十幾年年前,當 NAND 快閃記憶體跨入 3D 時代,人們看著32層、48層的晶片結構,驚嘆於工程師在微觀世界蓋起的高樓。而今天,三星、SK海力士、美光等巨頭已經在 300層的雲端激烈廝殺。然而,這遠遠不是終點。行業內開始流傳一個近乎瘋狂的數字——1000層。
在一塊指甲蓋大小的矽片上,垂直堆疊上千層原子級薄膜,並在其中穿透數以百億計、長徑比極其誇張的“摩天大樓”通道。這聽起來像是一部科幻小說,但在摩爾定律逐漸失效的今天,它正成為全球儲存半導體巨頭們心照不宣的終極底牌。
把快閃記憶體堆到1000層,到底需要經歷怎樣的“微觀基建”狂魔式改造?我們來看一下三星和閃迪在VLSI 2026上的分享。
三星的1000層NAND演進