距離2nm製程量產還有一年左右的時間，當下，對於台積電、三星和英特爾這三大玩家來說，都進入了試產準備期，新一輪先進工藝市場爭奪戰一觸即發。

經過多年的技術積累、發展和追趕，在工藝成熟度和良率方面，三星、英特爾與台積電的差距越來越小了，在2nm時代，台積電依然佔據優勢地位的局面可以預見，但與5nm和3nm時期相比，市場競爭恐怕會激烈許多。

在發展2nm製程技術方面，台積電、三星和英特爾既有相同點，也有不同之處，總體來看，台積電相對穩健，英特爾相對激進，三星則處於居中位置。

該晶圓代工龍頭的2nm製程將包括N2、N2P和N2X三個版本，預計2025下半年開始量產其第一代GAAFET N2節點晶片，2nm的下一個版本N2P將在2026年底量產。與英特爾不同，台積電的這兩個版本2nm工藝沒有使用背面供電技術，不過，整個N2系列將增加台積電新的NanoFlex功能，該功能允許晶片設計人員在同一模組中匹配來自不同庫（高性能、低功耗、不同面積）的單元，以提高效能或降低功耗。

為了控製成本，台積電將使用GAAFET電晶體架構，而不是傳說中的互補式場效應電晶體（CFET）。

台積電的3nm工藝已經支援一種稱為FinFlex的功能，它也允許設計人員使用來自不同庫的單元，不過，N2依賴於GAAFET納米片電晶體，使NanoFlex提供了一些額外的控制能力，可以最佳化性能和功率的通道寬度。

與N3E相比，台積電預計N2在相同功率下可將效能提高10%~15%，或在相同頻率和複雜度下將功耗降低25%~30%。

N2之後將是性能增強型N2P，以及2026年的電壓增強型N2X。儘管台積電曾表示N2P將在2026年增加背面供電網路（BSPDN），但看起來情況並非如此，N2P將使用常規供電電路，具體原因尚不清楚。

N2仍有望採用與電源相關的創新，也就是超高性能金屬絕緣體金屬（SHPMIM）電容器，這種電容器可以提高電源穩定性，SHPMIM電容器的容量密度是台積電現有超高密度金屬絕緣體金屬（SHDMIM）電容器的兩倍多。

三星也將於2025年量產2nm（SF2）製程晶片，然後於2026年採用背面供電技術。與3nm工藝（SF3）相比，三星的2nm工藝性能提升12%，功率效率提升25%，面積減少5%。

相對於台積電而言，三星公佈的2nm製程工藝技術細節不多，不知道量產時是否會有什麼大招放出。

2024年初，在發佈其“四年內五個節點”計畫（稱為“5N4Y”）時，英特爾介紹了其20A（2nm級）工藝技術，該工藝計畫在2025年初投入生產。

據悉，英特爾的20A引進了RibbonFET GAA電晶體和PowerVia背面供電技術，而之後的升級版本18A將改進這兩種技術。該公司是背面供電技術的積極倡導者，並且在不斷改進，因此，預計英特爾也將在2nm製程技術領域有較多創新。

英特爾將比台積電早兩年使用背面供電技術，此外，在使用GAA電晶體架構方面，也比台積電早一年半的時間。但是，是否可以將這些新技術轉化成實實在在的量產優勢，關鍵還是要看英特爾能否將PPA（效能、功耗、面積）最佳化到位。

2024年3月，三星電子通知客戶與合作夥伴，宣佈將新版第二代3nm工藝改名為2nm。三星稱，該工藝將在今年底量產。

一位IC設計業內人士表示：「我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3nm流程更名為2nm。我們去年與三星電子代工廠簽訂的第二代3nm流程合約也將更名為2nm，因此，我們需要在不久的將來重寫合約。

有業內人士表示，三星第二代3nm製程減小了電晶體尺寸，很大程度是為了滿足行銷的需求。

台積電在IEEE國際電子元件會議（IEDM）上揭露，將繼2nm後，推出1.4nm工藝，延續將2nm正式命名為A20的做法，1.4nm被命名為A14，預計2027~2028年量產。

三星緊追台積電不放，宣佈規劃2027年量產1.4nm製程。

英特爾對過程的命名則一改多年前的“倔強”，不再固守摩爾定律的絕對規範，而是考慮到更多的商業化拓展需求，讓工藝節點聽起來更接近市場和客戶習慣。因此，該公司CEO基辛格在主持英特爾創新日台北場時重申，Intel 7已進入量產階段，Intel 4現已量產準備就緒，Intel 3也將按計畫於今年底推出。他在現場展示了以Intel 20A試產出的晶圓，預計將用於2025年推出的Arrow Lake處理器，Intel 18A也將預計在2025下半年進入量產階段。

目前，對於5nm及以下的先進工藝工藝，出現了越來越多的“數位遊戲”，這也是競爭壓力下的產物，由於台積電的先進工藝在業內深入人心，要想提升競爭力，獲得更多市場份額，就不得不順應市場需求和客戶習慣，才有助於拓展市場空間。

2025年是2nm製程量產元年，真正的較量恐怕會出現在2026年。對於台積電、三星、英特爾，以及日本的Rapidus來說，依然需要解決各自的問題，才能將量產工作鋪開。

International Business Strategies（IBS）的分析師認為，與3nm處理器相比，2nm晶片成本將成長約50%。

IBS估計，一個產能約為每月50,000片晶圓（WSPM）的2nm產線的成本約為280億美元，而具有類似產能的3nm產線的成本約為200億美元。增加的成本，很大一部分來自於EUV光刻裝置數量的增加，這將大大增加每片晶圓和每個晶片的生產成本，而能夠接受如此高成本晶片的廠商，只有蘋果、AMD、輝達和高通等少數幾家。

IBS估計，2025~2026年，使用台積電N2工藝加工單個12英吋晶圓將花費蘋果約30000美元，而基於N3工藝的晶圓成本約為20000美元。

隨著對AI處理器需求的增加，輝達在台積電收入中的份額會在2024年增加，該公司已經預訂了台積電晶圓代工和CoWoS封裝產能，以確保其用於AI的優質處理器的穩定供應。今年，AMD在台積電總收入中的份額預計將超過10%。

正是有蘋果、輝達、AMD等大客戶下單，台積電才會大規模投資最先進過程，否則，像2nm這樣燒錢的製程產線，是很難持續支撐下去的。但是，就目前的情況來看，台積電對2024全年的晶圓代工市場預判較為保守，認為之前的預估過於樂觀了，之前預估該行業年增長20%左右，現在看來，增長率可能只有10%左右。在這種情況下，雖然有大客戶的訂單，也必須控制一下成本和資本支出了。

目前，台積電正在全方位的控製成本，包括EUV裝置的支出，電能的節省等。雖然在2nm製程成本方面，其它幾家廠商也會面臨成本問題，但為了追趕台積電，三星和英特爾似乎在成本方面沒有台積電那麼敏感。另外，由於台積電要在美國新建至少兩座先進製程晶圓廠，這給它帶來了許多額外的成本壓力。因此，台積電的2nm製程產線必須精打細算。

對於晶圓代工來說，良率非常重要，它直接影響生產成本和客戶認可。

自從進入5nm製程時代以來，良率一直是三星晶圓代工業務所面對的最大問題，特別是在3nm製程節點上，三星率先引入了全新的GAA架構電晶體，與以往使用的FinFET電晶體有較大區別，也使良率問題進一步放大。

據Notebookcheck報導，三星的3nm工藝良率在50%附近徘徊，仍有一些問題需要解決。三星2023年曾表示，其3nm工藝量產後的良率已達到60%以上，不過，現在看來，當時過於樂觀了。

今年2月，據韓媒報導，三星新版3nm工藝有重大問題，試產晶片均有缺陷，良率為0%。報導指出，採用3nm工藝的Exynos 2500晶片因缺陷未能通過品質測試，導致後續Galaxy Watch 7的晶片組也無法量產。報導指出，由於Exynos 2500晶片試產失敗，三星推遲了大規模生產，目前，尚不清楚是否能夠及時解決良率問題。

為了追趕台積電，三星的3nm製程工藝採取了比較激進的策略，主要體現在GAA電晶體架構上，台積電的3nm仍採用FinFET。 2nm才會轉向GAA電晶體，激進的結果就是在良率方面付出一些代價。

如果3nm的良率問題無法解決，2nm恐怕會出現同樣的問題。

對於晶圓代工業新進業者，英特爾面臨的最大問題當然是客戶認可度，特別是像2nm這樣先進的工藝工藝，對於在10nm以下晶圓代工市場鮮有量產經驗和出貨量的廠商來說，在與台積電和三星的競爭中，如何搶奪客戶，特別是有較大出貨量需求的客戶（2nm成本很高，若出貨量小，根本不可能獲利），是一大挑戰。

日本Rapidus晶圓廠的2nm製程工藝源自IBM。 Rapidus派遣工程師前往IBM在紐約的奧爾巴尼納米技術中心進行研發，並與IBM以外的合作夥伴合作開發2nm工藝，目標是在2020年代後期進行大規模生產。

與英特爾類似，Rapidus是晶圓代工業的新進者，大規模生產工藝研發是從零開始的，客戶認可度是一大挑戰。

假設已經投資Rapidus的豐田汽車、電裝、NTT、IBM等公司將他們需要的先進製程晶片交由Rapidus代工生產，但是，這些廠商能有多少2nm製程晶片需求？而將先進製程晶片外包給台積電、三星等晶圓代工廠的客戶，如蘋果、高通、AMD、輝達和聯發科，才是出貨量大戶，他們能否選擇Rapidus，關鍵在於這些大客戶能夠充分理解並認可Rapidus的工藝水平，以及所創造的附加價值，如果不能的話，他們很難將訂單從台積電和三星那裡轉出。

另外，僅僅在奧爾巴尼學到了IBM的2nm工藝，並不意味著可以直接將其應用於Rupidus晶圓廠的大規模生產，有很多任務程問題需要解決，這不是一朝一夕的事情。

還有一個問題是Rapidus能獲得多少EUV裝置，這對2nm製程晶片量產至關重要。 ASML在2022年的EUV光刻裝置出貨量約為55台，2023年的產能提高到60台以上，到2025年可達到90台左右。但是，隨著製程工藝的特徵尺寸小越來越小，EUV光刻的層數會持續增加，其它幾家晶圓廠會持續爭奪EUV裝置，Rapidus能得到多少呢？

據韓媒報導，台積電總裁魏哲家沒有出席23日在台北舉行的台積電2024年技術論壇，是因為他前往歐洲秘密訪問ASML荷蘭總部和德國工業雷射大廠TRUMPF。

為了衝刺先進製程晶圓代工，英特爾已成為ASML首台最新型High-NA EUV（高數值孔徑EUV光刻機）的買家。台積電高層原本表示，其2nm和A16製程節點並不需要High-NA EUV，因為它太貴了。但據BusinessKorea報導，台積電總裁魏哲家這次秘密飛往荷蘭，是與ASML商討EUV裝置事宜。

雖然魏哲家的訪歐行程是保密的，但ASML新任CEO富凱（Christophe Fouquet）和TRUMPF公司CEO卡穆勒（Nicola Leibinger-Kammüller）都在社群媒體上曝光了魏哲家到訪的消息。富凱直言，ASML向魏哲家介紹了該公司的最新技術和產品，包括High-NA EUV裝置將如何實現未來半導體的微製程工藝技術。

這可以從一個側面反映出台積電、英特爾和三星爭奪新一代光刻裝置的競爭在升溫，2nm及以下先進製程的競賽已經開打。  （半導體產業縱橫）

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