在先進封裝需求激增的背景下，台積電先進封裝技術與服務事業部副總經理何軍在近日舉辦的 2026 開放計算項目（OCP）亞太峰會上，公佈了公司 CoWoS 封裝技術的最新進展。據台灣科技新報與經濟日報報導，台積電 5.5 倍光罩尺寸的 CoWoS 封裝已實現量產，多款 AI 客戶產品的良率穩定超過 98%，部分產品最高可達 99%。 台積電已在規劃下一代技術升級。何軍表示，預計到 2029 年，CoWoS 封裝的尺寸將突破 14 倍光罩面積，這與台積電在 2026 北美技術研討會上公佈的路線圖一致。台積電在該論壇上披露，可整合約 10 顆大型計算裸片與 20 組 HBM 堆疊的 14 倍光罩尺寸 CoWoS 封裝，計畫於 2028 年量產，2029 年進一步向 14 倍光罩以上的尺寸演進。 作為對比，英特爾方面表示，其 EMIB-T 封裝技術目前可支援總面積超過 6 倍光罩尺寸的系統，今年將拓展至 8 倍光罩以上，到 2028 年將突破 12 倍光罩尺寸。 產能快速爬坡也為技術推進提供了支撐。何軍表示，過去三年間，台積電 CoWoS 產能每年幾乎實現翻倍。《經濟日報》消息稱，台積電目前已營運 10 座先進封裝工廠，產能正逐步追平客戶需求。他表示：“我們尚未完全滿足全部需求，但已經非常接近了。”

台積電先進封裝技術暨服務副總經理何軍在8月11日的 OCP APAC 峰會上表示，台積電已量產的 5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 先進封裝技術可在部分產品上達到 99% 的良率。 5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 這一 2.5D 異構整合方案已在多個 AI 客戶產品上得到驗證，良率可穩定超過 98%，部分產品上可達到 99% 的良率。台積電未來計畫在 2029 年推出 14 倍光罩尺寸的超大面積 CoWoS。 何軍幽默表示，短短幾年CoWoS已成為台灣家喻戶曉的名詞，因此他自我介紹時都說是“嗨，那個搞CoWoS的人（I'm the CoWoS guy）”。三年前，台積電董事長魏哲家指派他接手台積電的後段封裝營運，那時AI還沒來臨，他以為工作會很輕鬆，只要加速技術移轉、升級當時較老舊的封裝廠即可，但想不到後來AI爆發，3D IC、CoWoS等先進封裝需求高漲，他手上已經擁有10座先進封裝廠。他也坦言，“這是一段非常不可思議的旅程”。 為加快3DFabric製造能力的擴張，以滿足客戶的高需求，台積電CoWoS近年來產能的年複合增長率超80%，SolC產能的年複合增長率更是高達90%以上。何軍在演講中提到，先進 SolC 的驗證正加速從器件級走向系統級：同一晶片在引入不同系統後部分情況下會出現邊緣損傷，而這是器件級分析所未能預知的；另一方面，器件級的應力問題在安裝到 PCB 後實際上也可能消失。

台積電正將AI晶片核心封裝工序CoW大規模向日月光等外包廠商開放，這一策略性轉變被視為破解持續供應瓶頸的關鍵之舉。 台積電正將旗下AI晶片核心封裝工序向外包廠商大幅開放，此舉被視為應對持續供應瓶頸的關鍵舉措，並有望帶動半導體後道工序設備投資浪潮。 據韓國《電子新聞》報導，台積電已決定將CoWoS封裝技術中的CoW（Chip on Wafer）工序額外委託給日月光集團等OSAT（半導體外包封裝測試）企業生產。此前，台積電在CoW環節的外包規模相當有限，此次擴大外包標誌著策略性轉變。相關OSAT企業正積極推進新生產線的設備採購，據悉已與韓國本土材料、零部件及設備企業展開採購訂單（PO）磋商。 此次外包擴大預計將直接拉動後道工序設備需求，尤其是晶圓及中介層切割、鍵合（Bonding）等工序的設備投資有望集中放量，韓國本土設備廠商或從中受益。

🔷摩爾定律放緩後，3D整合成為突破AI晶片算力瓶頸的關鍵路徑 🔷從硅通孔TSV到HBM與Chiplet，揭秘下一代高性能晶片架構革命 當AI大模型、自動駕駛、高性能計算不斷刷新算力需求時，晶片產業正在迎來一場深刻變革。過去幾十年，半導體行業依靠摩爾定律推動電晶體不斷微縮，但隨著先進製程進入瓶頸，單純依靠縮小電晶體尺寸已經越來越難以滿足未來計算需求。 那麼，下一代晶片性能突破的關鍵在哪裡？

🔷HBM4到HBM8演進路線曝光 🔷TSV、先進封裝、近存計算開啟AI儲存新時代 AI大模型的競爭，正在進入一個全新的戰場。 過去幾年，我們關注更多的是GPU算力、先進製程和晶片架構，但隨著ChatGPT、LLM等AI應用規模不斷擴大，一個隱藏在晶片背後的關鍵技術正在成為決定未來算力上限的核心——HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬儲存器）。

01.台積電最近液冷研究：晶片無TIM液冷方案 台積電在2026年IEEE ECTC頂會上發佈的重磅技術論文。當下AI、高性能計算晶片的功耗密度越來越誇張，傳統散熱方案裡的TIM導熱介面材料，已經成了卡住晶片性能釋放的最大短板。針對這個行業痛點，台積電完成了一次關鍵技術突破：成功把 微柱式直矽液冷技術，落地整合到3.3X超大尺寸的CoWoS-R先進封裝平台上。簡單來說，就是把實驗室的概念方案，做成了可量產、可落地的成熟工藝，同時配齊了整套製程、密封方案、性能測試和可靠性驗證。 整體研究可以拆解為四大核心落地動作：

台積電私下部署三座CoPoS量產工廠，英特爾側翼偷襲其大本營，黃教主耍了魏道長！？ (赤潮詩社)