G、5G 及更高世代的端到端連接解決方案，幫助塑造了無線市場。半導體公司成功的最重要推動因素我們的分析表明，最成功的半導體公司執行了多個、協調一致的大動作，而不僅僅是專注於單一舉措。我們還發現，如果公司同時具備以下特徵，它們從大動作中獲得的收益最多：致力於跨技術堆疊或價值鏈的整合。 那些決定成為平台型玩家的公司擁有最高的經濟利潤（EP）。一個著名的例子是輝達（Nvidia），它從提供硬體轉型為提供系統級的 AI 基礎設施。對客戶需求的深刻理解以及滿足這些需求的明確承諾。 頂尖公司不只是簡單地服務客戶；它們建立深厚的客戶洞察，然後利用這些知識來加強和完善它們的大動作。泛林集團（LAM Research）最近使其生產佈局多樣化以就近服務客戶，目標是加強關係並增加信任。同樣，應用材料（Applied Materials）強調客戶共創，以幫助確保開發出正確的產品。願意從傳統的供應商模式轉向與客戶、供應商和研究機構合作的生態系統模式。表現優異者不再與供應商和客戶進行純粹的交易型關係，而是發展夥伴關係生態系統。阿斯麥（ASML）擁有一種獨特的體系，其團隊成員會嵌入到供應商現場工作一段時間，以瞭解他們的運作方式。這種與供應商的對齊可以增強多個大動作的收益，包括旨在降低成本和創造差異化產品的舉措。阿斯麥還向客戶提供共同投資其研發項目的機會，這降低了投資創新的風險，並確保其滿足客戶需求。一些半導體公司還與研究機建構立夥伴關係以增強創新。戰略核心的出現半導體公司在投資組合和業績方面做出的決策，將使它們形成一個清晰的戰略核心——技術領導力、平台敏捷性或投資組合廣度——從而建構競爭韌性和經濟利潤（EP）。雖然公司可能在其商業模式中包含所有這三個要素，但通常其中一個會作為主要的優勢來源。技術領導力。那些在提升核心產品或服務上的支出超過競爭對手的公司可能會成為技術領導者，但它們必須持續再投資於改進，並探索緊密相鄰領域的機會以保持其地位。台積電（TSMC）通過在先進封裝等新領域投資，在代工相關產品中遵循了這一戰略。技術領導者在執行改進時還必須同時強調速度和卓越。從傳統供應商模式轉向供應商夥伴關係的公司，以及與客戶或研究機構進行聯合研發投資的公司，在爭取技術領導力時可能具有優勢，因為這些安排可以降低風險、加速規模化並提高核心技術產品的成功率。平台敏捷性。為了能夠快速轉向新技術，公司應該進行早期押注，並設計能夠實現快速適應的模組化架構。同時，它們需要利用核心技術的實力，從而在面對行動較慢或結構單一的競爭對手時獲得優勢。幾個大動作——超越對手的投入以驅動創新、提高生產率和產品差異化——都支援這一目標。輝達（Nvidia）通過為其 GPU 設計模組化且可擴展的架構實現了平台敏捷性，該架構包含以下元素：流式多處理器（Streaming Multiprocessors）：可以放大或縮小，以製造從小型裝置到大型資料中心加速器的各類晶片。通用軟體棧：適用於所有應用程式。硬體模組（如記憶體控製器和互連）：可以靈活組合以服務於不同的工作負載。通過開發模組化核心架構（其專有的計算統一裝置架構，即CUDA）並針對趨勢做出快速反應，輝達能夠從遊戲領域迅速轉向加密貨幣、資料中心、AI 和軟體產品。投資組合廣度。公司可以通過建立一個涵蓋模擬、連接或電源領域多種產品的廣泛、高利潤投資組合來驅動增長，前提是它們專注於一個清晰的業務細分領域，同時對所有產品保持價格紀律和質量。在整個半導體行業，多家公司都遵循了這一戰略。德州儀器（Texas Instruments）在保持緊密專注於模擬和嵌入式處理半導體的同時，建立了一個廣泛的投資組合。該公司目前擁有超過 80,000 種零件的產品目錄，可應用於包括工業、汽車、通訊、企業系統和個人電子產品在內的許多終端市場。在資料中心細分領域，博通（Broadcom）通過堆疊互補的建構模組建立了一個投資組合，涵蓋了擴展現代設施所需的完整網路和基礎設施層。隨後，該公司通過軟體雲平台 VMware 加深了對資料中心的關注。為AI驅動的未來制定大膽顫略當半導體公司思考過去的成功並開發新戰略時，它們必須考慮與產品和市場相關的關鍵問題。那些顛覆性趨勢將重塑我的核心市場和技術？雖然半導體公司面臨許多不確定性，但其領導者現在就可以開始塑造他們的長期戰略。以下問題可能有助於他們集中注意力：AI、邊緣計算、汽車電氣化或機器人技術如何改變設計要求、節點經濟學和客戶期望？那些終端市場正在加速開發周期或要求垂直整合？我們應如何調整戰略，以便在這些市場取得成功，在獲得優勢的同時保持靈活性？我們在技術堆疊、產品組合和生態系統中的那些方面持有持久優勢？ 這個問題關係到保持長期的競爭優勢，其答案可能需要公司調整其傳統戰略。當領導者試圖回答這個問題時，他們應該考慮以下議題：我們應如何重新思考我們的產品組合，以建構一個支援跨相鄰市場長期增長的可擴展平台？我們如何推動架構、互連、材料或封裝方面的突破？如果沒有突破，需要改變什麼？我們是否擁有進入代工廠、原始裝置製造商（OEM）、超大規模資料中心營運商（Hyperscalers）或國家資助計畫的優勢管道？那些大膽的投資組合和績效舉措是必不可少的？ 執行了至少三個投資組合及績效大動作的公司最有可能勝出。但它們應該選擇那些呢？答案將因產品和市場而異，但公司可以通過考慮以下問題來縮小選擇範圍：我們是否最適合加倍投入深層的核心技術領導力，還是將我們的技術平台轉向高增長的垂直領域，亦或是憑藉廣泛的產品進行擴張？我們如何能從進行轉型式收購、進入新的價值鏈或徹底重新分配資本支出和研發投資中獲益？基於我們的核心市場，我們應該在那裡投資——以及應該與誰合作——以建立一個能夠作為創新和規模化“飛輪”的高影響力生態系統？在優勢日益集中於少數極成功公司的行業中競爭，半導體領導者必須現在就採取行動。能夠塑造下一個時代的領導者，將是那些將洞察力轉化為承諾、全面執行所需的投資組合和績效舉措，並堅持核心戰略以加速創新和增強韌性的領袖。這條道路雖然艱難，但回報同樣巨大。通過現在就對“在那裡領先”、“如何建構”以及“與誰結盟”做出深思熟慮的選擇，公司可以定義行業下一波價值創造。 (半導體行業觀察)

進入2026年一季度，全球半導體行業徹底告別此前的去庫存周期，迎來顛覆性轉折。從上游晶圓代工、關鍵裝置材料，到中游儲存晶片、模擬晶片、功率器件，再到下游封測與終端應用，全產業鏈掀起罕見漲價潮，疊加AI算力需求指數級增長、國產技術持續突破，半導體產業正邁入“量價齊升”的超級周期，兆美金市場規模提前到來，全球產業格局迎來深度重構。一、史上罕見！全產業鏈漲價潮來襲，部分品類漲幅超100%2026年開年，半導體行業就迎來了前所未有的全品類漲價浪潮，超50家國內外頭部廠商密集發佈調價通知，覆蓋晶圓代工、儲存、模擬、MCU、功率半導體、被動元件等全環節，不再是單一品類的周期波動，而是行業供需反轉、成本上漲、地緣因素多重共振的結果。儲存晶片成為漲價領頭羊，受AI大模型、資料中心算力需求爆發驅動，三星NAND Flash漲幅突破100%，DRAM產品漲幅達60%-70%，SK海力士部分LPDDR產品漲幅逼近100%，HBM高頻寬記憶體更是供不應求，交期持續拉長，成為本輪漲價的核心引擎。模擬晶片與MCU成漲價重災區，德州儀器開啟年內第二次全面漲價，數字隔離器、電源管理IC等核心產品最高漲幅達85%，亞德諾、恩智浦等國際巨頭同步提價，國內芯海科技、中微半導等本土廠商也跟進10%-50%的漲幅，車規級晶片受新能源汽車需求回暖影響，漲價勢頭尤為強勁。上游晶圓代工與封測環節同步跟進，台積電連續第四年上調先進製程價格，2nm工藝漲幅約50%，中芯國際等本土晶圓廠也調整8英吋成熟製程價格；英飛凌、安森美等功率半導體廠商，村田、國巨等被動元件廠商，均因原材料、能源、物流成本上漲，紛紛上調產品價格，部分電感、電阻漲幅達5%-35%，全產業鏈成本壓力持續傳導。二、AI算力成核心驅動力，兆半導體市場提前落地此前行業預測2030年全球半導體市場突破兆美金，而根據SEMI（國際半導體產業協會）最新資料，這一目標有望在2026年底提前實現。2025年全球半導體銷售額已達7917億美元，同比增長25.6%，2026年預計增至9750億美元，同比大漲23%，距離兆關口僅一步之遙，而這一切的核心驅動力，正是AI算力的爆發式增長。AI大模型推理與訓練需求激增，讓全球資料中心利用率達到歷史峰值，GPU、HBM、伺服器CPU等高端晶片供需嚴重失衡。2026年全球AI基礎設施支出將達到4500億美元，推理算力佔比首次超過70%，海量的算力需求直接拉動半導體全產業鏈產能擴張，晶圓廠裝置支出持續加碼，2026年全球半導體裝置支出預計增至1260億美元，先進製程、先進封裝賽道迎來爆發式增長。在3月底落幕的SEMICON/FPD China 2026展會上，全球1500家半導體企業齊聚上海，展出最新技術與產品，展會規模再創新高，直觀展現了AI驅動下半導體產業的火熱態勢。AI不再是單一的應用場景，而是成為貫穿半導體設計、製造、封測全環節的核心主線，重塑整個產業的增長邏輯。三、國產半導體加速突圍，從“可用”邁向“高端”在全球產業鏈重構、漲價潮與供應鏈安全需求的多重推動下，國產半導體產業迎來關鍵戰略窗口期，不再侷限於低端替代，而是向著高端製程、核心裝置、先進材料領域全力突破，產業話語權持續提升。技術成果集中落地，中微公司一口氣推出四款覆蓋矽基和化合物半導體的關鍵工藝新品，拓荊科技發佈針對Chiplet異構整合和HBM應用的3DIC系列裝置，中科飛測展出15款高端質量控制裝置，國產半導體裝置廠商逐步打破海外壟斷，實現從單點突破到全流程覆蓋的跨越。中科院發佈“香山”開源處理器、“如意”原生作業系統，啟動下一代“昆明湖”架構研發，聯合數十家企業建構本土晶片生態，築牢產業自主根基。產能與市場份額穩步提升，中國大陸已連續六年保持全球第一大半導體裝置投資市場，預計2027年裝置投資市場份額接近全球30%。到2030年，中國半導體產能將佔全球32%，在22-40奈米主流製程領域，2028年市場份額將達到42%，長江儲存、中芯國際、華潤微等本土龍頭，在儲存、晶圓代工、功率半導體領域逐步掌握定價權，跟隨國際廠商同步調價，標誌著國產晶片在全球產業鏈的地位實現質的飛躍。同時，“十五五”規劃將半導體產業列為核心戰略領域，政策、資本、人才全方位傾斜，疊加海外廠商漲價、供應鏈不穩定，下游終端企業加速供應鏈多元化，國產替代從“可選項”變為“必選項”，車規級、工控、AI終端等高端領域的國產滲透速度持續加快。四、行業新格局：區域化、本土化，機遇與挑戰並存本輪半導體超級周期，不僅是市場規模的增長，更是全球產業鏈格局的重構。地緣政治因素推動產業“去全球化”，區域化、本土化供應鏈成為主流趨勢，美洲、歐洲紛紛加大半導體產業投資，而中國憑藉龐大的市場需求、完整的產業鏈配套與持續的技術突破，成為全球半導體增長的核心引擎。對於行業而言，本輪漲價潮雖會給下游消費電子、汽車、工控等終端帶來短期成本壓力，但也加速了行業優勝劣汰，倒逼企業技術升級與供應鏈最佳化。對於國產半導體廠商來說，這是前所未有的發展機遇，更是實現從“跟跑”到“並跑”“領跑”的關鍵階段。未來，AI算力需求仍將持續釋放，儲存革命、先進製程、先進封裝將成為行業競爭焦點，國產半導體在核心裝置、高端晶片、關鍵材料領域的突破，將決定全球產業格局的走向。2026年，註定是半導體行業的變革之年，也是國產晶片的崛起之年，兆市場的新征程已經開啟，屬於中國半導體的黃金時代正在到來。結語半導體作為科技產業的“糧食”，始終是全球科技競爭的核心賽道。2026年的行業巨變，既是周期反轉的必然，也是技術創新的結果。站在產業新起點，本土半導體企業唯有持續深耕技術、完善產業鏈生態，才能抓住這一輪超級周期機遇，在全球格局中牢牢佔據一席之地，讓中國芯真正走向世界。 (SEMI半導體研究院)

《“中國永遠做不成”的說法已經過時了，中國半導體公司正在撼動全球市場》——近期韓國財經媒體《韓國經濟》發文指出：“中國儲存器之王長鑫儲存正在崛起……正在撼動全球半導體行業格局，其影響力已超越國內市場。該公司正加速進軍此前由韓國企業主導的高附加值儲存器市場。”圖：韓媒《韓國經濟》報導DRAM行業素有“半導體產業皇冠上的明珠”之稱，技術壁壘極高、投資規模巨大，長期由韓國的SK海力士、三星以及美國的美光三家企業壟斷。根據公開資訊，長鑫儲存自成立以來僅用不到十年時間，便實現了國產DRAM“從零到一”的突破。韓媒指出：“儲存器產業已發展成熟，新建一座晶圓廠需要數兆韓元的投資，且需要積累大量技術才能穩定良率。紫光集團因財務困境破產，福建晉華因美國製裁而發展停滯。中國儲存器產業的早期發展歷程可謂是一系列失敗的縮影。然而，在這一系列波折中最終倖存下來的儲存器公司是中國首家DRAM製造商長鑫儲存。”長鑫突破國外技術封鎖實現中國DRAM記憶體的自主已堪稱奇蹟，近期長鑫新品頻發，產品性能已邁入高端陣營，韓媒對此評價稱長鑫打破了國際社會的刻板印象。《韓國經濟》表示：“CXMT（長鑫儲存）已開始量產速度為8000Mbps的DDR5產品和速度為10667Mbps的LPDDR5X產品。這意味著CXMT的產品能夠滿足最新伺服器、Al加速器和高性能移動裝置的基本性能要求，從而打破‘中國製造意味著低性能’的固有印象。”根據Omdia等權威機構資料，當前從產能與出貨量來看，長鑫已穩居中國第一、全球第四，僅次於三星、美光、海力士等盤踞全球記憶體數十年的三大企業。一位接受《韓國經濟》採訪的韓國業內人士認為長鑫“不再是一家普通的中國本土企業”，而是不容小覷的，並呼籲“三星電子和SK海力士需要通過加大對下一代DRAM工藝研發的投資來保持技術優勢，以應對下一個經濟周期，而不是僅僅追求盈利。”同期另一家韓國媒體亦發表社論《中國在所有先進產業領域超越韓國，亟需制定“中國衝擊”應對戰略》，表示以長鑫儲存等中國半導體企業正全面追趕韓國，“韓國正面臨結構性危機，失去曾經擁有的技術優勢，‘中國衝擊’正在扼殺韓國經濟”。韓國媒體普遍認為，長鑫儲存的崛起無疑正在實質性改變市場生態，全球記憶體市場格局可能從“三強主導”加速向“多強並立”的新階段演變。 (1 ic芯網)

2025年，韓國各產業部門的境遇喜憂參半。受美國加征關稅和俄烏戰爭的影響，汽車和石化行業舉步維艱；而半導體、造船和國防等行業則因全球需求增長而蓬勃發展。我們將探討2026年影響全球經濟的關鍵因素，並預測各行業將受到的影響。[編者注]去年支撐韓國出口增長的是“半導體”行業。隨著人工智慧（AI）在全球範圍內的普及，以三星電子和SK海力士為首的儲存晶片需求激增，並進入繁榮期。半導體出口增長超過30%，抵消了石化和鋼鐵等傳統製造業的下滑。今年的前景更為光明。據韓國進出口銀行海外經濟研究所預測，韓國今年半導體出口額預計將同比增長11%，達到1880億美元（約合254兆韓元），連續第二年創下歷史新高。世界半導體貿易統計（WSTS）預測，2026年全球半導體市場規模將比上年增長超過25%，達到約9750億美元。其中，儲存器市場預計將實現30%左右的增長，超過整體增速。在DRAM市場，三星電子和SK海力士合計佔據約70%的全球市場份額；在NAND快閃記憶體市場，兩家公司的市場份額合計約為50%。三星電子和SK海力士合併後的營業利潤預計將超過200兆韓元市場將儲存器機構領域的強勁勢頭稱為“超級周期”。美國銀行（BofA）將2026年定義為“類似於20世紀90年代繁榮時期的超級周期”，並預測全球DRAM收入將同比增長51%，NAND收入將同比增長45%，而DRAM的平均售價（ASP）將上漲33%，NAND的平均售價將上漲26%。隨著半導體行業全面進入超級周期，券商紛紛上調對三星電子和SK海力士的盈利預期。Kiwoom證券將三星電子今年的合併營業利潤預期上調至107.612兆韓元，比券商此前三個月的普遍預期83.242兆韓元高出29%以上。iM證券則將SK海力士今年的營業利潤預期上調至93.843兆韓元。在最樂觀的情況下，兩家公司的合併營業利潤將超過200兆韓元。在記憶體晶片市場，結構性供應短缺（供應無法滿足需求）正在加劇，導致價格大幅上漲。隨著人工智慧訓練和推理所必需的高頻寬記憶體（HBM）需求激增，整個記憶體市場的供應限制也隨之加劇，甚至連普通商品的價格也受到影響。市場研究公司TrendForce預測，第一季度通用DRAM合約價格將比上一季度上漲超過50%，NAND快閃記憶體價格也將繼續大幅上漲，主要集中在伺服器DRAM和企業級固態硬碟（SSD）領域。分析師表示，隨著人工智慧伺服器投資的增加和庫存的消耗，記憶體市場已進入典型的“賣方市場”。此外，在經歷了2018年過度擴張的後果之後，韓國國記憶體儲器企業一直保持著以盈利為導向的“有序擴張”策略。韓國進出口銀行高級研究員李美惠表示：“半導體企業保持著保守的投資策略，短期內難以擴大產能。由於產能優先用於HBM和高容量DDR5，因此為PC和移動裝置供應通用儲存器的能力有限。”她補充道：“除三星電子外，大多數DRAM製造商都因裝置安裝空間不足而受到擴張限制，因此即使到今年年底，儲存器短缺問題也難以得到解決。”HBM市場競爭日趨激烈……市場規模正在快速擴張在HBM市場，SK海力士與三星電子之間的競爭預計將進一步加劇。SK海力士目前處於領先地位，正積極推進其從HBM3E（第五代HBM）到下一代HBM4（第六代HBM）的產品路線圖，並迅速提高高附加值產品的佔比。現代汽車證券表示：“隨著DRAM價格的飆升，SK海力士有望成為全球DRAM製造商中盈利能力最強的公司。”三星電子已全面進入追趕階段。該公司自去年下半年起擴大了HBM3E的供應，今年則集中精力研發HBM4和HBM4E（第七代HBM），力圖憑藉下一代產品扭轉頹勢。在包括SK海力士和美國美光在內的三大全球儲存器製造商中，三星的產能最大，這也被視為其優勢之一，因為在未來儲存器價格上漲周期中，三星能夠獲得更大的營運槓桿。市場研究公司Omdia預測，隨著人工智慧加速器的普及，HBM市場將繼續保持高速增長，下一代HBM4的市場份額將從今年開始真正擴張。該公司還指出，HBM需求來源日益多元化是市場擴張的關鍵驅動因素。隨著大型科技公司推進專用積體電路（ASIC）戰略以減少對輝達圖形處理器（GPU）的依賴，Google的張量處理單元（TPU）、OpenAI的自主研發人工智慧晶片、亞馬遜的Trainium 3以及微軟的Maia 200等產品相繼問世。Kiwoom Securities 高級研究員 Park Yuak 表示：“三星電子已將 ASIC 作為其主要客戶，預計到 2026 年，其 HBM 出貨量將比上一年增長三倍以上。”他補充道：“第一季度，應用於主要 ASIC 晶片的 HBM 銷量將會增加；第二季度，用於輝達‘Rubin’晶片的 HBM4 出貨量將正式開始。”系統半導體和代工廠進入復甦階段……美國關稅是最大的變數有一種觀點認為，系統半導體和代工機構市場已經觸底反彈。市場研究公司Gartner預測，受人工智慧半導體市場增長的推動，今年全球系統半導體市場預計將比上年增長約10%。韓國在系統半導體市場的份額仍然維持在2%左右，但三星電子將在今年上半年發佈的Galaxy S26手機中搭載其Exynos應用處理器，以期重振競爭力。在晶圓代工（半導體代工）機構領域，三星也在努力從關鍵客戶那裡爭取訂單，以期實現復甦。截至去年第二季度，三星晶圓代工的全球市場份額為7.3%，遠落後於台積電。但業內人士表示，隨著3奈米工藝良率的趨於穩定，以人工智慧加速器和網路晶片為中心的新訂單正在逐步增加。尤其值得一提的是，計畫於今年投產的三星電子泰勒晶圓廠，正逐漸成為台積電之外的另一種選擇。投資銀行德意志銀行在最近的一份報告中表示：“隨著台積電先進工藝產能接近飽和，主要的無晶圓廠（晶片設計專家）公司正在尋求替代生產方案，以分散供應鏈風險。”報告還補充道：“在美國設有生產基地的代工廠中，三星電子被視為一個切實可行的替代方案。”今年半導體行業最大的外部變數被認為是美國的關稅政策。美國正在將半導體重新歸類為戰略產業，並暗示可能徵收高額關稅以擴大國內產能。業內普遍認為，對於已承諾在美國投資的國內企業而言，其相對影響可能有限。由於人工智慧伺服器記憶體的替代品有限，也有分析指出，成本負擔很可能會轉嫁給客戶。關稅因素預計對中長期投資策略和生產基地重塑的影響將大於對短期收益的影響。 (半導體行業觀察)

近日，多家美國戰略諮詢機構接連發佈深度報告，指出中國在稀土材料領域的出口管制正演變為一場對全球高科技產業鏈、尤其是美國半導體行業構成系統性威脅的“隱形斷供”。報告警告稱，若當前趨勢持續至2026年及以後，美國晶片製造業或將面臨前所未有的生產停滯、成本飆升乃至局部產能癱瘓的風險。光刻機內部精密部件自2023年以來，中國逐步強化對稀土資源的戰略管控，不僅將輕重稀土礦產品納入出口許可體系，更於2025年下半年起實施新版《關鍵礦產與技術出口管制條例》，首次將高純度稀土氧化物、金屬靶材、磁性合金以及部分用於半導體製造的稀土基前驅體化學品明確列為管制對象。這意味著，從原材料到深加工環節，再到相關製造技術的輸出，均需經由國家出口審批機制嚴格稽核。這一政策並非臨時應對，而是中國基於《出口管製法》和《關鍵礦產安全戰略》所建構的長期資源治理框架的一部分。早在2014年，中國便已建立稀土出口配額與許可證制度；近年來，在地緣政治緊張與全球供應鏈重組背景下，該體系不斷升級，逐步從“資源控制”轉向“全鏈條主導”。稀土元素——如釹、鏑、鋱、釓等——雖在晶片中用量微小，卻在高端製造中扮演不可替代的角色。它們是極紫外（EUV）光刻機中精密伺服電機的核心磁材，是離子注入裝置中穩定磁場的關鍵組分，也是先進封裝工藝中高熱穩定性焊料與介電層的重要加入劑。一旦供應受限，不僅裝置交付周期拉長，晶圓良率亦可能因材料性能波動而下降，進而波及整個晶片產能爬坡節奏。資料顯示，中國目前掌控全球約70%的稀土開採量和超過85%的精煉產能。儘管美國擁有芒廷帕斯（Mountain Pass）等稀土礦藏，但其本土缺乏完整的分離提純與高純材料製備能力，短期內難以擺脫對中國供應鏈的深度依賴。即便加速推進《國防生產法》第三章授權下的關鍵礦產項目，從礦山重啟到形成穩定高純材料供應，仍需5至10年時間。面對潛在“斷鏈”風險，美國正多線佈局：一方面聯合日本、澳大利亞推動“友岸精煉”（friend-shoring）計畫，支援Lynas、Iluka等企業在美設廠；另一方面加大對深海多金屬結核、城市礦山回收等替代路徑的研發投入，並通過《晶片與科學法案》提供補貼以激勵本土材料創新。然而，這些舉措尚處早期階段，遠水難解近渴。與此同時，全球稀土及相關特種化學品價格已進入上行通道。六氟化鎢、稀土摻雜濺射靶材等半導體級材料報價在過去18個月內上漲逾40%，中小晶片設計公司與代工廠首當其衝，利潤空間被嚴重擠壓。在此背景下，“China+1”供應鏈策略正成為行業共識。台積電、三星、英特爾等巨頭紛紛與日本信越化學、韓國Soulbrain及歐洲材料供應商簽訂長期協議，試圖建構多元採購網路。但專家指出，真正的高純稀土材料產能高度集中，所謂“去中國化”更多是風險分散，而非徹底替代。可以預見，稀土已成為中美科技博弈的新前線。中國以資源為槓桿，謀求在全球價值鏈中更高的話語權；美國則力圖通過聯盟協作與技術突圍重建自主能力。而夾在中間的全球半導體企業，只能在庫存緩衝、戰略囤貨與供應鏈彈性建設之間艱難平衡——在這場沒有硝煙的資源戰爭中，誰掌握“工業維生素”，誰就握住了未來晶片時代的命脈。 (晶片研究室)

報告名稱：2026年全球半導體行業趨勢研究報告（22頁）出  品 方：StartUs Insights2026 年全球半導體行業正同時經歷“收縮”與“擴張”的悖論：整體產值微降 3.11%，但全球員工總數卻新增 14.1 萬，總就業人口達到 270 萬；資本層面，3600 多位投資者在 1.27 萬輪融資裡平均砸下 6200 萬美元，說明資金仍在瘋狂尋找下一個爆發點。美國、中國、德國、韓國、印度是國家級樞紐，深圳、上海、新加坡、聖何塞、東京則是城市級熱點。專利和補貼繼續加碼——全行業手握 10.4 萬件專利、拿到 1387 筆政府資助，創新底氣依舊充足。在這一宏觀背景下，StartUs Insights 用巨量資料平台掃描了 470 萬家初創與成長型企業，最終聚焦 1336 家半導體公司，提煉出十大趨勢。它們不是孤立的技術點，而是一張互相咬合的“創新網路”：物聯網晶片：IoT 裝置要求“郵票尺寸、多協議、超低功耗”，於是出現了把 Sub-1 GHz、BLE、Wi-Fi 甚至 UWB 整合到單顆 SoC 的方案，同時引入事件驅動架構和存內計算，讓晶片在 1 µA 級待機功耗下完成 AI 推理。製造端拉動 22/28 nm 成熟製程，封測端則把天線、電源管理、儲存全部塞進 SiP 或 Fan-Out 封裝，形成“晶片即服務”的商業模式。人工智慧晶片：大模型讓通用 GPU 能效比逼近極限，行業轉向領域專用加速器（DSA）。韓國 Rebellions 把矽架構與深度學習演算法協同設計，做到 8 TOPS/W；美國 Gauss Labs 則用 AI 預測晶圓缺陷，把良率提升 1.5–2%。AI 不僅吃算力，也在晶圓廠裡“反哺”工藝控制，形成閉環。先進材料：矽基以外的 SiC、GaN、量子點、二維材料集體進入量產。瑞典 EPINOVATECH 用 NovaGaN 工藝在 200 mm 矽片上生長 650 V GaN 器件，成本比 SiC 低 30%；比利時 QustomDot 的量子點讓 Micro-LED 色域飆到 120% NTSC。材料革命帶動 6/8 英吋 SiC 襯底、MOCVD 高溫裝置、TaC 塗層等整條供應鏈躁動。新架構：3D 異構整合、近記憶體計算、精簡指令集一起向“儲存牆”和“功耗牆”開火。英國 EDGED 把矩陣-向量單元融合，指令譯碼時間砍 70%；中國 YSEMI 的 128 核 2.5D 封裝實現 1 TB/s 記憶體頻寬，成本降 20%。EDA 工具、CoWoS/SoIC 產能、熱-機械模擬軟體隨之成為稀缺資源。先進封裝：當摩爾定律放緩，封裝成為系統級微縮的新槓桿。美國 JetCool 用微射流直接給晶片降溫，熱阻 <0.1 K/W；中國 TSD Semiconductor 把晶圓減薄到 25 µm，滿足 3D IC 需求。Fan-Out、Chiplet、UCIe 標準讓封裝廠從“後端”走向“前端”，2026 年全球 Fan-Out 市場預計 38 億美元。5G：毫米波與 Sub-6 GHz 雙輪驅動，射頻前端必須支援 100 MHz 以上頻寬、256-QAM 高階調製。澳大利亞 milliBeam 的相控陣晶片組把 EIRP 做到 45 dBm，功耗降 35%；美國 Falcomm 的矽基功率放大器在 28 GHz 實現 20% PAE。RF-SOI 12 nm、OTA 測試站、Open RAN 白盒化成為產業鏈關鍵詞。自研晶片：蘋果、特斯拉、阿里等系統廠商自建晶片團隊，用“Domain-Specific SoC”實現軟硬一體。美國 Anari 的 Thor X 晶片在雲上做 3D 語義分割，延遲 <10 ms；韓國 SEMIFIVE 提供“6 個月 RTL 到 GDSII”的定製矽平台。IP 廠商推出訂閱制，晶圓廠提供 DTCO 服務，人才市場架構師薪資溢價 50%。製造技術：2 nm 節點需要 0.55 NA EUV、GAA 電晶體、3 nm ALD 高 k 介質。瑞士 UNISERS 用奈米顆粒檢測把缺陷靈敏度推到 10 nm；加拿大 EHVA 的 6 軸奈米光學對準機器人實現 300 mm 晶圓級光子晶片自動測試。裝置資本密度飆升，3 nm 萬片產能需 30 億美元，綠色債券成為融資新寵。汽車晶片：從分佈式 MCU 走向“中央計算 + 區域控制”，L3+ 自動駕駛需要 >500 TOPS 算力、<50 W 功耗，還得通過 ASIL-D 認證。以色列 Lidwave 的時間編碼 3D SoC 讓 LiDAR 點雲密度提升 4 倍；中國雲途半導體推出 -40 °C~150 °C 車規 MCU。認證周期拉長 12–18 個月，晶圓廠必須通過 IATF 16949，封測廠引入“零缺陷”AOI。可持續製造：12 英吋晶圓廠年耗電 1–2 TWh，蘋果、Google要求供應鏈 2026 年 100% 綠電。美國 Hard Blue 把農業廢棄物變成 SiC 磨料，碳足跡減少 80%；加拿大 Digitho 用數字光刻實現晶片級溯源，材料回收率 99.9%。台積電、三星美國新廠全部綠電，低溫 ALD、干法蝕刻、綠色債券、Sustainability-Linked Loan 成為行業標配。這十大趨勢並非線性演進，而是“技術-市場-政策”三維疊加的複雜網路：AI 與先進封裝、新材料、新架構形成性能-能效正循環；IoT、5G、汽車晶片雙軌拉動成熟與先進製程；可持續製造、在地化設計、供應鏈安全則上升為國家競爭力核心。企業若想在未來三年贏得先手，必須同時繪製“技術路線圖、投資優先順序、人才地圖”，在 2026 年半導體產業重構窗口期搶佔高地。(TOP行業報告)

【核心趨勢速覽】AI 需求繼續“爆表”2026 年雲 AI 加速器（GPU+ASIC）市場規模預計 3120 億美元，2029 年可達 5500 億美元，四年 CAGR ≈ 36%。訓練→推理的切換帶來“token 量”指數級增長，推理需求首次成為資本開支主驅動力。資金端：OpenAI、Anthropic、xAI 等 Labs 收入一年翻 3 倍，但仍需持續外部融資；只要 GPU 雲租賃回報 >3 年回收期，資本就願意繼續砸錢。供應鏈從“過剩”到“極限”2023 年 5 nm 利用率 60-70%，2025 年底先進節點、CoWoS、HBM、DDR5 全部打滿，價格飆升（DDR5 現貨年漲 460%）。瓶頸從“晶片設計”轉向“物理產能”：晶圓、先進封裝、基板、功率器件、甚至美國本土電力/潔淨室空間都成為硬約束。結果：價值創造環節從“誰能設計”變成“誰能拿到產能”，IDM/Foundry/Semicap 議價權大增。記憶體與半導體製程裝置成為“第二增長極”DRAM：AI 帶動 2026 年 bit 需求 +23%，供給缺口 30 年來最大；HBM 雖吃產能但利潤高，反而拉高 DDR5 價格。NAND：eSSD 需求 2026 年 +40-50%，Sandisk 因供給紀律最嚴格、庫存最低，成為最純粹的上行標的。WFE（晶圓裝置）：2026/2027 年連續兩年雙位數增長，DRAM 和 TSMC 3 nm 擴產是主引擎；AMAT、ASML、MKSI、NAURA 等優先受益。算力晶片格局：NVIDIA 仍是“錨”，但 ASIC 浪潮不可忽視NVIDIA：Blackwell/Rubin 產品節奏領先，2026 年仍供不應求，估值僅 20-26× 2027 EPS，相對 AVGO/AMD 折價。ASIC：Google TPU、AWS Trainium、Meta MTIA、Microsoft Maia 等 2026 年集體放量；Broadcom、Marvell、MediaTek、Alchip、GUC 分食增量。風險：若 OpenAI 增速放緩或 Google TPU 外溢成功，NVDA 份額可能從 80% 降至 60%，但絕對收入仍增長。區域與產業鏈再平衡TSMC：CoWoS 產能 2026 年再增 80%，但台灣潔淨室空間告急，美國廠進度決定 2027 年上限。中國：SMIC 7 nm 擴產受限於 SiGe EPI 裝置；CXMT DRAM 轉向全國產線；HBM3e 量產推遲。裝置國產化：NAURA、AMEC、KingSemi 在刻蝕、清洗、測試環節持續拿份額，2026 年中國本土 capex 保持高位。非 AI 半導體的“晚周期”機會模擬/MCU/功率：庫存已觸底，汽車、工業 2026 年上半年進入補庫；NXP、ADI 最先回到歷史峰值。伺服器 CPU：AMD Turin 繼續搶 Intel 份額；通用伺服器需求因 AI 資料回流而意外強勁，Aspeed BMC 晶片受益。智慧型手機/PC：因記憶體漲價、需求疲軟，2026 年出貨量可能下滑 5-10%，但 AI 眼鏡/Edge AI 或成為新亮點。網路與封裝技術升級Scale-up 網路（機架內高速互聯）2024-2029 年 CAGR 34%，銅纜仍主導，1.6 T 光模組、CPO、LPO、Active Copper 2026-2027 年陸續放量。受益鏈：Astera Labs（Scorpio 交換晶片）、Broadcom（Tomahawk）、Marvell（Celestial AI 光子引擎）、Semtech（Redriver/Retimer）。(TOP行業報告)

分享一份ASE的最新報告，主要針對AI 快速發展下半導體行業面臨的性能、記憶體、功耗等核心挑戰，闡述 ASE 如何通過先進封裝創新（如異構整合、Co-Packaged Optics 等），推動 AI 技術落地。報告主要內容AI 發展現狀與經濟價值AI 時代的核心挑戰半導體行業趨勢與封裝創新方向ASE 的先進封裝解決方案關鍵資訊摘錄1 尺寸與良率 / 利用率的反向關係大尺寸模組是 AI 晶片的必然選擇（需整合多 GPU、多 HBM 以滿足 2x-10x 記憶體頻寬需求），但傳統晶圓級封裝的工藝極限，無法適配超大規模中介層的生產，形成核心矛盾。隨著基板 / 中介層尺寸從 60x60mm² 擴大到 120x120mm²，利用率呈明顯下降趨，12 英吋晶圓上可切割的中介層數量也急劇減少。比如Nvidia Blackwell和AMD MI300，都因中階層尺寸大，需要數倍大的光刻板，而受限於光刻工藝精度，導致良率難以提升。2 Panel FOCoS-Bridge面板級封裝與FOCoS-Bridge（帶橋接結構的整合矽中介層封裝）的結合是大尺寸模組良率低、利用率低的核心解決方案，多 Chiplet 通過矽橋實現高效互聯，縮短 Chiplet 間的訊號路徑，既減少訊號延遲（解決 AI 的 “記憶體牆” 衍生問題），又避免因單一大尺寸 Die 缺陷導致的整體報廢（提升良率）。在核心指標上，微凸點（ubump）間距僅 45um，遠小於傳統封裝的凸點間距；C4 凸點（連接封裝基板與 Die）間距 150um，平衡 “互聯密度” 與 “工藝可製造性”，避免過小間距導致的短路風險。3 ASE的創新解決方案ASE在多個方面提出瞭解決方案，性能上包括2.5D 矽通孔（Si TSV）、FOCoS-CL/FOCoS-B 封裝、矽光子（SiPh）、面板級 FOCoS，結合異構整合（CPU/GPU/APU/XPU/HBM 等晶片組整合）；記憶體方面，通過Chiplets技術最佳化記憶體互聯，搭配 HBM整合方案；尺寸上，異構整合技術整合多功能晶片塊，減少冗餘設計，最佳化封裝佈局等。其他主要頁面展示(銳芯聞)