隨著人工智慧與大語言模型對高性能、低功耗晶片的需求激增，傳統矽基電晶體微縮逼近物理極限，二維半導體材料被視為後摩爾時代的重要候選技術。中國科學家近日在二維半導體晶圓級生長領域取得重要進展，開發出生長速度提升1000倍的新方法，為產業應用奠定基礎。然而，技術路線中“缺p型”材料的瓶頸，仍是制約亞5奈米節點二維晶片發展的核心難題。二維半導體通過摻雜可形成n型（電子導電）和p型（空穴導電）兩種材料，二者需配對構成電晶體。當前，二硫化鉬、二硒化鉬等n型二維半導體較為豐富，但高性能且穩定的p型二維半導體極為稀缺。國防科技大學研究員朱夢劍在《科技日報》的報導中指出：“晶片中的電晶體需要n型和p型材料配對工作。高性能p型材料的缺乏，已成為亞5奈米節點二維半導體發展的關鍵瓶頸，也是國際科技前沿的激烈競爭領域。”二維半導體具有原子級厚度、無懸掛鍵表面和優異的柵控能力，可在極短溝道長度下抑制短溝道效應，有望延續摩爾定律。此次中國團隊在生長速率上的突破，為大規模、低成本製備高品質二維晶圓提供了可行路徑。然而，從材料生長到器件整合，仍需解決p型摻雜穩定性、金屬-半導體接觸電阻等一系列工程難題。業內專家表示，若能在p型材料上取得同步突破，中國有望在下一代晶片技術競爭中佔據有利位置。 (晶片行業)

韓國晶片供應商，面臨連續第二年降價。一邊是賺得盆滿缽滿的晶片巨頭，一邊卻是連年被迫降價的本土供應商——韓國半導體產業正在上演一出令人費解的“冰火兩重天”。2026年初，全球半導體產業在人工智慧需求的推動下呈現出顯著的增長態勢。韓國兩大儲存晶片製造商三星電子與SK海力士均公佈了創紀錄的財務資料。行業資料顯示，三星電子2026年第一季度營業利潤預計達到57.2兆韓元，同比增長755%，超過其2025年全年的營業利潤總和。SK海力士在2025年實現了47.2兆韓元的營業利潤，同比增長101.2%，並在年度利潤上首次超越了三星電子。韓國3月半導體出口額同比上升151.4%，達到328.3億美元，推動韓國整體出口創下861.3億美元的歷史新高，為近40年來最快增速。然而，在下游晶片製造商利潤大幅增長、整個行業似乎都在享受AI紅利的同時，韓國本土的半導體材料與元件供應商卻面臨著截然不同的市場處境。據行業媒體披露，三星和SK海力士在完成2026年第一季度的供應商談判後，廣泛下調了儲存相關材料和元件的採購價格，這是韓國上游供應商連續第二年面臨降價壓力。2025年初，部分供應商已經接受了超過10%的降價幅度，而2026年第一季度的降價幅度雖然放緩至個位數百分比，但對於已經連續承壓的供應商而言，依然構成了嚴峻的挑戰。韓國行業高管在接受採訪時警告稱，如果沒有政策支援，供應商的盈利能力將持續減弱。為什麼在行業最繁榮的時期，處於供應鏈上游的韓國本土企業反而要勒緊褲腰帶過日子？01. 利潤分配與定價權失衡韓國上游供應商面臨降價壓力的直接原因，在於半導體產業鏈中定價權的高度集中以及頭部企業對成本控制的策略。在當前的市場周期中，高頻寬記憶體（HBM）和高端伺服器DRAM是推動儲存晶片製造商利潤增長的核心動力。以輝達最新的Blackwell架構B300 GPU為例，單顆GPU需要8顆HBM晶片，每顆包含12個DRAM裸片，這意味著一台滿配的DGX B300系統僅HBM模組就需要消耗768個DRAM裸片。根據行業分析機構的資料，HBM目前佔據了全球DRAM晶圓產能的23%，而資料中心消耗了全球70%的儲存晶片產量。當製造商將10%的產能轉向HBM時，傳統DRAM的產出會下降約30%。為了在HBM領域保持技術和產能優勢，儲存製造商正在進行大規模的資本支出。SK海力士2026年的資本支出預計約為40兆韓元，美光的財年資本支出也達到250億美元 。微軟和Google正爭相與SK海力士簽訂價值數兆韓元的3年期DDR5和HBM長期供應協議，合同中包含10%至30%的預付款和最低價格底線條款。這些長期協議鎖定了巨頭們的高端產品利潤，但也意味著他們必須在其他環節嚴格控製成本，以維持整體資本回報率。值得注意的是，三星和SK海力士對伺服器DRAM供應要求漲價50%至60%，三星自2025年9月以來已將儲存晶片合約價格上調最高60%。頭部企業在面向下遊客戶時具有強勢的定價能力，但這種能力並未傳導至上游供應商。這些高附加值產品的製造主要依賴於先進封裝技術（如SK海力士的MR-MUF技術和美光的混合鍵合技術）以及國際頂級裝置製造商（如ASML）。相比之下，韓國本土的通用材料和基礎元件供應商並未直接從HBM的溢價中獲得相應的利潤增長。同時，傳統消費級電子產品的需求依然疲軟。行業預測顯示，2026年智慧型手機出貨量將下降12.9%，PC市場將萎縮11.3%。市場研究機構的資料顯示，主要供應商正在逐步退出消費DRAM領域，將產能集中於利潤更高的伺服器和AI應用。這一趨勢進一步壓縮了為消費市場供貨的上游供應商的訂單量和議價空間。此外，三星在HBM市場的份額目前落後於SK海力士（SK海力士約佔57%），其HBM收入佔DRAM總收入的比例不到10% 。三星當前的利潤增長更多依賴於AI推理需求帶動的傳統伺服器DRAM價格反彈，以及韓元貶值帶來的匯兌收益。這種對傳統DRAM利潤的依賴，進一步增強了其對上游供應鏈進行成本控制的動機。證券分析師Kim Sun-woo認為，當前儲存周期正接近超級周期的中點。在周期中段，頭部企業通常會加大對成本結構的最佳化力度，以在周期下行時保持競爭力，這也解釋了為何在利潤創紀錄的同時，對上游供應商的降價要求反而在持續。02. 宏觀壓力除了產業鏈內部的利潤擠壓，宏觀經濟環境的變化也削弱了韓國本土供應商的盈利能力和議價空間。地緣政治因素直接影響了半導體材料的生產成本。2026年2月爆發的中東衝突導致國際油價上升，進而推高了石腦油等關鍵化工原料的價格，增加了半導體基礎材料的製造成本 。更為顯著的影響體現在特殊氣體的供應上。由於中東地區的衝突，卡達等國的氦氣工廠停產，導致全球氦氣供應緊張 。氦氣是半導體製造中光刻、蝕刻和晶圓冷卻等工序不可或缺的材料。雖然韓國政府表示其氦氣庫存可維持到2026年6月，但供應中斷的風險已促使部分工業氣體供應商開始徵收附加費。韓國政府已著手調查14種高度依賴中東的半導體材料和裝置的供應安全狀況。同時，韓元兌美元匯率跌至近17年來的低點。雖然這增加了韓國晶片出口的匯兌收益，但對於需要進口原材料的本土材料和元件供應商而言，這直接導致了採購成本的急劇上升。行業資料顯示，2026年全球DRAM供應增長僅16%，NAND供應增長17%，遠低於歷史20%至30%的常態水平 。供應緊張本應賦予上游供應商更強的議價能力，但由於韓國儲存市場高度集中——三星、SK海力士和美光控制了全球95%以上的DRAM產能 ——上游供應商的客戶選擇極為有限。這種買方壟斷的市場結構使得供應商即便面臨成本上升，也難以將壓力傳導至下游。在製造成本攀升和下遊客戶要求降價的雙重作用下，韓國本土供應商的實際利潤空間受到嚴重壓縮。03. 中國半導體材料與裝置的崛起在韓國供應商面臨降價壓力的同時，國內半導體材料和裝置產業的快速發展，正在深刻改變區域供應鏈的競爭格局，這也是韓國本土供應商議價能力被削弱的一個重要外部因素。近年來，中國在半導體產業鏈的本土化方面取得了顯著進展。根據國際半導體產業協會（SEMI）的資料，2024年全球半導體材料市場收入達到675億美元，其中中國大陸半導體材料市場規模達到135億美元，持續保持同比增長，並穩居全球前列 。戰略與國際研究中心（CSIS）在2026年3月的報告中指出，外部的出口管制客觀上加速了國內半導體供應鏈的本土化處理程序。在2024至2025年間，國產半導體裝置在國內市場的份額從25%上升至35%。在蝕刻和薄膜沉積等特定領域，本土企業的市場份額已達到40% 。在儲存晶片製造領域，國內整體產能的擴張和技術迭代正在對全球市場產生實質性影響。據多家媒體報導，國記憶體儲製造商正在加速擴充產能，並在技術節點上逐步縮小與國際領先廠商的差距。瑞銀（UBS）估計，2026年中國儲存產能的擴張規模可能達到每月12萬至14萬片晶圓，並預計在2027年將"進一步大幅增加" 。行業分析師指出，國產儲存製造商在同規格產品上通常享有超過15%的價格優勢，這對價格敏感的通用伺服器和消費市場具有較強的吸引力。摩根士丹利預測，中國AI晶片自給率到2027年將達到82%。在這一趨勢下，國產半導體材料和元件供應商的產品將隨著下游晶片製造商的擴張而進入更廣泛的市場，在全球供應鏈中佔據更重要的位置。據報導，國內半導體企業在2025年實現了全面的創紀錄營收。國內最大的晶圓代工企業年營收達到93.27億美元，同比增長16%，淨利潤飆升39%至6.85億美元。國產材料、裝置以及成熟製程儲存晶片領域的規模化擴張和價格競爭力，使得韓國晶片製造商在採購通用材料和元件時擁有了更多的替代選擇。行業分析認為，國內半導體產業鏈的整體崛起，客觀上使得韓國供應商在面對頭部企業降價要求時缺乏足夠的議價底氣。04. 市場影響韓國晶片供應商連續降價的現象，不僅反映了短期的商業博弈，也對全球半導體市場的長期發展提出了新的課題。首先，上游供應商盈利能力的持續減弱可能影響供應鏈的長期韌性。韓國行業高管指出，如果缺乏合理的利潤分配機制，本土供應商可能被迫縮減產品研發和資本支出。在半導體技術迭代加速的背景下，研發投入的減少可能削弱韓國材料和元件產業的競爭力。SK集團會長崔泰源預計，全球晶片晶圓短缺的情況將持續到2030年。如果上游供應鏈因利潤受擠壓而出現產能萎縮或技術停滯，可能會對未來全球儲存晶片的穩定供應產生負面影響。其次，儘管上游材料價格受到壓制，但終端儲存晶片的價格仍在持續上漲。市場研究機構的資料顯示，2026年第一季度DRAM合約價格環比上漲了90%至95%，並預計第二季度將繼續上漲58%至63%；NAND Flash合約價格在第二季度預計將環比上漲70%至75% 。宏觀分析報告指出，DRAM價格在過去一年中大幅上漲，這種由需求驅動的價格上升已經開始向更廣泛的消費品市場傳導，例如美國軟體CPI在3個月內累計上漲了15.5% 。Gartner預測2026年DRAM價格全年將上漲47% 。上游材料降價而終端晶片漲價，這一價格剪刀差意味著產業鏈中間環節——即頭部晶片製造商——正在獲取越來越大比例的利潤。然而，市場對價格持續上漲的預期也存在分歧。NH Investment的高級分析師Ryu Young-ho認為，市場對儲存價格上漲見頂的擔憂正在增加，當前可能已進入上行周期的後期階段。市場也觀察到，由於終端使用者需求難以消化過高的價格，部分DRAM現貨價格近期出現了回落。此外，隨著國內企業在儲存市場的產能釋放，部分分析師預計，大宗儲存市場的供應緊張狀況可能會得到緩解，從而放緩整體價格的上漲步伐 。SIA的資料顯示，2026年2月全球半導體銷售額達到888億美元，同比增長61.8%，全年銷售額預計將達到約1兆美元 。在這一歷史性的市場規模擴張中，產業鏈利潤的分配是否合理，將直接影響供應鏈的長期穩定性。綜上所述，韓國晶片供應商連續第二年面臨降價，是半導體產業在AI繁榮期內部結構性失衡的體現。頭部企業集中了大部分定價權和利潤，而上游供應商則承受著成本轉嫁、宏觀經濟波動以及區域競爭加劇的多重壓力。韓國供應商的困境並非孤例，它揭示了全球半導體產業在高速增長期需要面對的結構性問題：如何在頭部企業追求利潤最大化與維持上游供應鏈健康之間取得平衡。 (半導體產業縱橫)

根據外媒通報，隨著半導體製程技術持續向2 奈米（2nm）及更先進節點推進，全球晶片產業正迎來一場結構性的轉移。過去單純依賴電晶體微縮（Scaling）來提升效能的時代已經結束，取而代之的是透過「小芯粒（Chiplets）」技術進行異質整合、更精細的電源與熱管理策略，以及對良率與可靠性的全新定義。外媒認為：這場變革不僅將重塑晶片設計的規則，也將深刻影響從晶圓代工、封裝測試到終端系統整合的整個供應鏈。【芯聞眼】現將全文轉發如下：製程微縮新常態，不再是「一體適用」半導體產業長期奉行的PPA（效能、功耗、面積）與成本（C）指標依然是核心，但在2奈米世代，這些指標的權重與實踐方式出現了顯著分歧。過去，市場主要分為智慧型手機的極低功耗晶片，以及伺服器的高效能晶片。然而，隨著人工智慧（AI）滲透至各類電子產品，應用需求變得極度零碎化。Lam Research（科林研發）公司副總裁David Fried 指出，在2nm 時代，複雜的整合系統中可能只有少數元件真正需要採用最先進的製程節點。這是一種「優化」的過程-過去產業界致力於將所有功能整合在單一晶片（Monolithic SoC）上以優化PPA/C；如今，先進封裝技術允許工程師針對個別子系統進行最佳化。這種轉變促成了「解構（Disaggregation）」的趨勢。透過將不同的處理器與功能拆解為多個裸晶（Die），設計者可以根據功能需求選擇最合適的製程節點，而不必強行將所有元件都擠在昂貴的最先進節點上。這不僅能簡化應對非關鍵元件短缺時的備案流程，也能將有限的先進製程產能保留給最關鍵的邏輯計算單元。去整合化與異質整合的崛起「今天，許多應用程式正透過『去整合化（De-integration）』來獲得最佳化，」David Fried 解釋道。這代表邏輯電路與記憶體分離、I/O 與邏輯分離，甚至記憶體控制器也與記憶體本身分離。這種朝向複雜先進封裝流程的移動，正是目前產業優化PPA/C 的主流路徑。日本晶片製造商Rapidus 的封裝技術領域技術長Rozalia Beica 表示，這對供應鏈帶來了廣泛的影響。 Rapidus 雖然獲得了IBM 的2nm 技術授權，但他們是專注於提供2nm 小芯粒，併計劃與其他晶圓代工廠或封裝測試廠（OSAT）合作，將其他非2nm 的技術（如4nm 或7nm）整合到同一個封裝中，這種靈活性與客製化能力將是未來的關鍵。Synopsys（新思科技）工程副總裁Abhijeet Chakraborty 進一步指出，即便是單一晶片內部的標準單元設計也出現了「混合搭配」的概念。設計者可以混合使用高效能、低功耗或高密度的標準單元。如果為了追求極致效能而全部使用高效能單元，可能會在功耗或其他指標上付出代價，因此EDA 工具必須能夠明智地選擇組合以最大化效益。在多晶片模組中，甚至可以看到28nm晶片與2nm 晶片混合使用的場景，這成為降低成本與良率門檻的有效手段。熱能與功率密度成為物理極限的挑戰然而，邁向2nm 的道路並非坦途。隨著電晶體密度在2nm 製程下進一步提升，功率密度（Power Density）隨之增加，這引發了嚴峻的熱管理問題。即便每一代新製程通常能在特定工作負載下節省功耗，但如果晶片的使用率（Utilization）過高，產生的熱量將難以從晶片內部導出。這可能迫使系統必須採用更複雜的冷卻方案，或透過「效能節流（Throttling）」來降溫，但後者會抵銷升級至2nm 原本應帶來的效能優勢。從20nm 節點開始，熱問題就日益棘手。 FinFET 技術雖然減少了閘極漏電，但更高的電晶體密度增加了熱密度。到了2nm 採用的環繞式閘極（GAA）技術，雖然預期能再次改善閘極漏電，但在高邏輯使用率下的功率密度問題依然存在。這意味著，未來的高階晶片設計必須在多晶片組件中進行複雜的權衡，決定資料應該在系統的何處進行處理或預處理，以避免熱失控。晶片效能成長邊際效益遞減另一個殘酷的現實是，過去每個新節點帶來「效能提升30%、功耗降低30%」的時代已不復返。 Synopsys 的Chakraborty 預估，客戶從3nm 轉向2nm，預期平均能獲得10% 至15% 的效能提升，以及20% 至30% 的功耗降低，晶體管密度則提高約15%。雖然低功耗對於追求「每瓦效能（Performance per Watt）」的應用極具吸引力，但要實際達成這些指標面臨製造與良率的現實挑戰。Intel 邏輯技術開發副總裁Ben Sell 也證實了這個趨勢。他指出，Intel 在2026 年1 月推出的Panther Lake 處理器採用了18A 流程（相當於1.8nm），其設計核心重點在於每瓦效能與面積微縮，而非單純的原始效能。 Panther Lake 採用了運算小芯粒（Compute Tile）搭配其他功能小芯粒的設計，針對圖形處理或界面連結等不同需求，分別優化其功耗與效能的權衡。動態管理就夠良率與可靠性的新定義在2nm 與18A 時代，確保晶片正常運作的挑戰已超越了單純的電晶體微縮。 proteanTecs CTO Evelyn Landman 指出，現在的主要挑戰是「全生命周期的不確定性管理」。因為，隨著架構轉向片（Nanosheets）與新的供電方案，元件物理、製造、封裝及實際工作負載之間的容錯空間急劇縮小。局部電壓下降、熱梯度、老化及工作負荷引發的應力等效應，不再是次要因素，而是持續放大。 Landman 強調，靜態的假設與最壞情況的「安全冗餘（Guard-bands）」已不再適用，因為最危險的情況往往是動態的、依賴於工作負載的。未來的贏家將是那些能夠在晶片生命周期中，動態且連續地監測並管理這些安全餘裕的廠商。經濟現實與市場驅動力開發2nm的成本極為高昂，可能高達1 億美元以上。然而，對於AI 資料中心而言，能夠在單位功耗下處理更多資料是致勝關鍵。對於高階手機與PC 市場而言，龐大的出貨量則可以稀釋設計成本。Rapidus 的Beica 提到，客戶對於設計流程的參與度越來越高，部分客戶甚至希望自行設計，僅將製造與封裝交由代工廠整合。 Rapidus 專注於單片晶圓處理（Single-wafer processing）而非批次處理，這使得他們能從每片晶圓獲得更多資料回饋至設計端，實現設計與製造的協同優化（DTCO），這對於縮短交期至關重要。時間就是金錢。對AI 資料中心來說，透過大型矽中介層（Silicon Interposer）進行2.5D 封裝雖然可行，但中介層越大，成本越高且訊號傳輸距離越長。雖然3D 堆疊迭技術能縮短路徑，但開發時間更長。如何在各種製程節點的CPU、GPU、NPU 之間取得平衡，考驗著工程師對物理效應的深刻理解。總結來說，半導體產業邁向2nm 的驅動力已不再單一。 Lam Research 的Fried 認為，歷史上某些節點擅長微縮功耗，有些擅長效能或面積，但在今天，最終的應用決定了優先順序。穿戴式裝置可能更在乎面積與成本，而電池供電設備則以功耗為中心。未來的晶片設計將是各種節點的混合體，以及在PPA/C 之間進行全新權衡的藝術。這不僅是技術的升級，更是半導體經濟學與系統架構的全面重建。 (芯聞眼)

半導體技術天地 振興中國國產半導體產業！當地時間2月7日，在印度鐵道部、資訊與廣播部及電子與資訊技術部部長阿什維尼·瓦伊什納夫參觀高通位於班加羅爾的工廠期間，高通宣佈完成2nm晶片的流片 (Tape-out)並展示了晶圓樣品。高通表示這是一項由在印工程團隊支援的全球性里程碑，標誌著印度在先進晶片設計領域邁出關鍵一步。高通表示，此項進展不僅體現了其全球工程實力，也凸顯了其在班加羅爾、欽奈和海得拉巴的研發中心之間的高效協作。這些研發基地已成為高通在美國以外規模最大、技術最先進的工程團隊之一。公司指出，這一成就進一步鞏固了印度作為尖端半導體開發重要樞紐的地位，並展現出高通對支援與加速印度半導體產業發展的長期承諾。阿什維尼·瓦伊什納夫部長在參觀中表示：“印度正日益成為先進半導體技術未來設計的核心地區。高通在印度展現出的工程實力、深厚的設計能力以及長期投入令人印象深刻。此類里程碑表明，印度設計生態系統已取得長足進步，並與中國打造具有全球競爭力半導體產業的願景高度契合。”參與高通活動的印度電子與資訊技術部部長 Ashwini Vaishnaw 表示，印度的下一個目標是在國內建設 2nm 工藝製程的晶圓廠。印度電子資訊技術部副部長兼半導體使命首席執行長阿米特什·庫馬爾·辛哈指出：“在日益完善的設計生態系統及行業持續參與的支援下，印度半導體使命正穩步推進。對先進工程與研發能力的投入對建構本土長期半導體產能至關重要。高通對印度的長期承諾，反映了印度半導體設計生態的不斷成熟，並將助力印度實現成為全球半導體創新中心的目標。”高通在印度的投資已超過二十年，在此期間逐步建立起規模位居美國以外前列的工程研發體系。此次2nm設計流片的完成，進一步印證了印度在全球半導體創新鏈中日益提升的地位。 (半導體技術天地)

意法半導體2025年財務業績發佈一、意法半導體Q4、2025全年業績發佈2025年第四季度，營收33.3億美元，同比微增0.2%，超業績展望中值，個人電子業務為主要拉動項，汽車業務不及預期；毛利率35.2%，得益於產品組合最佳化，同時壓降庫存，實現自由現金流（非GAAP）淨流入2.57億美元，非GAAP營業利潤率8.0%。2025全年營收118.0億美元，同比下滑11.1%，主因汽車業務疲軟，個人電子、CECP業務實現增長；毛利率33.9%，非GAAP淨利潤4.86億美元，配息3.21億美元、回購股票3.67億美元，資本結構穩健。二、2026年業績規劃與展望2026年第一季度，營收展望中值30.4億美元，環比下降8.7%，降幅優於歷史季節性水平，同比增長勢頭延續；毛利率預計33.7%，含220個基點閒置產能費用，非GAAP經營費用約8.60億美元，匯率假設1歐元=1.16美元，結算日為3月28日。2026全年，淨資本支出（非GAAP）計畫20-22億美元，核心戰略聚焦四大方向：加速技術創新、最佳化全球製造佈局、縮減整體成本基數、提升自由現金流生成能力，穩步推進業務提質增效。三、業務類股與終端市場營收結構及表現2025年第四季度，AM&S業務佔比44%、EMP佔30%、RF&OC佔14%、P&D佔12%，其中RF&OC同比增幅達22.9%，P&D營業利潤率為-30.2%；終端市場中個人電子、通訊裝置同比均增17%，汽車同比降15%。2025全年，各業務分部均同比下滑，EMP降幅達31.5%；終端市場汽車佔比39%、同比降24%，個人電子、通訊裝置小幅增長。地域上亞太為主要營收來源地，客戶以頭部OEM和分銷管道為主。四、公司核心增長驅動力公司聚焦八大核心增長領域，支撐長期發展：一是高級駕駛輔助系統（ADAS）客戶合作項目，挖掘汽車電子潛力；二是碳化矽（SiC）功率器件，強化功率半導體優勢；三是MEMS與圖像感測器，鞏固細分市場地位；四是通用微控製器，保障基礎業務穩定。同時佈局人形機器人、感測器與模擬產品合作、雲光互連及資料中心相關產品、低地球軌道（LEO）衛星產品，拓展新增長曲線。五、CEO、CFO怎麼看？CEO 核心觀點2025 年 Q4 意法半導體營收 33.3 億美元超預期、重回同比增長，毛利率 35.2% 亦超預期，同時完成去庫存並實現 2.57 億美元自由現金流；全年營收 118 億美元同比降 11.1%，受汽車業務拖累，毛利率 33.9% 同比下滑。各類股中，汽車業務環比改善、工業業務雙位數增長，CECP 及 AI / 資料中心、低軌衛星業務斬獲多項設計訂單，可持續發展目標穩步推進。2026 年 Q1 營收預計環比降 8.7%，全年淨資本支出 20-22 億美元；長期將依託汽車 ADAS 與 SiC、工業 MCU、CECP 資料中心及人形機器人等核心賽道，推動營收持續增長，2027 年多項業務將恢復至歷史水平。CFO 核心觀點2025 年 Q4 公司射頻與光通訊、模擬產品等類股營收增長，僅功率與分立器件下滑，終端市場中 CECP 領漲、汽車仍承壓；毛利率 35.2% 環比改善但同比下滑，受生產效率及匯率影響，非經常性成本將持續拖累後續毛利率。扣非後營運費用低於預期，2026 年 Q1 費用預計環比下降；Q4 淨虧損 3000 萬美元，主因一次性稅務費用，扣非後每股收益 0.11 美元。全年營收結構以汽車業務為主，美洲為最大區域市場；毛利率、經營現金流同比均下滑，庫存周轉天數略好於預期。公司全年完成股票回購與配息，截至年末淨金融頭寸 27.9 億美元，總流動性充足，財務狀況保持穩健。六、ST（意法半導體）業績PPT(芯榜)

晶片行業傳來重磅資料。據最新資料，今年前20天，號稱全球經濟“金絲雀”的韓國出口半導體總金額達107.3億美元，約合人民幣747億元，同比大幅增長超70%。昨晚，美股晶片股普漲，費城半導體指數漲3.18%，刷新歷史新高。當前的晶片市場，正經歷著一場前所未有的“漲價”風暴。這不是傳統的周期性回暖，而是一場由生成式AI浪潮驅動的結構性變局。據報導，DDR5記憶體顆粒現貨漲幅已超300%，甚至出現單條伺服器記憶體價格突破4萬元的奇觀。儲存巨頭們正以前所未有的議價能力，向市場宣告：高端產能已被AI鎖定，短缺成為當下的常態。這種熱度已迅速從產業鏈傳導至二級市場。作為晶片產業最鋒利的“矛”，晶片設計環節因其高毛利、輕資產、高彈性的特徵，成為當下熱門賽道。科創晶片設計ETF天弘(589070)所跟蹤的標的指數——科創晶片設計指數，年內13個交易日漲幅20.58%，成為市場領漲類股。01 186.68%！聚焦業績爆表的晶片指數從產業鏈角度看，晶片通常分為設計、製造、封測三大環節。其中，設計位於最上游，決定晶片的架構、性能、功耗以及最終應用場景。從全球產業歷程看，晶片設計往往是產業鏈中附加值最高、毛利率最集中的環節。以海外為例，輝達、AMD等公司並不直接參與製造，卻通過持續推出高性能晶片，佔據算力體系的核心位置。國內市場，正在經歷類似的結構變化。在外部高端晶片獲取難度上升、內部算力需求持續擴張的雙重背景下，自主晶片設計能力的重要性被不斷強化。需求並未減弱，反而更加集中地指向一個核心問題——能否形成穩定、可持續的本土供給能力。在算力需求持續放大的時代背景下，晶片設計環節的變化，也逐漸體現在經營資料中。算力需求的擴張，反映在了晶片設計企業的基本面中。以科創晶片設計ETF天弘(589070)跟蹤的上證科創板晶片設計主題指數為例，成份股去年前三季度營收同比增長34.27%，淨利潤同比增長186.68%，淨利潤增速斷層領先同類晶片指數。(本文內容均為客觀資料資訊羅列，不構成任何投資建議）02 20CM新工具！跟蹤市場上優質的晶片設計主題指數科創晶片設計ETF天弘(589070)標的指數的成份股全部來自科創板，單日漲跌幅上限為20%。相較於傳統寬基指數，其價格彈性更高，也更貼近科技成長類股的波動特徵。該指數高度聚焦晶片設計環節，是市場上純正設計主題指數，數字晶片設計佔比約76%，模擬晶片設計佔比約18%，覆蓋AI算力體系中的多個核心方向，包括計算晶片、儲存晶片以及關鍵模擬器件等。眾所周知，晶片設計處於產業鏈利潤分配的頂端。設計公司往往能通過技術溢價獲得更高的毛利回升。相比之下，製造端受資本開支和產能利用率波動影響較大，利潤傳導存在滯後性。在“AI算力自主”戰略下，設計端作為定義晶片架構的源頭，是突破關鍵技術瓶頸的重要環節。從盈利預期看，機構公開一致預期顯示，科創晶片設計ETF天弘(589070)所跟蹤的上證科創板晶片設計主題指數未來兩年的營收和淨利潤增速仍處於較高區間：2025年、2026年指數營收增長率預期分別為38.48%、31.33%，淨利潤增長率預期分別為247.70%、75.42%，整體高於多數同類晶片指數。從歷史表現看，2024年、2025年上證科創板晶片設計主題指數收益率分別為35.54%、60%，在同類晶片主題指數中表現相對突出。這些資料，並不指向短期走勢判斷，而是反映了算力需求擴張、國產替代推進與產業升級多重因素疊加後的階段性特徵。03 把晶片設計，放回更長的時代坐標中當下再討論晶片設計，已經很難只停留在單一行業層面。它所關聯的，不僅是某一細分賽道的景氣變化，更牽動著產業安全、技術路徑選擇，以及長期競爭力的建構方式。從“十五五”規劃對新質生產力的持續強調，到國產算力生態的逐步成形，中國晶片產業正處在一個必須穿越、無法迴避的關鍵階段。問題早已不再是“能不能替代”，而是“能否形成完整、可持續的能力體系”。在這一過程中，晶片設計處於極為關鍵的位置——它定義架構，決定性能，是整個產業鏈的重要環節。資本市場的作用，並非替代產業本身的判斷，而是在這一長期、複雜的演進過程中，提供一種可被理解、可被跟蹤的結構化觀察工具。跟蹤上證科創板晶片設計主題指數的科創晶片設計ETF天弘(589070)於1月23日上市，本質上正是產業演進與市場機制之間的一次銜接：一端，是持續深化的晶片設計能力；另一端，是以指數形式呈現的階段性表達。當算力逐漸演變為基礎設施，當晶片成為時代變數，市場所觀察到的，已不只是某一條賽道的漲跌，而是生產力底座正在發生的系統性變化。在外部環境方面，受貿易摩擦持續影響，高製程晶片及相關裝置的獲取難度不斷上升，上游半導體產業鏈的供給缺口，正倒逼自主可控處理程序加速推進。同時，在“信創”等政策的持續推動下，國內市場資源進一步向國產廠商集中，國產化替代進入加速階段。這一趨勢在核心計算晶片領域尤為明顯。根據Gartner與摩根士丹利的預測，中國雲端AI 晶片市場規模有望在2027年達到40億美元：其中，GPU作為當前AI算力的主力，其國產化率預計將從2023年的24%大幅提升至2027年的82%，在AI訓練與推理等關鍵環節，“卡脖子”問題有望得到階段性緩解。與此同時，隨著AI技術，尤其是AI Agent進入快速演進階段，CPU作為通用計算與任務調度的核心，其產業生態也正迎來關鍵拐點。AI Agent對CPU的需求呈現出明顯的乘數效應：一方面，智能體具備自主修復與反覆嘗試能力，使原本由人工等待造成的時間成本，轉化為持續、穩定的系統計算負載；另一方面，Agent呼叫工具的速度遠超人類個體，短時間內即可生成大量臨時處理程序。隨著智能體逐步普及，CPU所承受的算力壓力將呈幾何級數放大。因此，國產替代的推進正呈現出雙線平行的特徵：一方面，需要在已經出現突破窗口的GPU等專用算力晶片上持續鞏固優勢，實現從“可用”向“好用”的躍遷；另一方面，也必須在CPU等基礎通用晶片的自主設計上加快步伐，以匹配AI新階段對系統性算力的需求。圍繞計算晶片實現全面自主可控，正在成為行業內部逐漸凝聚的共識。這種變化，未必喧嘩，卻足夠深遠。 (ETF進化論)

2026年1月，越南邁出了標誌性的一步：越南首個半導體晶片製造廠正式破土動工，由軍方背景的越南電信集團 Viettel 主導建設，落地河內和樂高科技園（Hoa Lac Hi-Tech Park），佔地27公頃，目標在2027年底試生產。這不是一個普通項目，它更像越南在半導體上正式“立國本”的訊號。過去十年，越南在全球電子產業版圖裡最大的身份是——製造業承接地：三星、富士康、和碩等巨頭把大量產能放在越南，讓這裡成為全球消費電子的重要出口基地。越南政府資料顯示，2024年越南硬體產品出口額達到1320億美元。但只靠“組裝”和“加工”，天花板也肉眼可見。越南很清楚，如果想從製造國走向技術國，必須在更高門檻的賽道上交出一份答卷——而半導體，就是它押注的那場關鍵戰役。越南總理范明征在Viettel奠基儀式上也提出到2030年實現：100家設計企業、1家晶圓製造廠、約10家封測廠，產業收入250億美元，並將本地增加值提升至10–15%。在全球半導體價值鏈重新洗牌的大背景下，越南迎來了一個少有的“上桌窗口期”。越南為何在此時押注半導體？越南過去十年的產業躍遷，本質是“電子製造規模化”與“供應鏈重組”的疊加結果。作為“China+1”核心承接地，越南在消費電子、通訊裝置等領域已形成大規模製造與出口能力，並希望進一步從組裝製造向高附加值技術環節延伸。越南押注半導體，既是“順勢而為”，也是“主動求變”。全球供應鏈重構窗口期：中美博弈與全球供應鏈再平衡，讓跨國企業加速在東南亞分散產能，越南被視為製造與封測的低成本、低摩擦落點。目前，越南半導體領域擁有超過170個外商投資項目，總投資額近116億美元。這些項目主要集中在晶片設計和封裝測試兩大階段。據政府資料顯示，越南約有60家晶片設計公司、8個封裝測試項目，以及20多家材料和裝置生產及供應商。AI需求放大晶片戰略價值：半導體和人工智慧是越南科技領域的兩大重點發展方向。越南領導人一直呼籲投資，並推出一系列激勵措施，吸引海外專家來越南工作，包括稅收減免、簽證優惠和住房補貼。美國晶片設計公司Marvell表示，全球人工智慧需求的激增可能有助於越南實現其部分科技發展目標。越南“中等技術陷阱”壓力：若長期停留在勞動密集型裝配環節，產業升級空間受限；半導體是提升製造業層級的“硬路徑”。2024年9月21日，越南總理髮布第1018/QĐ-TTg號決定，批准了《越南半導體產業2030年發展國家戰略及2050年願景》。該戰略的核心公式為：C = SET + 1，其中C代表晶片（Chips），S代表專用積體電路（Specialization），E代表電子（Electronics），T代表人才（Talent），+1則代表越南作為半導體投資的可靠目的地。該分階段發展計畫包括：第一階段（2024-2030 年）：有選擇地吸引外商直接投資，至少建立 100 家設計公司、1 家小型製造廠和 10 家包裝和測試廠。第二階段（2030-2040 年）：擴大到 200 家設計公司、2家製造工廠和 15 個包裝和測試中心，確保設計和生產的自給自足。第三階段（2040-2050 年）：建立 300 家設計公司、3 家製造廠和 20 家 OSAT 工廠，使越南成為全球半導體研發和生產領域的領導者。越南產業鏈現狀：外企壓艙，本土“雙子星”嶄露頭角放眼整個越南半導體生態中，其底盤主要來自外資/跨國公司和少數本土巨頭。在封測領域，英特爾在此擁有其全球最大的封裝測試基地；Amkor與Hana Micron則持續加碼高性能計算與汽車電子封裝。在設計與裝置領域，高通、英飛凌等晶片巨頭已紮根多年；韓美半導體（Hanmi）等裝置供應商的入駐，則為當地生產線提供了精密保障。除了外資企業，越南還有兩家本土企業正在承擔重要角色。作為越南 IT 龍頭的旗兵，FPT 早在 2022 年便卡位晶片設計領域，並計畫到2025年訂購7000萬片晶片，是越南參與全球價值鏈競爭的標誌性事件。憑藉其軍工與電信背景，Viettel 正通過建設晶圓製造廠，填補越南在晶片量產環節的空白，成為自主技術“立國本”的核心支柱。這些企業構成了越南“產業起勢”的第一推動力。從地理邏輯來看，越南半導體的晶片設計呈現“三中心”佈局，主要分成河內（Hanoi）/峴港（Da Nang）/胡志明（Ho Chi Minh）三個區域。北部的河內是越南的政治與資源中心，這裡主要是高科技園區、政策資源、研發與公共平台。河內的晶片設計公司主要有聚集有國企/軍工系的Viettel，國際大廠如Qualcomm、Infineon、Toshiba、Qorvo，CoAsia、HCL、eeta等設計服務/外包公司，FPT Software是本土工程化平台。還有Truechip、Dolphin Technology。中部的峴港的定位為EDA/設計服務/軟體工程外包高地。有典型的EDA/工具+設計服務公司Synopsys、Uniquify，2022年8月26日，新思科技與SHTP簽MoU，並提供（捐贈）30套EDA工具授權（總價值約2000萬美元）用於人才培養。還有FPT、Quest這樣的外包工程公司，日系IDM瑞薩。此外還有Savarti、Centic、Synapse、CoAsia。而胡志明才是越南半導體的“真實產業發動機”。這裡企業數量最多，類型最全，同時具備 EDA + IP/平台 + 設計服務 + 國際晶片公司，這是越南製造業、外資工廠、電子供應鏈最集中區域。英特爾位於胡志明市的封裝測試工廠是其全球最大的營運基地之一；包括Intel、Marvell、Ampere、Renesas、Microchip、Realtek等國際CPU/SoC公司，Synopsys、Cadence、Uniquify等EDA / 設計工具&平台，還有一大堆設計服務公司如GUC、Faraday、CoAsia、Bridgetek、VNCHIP、SemiFive、Verifast、ABOV、HCL、ADTechnology（SST Vietnam）、GME。還有眾多工程/外包/系統類公司：Tech Mahindra、BOS、Vulcan、Dream、Greystone、Nanochap。從營收維度看，越南半導體已經不是“微不足道的小市場”。根據 Statista Market Insights，越南半導體產業/市場收入早在 2023年就已經達到約 170 億美元，預計 2023–2027 年 CAGR 約 11.6%，到 2027 年達到 312.8 億美元。SEMI的資料統計顯示，2024年越南半導體市場規模約182.3億美元。如果疊加電子整機出口，越南在“晶片+整機”上的綜合體量，將進一步強化其在全球供應鏈中的樞紐地位。總的來說，封測（Amkor/Hana等）+設計服務（GUC/Faraday/Uniquify等）是越南當前最成熟的環節。但是這些大多數是外資力量，越南要從“外資生態”走向“本土生態”，必須要發展自己的製造廠。外資的投資是越南的加速器越南半導體起步晚，但“站在巨人肩膀上跑”，節奏可以非常快。過去兩年，一系列重量級項目密集落地：2024年12月，輝達與越南政府簽署人工智慧合作協議，與科技公司FPT達成協議，將投資2億美元建設一座由AI驅動的工廠。此外，輝達收購越南科技巨頭Vingroup旗下的健康科技初創公司VinBrain，也凸顯了越南在人工智慧整合半導體應用領域日益重要的地位。2025年7月28日，美國 Coherent（相干）在越南同奈省Nhon Trach工業園區啟用一座投資額約1.27億美元的新工廠，主要生產碳化矽（SiC）相關材料/器件、光學玻璃及先進光電/光子元件，應用覆蓋高速度通訊與資料中心基礎設施等領域。Nhon Trach 工業園區位於越南東南部同奈省，毗鄰胡志明市。這表明越南半導體產業正在從傳統封裝測試（ATP/OSAT）環節，逐步向材料、化合物半導體與光子器件等更高附加值類股延伸。Amkor Technology 在越南北寧省建設先進封裝與測試基地於2023年10月11日北寧工廠開業，面向 AI、5G 與汽車電子等高性能封裝需求，規劃到2035年前累計投資約16億美元。Hana Micron 則計畫在 2026 年前累計投資約 9.3 億美元，擴張其在越南的晶片封裝能力，進一步鞏固越南在 OSAT（封裝、組裝與測試）環節的集聚優勢。荷蘭半導體公司BESemiconductor Industries NV(BESI)在西貢高科技園區投資超過1150億越南盾(約合490萬美元)建設一個新項目，預計將於2025年初投產。光刻公司ASML表示，對擴大其在越南的供應鏈並成為該國蓬勃發展的半導體行業的積極參與者表現出濃厚的興趣。1月15日，ASML高級副總裁Eduard Stiphout在與越南總理范明正會面時表示，該集團正在尋求機會深化其在越南的供應鏈佈局。他表示，ASML計畫探索在建立培訓和研發中心、設立正式機構以及向該國潛在客戶提供裝置方面的合作。Viettel晶圓廠破土動工在這樣一條“外資驅動”的成長曲線中，Viettel 的晶圓廠項目，是一個非常關鍵的拐點。根據越南政府公開資訊，這座晶圓廠由 Viettel 在河內和樂高科技園建設，佔地 27 公頃，規劃在 2027 年底實現試生產，主要服務航空航天、電信、聯網裝置、汽車製造、醫療裝置與工業自動化等領域。Viettel 表示，越南已經參與半導體生產六個主要環節中的五個，唯獨缺少最複雜、最關鍵的製造環節，這座工廠正是為補齊這“一環”。其象徵意義至少有三點：1）從“外資生態”邁向“國家能力”.過去設計與封測高度依賴外資項目，Viettel 晶圓廠意味著越南開始把工藝與製造“握在自己手中”，即便一開始只是成熟製程、國防與專用晶片，也足以形成戰略緩衝。2）打通“研發—設計—試產—量產”的本土閉環。Viettel 既做裝置和系統，又做晶片設計，再加上自有製造平台，有機會形成“需求牽引—方案定義—晶片實現—系統驗證”的閉環，為本土設計公司提供試產與小批次量產能力。3）為後續民營與外資晶圓項目“探路”。作為軍工背景央企，Viettel 在資金、政策、供應鏈協同上具有優勢，其先行試錯，可以為未來更多商業化晶圓廠（包括與海外 foundry 合作）鋪路。關鍵挑戰：生態、人才、電力基礎設施越南半導體“悄然崛起”是一面，另一面則必須直面現實的短板與挑戰。1 本土生態仍然薄弱從企業結構看，越南目前仍高度依賴外資：產業鏈關鍵環節——從 EDA、IP，到先進封裝工藝、多數關鍵材料——基本掌握在跨國公司手中。本土供應商與研究機構數量有限，難以支撐一個完整、自主的生態系統。這也是為什麼越南在國家戰略中，把“引入外資+培養本土企業”放在同等重要的位置：一方面通過與美國等夥伴簽署晶片供應鏈與人才協議，承接更多高附加值環節；另一方面在本土推動 IC 設計孵化中心、產業基金與公共研發平台，為本地企業的成長營造生態土壤。2 專業人才缺口巨大當前越南半導體相關工程師數量約為 6000 人，但未來五年需求被普遍估計在 2 萬人以上；而國家戰略對 2030 年的目標是把半導體工程相關人才規模提升到 5 萬人，其中約 1.5 萬人為 IC 設計工程師。為此，越南的本土公司FPT計畫到 2030 年培養 1 萬名晶片/AI 相關工程師；目前已有約 20 所理工類大學開設半導體課程，預計到 2030 年將有 200 家高校與職業院校參與半導體人才培養；NIC（國家創新中心）與 Intel、Cadence、Keysight 等合作，建設培訓與聯合實驗室。但從工程實戰經驗、晶片項目完整“閉環能力”來看，越南工程師群體仍然在加速成長階段，短期內對外資和海外顧問的依賴仍會持續。3 基礎設施與能源安全2023 年夏季的限電事件，讓越南暴露出電力基礎設施不足、輸電投資滯後的問題——對於對電力質量極度敏感的晶圓廠和封測廠，這是一個不容忽視的風險點。越南正在通過加快可再生能源項目（風電、太陽能）與 LNG 發電的推進，強化跨區域輸電網建設，引導高耗能產業向電力供應更穩定的區域集聚，來改善這一局面。但在短期內，電力與水資源保障仍然是大型晶圓項目投資時繞不開的“盡調項”。結語如果回顧越南半導體這幾年的處理程序，會發現一條很清晰的軌跡：第一步，借助全球供應鏈重構，做大電子製造與傳統封測，把量做起來；第二步，通過 Amkor、Hana、Coherent 等項目，逐步把封測做深、向材料與高端器件延伸；第三步，在 FPT、Viettel 等本土龍頭帶動下，用 AI 與專用晶片設計佔位；現在：以 Viettel 晶圓廠為標誌性事件，嘗試補上最難也最關鍵的製造環節，把外資優勢部分內化為國家能力。從全球視角看，越南不太可能複製“第二個台灣”或“第二個韓國”的路徑，它更像是在“東南亞半導體叢集”中，扮演一個越來越重要、但定位相對務實的支點：在封測與系統整合上承接訂單，在專用晶片與 AI 應用上形成局部優勢，同時通過一兩座具有代表性的晶圓廠，確保在“製造”上不至於完全缺位。 (半導體行業觀察)