7/8(三)【崩盤警告】融資大減夠了嗎？ 千檔下跌！斷頭多殺多！這件事快做！ 今天解盤超精彩 近期Semianalysis發出好多利空

最近市場對 AI 的情緒有點分裂。從Meta的鬼故事開始，AI硬體就高位震盪，昨晚看似反彈，但力度有限，整體高開低走，一邊是越來越多人開始問：AI 是不是已經到頭了？估值是不是只剩泡沫？ Sir這兩天深度研讀了高盛7月1日發布的一篇關於AI發展如何影響經濟的研報，並且Sir也去回看了上一輪技術革命（1980 到 2000 年的資訊與通訊技術（ICT）浪潮），發現技術進步對宏觀的影響，從來就不是一蹴而就的，從技術突破到生產率紅利，本來就慢，而這個過程中，有很多值得挖掘的機會。 一、ICT的教訓：生產率繁榮遲到了15年 個人電腦 1981 年商業化，但真正的生產率繁榮要到 90 年代下半段才出現。回看歷史，就是一條J 型曲線：ICT 投資增加後的前 4 年，對可測生產率甚至是輕微拖累，在這個階段，最受益的就是硬體裝置，道理也很簡單，工欲善其事，必先利其器；但是有了裝置之後，行業業績也不會短期內馬上改善，正效應要等到大約 8 年後才在統計上顯著，到第 12 年見頂，高點約 +0.6 個百分點。

本文內容基於《MS-CPO 供應鏈更新，深度解讀玻璃橋技術》（英文標題：CPOSupply Chain Updates; More on GlassBridge）整理，報告發佈機構：摩根士丹利，發佈時間：2026 年 7 月 5 日。本文僅作產業資訊交流與學術研究參考，不構成任何投資建議。文中所有觀點均來自原報告，不代表本公眾號立場。市場有風險，投資需謹慎。 GlassBridge 能不能掀翻 FAU 現有格局 摩根士丹利這份剛出的 CPO 供應鏈調研，把最近行業裡討論很多的 GlassBridge 技術掰得很透。核心結論很明確：這是個有長期潛力的技術路線，但距離大規模量產還有很遠的距離，短期根本動搖不了現有 FAU 供應鏈的基本盤。反而 CPO 本身的產業化進度比很多人預想的要紮實，台積電的 PIC 產能、晶圓測試效率都在按節點推進，2026 年下半年就能看到首批規模交付。 GlassBridge 的本質不是下一代 FAU 是全新的連接架構

7/7(二)【崩盤警告】台股破線！斷頭多殺多再跌三千點→持股調整趕快做！ 我們今天減碼操作 原因破支撐＋去槓桿 請鎖定節目的教學

深圳的底牌不是你看到的那些 深圳這個地方,外界盯著的永遠是騰訊、華為、比亞迪這些巨頭,盯著南山那一堆寫字樓,盯著前海那片填出來的地,但這些都只是表面,真正讓國家押注深圳的東西,不在這些已經擺在檯面上的牌,而在一個很多人根本沒注意到的方向,一個藏在產業鏈最深處、最不起眼、但最致命的環節。 這個東西叫半導體製造裝備,聽起來冷冰冰,但它是整個晶片產業的咽喉,是那種你不掌握就永遠被人卡脖子的東西。全球能做高端光刻機的只有荷蘭ASML一家,能做刻蝕機、薄膜裝置的也就那麼幾家美日企業,這些裝置不賣給你,你就算有再多錢、再多工程師,晶片產業鏈都是空的。而國家現在在深圳布的局,就是要在這個領域撕開一道口子。 為什麼是深圳在幹這件事

這份報告發佈於2026年7月2日，由高盛（亞洲）的分析師團隊撰寫，主題是“AI與中國半導體：產能擴張驅動增長，上調長電科技、華峰測控、華海清科目標價”。 核心論點與行業背景 整體觀點積極：高盛對中國半導體裝置（SPE）和半導體材料類股持建設性（看好）態度。 主要驅動力：先進節點產能擴張和生成式AI（人工智慧）趨勢是主要推動力。這兩者將共同促進中國半導體生態系統的發展。

7/6(一)台股盤中驚天急殺！PCB、被動、高價股爆量長黑→千萬別做這件事！ 驚為天人 讚嘆不已 領先＝開心暴賺

7 月 3 日華為何庭波正式發佈韜（τ）定律 V2 完整版論文，相比 V1 僅搭建理論框架，新版補齊麒麟 2026 量產實測資料、邏輯折疊標準化工藝參數、靈衢統一匯流排、Hi-ONE 近封裝光互連完整工程方案，同時給出 2026-2035 麒麟、昇騰十年迭代路線圖，正式確立以時間縮微替代幾何縮微的中國國產半導體升級路線。論文核心邏輯：傳統摩爾定律依靠縮小電晶體尺寸提升性能，而 τ 定律以訊號傳輸時延 τ 為核心最佳化目標，不靠 EUV 先進光刻，依託邏輯折疊 3D 堆疊、混合鍵合、統一高速匯流排、近封裝光互連四大支柱，在成熟製程下實現電晶體密度提升 55%、同等性能功耗下降 41%，覆蓋手機、AI 算力、車載全場景晶片迭代。整套技術路線自上而下重構產業價值分配，先進封裝、互連晶片、封裝材料、儲存、光通訊、EDA、散熱特氣全鏈條迎來長期擴容，下文緊扣論文原文技術指標、硬性工藝標準，分層拆解具備華為供應鏈驗證、業績可兌現的 A 股核心投資標的。 一、第一梯隊：先進封裝（邏輯折疊唯一物理載體，確定性最強） V2 論文明確 Logic Folding 邏輯折疊是整套 τ 定律的核心電路層創新，提出全新 “齒比（Gear Ratio）” 工藝標準，指出只有1.5μm 超細間距銅銅混合鍵合、0.5μm 以內對準精度、2.5D 矽中介層，才能實現單元級垂直折疊；傳統粗間距鍵合僅能做到宏塊分層，無法實現論文測算的 53.5% 電晶體密度提升、布線總長縮短 30%、時鐘偏移下降 25% 的性能收益。論文同時給出十年演進路徑：2026 年雙層邏輯折疊商用，2029 年三層有源層堆疊，2035 年四層以上堆疊普及，TSV 矽通孔、晶圓減薄、高密度 Bumping 將成為長期剛需工藝，整套邏輯折疊的落地完全依託先進封裝產線，是 τ 定律落地的物理根基。 盛合晶微（688597）論文通篇將 2.5D 矽中介層列為邏輯折疊底層必備載體，該公司是中國唯一大規模量產高密度矽中介層廠商，華為哈勃直接持股，適配論文 1.5μm 超細間距混合鍵合配套 Bumping 方案，麒麟 2026 雙層折疊晶片中段加工獨家供貨。隨著未來多層有源層堆疊迭代，中介層面積、布線密度要求持續抬升，公司產能持續爬坡，直接承接邏輯折疊帶來的增量訂單，業績彈性行業第一。