該晶片項目將在廈門海滄區建設，實施主體為廈門士蘭集華微電子有限公司，建設資金主要由廈門市、廈門市海滄區兩級國資，以及士蘭微籌措。福建廈門總投資額高達200億元的晶片項目浮出水面，該項目將由本土模擬晶片頭部企業士蘭微（600460.SH）“操刀”。10月19日晚，士蘭微發佈對外投資暨簽署相關協議的公告披露：為加快完善公司在半導體產業鏈的佈局，公司與廈門市政府、廈門市海滄區政府於10月18日在廈門市簽署了《12英吋高端模擬積體電路晶片製造生產線項目戰略合作協議》（以下簡稱“《戰略合作協議》”）。為落實《戰略合作協議》，公司、公司全資子廈門士蘭微與廈門國資旗下兩家企業同日簽署了項目投資合作協議。據公告，該12英吋積體電路晶片製造項目規劃總投資200億元，規劃產能4.5萬片/月，分兩期實施。一期項目投資100億元（其中：資本金60.1億元、佔60.1%，銀行貸款39.9億元、佔39.9%）建設主體廠房、配套庫房、110KV變電站、動力站、廢水站、大宗氣站等公用輔助設施以及部分工藝裝置購置，建成後形成月產能2萬片。二期項目規劃投資100億元，在一期基礎上通過購置工藝裝置及配套實施，建成後新增月產能2.5萬片，達產後兩期將合計實現年產54萬片。該晶片項目將在廈門海滄區建設，實施主體為廈門士蘭集華微電子有限公司（以下簡稱“項目公司”或“士蘭集華”），建設資金主要由廈門市、廈門市海滄區兩級國資，以及士蘭微籌措。公告披露，士蘭集華一期項目資本金為60.10億元，本次擬新增的註冊資本為51億元，由士蘭微、廈門士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司（以下簡稱“廈門半導體”）、廈門新翼科技實業有限公司（以下簡稱“新翼科技”）以貨幣方式共同認繳。其中，士蘭微和廈門士蘭微合計認繳15億元，廈門半導體認繳15億元，新翼科技認繳21億元。一期項目資本金中剩餘的9億元，由後續共同引進的相關其他投資方認繳出資。）各方力爭一期項目於2025年四季度拿地、年底前開工建設，於2027年四季度初步通線並投產，2030年達產。二期項目規劃投資100億元，在一期項目的基礎上實施（暫定其中60.1億元為資本金投資，其餘39.9億元為銀行貸款），具體方案需各方在完成相關審批流程後，另行簽署投資協議等相關檔案。據士蘭微方面披露，廈門項目定位於高端模擬晶片領域，具有技術門檻高，設計複雜，對性能、可靠性、功耗要求極嚴苛的特點。目前國內整體模擬晶片市場的國產化率仍然處於較低水平，尤其是高端模擬晶片的國產化仍有較大的成長空間。隨著新能源汽車、大型算力伺服器、工業、機器人、通訊等產業領域未來幾年的快速發展，本項目的投建有利於加快高端模擬晶片的國產化替代。積體電路可分為模擬晶片和數字晶片兩大類，模擬晶片主要用於對電壓、電流、溫度、壓力、光等連續物理訊號進行採集、放大、濾波、轉換和控制，實現真實環境與數字處理的高效銜接，廣泛應用於消費電子、汽車、工業等領域。士蘭微是國內規模最大的積體電路晶片設計與製造一體（IDM）的企業之一，公司主要生產三大類產品，包括積體電路、分立器件產品和發光二極體。2024年，士蘭微積體電路的營業收入為41.05億元，較上年同期增長約31%，其中，電源管理晶片取得較大的進展，在汽車、大型白電、伺服器、高端消費電子等領域推出一批新品。公司積體電路營收中，IPM（智能功率模組）的營業收入達到29.11億元人民幣，較上年同期增長約47%，主要應用於下游家電、工業和汽車客戶的變頻產品。據華創證券、申萬宏源相關研報，全球模擬晶片市場規模2004—2024年20年間的年複合增長率為4.77%，2024年佔半導體銷售額的比例為12.6%。在電源管理類和訊號類模擬晶片產業領域，國內共涉及28家上市公司，2025年上半年彙總的營業收入為182.8億元，同比增長21.1%，增速相對2023年和2024年的0.9%和17.4%也呈現明顯加快的趨勢。從上市公司半年度報告披露的增長原因看，基本都是行業庫存消化基本結束，下游需求開始復甦，其中汽車和工業類的需求改善最為明顯。 (經濟觀察網)

今日，富士康在官網上宣佈，公司正在與輝達合作，推動800伏直流（800V DC）架構落地AI資料中心。這一新架構將首先在高雄K-1人工智慧資料中心項目中實施，該項目作為展示平台，展現公司在AI伺服器、資料中心及可再生能源整合方面的能力。800V直流架構是一種應用於資料中心電源系統的高壓直流架構。據富士康介紹，此架構專為高密度AI工作負載打造，具備模組化與可擴展特性，能顯著降低電流與電阻損耗，減少銅導體用量並簡化電力分配與使用空間，同時提升能源轉換效率與降低總體用電費用。該架構亦支援輝達未來多代GPU平台，為AI伺服器與資料中心提供高效、可靠且可持續的電力基礎，滿足下一階段AI運算需求。為了智算性能，AI工作負載需將GPU儘可能密集部署，形成超萬顆及以上的超大智算叢集，使得在較小空間內功率高達10-100+MW。而當前資料中心供配電體系難以應對未來超高密機櫃部署，需要重構。智算中心超高密機櫃供配電系統與通算資料中心的關鍵區別是超大功率傳輸、動態衝擊，產生對更高電壓制式、更高效率、更高功率密度、抑制動態衝擊保護等方面的關鍵需求。輝達正加快營造高壓直流電源生態，聯合電源解決方案公司、上游零部件供應商推動800V HVDC架構落地。今年5月，輝達宣佈將從2027年起推動資料中心電力基礎設施向800V高壓直流（HVDC）過渡，目標是支援1MW及以上功率密度的IT機架。技術合作方面，輝達與納微半導體聯合開發基於GaN及SiC的800V HVDC電源架構，率先應用於下一代AI資料中心與Rubin Ultra計算平台；供應鏈協同方面，輝達與英飛凌（SiC器件）、台達（電源系統）、維諦技術（直流母線槽）等廠商合作，確保核心元件的供應與技術相容。據《科創板日報》不完全統計，輝達資料中心電氣生態系統中的主要夥伴合作包括：晶片提供商：Infineon（英飛凌）、MPS（芯源）、TI（德儀）、ST（意法）、ROHM（羅姆）、Navitas（納微）；電源系統元件：Delta（台達）、Flex Power（偉創力）、Lead Wealth（領裕/比亞迪）、LiteOn（光寶）、Megmeet（麥格米特）；資料中心電力系統：伊頓（Eaton）、施耐德電氣（Schneider Electric）、維諦技術（Vertiv）。中國公司同樣有望受益此架構落地，此前8月1號，輝達官網更新800V直流電源架構（800V DC）合作商名錄，中國GaN晶片龍頭英諾賽科成唯一入選中國廠商。目前，中國主流為240V/336V HVDC方案，海外800V升級方案尚處於驗證中。據民生證券不完全統計，A股公司中，中恆電氣在互動易中表示，公司積極推動在800V領域的試點應用；科華資料在投關平台上答覆形成面向高功率，高密機櫃的800VDC產品解決方案，同時在科華資料官方公眾號中公佈了其已經交付了1000台和騰訊聯合開發的彈性直流一體櫃；麥格米特在最新一期半年報中提出在伺服器電源領域已推出PowerShelf、BBUShelf、Power Capacitor Shelf、800V/570kW Side Rack等產品。招商證券在研報中表示，中國企業在供電變革中可能有不錯的機會。隨著HVDC的大規模應用，海外傳統櫃外供電廠商（如伊頓、維諦、施耐德）面臨格局重塑風險，較多的研發周期促使它們尋求中國企業代工或合作開發產品，中國公司過去積累的電力電子技術、快速響應能力和優質工程師團隊將成為關鍵優勢，有望通過代工OEM等方式進入海外體系，並獲得優異回報。該機建構議關注：1）HVDC：科華資料、麥格米特、科士達、陽光電源、中恆電氣、盛弘股份、禾望電氣；2）配套：蔚藍鋰芯、思源電氣、江海股份、金盤科技、伊戈爾、四方股份。興業證券表示，資料中心建設需求快速增長背景下，海外電網保供能力捉襟見肘，現場電源的應用必要性顯著提升。新能源在資料中心中的應用，有望推動HVDC滲透率提升和電能質量裝置應用的增加。 (科創日報)

半導體的進步既是工藝製程的進步，也是半導體材料的進步。縱觀新能源汽車和消費電子的發展歷程，第三代半導體憑藉其禁頻寬度極寬、高導熱率等優勢，在推動產業發展中發揮著重要作用。AI時代，第三代半導體也沒有落下——今年5月，輝達宣佈，其下一代800V HVDC架構採用納微半導體的GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化矽技術開發。但技術的演進從來不是簡單的線性替代。在AI時代，一場“逆襲”正在悄然上演。曾經被視為“過渡技術”的第二代III-V族化合物半導體磷化銦(InP)，正重新站到聚光燈下。光晶片龍頭公司Lumentum不久前發佈了最新財報，多項資料超出市場預期，背後的強勁動力就來自光學硬體的強勁需求。2025年第二季度，公司創下EML出貨收入新高，並開始向多家超大規模客戶部署200G通道速率的EML雷射器——這裡提到的EML，即是基於Lumentum磷化銦平台。Lumentum表示，正大力投資磷化銦製造產能，以確保未來幾年供應能夠滿足“預期激增的需求”。高需求預期之下，作出擴產選擇的並不止Lumentum。日本半導體材料商JX金屬7月表示，擬投資15億日元（約合0.73億元人民幣），將其位於日本茨城縣北茨城市磯原工廠的磷化銦襯底產能提高約20%。JX金屬是全球少數幾家磷化銦襯底製造商之一。公司表示，隨著光通訊在AI資料中心資料傳輸中使用規模擴大，公司磷化銦襯底需求也日益增長，預計未來磷化銦襯底的需求將持續走高，公司正在考慮進一步進行投資，並根據需要靈活調整。為什麼是磷化銦？磷化銦是由磷和銦組成的二元半導體材料，是僅次於矽之外最成熟的半導體材料之一，被廣泛應用於生產射頻器件、光模組、LED（Mini LED及Micro LED）、雷射器、探測器、感測器等器件。在過去，磷化銦主要應用於電信裝置和特殊儀器中，產品應用面相對冷門。20世紀80年代，磷化銦首次被用於電晶體中，20世紀90年代，磷化銦被用於電信用電吸收調製雷射器中。但隨著AI熱潮掀起，因磷化銦具有飽和電子漂移速度高、發光損耗低的特點，高度符合AI高速計算需求，能讓資料順利實現高速傳輸，由此成為光晶片上游的關鍵原料，從曾經的冷門產品一躍成為AI產業鏈中最炙手可熱的材料之一。光晶片以光子為載體，通過光波導、調製器、探測器等元件實現超高速、低功耗及大頻寬的資訊處理，核心材料體系以矽基（低成本、CMOS 相容）與磷化銦（高效光源） 協同為主。國信證券指出，矽是理想的光電子整合平台，矽基材料與化合物材料結合有望充分平衡性能與成本。其中，Ⅲ-Ⅴ族材料如磷化銦是高性能雷射器的核心材料，因為這類材料是直接帶隙材料，具備高發光效率。天風證券此前報告認為，AI算力提升浪潮下，金屬材料產業鏈迎來發展新機遇。其中，在資料傳輸層面，磷化銦襯底可被廣泛應用於製造光模組器件，在5G通訊、資料中心等產業迅速發展及AI算力提升的拉動下，有望蓬勃發展。據Yole預測，2019年全球磷化銦襯底市場規模為0.89億美元，2026年全球磷化銦襯底市場規模為2.02億美元，2019-2026年複合增長率為12.42%。資料顯示，中國是全球最大的磷化銦供應國，佔比約六成，之後依序為德國、日本與美國。磷化銦襯底前三大供應商分別是日本住友電工、美國AXT以及法國II-VI；其中，AXT市佔率高達六至七成，主要生產基地位於中國。值得一提的是，日前九峰山實驗室宣佈在磷化銦材料領域取得重要技術突破，成功開發出6英吋磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構雷射器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平。這一成果也是國內首次在大尺寸磷化銦材料製備領域實現從核心裝備到關鍵材料的國產化協同應用。 (財聯社)

近日，輝達與納微半導體(Navitas)展開戰略合作，開發下一代資料中心供電架構，特別是針對輝達未來的高性能計算平台。這項合作聚焦於創新的800伏高壓直流系統，旨在為包括 Rubin Ultra 在內的GPU提供穩定高效的AI算力供電，支援“Kyber系統”等先進AI資料中心基礎設施。納微的氮化鎵和碳化矽技術將在這一合作中發揮關鍵作用。納微半導體首席執行官指出，納微的創新技術正在AI資料中心 等市場中創造新的市場增長點。這項納微輝達合作預計將顯著提升電源效率約5%，並有望將資料中心的維護成本降低高達70%，為AI資料中心電源 帶來革命性的改進。有媒體指出，這代表了資料中心基礎設施領域的重大技術飛躍，特別是在支撐GW級AI計算負載方面，納微的技術將一定程度上大幅提升能效並降低銅材使用量。周三美股盤後，納微股價一度暴漲200%。(雅時化合物半導體)

寒武紀之後，中微半導體又傳來重磅！天眼查APP顯示，近日，中微半導體（上海）有限公司發生工商變更，註冊資本由10億元人民幣增至40億元人民幣，增幅300%。中微半導體（上海）有限公司成立於2020年6月12日，註冊地位於中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區江山路4168號，法定代表人為尹志堯。其控股股東為上市公司中微公司。上周，中微公司亦公佈了年報業績。其2024年歸母淨利雖然有所下滑，但全年營收增長較大，且四季度歸母利潤達到了7億元以上，環比增速亦相當可觀。另外，公司合同負債亦大增超200%，這意味著未來業績增長依然可期，也是國產替代的又一佐證。半導體又有大動作近日，中微半導體（上海）有限公司發生工商變更，註冊資本由10億元人民幣增至40億元人民幣，增幅300%。資料顯示，中微半導體（上海）有限公司成立於2020年6月12日，由科創板上市公司中微公司控股，註冊地位於中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區江山路4168號，法定代表人為尹志堯。值得注意的是，在中微半導體（上海）有限公司大幅增資的同時，4月17日，中微公司曾公告稱，其控股子公司超微半導體裝置（上海）有限公司（以下簡稱“超微公司”）擬增資並引入新股東，增資完成後註冊資本為1.6億元。此次增資超微公司，中微公司擬新增認繳註冊資本5000萬元；嘉興眾闔企業管理合夥企業（有限合夥）（簡稱“眾闔合夥”）擬新增認繳註冊資本1312萬元；尹志堯擬新增認繳註冊資本1000萬元；BEAMVISION擬新增認繳註冊資本653萬元。去年底，中微公司公告稱，其董事長、總經理尹志堯和眾闔合夥擬以增資750萬元的方式投資超微公司。其中尹志堯增資250萬元，眾闔合夥增資500萬元。資料顯示，超微公司系中微公司去年新投資成立的公司，計畫開發電子束檢測裝置。電子束檢測裝置是晶片製造和先進封裝工藝過程良率控制的關鍵裝置，對中國發展以人工智慧為代表的新質生產力至關重要，是中國的短板之一，亟待實現零的突破。種種跡象表明，中微公司正在加大資本投入。而從中微公司的年報來看，國產替代的勢頭明顯。單季度來看，中微公司去年四季度單季營收35.58億元，同比增長60.11%；歸母淨利潤為7.03億元，同比增長12.24%；扣非歸母淨利潤則為5.75億元，同比增長25.53%。另外，截至2024年四季度末公司合同負債為25.86億元，同比增長235.2%。這意味著四季度不但利潤轉好，而且訂單增加。開源證券認為，隨著中微公司裝置高端化與平台化戰略逐步起效，該公司市場空間與盈利能力同步提升，有望在未來為業績增長做出貢獻。國產替代空間較大根據SEMI資料，2024年全球半導體裝置市場規模達到1170億美元，同比增長10.2%，創歷史新高。從區域來看，中國大陸、韓國和台灣仍然是半導體裝置支出的前三大市場，2024年全球份額分別為42.3%、17.5%、14.1%。中國大陸繼續加大資本開支，2024年裝置支出達到了495.億美元，同比增長35.4%。根據CINNO資料，2024年全球半導體裝置商TOP 10營收合計超過1100億美元，同比增長約10%。2024年全球前五大半導體裝置廠商排名無變化，分別為ASML、AMAT、LAM、TEL、KLA；從營收金額來看，2024年前五大裝置商的半導體業務的營收合計近900億美元，約佔TOP 10營收合計的85%。北方華創作為TOP 10中唯一的中國大陸半導體裝置廠商，2023年首次進入全球TOP 10，2024年排名由第八上升至第六。國聯民生證券表示，4月9日，川普政府的“對等關稅”政策正式生效。晶片行業的關稅充滿了不確定性，美國對於中國晶片行業的制裁愈發嚴厲，一方面對美系廠商的出口造成不利影響，另一方面或加速國內半導體行業的自主可控。半導體裝置作為晶片行業的基石，國產替代進展直接關係國內晶片產業的發展，半導體裝置行業有望率先完成美系廠商的替代。目前，美系裝置廠商收入成長嚴重依賴中國大陸市場。2020年至今，美系半導體裝置廠商對中國大陸的銷售規模持續提升。2024財年AMAT、LAM、KLA對中國大陸的銷售規模佔比分別達到37%、42%、43%。從替代規模來看，2024財年三大美系廠商在中國大陸銷售規模超過200億美元，國產半導體裝置的成長空間較為廣闊；從替代可能性來看，國產裝置已具備成熟製程大部分環節的國產替代，並有望加速先進製程替代。 (券商中國)

儘管過去的2024年全球半導體市場的割裂還在繼續，但地緣政治的不確定性無法阻擋全球半導體市場的復甦。根據市場調研機構Counterpoint的資料，2024年全球半導體市場（包含儲存產業）營收同比增長19%，達到6,210億美元。這表明在經歷了2023年市場低迷之後，全球市場正在快速回升之中。同時，全球半導體裝置市場正式步入上升通道，其中最為關鍵的因素在於中國購買半導體裝置的金額大幅上升。根據CINNO Research資料，2024年全球十大半導體裝置供應商的總收入將超過1100億美元，年增長率約為10%。而根據國際半導體產業協會（SEMI）資料，2024年中國在全球半導體裝置支出保持領先地位，達到500億美元；也就是說2024年中國購買了全球將近一半的半導體裝置。但根據CINNO IC Research近期公佈的2024年全球半導體裝置製造商排名資料：2024年，五大裝置供應商的半導體業務總營收接近900億美元，佔前十大廠商總營收約85%。其中，作為全球唯一EUV光刻機供應商的ASML以營收超過300億美元（282.6億歐元，約合304.98億美元）排名第一；也就是說ASML2024年銷售額佔據了全球近30%；應用材料營收約250億美元，排名第二；泛林集團、Tokyo Electron（TEL）和KLA（科磊）分別佔據第三、第四和第五位置。具體如下：也就是說，當前全球半導體裝置依然是一個巨頭壟斷的市場，所幸隨著國產半導體市場的發展，以北方華創、中微半導體、盛美上海為代表的國產半導體裝置廠商正迅速崛起。尤其是國產半導體裝置龍頭——北方華創，以將近300億元的營收，從2023年的全球第八，爬升到2024年的全球第六。而且，從2021年至2024年，北方華創營收增長率分別為59.90%、51.68%、50.32%、25.00%—43.93%。但相比排名全球第五的美國的科磊差距依然巨大。根據科磊財報，該公司2024年營業收入為108.48億美元（約合人民幣786.52億元）。而國產半導體裝置另一巨頭——中微半導體，2024年雖然尚未進入全球前十，但2026年或將首次躋身全球前十。目前排名第十的Disco，2024年營收為3075.54億日元，約合人民幣150.61億元，同比增長32.00%。作為對比，中微公司2024年營業收入為90.65億元，同比增長44.73%。兩者看似差距不小，但從近期中微半導體公告可知，其新裝置的需求正在急劇增長，而且據說2024年新增訂單在110-130億元之間。因而，在近2-3年之內趕超Disco並非不可能。當然，無論是北方華創或是中微半導體的高速增長主要來源於中國龐大的市場規模，根據國際半導體產業協會（SEMI）最新的資料預測，2025年中國半導體裝置支出較2024年的500億美元峰值有所下降，但仍將保持全球半導體裝置支出的領先地位，預計今年支出將達到380億美元。而且SEMI預計，2026年晶圓廠裝置支出將增長18%，達到1300億美元。這主要得益於人工智慧需求的暴漲，推動了全球高性能計算（HPC）和資料中心的擴張；而中國是這一輪人工智慧浪潮的主要參與者和主導者之一，也是全球最大的人工智慧應用市場。因此，在中美之間的“科技戰”不斷升級，尤其美國對中國半導體行業實施越來越嚴格的出口管制措施的情況下，國產替代與自主研發成為不得已的選擇，同時國產半導體產業尤其是國產半導體裝置將獲得前所未有的發展機遇。 (飆叔科技洞察)

該款光刻膠產品對標國際頭部企業主流KrF光刻膠系列，業內人士認為，其對標產品是“很常用的膠”，門檻不算高。 光刻膠產業化再度傳出利多。 據東湖國家自主創新示範區官網今日（10月15日）消息，近日武漢太紫微光伏科技有限公司（下稱“太紫微公司”）推出的T150 A-光刻膠產品，已通過半導體工藝量產驗證，實現配方全自主設計。 該產品“對標國際頭部企業主流KrF光刻膠系列。相較於國外同系列產品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現出的極限解析度達120nm，且工藝寬容度更大，穩定性更高，堅膜後烘留膜率優秀，其對後道刻蝕工藝表現更為友好，通過驗證發現T150 A中密集圖形經過刻蝕，下層介質的側壁垂直度表現優異”。