近日,記憶體晶片行業迎來重要動態,SK海力士正積極推進一項面向端側人工智慧(AI)領域的新型記憶體技術——3D堆疊DRAM,並已啟動相關工程師的招聘工作,同時與美國客戶攜手開展晶片方案的聯合設計。
3D堆疊DRAM技術的核心創新在於,它將DRAM直接堆疊在邏輯晶片之上。相較於傳統的PoP封裝方式,這種設計能夠大幅縮短晶片之間的連接距離,增加資料傳輸通道的數量。由此帶來的直接效果是頻寬顯著提升、延遲大幅降低,同時還能最佳化功耗表現並提高空間利用率,為端側AI裝置提供更高效的記憶體解決方案。
從SK海力士發佈的招聘資訊中可以發現,該公司目前正在美國聖何塞招募3D堆疊DRAM-on-Logic設計工程師。這些工程師的主要職責是與美國客戶緊密合作,主導相關邏輯晶片的聯合設計工作,以確保新型記憶體技術能夠更好地滿足客戶需求。
業內人士分析指出,SK海力士的這一舉措表明,其已不再侷限於前期的技術儲備階段,而是開始為技術的實際落地應用提前佈局。端側AI裝置對記憶體性能提出了更為嚴苛的要求,隨著生成式AI逐步滲透到智慧型手機、可穿戴裝置、機器人等終端裝置中,本地運行AI模型需要更高頻寬、更低功耗以及更緊湊的晶片方案,傳統的封裝方式已經難以滿足這些日益增長的需求。