在全球人工智能（AI）基礎設施投資熱潮的推動下，臺積電（TSMC）第三季度業績預計將創下歷史新高。根據市場研究機構發佈的最新數據，臺積電在全球晶圓代工市場的份額首次突破70%，達到71%，進一步鞏固了其行業領導地位。臺積電作爲全球最大的先進人工智能芯片製造商，預計第三季度淨利潤同比增長28%，達到4154億新臺幣（約合135.5億美元）。這一增長主要得益於市場對AI芯片的強勁需求，尤其是來自英偉達（NVDA）和蘋果（AAPL）等關鍵客戶的需求。研究機構預測，臺積電今年的營收增幅將達到30%至35%，主要受益於人工智能基礎設施投資的指數級增長。儘管美國的關稅政策增加了不確定性，但AI基礎設施作爲“戰略必爭之地”，將繼續吸引大量投資。臺積電在AI芯片領域的領先地位使其成爲全球科技巨頭的重要合作伙伴。公司計劃繼續擴大產能，以滿足不斷增長的市場需求。此外，臺積電已承諾投資1650億美元在美國亞利桑那州建設工廠，以進一步優化其全球供應鏈佈局。隨着人工智能技術的快速發展，臺積電的市場份額和業績表現有望繼續保持強勁增長，進一步鞏固其在全球半導體行業的領導地位。

上篇文章《沙漠上崛起的晶片新貴》探尋中東，見識了阿聯的晶片佈局；本次我們將視角轉向南亞，聚焦印度半導體產業的發展故事。近年來，在全球半導體產業逆全球化浪潮與地緣政治博弈交織的當下，印度正以令人矚目的速度崛起為國際晶片巨頭戰略佈局的核心坐標。從瑞薩電子宣佈在印啟動3nm先進製程研發，到德州儀器將最小MCU設計團隊落子班加羅爾，再到富士康攜手HCL斥資建設半導體封裝基地...，一場橫跨晶片設計、製造、封裝全產業鏈的“印度熱”正在上演。印度半導體，熱鬧起來了瑞薩3nm，強勢入局印度2025年5月13日，日本半導體巨頭瑞薩電子在印度諾伊達和班加羅爾啟動兩座3nm晶片設計中心，這是印度首個3nm晶片設計項目落地，標誌其半導體野心邁出關鍵一步。瑞薩3nm設計中心聚焦車規級與高性能計算晶片研發，計畫2027年下半年量產。項目獲印度政府大力支援，超270所學術機構獲EDA軟體及學習套件，用於工程師培養。瑞薩計畫2025年底將在印員工增至1000人，並通過“半導體計畫”與“生產掛鉤激勵計畫（PLI）”，聯動250多家學術機構和初創企業。製造環節，瑞薩聯合印度CG Power、泰國星微電子，在古吉拉特邦投資760億盧比（約9.2億美元）建設外包封測廠，專注國防、太空晶片封裝，與塔塔集團28nm晶圓廠協同，建構“設計-製造-封裝”全產業鏈。瑞薩以端到端能力擴展為核心，期望通過與印度政府合作，獲得50%財政補貼，同時深度融入印度人才培養體系。印度計畫五年內培訓8.5萬名VLSI工程師，支援100家初創企業，目標將印度打造為瑞薩全球第二大研發基地。對印度而言，3nm設計能力的突破意義重大，此前該領域由美、韓和台灣主導，此次技術轉移使印度首次躋身高端晶片設計行列。印度電子與資訊技術部將其視為半導體路線圖的“重大飛躍”，目標2030年實現半導體產值1090億美元，佔全球市場10%。然而，項目落地面臨諸多挑戰。製造環節，3nm製程裝置精度要求極高，全球僅台積電、三星等少數企業可量產，瑞薩計畫交由台積電代工，地緣政治風險或影響代工穩定性。供應鏈上，印度本土體系不完善，原材料、裝置供應依賴進口，成本高且不穩定。技術層面，印度雖有龐大工程師群體，但高端設計經驗不足，目前僅具備成熟製程設計能力，3nm工藝對電晶體密度和能效最佳化要求極高，且本土缺乏IP庫和設計工具鏈，需依賴外部支援。印度半導體產業雄心與挑戰並存，瑞薩3nm設計中心的落地是重要進展，但未來能否克服製造依賴、供應鏈困境和技術短板，將決定其能否在全球半導體格局中真正佔據一席之地。富士康與HCL合資：在印度建設半導體封裝廠2025年5月14日，印度內閣批准富士康與HCL集團合資建設半導體封裝廠，總投資370.6億盧比（約4.35億美元），選址北方邦傑瓦爾機場，預計2027年投產。項目分兩期，一期聚焦封裝測試，二期升級為完整製造工廠，最終實現月產2萬片晶圓、3600萬顆顯示驅動晶片的產能。在技術與產品規劃上，項目初期為海外晶片提供後段服務，規避印度本土製造短板；二期轉向顯示驅動晶片製造，覆蓋手機、汽車等領域，與富士康在印iPhone組裝廠形成“晶片-模組-整機”垂直整合生態。項目深度繫結蘋果供應鏈重構需求，目前印度產iPhone佔美國進口量20%，蘋果計畫擴大印度產能以應對地緣風險。富士康借此不僅響應蘋果“印度製造”戰略，還能通過本地化晶片供應降低20%電子元器件進口關稅，其與群創光電合作的面板廠也將與封裝廠協同，推動顯示產業鏈本土化。該項目是印度批准的第六個半導體製造項目，獲“半導體計畫”政策支援，印度政府提供資本補貼、土地優惠及稅收減免，北方邦還給予電力稅豁免與技能培訓撥款。富士康持股40%、HCL集團持股60%，雙方計畫採用“技術引進+本土營運”模式，建構車規電子製造能力，並規劃後續再建兩座晶圓廠及一座封裝廠。截至2025年5月，項目已完成公司註冊與選址勘測，預計年底啟動基建。富士康將培養500名技術人才，引入台灣供應商完善供應鏈；HCL集團正與恩智浦、特斯拉洽談車用顯示驅動晶片代工合作。不過，項目面臨多重挑戰。印度顯示驅動晶片技術積累不足，富士康雖引入面板技術，但晶片設計依賴外部IP授權。二期需突破28nm製程，而本土工程師僅具備40nm經驗，技術轉移依賴台灣專家。此外，全球市場由三星、LG主導，富士康需突破技術指標才能進入主流供應鏈，且印度本土僅能消化30%產能，剩餘產能依賴出口，地緣政治風險或影響訂單穩定。總體而言，該合作是印度半導體“差異化突圍”的重要嘗試，若量產順利，有望形成區域性優勢，但要實現從“封裝測試”到“自主設計製造”的跨越，仍需突破技術、產能等諸多瓶頸。力積電赴印建首座12英吋晶圓廠2024年9月，力積電與印度塔塔電子簽約，在古吉拉特邦共建印度首座12英吋晶圓廠，總投資110億美元，月產能5萬片，預計2026年量產。該項目既是印度半導體製造里程碑，也是力積電全球佈局關鍵一環。力積電負責晶圓廠設計建造、成熟製程技術轉移（28nm及以上工藝）與人才培訓，塔塔集團承擔超90%投資及營運管理。雙方以“技術授權+本土營運”模式，建構“設計-製造-封裝”全產業鏈生態。工廠聚焦車規級、面板驅動及高速運算邏輯晶片，目標市場涵蓋電動汽車、AI等領域。塔塔電子已與恩智浦、特斯拉洽談代工合作，並規劃後續再建兩座工廠，同步推進阿薩姆邦封裝廠建設。對力積電而言，技術轉移可鞏固其成熟製程影響力，借助印度“半導體計畫”7600億盧比補貼與“生產掛鉤激勵計畫”，低成本獲取市場准入。印度政府為項目提供最高50%財政補貼，承諾土地優惠、稅收減免。印度將項目納入“自力更生印度”戰略，目標2030年前培養5萬半導體人才，提升自給率至50%。目前，工廠基建完成30%，12項成熟製程專利已轉移，首批500名學員進入實訓，塔塔與恩智浦代工合作進入技術驗證階段。然而，項目挑戰重重。技術層面，印度工程師雖佔全球半導體勞動力20%，但具備先進製程經驗者不足1%，28nm技術轉移依賴台灣專家。市場方面，全球成熟製程產能過剩，印度本土需求或難消化月產5萬片的規模，需依賴代工訂單平衡產能。政策執行上，印度此前100億美元補貼計畫因審批慢、參與度低收效甚微，此次補貼能否按時到位存疑。力積電與塔塔的合作是印度半導體“跨越式發展”的大膽嘗試，其成敗不僅取決於技術轉移，更依賴印度政府在政策執行、基建配套和市場培育上的持續作為。英飛凌在印度開設研發中心2025年3月24日，英飛凌在印度古吉拉特邦艾哈邁達巴德的全球能力中心（GCC）正式啟用，作為其在印度的第五個研發據點，該中心位於GIFT City，計畫未來五年僱傭500名工程師，聚焦晶片設計、產品軟體研發、資訊技術、供應鏈管理及系統應用工程，目前英飛凌在印員工總數超2500人，班加羅爾為其最大研發基地。英飛凌將印度視為全球創新核心，目標2030年銷售額超10億歐元，緊扣印度車規與工業晶片需求，依託“半導體計畫”最高50%的財政補貼加速佈局。其採用“研發本地化+製造外包”模式，研發端重點開發下一代車規和工業控制晶片，利用印度工程師降低成本；製造端與印企CDIL、Kaynes達成晶圓供應協議，由印企負責封測與銷售，形成“設計-封測-銷售”協作鏈條，目前暫無自建晶圓廠計畫，遠期可能依印度供應鏈成熟度調整戰略。此外，英飛凌積極建構本地生態，與高校合作培養半導體人才，借助古吉拉特邦土地、稅收等政策優惠深化政企聯動，瞄準印度2032年千億美元半導體市場，目標搶佔10%以上份額。英飛凌的印度佈局是其“全球本地化”戰略關鍵落子，通過研發中心、本土合作網路和政策資源整合，試圖在印度半導體爆發期佔據先機，助力印度向“製造強國”轉型。美光在印建設封測廠2023年6月，美光與印度政府簽約，投資27.5億美元在古吉拉特邦建DRAM與NAND晶片封測廠，獲印度中央及邦政府50%、20%財政支援，這是印度“半導體計畫”首個落地的國際龍頭封測項目。工廠聚焦晶圓分割、封裝、測試及模組生產，預計2025年上半年首批產品下線，滿產後可創造超5000個高技術崗位，將成南亞大型儲存晶片封測基地。其選址與塔塔電子晶圓廠、瑞薩電子封測項目形成50公里產業叢集，初步建構“設計-製造-封測”區域閉環。工廠採用40nm及以上成熟製程，服務印度本土及東南亞、中東市場，可降低美光亞太區15%-20%封測成本。項目推進中，美光推動供應鏈本土化，韓國材料商隨廠投資，印度本土企業也在裝置維護、化學品供應等領域合作，美國政府還提供關鍵原材料支援。雖因印度基礎設施短板，投產推遲6個月，但美光仍看好印度市場潛力。該項目是莫迪政府“自力更生印度”戰略的成果，標誌印度向晶片製造環節突破。隨著印度擬推超百億美元新一輪半導體激勵政策，美光正評估二期擴產，計畫2030年前將月封測產能提至15萬片，覆蓋進階技術。美光在印的佈局，展現出印度通過“政策槓桿+國際合作”，加速成為全球晶片製造新樞紐的決心與潛力。半導體巨頭齊聚印度此外，還有諸多全球半導體頭部企業加速在印度建構戰略支點。輝達、AMD等晶片巨頭率先在印設立大規模研究與設計中心，將印度納入其全球創新網路，以分散供應鏈風險並貼近快速增長的消費電子市場。恩智浦作為汽車晶片領域的領導者，宣佈未來幾年內將在印度的研發投入翻倍至超10億美元，目前已擁有四個設計中心及3000名員工，並計畫在大諾伊達半導體園建立專注於5奈米汽車晶片的第二研發部門，目標將員工總數提升至6000人。高通、TI等企業通過設立研發中心和本地化團隊，深度參與印度5G通訊、物聯網等新興領域的技術開發。ADI則與塔塔集團達成戰略聯盟，探索在印度共建半導體製造工廠，重點開發應用於電動汽車和網路基礎設施的定製化晶片，此舉標誌著國際廠商開始從設計環節向製造環節延伸。這些佈局與印度政府的產業政策形成共振。印度通過修訂100億美元半導體激勵計畫，放寬技術要求並提高補貼比例，吸引了包括以色列Tower Semiconductor與Adani Group合作的100億美元晶圓廠項目。此外，全球半導體裝置巨頭也正在加速在印度建構戰略支點，深度參與其產業生態重塑，完善產業鏈佈局。日本DISCO率先在班加羅爾設立法人機構，於艾哈邁達巴德建立服務網點，初期10人團隊將依客戶需求擴展。其佈局意在為美光、塔塔電子等在印晶圓廠、封測廠提供裝置安裝與技術支援，還通過新加坡基地提前培養印度籍行銷人員。應用材料將印度定位為全球研發與供應鏈樞紐，2023年啟動的4億美元投資計畫穩步推進。在欽奈設立人工智慧與資料科學卓越中心，聚焦晶片製造AI應用開發，預計創造500個高端崗位，計畫將員工總數從8000人擴至10000人。同時，與15家供應商合作探索在印建立裝置零部件製造基地，力求驗證中心與晶圓廠物理共置，縮短研發周期，提升材料驗證效率，助力印度在成熟製程領域形成競爭力。Lam Research（泛林集團）實施“供應鏈本土化”策略，2024年宣佈在卡納塔克邦投資12億美元，與當地政府合作推動精密元件、高純度氣體輸送系統等本土供應能力建設。公司評估印度供應商在晶圓製造裝置核心部件的合作潛力，計畫將印度納入全球3000家供應商網路，在刻蝕、薄膜沉積等關鍵裝置領域實現本地化配套，以此增強區域供應鏈韌性，降低亞太地區供應鏈風險。東京電子與印度塔塔電子深度合作，為其古吉拉特邦12英吋晶圓廠供應裝置，還將建立專項培訓體系，助塔塔電子工程師掌握先進製程裝置操作技術。計畫到2026年在印建立裝置交付與售後支援系統，組建本地工程師團隊，服務塔塔電子在汽車電子、AI晶片等領域的製造需求 。巨頭們的佈局與印度產業政策形成共振，印度中央及地方政府提供最高75%的項目成本補貼，促進裝置巨頭與晶圓廠協同發展。國際資本的湧入，印證了印度市場的戰略價值。其吸引力不僅在於預計2026年晶片需求將突破千億美元，是全球增長最快的半導體市場，更在於汽車電子、5G通訊等領域的爆發式增長，為半導體產業提供廣闊應用場景。儘管印度半導體產業仍受基礎設施薄弱、技術積累不足等問題制約，但憑藉“政策槓桿+國際合作”，正逐步從晶片設計外包大國向製造環節邁進。隨著半導體頭部企業深度參與，印度有望在汽車電子、工業控制等細分領域形成差異化競爭力，成為全球半導體供應鏈重構中的重要變數。印度半導體產業的故事實際上，印度半導體產業的發展歷程充滿波折與機遇，從早期的技術突破到政策調整，再到如今的全球巨頭紛紛佈局，其軌跡折射出一個國家在半導體領域的不懈探索。印度半導體產業的起點可追溯至1984年，政府出資成立的半導體製造公司SCL曾在80年代將工藝製程從5微米提升至0.8微米，僅落後英特爾一代。然而，1989年的一場大火燒燬了SCL工廠，重建耗時8年，導致印度錯失半導體發展的黃金時期。此後，印度多次嘗試吸引外資建廠，但因政策滯後、資源不足等問題屢屢受挫，例如2005年英特爾因政策缺失放棄投資，2012年激勵計畫因資本和水資源問題停滯。直到2021年12月，莫迪政府推出“印度半導體計畫”，提供7600億盧比（約100億美元）激勵金，但初期反響有限。真正的轉折點出現在2023年6月，修訂版計畫將財政支援比例提升至50%，覆蓋半導體製造、封裝測試等全產業鏈，並放寬技術要求，吸引美光、瑞薩等巨頭入駐。這一政策調整標誌著印度從“口號式”激勵轉向實質性產業扶持。在政策推動下，印度半導體產業已取得顯著進展。除了上述介紹的廠商之外，幾乎全球排名前列的半導體公司，包括英特爾、德州儀器、輝達、高通等都在印度設有設計和研發中心，大部分人員集中在印度南部卡納塔克邦的班加羅爾市。圖源：ISM此外，印度還與美國、日本、歐盟簽署多項合作協議，推動技術轉移和供應鏈多元化。市場資料顯示，印度半導體消費預計從2019年的220億美元增長至2026年的640億美元，複合增長率16%，其中汽車、消費電子和無線通訊為主要增長領域。半導體巨頭投資印度的動因國際半導體巨頭之所以紛紛奔赴印度，筆者認為有以下幾點原因：政策與資金支援：印度提供全球最慷慨的補貼政策，中央政府承擔50%項目成本，邦政府額外補貼20%-25%，企業實際出資僅需25%-30%，直接降低企業投資門檻。修訂版計畫還針對封測、化合物半導體等細分領域提供專項支援，進一步降低企業投資風險。圖源：India Semiconductor Mission（ISM）人才儲備與成本優勢：印度擁有全球20%的半導體設計人才，英特爾、高通等25家頭部企業在班加羅爾設立研發中心，新思科技等公司員工超5500人。每年新增10萬工程畢業生，為產業提供充足人力儲備，且人力成本僅為發達國家的1/3。英特爾、高通等企業已在印度設立研發中心，利用本地人才進行晶片設計和軟體開發；應用材料、Lam Research等裝置巨頭通過培訓計畫，預計未來五年培養數萬名工程師。地緣政治與供應鏈重構：中美貿易摩擦和全球供應鏈多元化趨勢下，印度成為企業分散風險的重要選擇。半導體巨頭通過在印度設廠，既能規避地緣風險，又能貼近快速增長的本地市場（如汽車電子、5G裝置）。印度與美國簽署的《半導體供應鏈和創新夥伴關係諒解備忘錄》，進一步強化了其作為“可靠製造中心”的地位。市場潛力與產業協同：印度半導體市場規模預計2030年達1100億美元，且政府推動“印度製造”和“數字印度”計畫，刺激本土需求。同時，印度正通過本土巨頭與國際合作打造完整產業鏈，正建構從設計、製造到封裝的完整生態，吸引上下游企業集聚，形成產業叢集，降低企業間協作成本。同時，蘋果在印生產iPhone也能帶動晶片配套需求。基礎設施升級：印度在古吉拉特邦打造“半導體之城”，配套電力、交通等基礎設施，並設立半導體製造生態系統基金，用於園區開發和物流網路建設。此外，印度政府推動“數字印度”計畫，投資1.1萬公里高速公路和智能電網，提升供應鏈效率。動因之下，挑戰仍在！莫迪政府立志2030年將印度打造成全球前五大半導體生產國，憑藉“政策槓桿+國際合作”，試圖從設計外包邁向製造強國。雖吸引多家國際大廠佈局，但深層挑戰仍嚴重制約其發展，即便修訂版“印度半導體計畫”提高補貼比例、放寬技術要求，也未能解決系統性難題。基礎設施與資源短板顯著：半導體製造對電力、水資源和土地要求極高，而印度難以滿足。台積電拒絕在印建廠，直指其電力供應不穩、超純水生產能力不足及物流網路滯後。以塔塔與力積電110億美元晶圓廠為例，選址地古吉拉特邦雖靠港口，卻面臨工業用水短缺問題，電力波動也易致生產線停工。此外，印度70%的半導體級高純度氣體依賴進口，進一步推高製造成本。政策執行與項目落地困難重重：印度補貼政策雖具吸引力，卻因審批繁瑣、技術標準模糊，導致項目頻頻夭折。2021年100億美元激勵計畫因要求過高，僅5份申請進入評估，最終全部流產。2023年政策修訂後，Zoho 7億美元的化合物半導體晶圓廠項目仍因技術路徑不明而終止；Adani集團與高塔半導體的百億美元晶圓廠項目，也因投資風險分攤和市場需求預期分歧，於2024年暫停，暴露出政策與企業需求脫節的問題。人才斷層與勞動力效率低下加劇困境：印度雖擁有全球20%的半導體設計人才，但製造環節專業技能嚴重不足。Semicon India報告顯示，到2032年印度半導體行業勞動力缺口超80%。且本土工人效率僅為中國的60%，抗拒加班，三星電子在印工廠曾因工人薪資、工時等訴求爆發罷工，凸顯勞資矛盾對產業的負面影響。營商環境與地緣競爭也帶來巨大挑戰：印度“外企墳場”的標籤持續削弱投資信心，富士康因補貼延遲退出195億美元合資項目，Zoho、Adani等本土項目流產也暴露政策不確定性。世界銀行資料顯示，2014-2021年近2800家外企撤離印度，繁瑣行政程序和低效司法體系是主因。與此同時，越南憑藉更低成本和更成熟的電子製造業，分流大量外資，其半導體投資增速已超越印度。總體而言，印度半導體產業的困境源於“政策激進”與“能力滯後”的矛盾。雖然部分項目落地帶來短期增長，但缺乏完整產業鏈、人才儲備不足、基礎設施薄弱等問題，使其難以擺脫“低端鎖定”。若無法在技術自主、供應鏈本地化和政策穩定性上取得突破，印度的“晶片夢”恐難實現。寫在最後可以說，印度半導體產業的故事，既是一部錯失機遇的歷史，也是一部政策驅動、全球合作的奮鬥史。如今，全球半導體格局重構之際，印度憑藉“政策槓桿+人才紅利+地緣機遇”，正全力衝刺晶片製造新樞紐。美光封測廠、塔塔晶圓廠等項目落地，瑞薩、力積電等巨頭入局，勾勒出其從設計外包向製造中心轉型的輪廓，政策驅動下的產業集聚效應初步顯現。然而，基礎設施薄弱、供應鏈高度依賴進口、人才結構性短缺等深層矛盾，加上Zoho、Adani 等項目流產、富士康撤資等案例，暴露其“重補貼輕生態”的發展隱患。展望未來，印度若能在政策穩定性、本土供應鏈培育、勞動力技能升級上持續突破，或可在汽車電子、封測等細分領域佔據一席之地。但其能否從“補貼驅動”轉向“創新驅動”，破解基礎設施與營商環境的系統性障礙，將決定這場“晶片豪賭”是重塑全球版圖，還是淪為又一個產業雄心的註腳。 (半導體行業觀察)

5月29日消息，近日，台積電重申，1.4nm級工藝技術不需要高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機，目前找不到非用不可的理由。台積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其長期以來對下一代高NA EUV光刻裝置的立場。該公司的下一代工藝技術，包括A16（1.6奈米級）和A14（1.4奈米級）工藝技術，不需要這些最高端的光刻系統。因此，台積電不會在這些節點上採用高數值孔徑EUV裝置。“人們似乎總是對台積電何時會使用高數值孔徑 (High-NA) 感興趣，我認為我們的答案很簡單，”台積電副聯席首席營運官兼業務發展和全球銷售高級副總裁張曉強 (Kevin Zhang) 在活動上表示。“只要我們發現高數值孔徑 (High-NA) 能夠帶來有意義的、可衡量的效益，我們就會採用。對於A14 來說，我之前提到的性能提升在不使用高數值孔徑的情況下也非常顯著。因此，我們的技術團隊正在持續尋找延長現有EUV壽命的方法，同時獲得微縮優勢。”台積電的A14工藝基於其第二代奈米片環柵電晶體 (Nanosheet Gate-All-Accepted Transistor)，以及全新的標準單元架構。據台積電稱，A14 在相同功率和複雜度下性能提升高達15%，或在相同頻率下功耗降低25%至30%。“這是我們技術團隊的一項偉大創新，”張曉強說。“只要他們繼續尋找方法，顯然我們就不必使用高數值孔徑EUV。最終，我們會在某個時候使用它。只是我們需要找到一個合適的攔截點，提供最大的效益，實現最大的投資回報。”據瞭解，ASML最新一代的高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機是目前世界上最先進光刻機，單價高達4億美元，如此高昂的價格讓很多廠商望而卻步。截至目前，ASML已向客戶交付總共5台，包括Intel、三星。 其重達180噸、體積如同雙層巴士，堪稱全球最昂貴的半導體製造裝置之一。2023年12月，Intel率先拿下了全球首台High NA EUV光刻機 (invest wallstreet)