#玻璃基板TGV
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玻璃基板技術重大突破，原本半天起步的工序壓縮到分鐘等級

快要大規模化了 韓國媒體The Elec報導，韓國玻璃基板廠商JNTC（제이앤티씨）近日宣佈，已成功開發出大幅提升玻璃通孔（TGV）銅填充速度的核心技術。這項技術將原本需要半天到一天的填充時間壓縮至分鐘等級，美國主要半導體客戶的產品驗證也已完成，計畫從明年起啟動玻璃芯量產供應。 TGV技術是在玻璃上形成微細通孔並填入銅，以實現基板上下層電氣連接的關鍵工藝。 玻璃基板是先進封裝的下一代載體。相比有機基板，它更平整、熱膨脹係數更低、剛性更高，能減少大尺寸封裝翹曲。它支援更細線路和更高密度互連，適合Chiplet、HBM與AI晶片，可提升訊號完整性、能效和封裝尺寸上限。簡單說，它讓晶片封裝更大、更密、更穩、更快。
玻璃基板技術重大突破，原本半天起步的工序壓縮到分鐘等級
科技#玻璃基板TGV#JNTC#博通
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輝達要求提速！京東方玻璃基板明後年量產

TrendForce 9 月 23 日引述多家韓媒報導稱，面板與基板廠商正集中加碼玻璃基板。推動力來自需求端，NVIDIA 已要求基板供應商加快開發，玻璃基板的採用時點可能提前到 2028 年之前。 京東方：從 10:1 到 15:1 據 ZDNet，京東方在 IPC 2026 上發佈了其首款深寬比 15:1 的玻璃通孔（TGV）玻璃芯基板，此前公開指標為 10:1。該基板厚度 1 毫米，TGV 孔徑 67 微米，採用 24 層積層結構。京東方稱，玻璃芯基板、玻璃中介層、玻璃載板三條產品線已投入開發三年。 量產節奏上，據 IT Home，京東方董事長陳炎順在會上表示公司已準備投資量產線，目前完成 24 層、尺寸超過 100×100 毫米樣品的開發，廠內信賴性測試通過，正與客戶用真實 CPU 和 GPU 做伺服器級驗證。目標是 2027 年上半年達到量產投資決策條件。Aju News 判斷，全面量產不會早於 2028 年。
輝達要求提速！京東方玻璃基板明後年量產
科技#玻璃基板#TGV#TCL 華星
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台積電玻璃芯CoPoS的三種封裝方案

IEEE EPS SCV會議上，Unimicron公司的John Lau闡述了玻璃可以融入堆疊結構的不同位置：中介層、基板或橋接式中介層下方。 以下是台積電CoPoS的三種可能結構： - 有機基板上的玻璃TGV中介層。 - 玻璃芯基板上的矽TSV中介層。
台積電玻璃芯CoPoS的三種封裝方案
科技#台積電#玻璃基板#TGV
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三星推出150mm x 150mm 超大尺寸30層介質堆疊的玻璃芯基板

三星在從KPCA Show 2026現場展示面向AI晶片封裝基板的的Glass-Core Package Substrate（玻璃芯封裝基板） 一、 展位結構與實物展示（圖1分析） 三星玻璃基板的樣品展示櫃（Display Box）及主題看板： Glass Core（玻璃芯裸板）：展示了完成 TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）加工的裸玻璃基板，可以看到均勻分佈的雷射微孔陣列。
三星推出150mm x 150mm 超大尺寸30層介質堆疊的玻璃芯基板
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SPEA填銅新工藝取得突破，TGV玻璃基板量產良率迎來提升契機

近日，韓國先進封裝企業Kools正式對外發佈SPEA（Self‑Propagating Electrode Architecture，自蔓延電極）底部向上填銅新技術，有望破解長期困擾行業的高深徑比TGV通孔電鍍空洞難題，為大板級玻璃基板產業化再添一塊重要拼圖。該技術將於8月27日在韓國水原舉辦的CPO與先進封裝產業論壇做完整公開報告，引發全球算力封裝產業鏈高度關注。 傳統電鍍方案痛點突出，良率長期制約商業化 當前TGV（玻璃通孔）基板最主要的工藝卡點已經不再只是雷射打孔，而是通孔金屬化與填銅環節。傳統的全孔側壁電鍍模式，電流從基板兩端匯入，高深徑比微孔內部電場分佈極不均勻。行業公開測試資料顯示，當通孔深徑比達到20∶1時，常規電鍍方案完整填孔良率普遍僅62%‑71%，孔內容易形成2‑8μm尺寸的空洞缺陷。空洞不僅降低導電性能，在‑55℃～125℃熱循環可靠性測試中，銅與玻璃熱膨脹係數差異還會造成應力集中，經過500次循環後，樣品失效機率可達27%以上。 大板級（600×600mm以上）面板級封裝路線，單塊基板TGV通孔數量可達數十萬顆，只要少量通孔出現填孔不良，整塊基板就會報廢。有測算顯示，如果填孔良率停留在75%附近，玻璃基板綜合製造成本將比傳統有機載板高出120%以上，難以實現商業化落地。長期以來，國內京東方、長信科技、沃格光電、鑫景等企業搭建試點線時，同樣遇到電鍍良率不穩定的共性難題，填銅工藝被視作必須自主攻關的關鍵環節。
SPEA填銅新工藝取得突破，TGV玻璃基板量產良率迎來提升契機
科技#玻璃基板#TGV#SPEA填銅
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500億獅城建廠、15%全球市佔：日本玻璃基板三強掀起“封裝革命”

玻璃基板，日本三強蓄勢待發！Toppan砸500億日元獅城建廠，DNP搶跑2026年初送樣，AGC坐擁15%全球市佔率，已供貨台積電。百億賽道韓日對決升級，誰將主宰下一代封裝命脈？ 技術先驅：Toppan（凸版印刷） Toppan將印刷微細加工技術跨界移植到半導體封裝領域，2026年7月石川工廠試驗線投產在即，主攻510mm×515mm玻璃芯封裝與共封裝光學（CPO）基板。公司計畫在新加坡砸500億日元建廠，核心客戶為美國博通——博通甚至可能為其產能擴張提供資金支援。Toppan目標2027財年基板將目標產能提升至2022年的150%。 穩健追趕者：DNP（大日本印刷）
500億獅城建廠、15%全球市佔：日本玻璃基板三強掀起“封裝革命”
科技#玻璃基板#TGV#日本
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國際簡訊：華為領銜、英特爾落地，本周玻璃基板TGV賽道迎來“核聚變”時刻

小編帶你們速覽玻璃基板本周國內外的最新資訊，本周（8月3日-8月6日）玻璃基板領域熱度持續升溫，核心動態集中在資本市場反應熱烈與產業鏈商業化處理程序加速兩方面。 資本市場：概念股表現活躍 ·沃格光電3連板：8月6日，沃格光電（603773）實現3連板，紅星發展、凱盛科技、彩虹股份等跟漲。 · 上漲催化劑：直接驅動因素是中信證券8月3日研報，指出玻璃基板有望解決先進封裝瓶頸，進入加速放量階段。
國際簡訊：華為領銜、英特爾落地，本周玻璃基板TGV賽道迎來“核聚變”時刻
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玻璃基板+TGV，開啟 CoPoS 先進封裝新時代

AI 大模型與超算算力需求的爆發式增長，正在將半導體先進封裝推向技術變革的臨界點。傳統晶圓級 CoWoS 封裝在尺寸上限、材料利用率、高頻性能上逐步逼近物理瓶頸，以玻璃基板為核心載體、TGV（玻璃通孔）為垂直互連核心的 CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate，面板級封裝）技術快速崛起，推動先進封裝從 “圓形晶圓時代” 邁入 “方形面板時代”，成為支撐 Chiplet 異構整合與 HBM 高頻寬儲存的關鍵技術。 從 CoWoS 到 CoPoS，封裝形態的 “化圓為方” 過去數年，以台積電 CoWoS 為代表的 2.5D 晶圓級封裝，成為算力晶片的標配技術。但隨著單顆 AI 晶片整合的電晶體數量突破千億級、HBM 堆疊層數向 12-16 層演進，封裝尺寸持續擴張，傳統 300mm 圓形矽晶圓的短板日益凸顯。圓形基材切割方形晶片天然存在邊角浪費，面積利用率僅約 65%；受光罩尺寸限制，單顆封裝最大面積逼近 9.5 倍光罩的物理天花板；高純矽中介層成本居高不下，單片成本已佔封裝總成本的一半以上。 CoPoS 技術的核心思路是，將封裝載體從圓形矽晶圓取代為大面積矩形面板，實現封裝產能與尺寸的提升。根據行業公開技術路線，CoPoS 面板規格覆蓋 310×310mm、515×510mm 至 750×620mm 多個檔位，最大面板的可利用面積是 12 英吋晶圓的 5-8 倍，材料利用率可提升至 90% 以上，單位封裝成本降低 20%-30%。
玻璃基板+TGV，開啟 CoPoS 先進封裝新時代
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