近日，據韓國媒體Thelec報導，韓國知識產權振興院（KIPRO）研究員Kim In-soo 接受其採訪時表示，雖然韓國存儲晶片廠商在製造與堆疊HBM方面表現優異，並佔據大半HBM市場，但原材料與裝置卻過度依賴海外公司，加上面臨與HBM相關的混合企業專利根據市場研究機構Counterpoint Research公佈的資料顯示，在今年第二季全球HBM市場，韓國SK海力士以高達62%的份額穩居第一，韓國三星電子份額為17%，美光的份額為21%。也就是說，韓國SK海力士和三星電子共同佔據了全球79%的市場份額。但是，根據KIPRO分析，美國的Adeia和台積電是HBM製造所需的混合鍵合技術的領導者。此外，中國大陸長江存儲也是其中之一。Kim In-soo 表示，其研究團隊利用AI 技術審查2003年到2022年之間，在韓國、美國、日本、歐洲與中國公開的超過10,000件相關專利，發現從專利品質與市場價值來看，Adeia 擁有最具價值的專利。Adeia 擁有從Ziptronix 取得的直接鍵合互連與低溫直接鍵合等核心技術專利，並透過旗下Invensas 與Tessera 等公司，也已取得大量混合鍵合專利組合。另根據K-PEG 評級，台積電擁有A3 等級以上的高品質專利數量中排名第一，三星排名第二，美光和IBM 緊追在後。報導還稱，台積電的SoIC 技術具有高價值。目前中國也在儲存領域的專利也在快速成長，例如長江存儲也掌握包括Xtacking 在內的核心技術。這些專利橫跨韓國、美國、日本、歐洲與中國註冊，意味著韓國企業可能隨時捲入專利訴訟。值得一提的是，今年2月，三星電子已與中國儲存晶片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的「混合鍵合」（Hybrid Bonding）技術的專利授權協議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行製造。而三星之所以選擇向長江存儲取得「混合鍵合」專利授權，主要由於目前長江存儲在「混合鍵合」技術方面處於全球領先地位。並且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影響。目前混合鍵合技術主要有兩類，晶圓到晶圓（Wafer-to-Wafer, W2W）和裸片到晶圓（Die-to-Wafer, D2W）。 CBA架構的NAND正是基於W2W的混合鍵合技術，省去了傳統晶片連接中所需的「凸點」（Bump），形成間距為10μm 及以下的互連，使得電路路徑變得更短、I/O密度大幅提升，從而顯著提高了傳輸速率，並降低了功耗，同時還減少晶片內部的機械應力，提高產品的整體可靠性。同時，由於堆疊層數越來越高，未來NAND Flash前端的整合也由原來的NAND陣列（Array）+CMOS電路層堆疊，轉向NAND陣列+NAND陣列+CMOS電路層堆疊，因此也帶來更多的「混合鍵合」需求。可以說，對於3D NAND廠商來說，要發展400層以上的NAND堆疊，混合鍵合技術已經成為了一項核心技術。Kim In-soo 指出，雖然韓國持有第二大規模HBM 相關專利，但其質量與影響力“低於平均水平”，因為韓國在核心裝置與材料上依賴進口，對國內企業構成風險。相關公司目前可能仍傾向於透過不公開的協商方式簽訂授權協議，但從2026年混合鍵合開始商業化後，這些問題可能最終演變成訴訟。 （芯智訊）
