2025年，韓國各產業部門的境遇喜憂參半。受美國加征關稅和俄烏戰爭的影響，汽車和石化行業舉步維艱；而半導體、造船和國防等行業則因全球需求增長而蓬勃發展。我們將探討2026年影響全球經濟的關鍵因素，並預測各行業將受到的影響。[編者注]去年支撐韓國出口增長的是“半導體”行業。隨著人工智慧（AI）在全球範圍內的普及，以三星電子和SK海力士為首的儲存晶片需求激增，並進入繁榮期。半導體出口增長超過30%，抵消了石化和鋼鐵等傳統製造業的下滑。今年的前景更為光明。據韓國進出口銀行海外經濟研究所預測，韓國今年半導體出口額預計將同比增長11%，達到1880億美元（約合254兆韓元），連續第二年創下歷史新高。世界半導體貿易統計（WSTS）預測，2026年全球半導體市場規模將比上年增長超過25%，達到約9750億美元。其中，儲存器市場預計將實現30%左右的增長，超過整體增速。在DRAM市場，三星電子和SK海力士合計佔據約70%的全球市場份額；在NAND快閃記憶體市場，兩家公司的市場份額合計約為50%。三星電子和SK海力士合併後的營業利潤預計將超過200兆韓元市場將儲存器機構領域的強勁勢頭稱為“超級周期”。美國銀行（BofA）將2026年定義為“類似於20世紀90年代繁榮時期的超級周期”，並預測全球DRAM收入將同比增長51%，NAND收入將同比增長45%，而DRAM的平均售價（ASP）將上漲33%，NAND的平均售價將上漲26%。隨著半導體行業全面進入超級周期，券商紛紛上調對三星電子和SK海力士的盈利預期。Kiwoom證券將三星電子今年的合併營業利潤預期上調至107.612兆韓元，比券商此前三個月的普遍預期83.242兆韓元高出29%以上。iM證券則將SK海力士今年的營業利潤預期上調至93.843兆韓元。在最樂觀的情況下，兩家公司的合併營業利潤將超過200兆韓元。在記憶體晶片市場，結構性供應短缺（供應無法滿足需求）正在加劇，導致價格大幅上漲。隨著人工智慧訓練和推理所必需的高頻寬記憶體（HBM）需求激增，整個記憶體市場的供應限制也隨之加劇，甚至連普通商品的價格也受到影響。市場研究公司TrendForce預測，第一季度通用DRAM合約價格將比上一季度上漲超過50%，NAND快閃記憶體價格也將繼續大幅上漲，主要集中在伺服器DRAM和企業級固態硬碟（SSD）領域。分析師表示，隨著人工智慧伺服器投資的增加和庫存的消耗，記憶體市場已進入典型的“賣方市場”。此外，在經歷了2018年過度擴張的後果之後，韓國國記憶體儲器企業一直保持著以盈利為導向的“有序擴張”策略。韓國進出口銀行高級研究員李美惠表示：“半導體企業保持著保守的投資策略，短期內難以擴大產能。由於產能優先用於HBM和高容量DDR5，因此為PC和移動裝置供應通用儲存器的能力有限。”她補充道：“除三星電子外，大多數DRAM製造商都因裝置安裝空間不足而受到擴張限制，因此即使到今年年底，儲存器短缺問題也難以得到解決。”HBM市場競爭日趨激烈……市場規模正在快速擴張在HBM市場，SK海力士與三星電子之間的競爭預計將進一步加劇。SK海力士目前處於領先地位，正積極推進其從HBM3E（第五代HBM）到下一代HBM4（第六代HBM）的產品路線圖，並迅速提高高附加值產品的佔比。現代汽車證券表示：“隨著DRAM價格的飆升，SK海力士有望成為全球DRAM製造商中盈利能力最強的公司。”三星電子已全面進入追趕階段。該公司自去年下半年起擴大了HBM3E的供應，今年則集中精力研發HBM4和HBM4E（第七代HBM），力圖憑藉下一代產品扭轉頹勢。在包括SK海力士和美國美光在內的三大全球儲存器製造商中，三星的產能最大，這也被視為其優勢之一，因為在未來儲存器價格上漲周期中，三星能夠獲得更大的營運槓桿。市場研究公司Omdia預測，隨著人工智慧加速器的普及，HBM市場將繼續保持高速增長，下一代HBM4的市場份額將從今年開始真正擴張。該公司還指出，HBM需求來源日益多元化是市場擴張的關鍵驅動因素。隨著大型科技公司推進專用積體電路（ASIC）戰略以減少對輝達圖形處理器（GPU）的依賴，Google的張量處理單元（TPU）、OpenAI的自主研發人工智慧晶片、亞馬遜的Trainium 3以及微軟的Maia 200等產品相繼問世。Kiwoom Securities 高級研究員 Park Yuak 表示：“三星電子已將 ASIC 作為其主要客戶，預計到 2026 年，其 HBM 出貨量將比上一年增長三倍以上。”他補充道：“第一季度，應用於主要 ASIC 晶片的 HBM 銷量將會增加；第二季度，用於輝達‘Rubin’晶片的 HBM4 出貨量將正式開始。”系統半導體和代工廠進入復甦階段……美國關稅是最大的變數有一種觀點認為，系統半導體和代工機構市場已經觸底反彈。市場研究公司Gartner預測，受人工智慧半導體市場增長的推動，今年全球系統半導體市場預計將比上年增長約10%。韓國在系統半導體市場的份額仍然維持在2%左右，但三星電子將在今年上半年發佈的Galaxy S26手機中搭載其Exynos應用處理器，以期重振競爭力。在晶圓代工（半導體代工）機構領域，三星也在努力從關鍵客戶那裡爭取訂單，以期實現復甦。截至去年第二季度，三星晶圓代工的全球市場份額為7.3%，遠落後於台積電。但業內人士表示，隨著3奈米工藝良率的趨於穩定，以人工智慧加速器和網路晶片為中心的新訂單正在逐步增加。尤其值得一提的是，計畫於今年投產的三星電子泰勒晶圓廠，正逐漸成為台積電之外的另一種選擇。投資銀行德意志銀行在最近的一份報告中表示：“隨著台積電先進工藝產能接近飽和，主要的無晶圓廠（晶片設計專家）公司正在尋求替代生產方案，以分散供應鏈風險。”報告還補充道：“在美國設有生產基地的代工廠中，三星電子被視為一個切實可行的替代方案。”今年半導體行業最大的外部變數被認為是美國的關稅政策。美國正在將半導體重新歸類為戰略產業，並暗示可能徵收高額關稅以擴大國內產能。業內普遍認為，對於已承諾在美國投資的國內企業而言，其相對影響可能有限。由於人工智慧伺服器記憶體的替代品有限，也有分析指出，成本負擔很可能會轉嫁給客戶。關稅因素預計對中長期投資策略和生產基地重塑的影響將大於對短期收益的影響。 (半導體行業觀察)

近日，多家美國戰略諮詢機構接連發佈深度報告，指出中國在稀土材料領域的出口管制正演變為一場對全球高科技產業鏈、尤其是美國半導體行業構成系統性威脅的“隱形斷供”。報告警告稱，若當前趨勢持續至2026年及以後，美國晶片製造業或將面臨前所未有的生產停滯、成本飆升乃至局部產能癱瘓的風險。光刻機內部精密部件自2023年以來，中國逐步強化對稀土資源的戰略管控，不僅將輕重稀土礦產品納入出口許可體系，更於2025年下半年起實施新版《關鍵礦產與技術出口管制條例》，首次將高純度稀土氧化物、金屬靶材、磁性合金以及部分用於半導體製造的稀土基前驅體化學品明確列為管制對象。這意味著，從原材料到深加工環節，再到相關製造技術的輸出，均需經由國家出口審批機制嚴格稽核。這一政策並非臨時應對，而是中國基於《出口管製法》和《關鍵礦產安全戰略》所建構的長期資源治理框架的一部分。早在2014年，中國便已建立稀土出口配額與許可證制度；近年來，在地緣政治緊張與全球供應鏈重組背景下，該體系不斷升級，逐步從“資源控制”轉向“全鏈條主導”。稀土元素——如釹、鏑、鋱、釓等——雖在晶片中用量微小，卻在高端製造中扮演不可替代的角色。它們是極紫外（EUV）光刻機中精密伺服電機的核心磁材，是離子注入裝置中穩定磁場的關鍵組分，也是先進封裝工藝中高熱穩定性焊料與介電層的重要加入劑。一旦供應受限，不僅裝置交付周期拉長，晶圓良率亦可能因材料性能波動而下降，進而波及整個晶片產能爬坡節奏。資料顯示，中國目前掌控全球約70%的稀土開採量和超過85%的精煉產能。儘管美國擁有芒廷帕斯（Mountain Pass）等稀土礦藏，但其本土缺乏完整的分離提純與高純材料製備能力，短期內難以擺脫對中國供應鏈的深度依賴。即便加速推進《國防生產法》第三章授權下的關鍵礦產項目，從礦山重啟到形成穩定高純材料供應，仍需5至10年時間。面對潛在“斷鏈”風險，美國正多線佈局：一方面聯合日本、澳大利亞推動“友岸精煉”（friend-shoring）計畫，支援Lynas、Iluka等企業在美設廠；另一方面加大對深海多金屬結核、城市礦山回收等替代路徑的研發投入，並通過《晶片與科學法案》提供補貼以激勵本土材料創新。然而，這些舉措尚處早期階段，遠水難解近渴。與此同時，全球稀土及相關特種化學品價格已進入上行通道。六氟化鎢、稀土摻雜濺射靶材等半導體級材料報價在過去18個月內上漲逾40%，中小晶片設計公司與代工廠首當其衝，利潤空間被嚴重擠壓。在此背景下，“China+1”供應鏈策略正成為行業共識。台積電、三星、英特爾等巨頭紛紛與日本信越化學、韓國Soulbrain及歐洲材料供應商簽訂長期協議，試圖建構多元採購網路。但專家指出，真正的高純稀土材料產能高度集中，所謂“去中國化”更多是風險分散，而非徹底替代。可以預見，稀土已成為中美科技博弈的新前線。中國以資源為槓桿，謀求在全球價值鏈中更高的話語權；美國則力圖通過聯盟協作與技術突圍重建自主能力。而夾在中間的全球半導體企業，只能在庫存緩衝、戰略囤貨與供應鏈彈性建設之間艱難平衡——在這場沒有硝煙的資源戰爭中，誰掌握“工業維生素”，誰就握住了未來晶片時代的命脈。 (晶片研究室)

報告名稱：2026年全球半導體行業趨勢研究報告（22頁）出  品 方：StartUs Insights2026 年全球半導體行業正同時經歷“收縮”與“擴張”的悖論：整體產值微降 3.11%，但全球員工總數卻新增 14.1 萬，總就業人口達到 270 萬；資本層面，3600 多位投資者在 1.27 萬輪融資裡平均砸下 6200 萬美元，說明資金仍在瘋狂尋找下一個爆發點。美國、中國、德國、韓國、印度是國家級樞紐，深圳、上海、新加坡、聖何塞、東京則是城市級熱點。專利和補貼繼續加碼——全行業手握 10.4 萬件專利、拿到 1387 筆政府資助，創新底氣依舊充足。在這一宏觀背景下，StartUs Insights 用巨量資料平台掃描了 470 萬家初創與成長型企業，最終聚焦 1336 家半導體公司，提煉出十大趨勢。它們不是孤立的技術點，而是一張互相咬合的“創新網路”：物聯網晶片：IoT 裝置要求“郵票尺寸、多協議、超低功耗”，於是出現了把 Sub-1 GHz、BLE、Wi-Fi 甚至 UWB 整合到單顆 SoC 的方案，同時引入事件驅動架構和存內計算，讓晶片在 1 µA 級待機功耗下完成 AI 推理。製造端拉動 22/28 nm 成熟製程，封測端則把天線、電源管理、儲存全部塞進 SiP 或 Fan-Out 封裝，形成“晶片即服務”的商業模式。人工智慧晶片：大模型讓通用 GPU 能效比逼近極限，行業轉向領域專用加速器（DSA）。韓國 Rebellions 把矽架構與深度學習演算法協同設計，做到 8 TOPS/W；美國 Gauss Labs 則用 AI 預測晶圓缺陷，把良率提升 1.5–2%。AI 不僅吃算力，也在晶圓廠裡“反哺”工藝控制，形成閉環。先進材料：矽基以外的 SiC、GaN、量子點、二維材料集體進入量產。瑞典 EPINOVATECH 用 NovaGaN 工藝在 200 mm 矽片上生長 650 V GaN 器件，成本比 SiC 低 30%；比利時 QustomDot 的量子點讓 Micro-LED 色域飆到 120% NTSC。材料革命帶動 6/8 英吋 SiC 襯底、MOCVD 高溫裝置、TaC 塗層等整條供應鏈躁動。新架構：3D 異構整合、近記憶體計算、精簡指令集一起向“儲存牆”和“功耗牆”開火。英國 EDGED 把矩陣-向量單元融合，指令譯碼時間砍 70%；中國 YSEMI 的 128 核 2.5D 封裝實現 1 TB/s 記憶體頻寬，成本降 20%。EDA 工具、CoWoS/SoIC 產能、熱-機械模擬軟體隨之成為稀缺資源。先進封裝：當摩爾定律放緩，封裝成為系統級微縮的新槓桿。美國 JetCool 用微射流直接給晶片降溫，熱阻 <0.1 K/W；中國 TSD Semiconductor 把晶圓減薄到 25 µm，滿足 3D IC 需求。Fan-Out、Chiplet、UCIe 標準讓封裝廠從“後端”走向“前端”，2026 年全球 Fan-Out 市場預計 38 億美元。5G：毫米波與 Sub-6 GHz 雙輪驅動，射頻前端必須支援 100 MHz 以上頻寬、256-QAM 高階調製。澳大利亞 milliBeam 的相控陣晶片組把 EIRP 做到 45 dBm，功耗降 35%；美國 Falcomm 的矽基功率放大器在 28 GHz 實現 20% PAE。RF-SOI 12 nm、OTA 測試站、Open RAN 白盒化成為產業鏈關鍵詞。自研晶片：蘋果、特斯拉、阿里等系統廠商自建晶片團隊，用“Domain-Specific SoC”實現軟硬一體。美國 Anari 的 Thor X 晶片在雲上做 3D 語義分割，延遲 <10 ms；韓國 SEMIFIVE 提供“6 個月 RTL 到 GDSII”的定製矽平台。IP 廠商推出訂閱制，晶圓廠提供 DTCO 服務，人才市場架構師薪資溢價 50%。製造技術：2 nm 節點需要 0.55 NA EUV、GAA 電晶體、3 nm ALD 高 k 介質。瑞士 UNISERS 用奈米顆粒檢測把缺陷靈敏度推到 10 nm；加拿大 EHVA 的 6 軸奈米光學對準機器人實現 300 mm 晶圓級光子晶片自動測試。裝置資本密度飆升，3 nm 萬片產能需 30 億美元，綠色債券成為融資新寵。汽車晶片：從分佈式 MCU 走向“中央計算 + 區域控制”，L3+ 自動駕駛需要 >500 TOPS 算力、<50 W 功耗，還得通過 ASIL-D 認證。以色列 Lidwave 的時間編碼 3D SoC 讓 LiDAR 點雲密度提升 4 倍；中國雲途半導體推出 -40 °C~150 °C 車規 MCU。認證周期拉長 12–18 個月，晶圓廠必須通過 IATF 16949，封測廠引入“零缺陷”AOI。可持續製造：12 英吋晶圓廠年耗電 1–2 TWh，蘋果、Google要求供應鏈 2026 年 100% 綠電。美國 Hard Blue 把農業廢棄物變成 SiC 磨料，碳足跡減少 80%；加拿大 Digitho 用數字光刻實現晶片級溯源，材料回收率 99.9%。台積電、三星美國新廠全部綠電，低溫 ALD、干法蝕刻、綠色債券、Sustainability-Linked Loan 成為行業標配。這十大趨勢並非線性演進，而是“技術-市場-政策”三維疊加的複雜網路：AI 與先進封裝、新材料、新架構形成性能-能效正循環；IoT、5G、汽車晶片雙軌拉動成熟與先進製程；可持續製造、在地化設計、供應鏈安全則上升為國家競爭力核心。企業若想在未來三年贏得先手，必須同時繪製“技術路線圖、投資優先順序、人才地圖”，在 2026 年半導體產業重構窗口期搶佔高地。(TOP行業報告)

【核心趨勢速覽】AI 需求繼續“爆表”2026 年雲 AI 加速器（GPU+ASIC）市場規模預計 3120 億美元，2029 年可達 5500 億美元，四年 CAGR ≈ 36%。訓練→推理的切換帶來“token 量”指數級增長，推理需求首次成為資本開支主驅動力。資金端：OpenAI、Anthropic、xAI 等 Labs 收入一年翻 3 倍，但仍需持續外部融資；只要 GPU 雲租賃回報 >3 年回收期，資本就願意繼續砸錢。供應鏈從“過剩”到“極限”2023 年 5 nm 利用率 60-70%，2025 年底先進節點、CoWoS、HBM、DDR5 全部打滿，價格飆升（DDR5 現貨年漲 460%）。瓶頸從“晶片設計”轉向“物理產能”：晶圓、先進封裝、基板、功率器件、甚至美國本土電力/潔淨室空間都成為硬約束。結果：價值創造環節從“誰能設計”變成“誰能拿到產能”，IDM/Foundry/Semicap 議價權大增。記憶體與半導體製程裝置成為“第二增長極”DRAM：AI 帶動 2026 年 bit 需求 +23%，供給缺口 30 年來最大；HBM 雖吃產能但利潤高，反而拉高 DDR5 價格。NAND：eSSD 需求 2026 年 +40-50%，Sandisk 因供給紀律最嚴格、庫存最低，成為最純粹的上行標的。WFE（晶圓裝置）：2026/2027 年連續兩年雙位數增長，DRAM 和 TSMC 3 nm 擴產是主引擎；AMAT、ASML、MKSI、NAURA 等優先受益。算力晶片格局：NVIDIA 仍是“錨”，但 ASIC 浪潮不可忽視NVIDIA：Blackwell/Rubin 產品節奏領先，2026 年仍供不應求，估值僅 20-26× 2027 EPS，相對 AVGO/AMD 折價。ASIC：Google TPU、AWS Trainium、Meta MTIA、Microsoft Maia 等 2026 年集體放量；Broadcom、Marvell、MediaTek、Alchip、GUC 分食增量。風險：若 OpenAI 增速放緩或 Google TPU 外溢成功，NVDA 份額可能從 80% 降至 60%，但絕對收入仍增長。區域與產業鏈再平衡TSMC：CoWoS 產能 2026 年再增 80%，但台灣潔淨室空間告急，美國廠進度決定 2027 年上限。中國：SMIC 7 nm 擴產受限於 SiGe EPI 裝置；CXMT DRAM 轉向全國產線；HBM3e 量產推遲。裝置國產化：NAURA、AMEC、KingSemi 在刻蝕、清洗、測試環節持續拿份額，2026 年中國本土 capex 保持高位。非 AI 半導體的“晚周期”機會模擬/MCU/功率：庫存已觸底，汽車、工業 2026 年上半年進入補庫；NXP、ADI 最先回到歷史峰值。伺服器 CPU：AMD Turin 繼續搶 Intel 份額；通用伺服器需求因 AI 資料回流而意外強勁，Aspeed BMC 晶片受益。智慧型手機/PC：因記憶體漲價、需求疲軟，2026 年出貨量可能下滑 5-10%，但 AI 眼鏡/Edge AI 或成為新亮點。網路與封裝技術升級Scale-up 網路（機架內高速互聯）2024-2029 年 CAGR 34%，銅纜仍主導，1.6 T 光模組、CPO、LPO、Active Copper 2026-2027 年陸續放量。受益鏈：Astera Labs（Scorpio 交換晶片）、Broadcom（Tomahawk）、Marvell（Celestial AI 光子引擎）、Semtech（Redriver/Retimer）。(TOP行業報告)

分享一份ASE的最新報告，主要針對AI 快速發展下半導體行業面臨的性能、記憶體、功耗等核心挑戰，闡述 ASE 如何通過先進封裝創新（如異構整合、Co-Packaged Optics 等），推動 AI 技術落地。報告主要內容AI 發展現狀與經濟價值AI 時代的核心挑戰半導體行業趨勢與封裝創新方向ASE 的先進封裝解決方案關鍵資訊摘錄1 尺寸與良率 / 利用率的反向關係大尺寸模組是 AI 晶片的必然選擇（需整合多 GPU、多 HBM 以滿足 2x-10x 記憶體頻寬需求），但傳統晶圓級封裝的工藝極限，無法適配超大規模中介層的生產，形成核心矛盾。隨著基板 / 中介層尺寸從 60x60mm² 擴大到 120x120mm²，利用率呈明顯下降趨，12 英吋晶圓上可切割的中介層數量也急劇減少。比如Nvidia Blackwell和AMD MI300，都因中階層尺寸大，需要數倍大的光刻板，而受限於光刻工藝精度，導致良率難以提升。2 Panel FOCoS-Bridge面板級封裝與FOCoS-Bridge（帶橋接結構的整合矽中介層封裝）的結合是大尺寸模組良率低、利用率低的核心解決方案，多 Chiplet 通過矽橋實現高效互聯，縮短 Chiplet 間的訊號路徑，既減少訊號延遲（解決 AI 的 “記憶體牆” 衍生問題），又避免因單一大尺寸 Die 缺陷導致的整體報廢（提升良率）。在核心指標上，微凸點（ubump）間距僅 45um，遠小於傳統封裝的凸點間距；C4 凸點（連接封裝基板與 Die）間距 150um，平衡 “互聯密度” 與 “工藝可製造性”，避免過小間距導致的短路風險。3 ASE的創新解決方案ASE在多個方面提出瞭解決方案，性能上包括2.5D 矽通孔（Si TSV）、FOCoS-CL/FOCoS-B 封裝、矽光子（SiPh）、面板級 FOCoS，結合異構整合（CPU/GPU/APU/XPU/HBM 等晶片組整合）；記憶體方面，通過Chiplets技術最佳化記憶體互聯，搭配 HBM整合方案；尺寸上，異構整合技術整合多功能晶片塊，減少冗餘設計，最佳化封裝佈局等。其他主要頁面展示(銳芯聞)

10月14日，中國半導體行業協會發佈聲明，全文如下：近日，我會會員企業聞泰科技在荷蘭的分支機構安世半導體（Nexperia）受到當地政府的干預，引發產業界高度關注。中國半導體行業協會對此表示嚴重關切，並鄭重表明以下立場：1.我們堅定支援會員單位捍衛自身的合法權益，維護公平、公正、非歧視的營商環境和全球產業鏈的穩定。2.我們反對濫用“國家安全”概念、對中國企業海外分支機構實施選擇性和歧視性限制的做法。3.針對特定企業的歧視性措施，將破壞開放、包容、協同的全球半導體生態，我們對此堅決反對。中國半導體行業協會將持續關注事態發展，積極傾聽會員呼聲，並通過一切合法管道向國際社會表達中國產業界的共同關切。此前報導功率半導體巨頭聞泰科技業務遭遇突變。10月12日晚，因存在尚未披露的重要資訊而停牌數日的聞泰科技（600745）發佈公告，荷蘭政府對聞泰科技旗下子公司安世在全球30多個主體進行凍結，為期一年。聞泰科技公司股票及可轉換公司債券將自2025年10月13日（星期一）開市起復牌，公司可轉換公司債券“聞泰轉債”恢復轉股。公司後續將根據本次事項的進展情況，按照法規要求及時履行資訊披露義務。安世控制權暫時受限公告指出，聞泰科技公司旗下子公司安世半導體有限公司（以下簡稱“安世半導體”）以及安世半導體控股有限公司（以下簡稱“安世半導體控股”）（以下合稱“安世”）收到荷蘭經濟事務與氣候政策部下達的部長令（Order）和阿姆斯特丹上訴法院企業法庭（以下簡稱“企業法庭”）的裁決，具體情況如下：荷蘭時間2025年9月30日，荷蘭經濟事務與氣候政策部對安世下達部長令（Order），要求安世及其下屬所有子公司、分公司、辦事處等全球30個主體對其資產、智慧財產權、業務及人員等不得進行任何調整，有效期為一年。荷蘭時間2025年10月1日，安世半導體控股以及安世半導體（荷蘭註冊主體）法定董事兼首席法務官 Ruben Lichtenberg（CLO，荷蘭籍）在獲得其他兩位高管，即首席財務官 Stefan Tilger（CFO，德國籍）以及首席營運官AchimKempe（COO，德國籍）的支援下，代表安世半導體以及安世半導體控股向企業法庭提交了啟動對公司調查與採取臨時措施的緊急請求。同日，企業法庭在未庭審的情況下直接即時生效了幾項緊急措施，包括暫停張學政（編註：聞泰科技實控人）擔任安世半導體控股公司執行董事及安世半導體公司非執行董事職務，暫停執行安世半導體董事會規則第3條之效力（即作為 CEO 的職務和職權）以及自當日起，將裕成控股有限公司（聞泰科技註冊於中國香港的全資子公司，系安世半導體控股的唯一股東，以下簡稱“裕成控股”）持有的安世半導體控股的股份以管理權形式託管給獨立第三方管理，上述措施持續至2025年10月6日口頭聽證後對即時措施申請作出裁決為止。荷蘭時間2025年10月6日下午，企業法庭安排開庭，並於荷蘭時間2025年10月7日下午做出裁決。第一，暫停張學政在安世半導體控股的非執行董事和安世半導體的執行董事職務；第二，任命一位獨立於安世的企業法庭指派的外籍人士擔任安世半導體控股及安世半導體的非執行董事，擁有決定性投票權；同時裁定，該董事有權獨立代表安世半導體控股及安世半導體；第三，將安世半導體的所有股份 （減去一股） 出於管理目的託管給稍後指定並公佈的人員。聞泰科技表示，目前安世日常經營仍在持續運轉，但受上述部長令（Order）和企業法庭裁決的影響，短期內將面臨決策鏈條臨時變更/延長、資源配置靈活度下降等情況，可能會對企業營運效率形成一定影響。企業法庭做出的裁決直接導致裕成控股，除了保留的一股之外，暫時失去對安世半導體控股享有的剩餘的 99 股的股東權利（如治理權和投票權等） ，公司對安世的控制權暫時受限，公司作為股東的經濟收益權仍不受影響。聞泰解釋，目前相關事件走向和潛在影響尚難具體量化，公司將對相關事態保持密切跟蹤並開展動態評估，按照相關法律法規要求及時履行資訊披露義務。聞泰科技表示，公司積極與供應商、客戶保持密切溝通，全力維繫員工隊伍、生產秩序和銷售管道的基本穩定，緩解外部衝擊；公司正在積極與國際律師事務所團隊溝通法律救濟方案及手段，將採取一切行動，最大限度維護公司及全體股東的合法權益；同時主動對接政府相關部門，爭取支援。公司始終以維護上市公司利益和投資者合法權益為根本立場，保持客觀、審慎的態度，認真開展相關工作。聞泰科技：個別外籍管理層試圖顛覆公司合法治理結構12日晚，聞泰科技發佈聲明，堅決反對將商業問題政治化，荷蘭政府以莫須有的“國家安全”為由，對安世半導體實施全球營運凍結，是基於地緣政治偏見的過度干預，而非基於事實的風險評估。此舉嚴重違背了歐盟一貫倡導的市場經濟、公平競爭和國際經貿規則。我們對這種針對中資企業的歧視性待遇表示強烈抗議。此外，聞泰科技還在聲明中表示，安世半導體的合規性與貢獻不容抹殺。自從聞泰科技收購安世半導體以來，始終恪守各國法律法規，營運透明、治理規範。長期以來，公司持續為歐洲半導體產業鏈帶來價值： 在荷蘭、德國、英國等地設有研發與製造中心，僱傭數千名員工；近三年研發投入增長超150%，全球專利數量提升近千項；近五年來安世為荷蘭貢獻了1.3億歐元的企業所得稅，對當地的經濟帶來了巨大貢獻。為汽車、工業、能源等關鍵行業提供不可替代的成熟製程晶片。聞泰科技還在聲明中提到，安世半導體個別外籍管理層試圖通過法律程序強行改變安世半導體股權結構，其訴求與荷蘭政府指令高度聯動，本質是借政治壓力剝奪股東權利、顛覆公司合法治理結構。公司對此類以“合規”為名、行奪權之實的行為予以譴責。“聞泰科技作為長期戰略股東，絕不會屈服於外部政治壓力。我們已啟動一切法律與外交途徑，要求：荷蘭政府立即撤銷錯誤指令； 停止對中國企業的系統性歧視；維護全球半導體產業鏈的開放與合作。”聞泰科技在聲明中表示。2024年，聞泰科技因為上了美國實體清單，選擇出售產品整合業務給立訊精密，專注於半導體業務。但如今安世業務被荷蘭政府凍結，又給聞泰科技帶來了新的風險和變數。與此同時，聞泰科技披露產品整合業務出售最新進展。截至本公告披露日， 本次交易標的資產的各項交割工作正在推進過程中， 其中昆明智通、深圳聞泰、黃石智通、昆明聞訊已經交割；香港聞泰、印尼聞泰已依相關協議約定的條款及條件於2025年9月16日完成股權實質性交割， 香港聞泰、印尼聞泰不再納入公司合併財務報表範圍，相關後續程序尚在辦理過程中；無錫聞泰、 無錫聞訊相關業務資產包已經交割； 印度聞泰相關業務資產包資產已完成轉移，部分資產權屬變更手續尚在辦理過程中。此外，聞泰還公告，公司董事會秘書空缺時間超過三個月的，董事長應當代行董事會秘書職責。因此，自本公告披露之日起，由公司董事長楊沐代行董事會秘書職責，直至公司正式聘任董事會秘書。公司將按照相關規定，盡快完成董事會秘書的聘任工作並及時履行資訊披露義務。安世半導體目前是聞泰科技半導體業務承載平台，是全球領先的分立與功率晶片IDM龍頭廠商，也是全球龍頭汽車半導體公司之一。2018年，聞泰科技以超330億元收購安世，創下中國半導體最大跨境併購紀錄。據聞泰科技2024年年報，公司半導體業務（即安世）營收147.15億元，毛利率37.52%，實現淨利潤22.97億元。2025年上半年，聞泰科技半導體業務實現營業收入78.25億元，同比增長11.23%，業務毛利率37.89%，實現淨利潤12.61億元，同比增長17.05%。 (澎湃新聞)

近期，全球儲存晶片市場持續釋放積極訊號。三星、美光、SK海力士等行業巨頭相繼宣佈提價，DRAM產品漲幅普遍達15%-30%，NAND快閃記憶體價格亦上調5%-10%，部分廠商甚至暫停報價以應對供應緊張；從市場端看，DDR4記憶體半年累計漲幅超200%，HDD、SSD、HBM等產品因AI需求爆發陷入供不應求。與此同時，資本市場反應熱烈，美光近一個月股價漲約60%，鎧俠、閃迪漲幅超100%，A股相關概念股也隨之拉升，展現出市場對儲存類股的強烈信心。在此背景下，摩根士丹利研報指出，AI驅動下儲存行業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年的“超級周期”，到2027年全球儲存市場規模有望向3000億美元邁進，儲存晶片行業或正迎來新一輪產業周期的起點。半導體行業“風向標”，邏輯生變儲存晶片作為半導體行業的“風向標”，其周期性波動始終是觀察產業景氣度的關鍵窗口。復盤近十年來三輪核心周期可見，儲存行業的典型周期時長約為3-4年，且每一輪周期都由不同需求與技術變革驅動：圖源：野村證券2016-2019年，DDR4技術迭代疊加手機遊戲需求爆發，推動儲存價格累計漲幅超100%；2020-2023年，全球疫情催生的遠端辦公與資料中心需求先拉動價格上漲，後又因需求疲軟與產能過剩陷入調整，累計跌幅超50%；2024年至今，AI算力基建與HBM技術革命成為新引擎，直接改寫了傳統周期邏輯。需要注意的是，與前兩輪周期不同，本輪上行不再依賴個人消費端需求，而是以企業級AI資本開支為核心——HBM價格年內暴漲500%，DDR4價格漲幅超50%，高端儲存產品“量價齊升”的同時，利基市場國產替代也在加速。更關鍵的是，AI資料中心對儲存產能的“吞噬式需求”，讓全產業鏈呈現罕見的全品類普漲態勢：從消費級NVMe SSD、DDR4記憶體條，到企業級儲存系統與大容量HDD，價格同步攀升。這種結構性變化正在重塑儲存產業的傳統周期模型。據CFM快閃記憶體市場預測，2025年全球儲存市場規模有望達到1932億美元，將創下歷史最高記錄。儲存晶片行業，似乎開啟了由AI驅動的全新產業周期。AI重構儲存“供需新規則”AI技術的爆發式演進不僅是儲存需求的“超級引擎”，更在深層次重構全球儲存晶片市場的“供需新規則”，推動行業邁入前所未有的變革周期。從市場供需邏輯來看，AI正以顛覆性力量催生結構性儲存缺口。這種缺口並非簡單的數量增長，而是由性能與容量雙重訴求驅動的質的飛躍。據美光資料顯示，AI伺服器的DRAM容量需求是普通伺服器的8倍，NAND 容量需求則達到3倍，單台AI伺服器儲存需求更是高達2TB，遠超傳統伺服器的配置標準。更關鍵的是，AI大模型“訓練-推理-再訓練”的正循環，使得資料儲存需求呈現持續放大的態勢，一個GPU節點就可能消耗數百GB DRAM和數TB快閃記憶體，超大規模資料中心的需求規模更是呈指數級擴張。這種需求爆發在核心項目上體現得尤為極致，以OpenAI的“星際之門”(Stargate)項目為例，該項目與三星、SK海力士達成合作，每月需採購90萬片DRAM晶圓，這一數字相當於全球DRAM總產量的近40%，這種規模的單一訂單，徹底改變了原有的市場平衡。而四家雲巨頭對AI相關NAND的訂單也已達200EB，遠超2026年150EB的原預期。全球儲存市場已然清晰感知到：人工智慧正在重構行業運行的底層邏輯。與此同時，需求激增直接推高了儲存晶片在AI基建中的成本佔比，尤其是高性能儲存成為成本核心。以HBM為例，其單顆價格突破5000美元，是傳統DDR5記憶體的20倍，而毛利率卻高達50%-60%，遠超傳統DRAM 30%左右的水平。由於每一塊HBM都需針對特定AI GPU定製，客戶需提前一年下單鎖定產能，這種“定製化+長周期”的訂貨模式，進一步凸顯了其戰略價值。同時，NAND快閃記憶體的成本權重也在上升，隨著HDD供應短缺導致近線儲存加速向QLC SSD遷移，多家超大規模雲廠商的大額追加訂單，使得企業級SSD成為資料中心建設的剛需，儲存晶片已從原來的輔助元件升級為成本核心，成為左右廠商利潤的關鍵變數。在此背景下，HBM、DRAM與NAND等高性能儲存資源成為行業必爭的戰略資源。從市場規模看，摩根士丹利預測全球HBM市場將從2023年的30億美元飆升至2027年的530億美元，年複合增長率超100%；而NAND市場雖起步更早，但AI推理需求的爆發使其煥發新生，從上述提到的四家雲巨頭訂單預測變動能看到，供需缺口顯著。產能端的稀缺性更顯突出：美光2026年底前的HBM產能已全部預售完畢，SK海力士12層堆疊HBM3e產品即便良率僅75%，2026年產能也被輝達、AMD等企業鎖定，三星下一代V9 NAND未發佈便訂單滿額，供需緊張態勢可見一斑。儲存晶片行業劇變：價格、產能與技術的全方位革新供需規則的重構，迅速傳導為行業層面的劇烈變革，儲存價格飆升成為最直觀的市場訊號。從2025年9月以來，全球儲存巨頭密集發佈漲價通知，形成“集體提價潮”：三星宣佈第四季度DRAM價格上調15%-30%，NAND價格上調5%-10%；美光更是將儲存產品價格拉高20%-30%，並暫停報價一周以消化漲幅；閃迪對全管道NAND產品提價10%以上，群聯恢復報價後漲幅約10%，被視為NAND漲價的明確訊號。此外，現貨市場反應更為激烈，DDR4晶片半年累計漲幅超200%，2025年Q2單月漲幅一度達53%，出現與DDR5價格倒掛的罕見現象；NAND晶圓現貨價格在10月環比上漲9%-11%，伺服器eSSD價格預計四季度漲幅將超10%。高盛與TrendForce等機構預測，這種漲勢將持續至2026年，DRAM四季度環比漲幅或達8%-13%，NAND則為5%-10%，若計入HBM，漲幅將進一步擴大。進一步來看，價格飆升的背後，是全球儲存巨頭的產能戰略性傾斜。三星、SK海力士、美光三大寡頭摒棄了過去“規模優先”的策略，轉向“利潤優先”，將先進製程產能集中投向高附加值產品。DRAM領域，三星率先停止DDR4生產，SK海力士計畫將DDR4產能壓縮至20%，美光與SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新訂單，所有資源向DDR5與HBM傾斜；NAND市場，廠商紛紛縮減消費級產能，將產能轉向企業級3D QLC產品。這種結構性傾斜導致了市場“冰火兩重天”：高端HBM與DDR5供不應求，中低端DDR4因減產速度超過需求下降速度，出現嚴重供需錯配。對此，群聯電子CEO直言，這種資本支出轉向將導致NAND未來十年供應持續緊張，2026年便將面臨嚴重短缺。產能傾斜與需求倒逼共同推動了儲存技術的加速突破，成為行業變革的核心動力。其中，HBM領域的技術迭代最為迅猛，據瞭解，2025年全球HBM總產能已增至54萬片，同比激增105%，但仍難以填補AI帶來的需求缺口。SK海力士已建成HBM4量產體系，預計將佔據HBM4市場60%以上份額，三星、美光等廠商也在加緊籌備HBM4量產，力爭搶佔輝達、AMD認證先機，而國內相關廠商也在加速突破，國產替代窗口期持續擴大。總的來看，這場由AI引發的產業新變革，徹底打破了儲存行業傳統的“供需博弈”周期邏輯，形成了“AI需求牽引-產能高端傾斜-技術迭代加速-價格結構性上漲”的新閉環。從HBM的一芯難求到NAND的從白菜價到緊俏貨，從巨頭的產能重構到國產廠商的突圍，儲存晶片市場正經歷著新一輪的深度重塑，將儲存晶片從標準化大宗商品，重塑為影響算力發展的戰略性資源，標誌著產業已進入一個由技術迭代與需求爆發共同定義的全新時代。儲存晶片“三維革命”：技術競速與巨頭格局重塑當前儲存產業的變革不僅體現在市場供需層面，更在技術維度展開著一場深刻的“三維革命”。HBM的頻寬競賽進入白熱化階段，3D NAND的堆疊層數不斷刷新上限，HBF技術的橫空出世則點燃了新賽道的競爭火種。這場圍繞垂直堆疊、高速互聯與架構創新的技術深耕，正重塑全球儲存產業的競爭格局，巨頭們的每一步佈局都關乎未來數年的行業話語權。HBM：頻寬競賽與標準主導權爭奪HBM作為AI算力的關鍵核心，其核心突破在於2.5D/3D堆疊和矽通孔(TSV)技術的創新應用。通過將多個DRAM晶片垂直堆疊並與GPU/CPU通過中介層互聯，HBM成功突破了傳統封裝技術的限制。以輝達H200搭載的HBM3E為例，其頻寬高達4.8TB/s，完美解決了AI晶片面臨的“記憶體牆”瓶頸。然而，HBM的技術迭代速度與競爭激烈程度遠超傳統儲存領域。2025年4月，JEDEC固態技術協會正式發佈HBM4標準（JESD270-4），將這一賽道的技術門檻推向新高度——採用2048位超寬介面，傳輸速率達8GB/s，總頻寬突破2TB/s，較此前SK海力士宣稱的1.5TB/s再提升33%。更關鍵的是，HBM4將獨立通道數量從16個翻倍至32個，同時引入0.7V-0.9V的低電壓選項，在性能躍升的同時實現了能效最佳化，完美適配下一代生成式AI與高性能計算需求。標準確立背後，是國際巨頭的貼身博弈。從市場格局來看，SK海力士憑藉在HBM3和HBM3E領域的領先優勢，目前佔據全球HBM市場約60%的份額，成為輝達H100/H200晶片的獨家供應商。憑藉先發優勢持續領跑，SK海力士在2025年3月率先發佈12層堆疊的HBM4樣品，採用Advanced MR-MUF封裝技術，單堆疊容量可達64GB，且已啟動與輝達下一代GPU的適配測試，試圖延續其獨家供應優勢。三星則依託垂直整合能力加速追趕，計畫2025年下半年啟動HBM4量產，採用4nm邏輯晶片工藝與10nm DRAM製程，目標在良率與成本控制上形成突破，奪回被侵蝕的市場份額。美光雖暫未公開HBM4進展，但通過聚焦汽車與邊緣計算領域的HBM3E變體產品，正建構差異化競爭壁壘。其1β工藝LPDDR5X晶片已通過特斯拉認證，在該細分領域市佔率達35%。摩根大通指出，技術突破使得HBM在2027年佔DRAM總產值比重將達43%，AI相關應用佔DRAM市場規模更是高達53%，技術紅利正成為超級周期的核心支撐。三大巨頭角力的同時，國產力量的崛起也在為這場競爭注入新變數，引領著中國在高端儲存領域從“技術跟隨”向“自主創新”跨越。3D NAND的疊競賽與現實困境如果說HBM的核心是“速度革命”，3D NAND的突破則聚焦於“空間革命”。堆疊層數的持續提升成為廠商比拚的核心指標，這一技術突破意味著在單位面積內可容納的儲存容量再創新高，為AI資料中心需要的大容量儲存需求提供了保障。TechInsights展示了各大廠商在 3D NAND位密度（bit density） 上的演進趨勢，橫軸是堆疊層數，縱軸是單位面積的儲存密度。可以看到，層數越高，代表技術越先進，也能帶來更高的儲存密度。能看到，三星、美光、SK海力士、鎧俠/WD、Solidigm等儲存巨頭都在穩步提升3D NAND快閃記憶體堆疊層數，整體趨勢非常明顯：從200層到300層的跨越，將帶來更高的容量和更強的競爭力。誰能把層數和密度拉滿，誰就能在NAND這場“堆積木比賽”中領先。未來幾年，276層、300層甚至更高層數的NAND將陸續登場，儲存市場的競爭只會越來越激烈。但從產業實際現狀來看，在DRAM/HBM需求高漲的聚光燈下，NAND產業的生存空間正被擠壓，迫使各大廠商紛紛調整航向，將戰略重心轉向更具潛力的賽道。三星的V10 NAND本是技術皇冠上的明珠，在技術層面，三星的V10 NAND計畫在2026年10月正式量產，這款產品被視為技術上的重大飛躍，它將具備400層以上的活性層（據悉為430層），介面速度提升至5.6GT/s，旨在與PCIe Gen6主控協同發力資料中心市場。此外，為應對AI應用對高性能儲存的需求，三星已重啟專為AI最佳化的Z-NAND開發，目標性能提升最高15倍，功耗降低80%。儘管技術上高歌猛進，但三星在NAND的產能投資和先進技術匯入上顯得頗為謹慎，這與其在HBM領域的激進投入形成對比。據報導，三星與SK海力士計畫放緩2025年對先進NAND的投資步伐，將企業資金更多集中於DRAM和HBM領域。例如，三星在西安工廠的第9代NAND轉換投資規模很小，並且推遲了在V9 NAND中匯入混合鍵合技術的計畫。耐人尋味的是，三星將混合鍵合技術在NAND的應用計畫擱置，卻將同類型技術全力押注HBM量產——資源傾斜背後的戰略優先順序不言而喻。而SK海力士憑藉對輝達HBM的近乎壟斷，正採取一種 “精耕細作” 的策略發展其NAND業務：在NAND尖端技術研發上持續投入以保持競爭力，但在產能分配和資源傾斜上，確實在一定程度上受到了HBM和DRAM業務的擠壓。SK海力士已在NAND技術上取得重大突破，開始量產全球首款321層2Tb QLC NAND快閃記憶體。與之前的產品相比，這款新快閃記憶體不僅容量翻倍，還通過架構最佳化實現了傳輸速度翻倍和顯著的能效提升。公司計畫將其首先應用於PC SSD，隨後逐步推廣至資料中心的企業級SSD和智慧型手機儲存，並明確瞄準了AI資料中心市場。此外，SK海力士也已著手開發400層以上的NAND技術，計畫在2025年末完成量產準備。儘管技術上高歌猛進，但SK海士在產能和資源分配上確實向HBM和DRAM有所傾斜。為了滿足AI巨頭對HBM的爆炸性需求，SK海力士正在全力擴充HBM產能。產能轉換：由於新建晶圓廠周期長，SK海力士選擇通過改造部分現有的NAND產線來增加HBM的後工序產能。這直接表明，在有限的工廠空間內，NAND產能為更高利潤的HBM讓了路。戰略傾向：SK海力士對NAND的資本支出態度相對保守。這主要是因為當前DRAM（尤其是HBM）的利潤率遠高於NAND，且消費電子市場對NAND的需求相對疲軟。因此，公司將寶貴的資源優先投入到了DRAM和HBM的擴產中。總而言之，SK海力士並未放棄在NAND領域的競爭，而是選擇通過技術突破來維持其市場地位。但在資源的天平上，當前無疑更傾向於將產能和資本分配給正處於風口、利潤也更豐厚的HBM業務。此外，美日儲存廠商的NAND業務也在收縮戰線與被動承壓。其中，美光退出移動NAND市場的決策震動業界。“我們必須在AI記憶體浪潮中搶佔制高點。”其CEO桑傑·梅赫羅特拉在財報會議中的表態，揭開了殘酷的算術題：同等資本投入DRAM/HBM的回報率已是NAND的2.3倍。而日本廠商，鎧俠與西部資料合併案的反覆拉鋸，使其在層數競賽中逐漸掉隊，200層以上產能佔比稍顯不足。綜合來看，各家儲存廠商不僅在“層數”上拚命卷，還在架構設計上分出流派。未來，廠商需在技術突破與市場需求間精準把控，同時探索3D NAND與HBM、AI儲存的協同應用，推動儲存行業向更高效率、更低成本方向發展。HBF：NAND產業的“HBM時刻”面對HBM在DRAM領域取得的巨大成功，NAND廠商正在積極尋求技術突破，高頻寬快閃記憶體(HBF)技術應運而生，被視為NAND產業的“HBM時刻”，正點燃NAND行業的“第二增長曲線”競爭。據瞭解，HBF的技術原理與HBM類似，旨在通過顛覆性架構設計打破了傳統NAND的性能瓶頸——採用16顆核心晶片垂直堆疊，通過矽通孔（TSV）技術互連，併疊加專用邏輯晶片實現多子陣列平行訪問，使單堆疊單元容量達到512GB，是8-Hi HBM3E的21倍。其底層基於SanDisk的BICS 3D NAND架構，並採用CMOS直接鍵合技術，將儲存陣列與邏輯晶片緊密整合，為頻寬提升奠定硬體基礎。儘管HBF的單位元訪問延遲仍無法與DRAM相比，但其主要面向高吞吐量、讀取密集型的AI推理任務。HBF的技術定位精準填補了市場空白。針對AI推理場景對“高頻寬、大容量、低成本”的需求，SanDisk提出“匹配HBM頻寬、提供8-16倍容量”的目標，雖未公開具體頻寬資料，但通過平行訪問架構，有望將延遲降至傳統SSD的1/5以下，成為HBM在推理場景的理想補充。同時，為降低客戶遷移成本，HBF採用與HBM相似的機械與電氣介面，僅需小幅協議調整即可適配現有GPU平台，這種“相容創新”策略顯著提升了技術落地效率。從行業現狀來看，一場圍繞HBF的生態卡位戰已悄然打響。作為SanDisk的母公司，西部資料正將HBF與自身的Ultrastar SSD產品線整合，計畫2026年推出首款搭載HBF的企業級儲存解決方案，目標拿下北美雲服務商30%以上的推理節點儲存訂單。三星與鎧俠也加速跟進，分別啟動“High-Bandwidth NAND”與“Flash-IO Accelerator”項目，前者側重與HBM的協同調度，後者聚焦低功耗最佳化，試圖在技術路線上形成差異化。SanDisk則通過聯手SK海力士推動HBF成為開放標準，組建包含雲服務商與晶片廠商的技術顧問委員會，試圖以生態主導權壓制競爭對手。在NAND技術紅利消退與需求代際更迭的疊加背景下，當HBF技術嘗試打通“存算邊界”，這場NAND的生存遊戲再次印證了這個更深刻的產業變局——儲存晶片的戰場，終將從層數競賽升維至架構革命。從HBM的頻寬競速到3D NAND的層數突破，再到HBF的架構創新，儲存產業的“三維革命”本質是一場技術深耕的持久戰。國際巨頭憑藉多年技術積累仍佔據主導地位——三星的垂直整合能力、SK海力士的HBM市佔優勢、美光的汽車儲存佈局，共同構成了現有產業格局的基石。未來，技術話語權將成為競爭的核心。HBM4標準的落地將引發新一輪產能競賽，3D NAND的混合鍵合技術可能成為400層以上產品的標配，HBF則需要在寫入壽命與延遲控制上實現突破。對於廠商而言，單純的層數或頻寬比拚已不足夠，只有將技術創新與生態繫結、場景適配相結合，才能在AI驅動的儲存新周期中站穩腳跟。而每一次技術突破，都在重新定義儲存與算力的邊界。周期預判：結構性機遇下的復甦與博弈當前儲存晶片市場的強勁漲勢，尤其是HBM的爆發性增長，讓“超級周期”成為熱議焦點。對於儲存行業的周期走向，分析機構與巨頭的預判共同指向“非典型復甦”，即這並非傳統3-5年庫存周期的簡單重複，而是AI驅動的結構性增長與行業固有周期屬性交織的新格局，但“超級周期”的成色仍取決於多項因素的考量與博弈。首先，驅動此次周期的核心“定數”在於AI需求引發的產業邏輯重構。這不僅是需求的擴張，更是需求的結構性變革。儲存巨頭們的戰略重心已清晰地向HBM、高速DDR5等高附加值產品傾斜。同時，AI伺服器和資料中心的需求激增，也推動了儲存晶片市場的發展。為滿足AI巨頭們如OpenAI“星際之門”項目的龐大需求，全球HBM產能正被加速建構。這種產能的“戰略轉移”導致傳統儲存類別如DDR4面臨供給緊張，價格出現異常上行。Yole Group資料顯示，2025年全球儲存收入有望達2000億美元，同比增長18%，AI伺服器的eSSD、伺服器DRAM與HBM需求構成核心拉動力。而摩根士丹利指出，“頻寬決定性能”的技術範式轉移，使企業級資本開支的剛性遠超消費端波動，為周期長度與強度提供了關鍵支撐。其次，原廠策略調整與周期屬性，構成了平衡周期節奏的核心“變數”。經歷過2023年庫存危機後，三星、SK海力士、美光等巨頭轉向“精準減產+高端傾斜”策略，DDR4等傳統產能收縮與AI儲存需求擴張形成結構性失衡，推動四季度DDR5 RDIMM價格上漲10%-15%。這種供需調節使行業從全面過剩轉向緊平衡，但消費端疲軟仍存，智慧型手機儲存升級放緩可能壓制中低端產品漲幅，限制周期的全面爆發。另外，地緣政治與供應鏈風險，則為周期增添了最大不確定性。國際巨頭在HBM與先進封裝領域的技術壟斷，疊加供應鏈限制，使國產企業雖獲匯入窗口，卻難以快速突破高端環節。國產替代雖加速，但HBM領域的技術代差仍可能分流周期紅利。更關鍵的是，稀土禁運、先進裝置和材料出口管制、關稅提升等制裁措施或將為儲存晶片產業周期注入顯著不確定性，既可能延緩復甦節奏，也可能加速結構性變革。貿易制裁在短期內可能擾亂正常的市場供需和庫存消化節奏，甚至引發囤貨潮，給產業周期的判斷帶來變數。從中長期看，地緣政治因素已成為影響儲存晶片產業格局的重要變數，傳統的周期模型需要納入制裁等政策性風險。整體來看，斷言單一的“超級周期”或許過於樂觀，儲存市場更可能步入一個“結構性超級周期”，其特點是AI驅動的高性能儲存晶片領域持續高熱，而傳統市場則在其漣漪效應中波動前行。短期來看，由AI需求和高附加值產品產能擠佔帶來的漲價動力依然強勁。但長期而言，行業最終會走向新的供需平衡。此次復甦的最終形態，將取決於AI需求的持久力、全球產能分配的調整，以及地緣政治等多重變數的複雜互動。對於行業參與者而言，競爭的核心已不再是簡單的產能擴張，而是在這場由AI引領的變革中，能否精準把握技術演進與市場格局重構的節奏，做出前瞻性的戰略佈局。於全球巨頭而言，這是鞏固技術溢價的機遇；對國產企業來講，這也是縮小差距的關鍵窗口，儲存周期的最終形態，將由技術突破速度、需求持久力與供應鏈博弈結果共同書寫。 (半導體行業觀察)

前幾天，美國財政部長貝森特的一番話，在國際科技圈裡炸開了鍋。他說，美國絕不能允許中國搞什麼“數字絲綢之路”，更不能讓中國成為半導體標準的制定者。美國對中國的打壓我們已經司空見慣，但這次，連美國的財政部長也開始對中國技術發展如此敏感，說明他們真的坐不住了。一、美國封鎖中國晶片的那些年最早的“晶片戰”，要追溯到2018年。當時美國突然對中興下狠手，一紙禁令讓中興幾乎陷入癱瘓。緊接著，華為也被列入“實體清單”，高通、英特爾、台積電這些全球巨頭都不得向華為供貨。美國還專門出台了“出口管製法”，限制中國獲得高端晶片和相關製造裝置，連最基礎的EDA軟體也被卡住。到了2022年，美國又升級了限制令，不僅針對企業，還把整個中國半導體行業拉進了“黑名單”。高性能晶片、光刻機、特殊材料……只要和晶片沾邊的高科技，美國都想方設法堵住中國的路。甚至連荷蘭的ASML，都被美國“勸說”暫停向中國出口最先進的EUV光刻機。這幾年，美國的晶片政策就像不斷加碼的“圍堵圈”，從技術、裝置、材料到人才，幾乎無所不包。目的很簡單——讓中國永遠只能用“落後產品”，別想追上美國。二、封鎖下的中國晶片，越打壓越頑強但理想很豐滿，現實很骨感。美國以為“斷供”就能讓中國晶片產業停滯不前，結果卻是中國企業迎難而上，國產化處理程序反而加速了。比如，2023年中國AI企業採購國產晶片的比例，從31%暴漲到49%。國產晶片廠商像寒武紀、海光、華為海思，訂單接連不斷。國產EDA軟體也在短短兩年內實現了從零到有的突破。最近，國內科學家攻克了0.1奈米鍍膜精度，弧形反射鏡系統實現國產化，這可是EUV光刻機的核心技術之一。很多人可能覺得，這些進步離我們普通人很遠。但實際上，手機、電腦、汽車、家電，只要是智能化裝置，都離不開晶片。美國打壓得越狠，咱們就越拚命搞研發。說白了，就是“你卡你的，我發展我的”。三、美國新動作，晶片稅眼看“封鎖”不如預期，美國又祭出新招——15%的晶片稅。也就是說，輝達、AMD這些公司在中國賣AI晶片，必須把15%的收入交給美國政府。美其名曰是為了“償還國債”。更有意思的是，美國財政部長還說，批准向中國賣H20晶片沒啥安全隱患，因為這些晶片已經落後了四到六代。既然落後了還收這麼高的稅，這是真沒個吃相了。說白了，美國是既想賺錢，又不想讓中國拿到先進技術。又當又立，這算盤打的，隔著太平洋都替他們寒顫兒。結果怎麼樣？輝達等企業被迫漲價，很多中國企業一算帳，乾脆直接用國產晶片了。美國還特別強調，不能讓中國主導半導體標準。這其實是他們現在最大的焦慮。過去幾十年，全球科技標準都是美國說了算。只要你用美國的標準，技術路線、專利授權、市場規則，全都得聽美國的。現在中國在5G、新能源、AI等領域崛起，華為的“數字絲綢之路”在全球鋪開，美國擔心自己的技術話語權被動搖。技術標準的制定權，決定著一個國家的未來。英國曾經主導過蒸汽機時代，美國主導過資訊時代。現在，數字時代的標準正在重塑，誰能突破，誰就能引領全球。技術發展的規律，不會因為某個國家的意願而改變。美國靠行政手段圍堵中國，這終究只能是螳臂當車，只要中國在某個領域實現突破並大規模應用，其他國家自然會選擇相容中國的標準。這就是市場的力量，也是技術進步的必然結果。四、中國科技，壓力下成長說實話，中國晶片產業這幾年過得不容易。技術被卡，裝置被斷，人才被挖。但每次“危機”，都成了倒逼創新的動力。很多晶片企業的工程師，通宵達旦搞研發，實驗室裡一泡就是幾個月。有人說，他們是在用青春和汗水，換中國晶片的一點點進步。其實，這種精神我們並不陌生。從“兩彈一星”到高鐵、5G，再到今天的晶片，中國科技一直都是在壓力中成長。美國可以封鎖技術，但封鎖不了中國人的決心和創造力。所以，對貝森特的發言我只能說：很遺憾，你說了不算！ (宇說人物記)