很多人問我為什麼三星海力士為何可以為所欲為，一個季度賺1000億美元，這是怎麼回事。 我現在給大家一個計算題。GDDR5或者HBM現在單價100元，成本95元，利潤率只有5%。突然AI爆發，儲存需求暴漲。廠家要求漲價。一個季度，儲存漲價70%。現在單價變成了170元。成本還是95元，那利潤就變成了75元。75÷5＝15。也就是說一個季度漲價70%，利潤卻增長了15倍。那麼股價漲幅大機率會是戴維斯連按兩下，估值提高一倍。15×2等於30倍。也就說這個季度。股價漲30倍才合理。 如果第二季度儲存再漲70%，170×1.7=289。289－100＝189。189÷5=37.8。利潤就是增長37.8。37.8÷15=2.52。也就說二季度儲存如果再漲70%，那利潤會在一季度的基礎上再漲1.52倍。大家看清楚儲存股票的邏輯了吧？只要儲存漲價，那股價就會指數級增長，那怕只漲價10%，那利潤率也是倍數增長。 所以我的結論是，儲存漲價＝股價十倍價格漲幅。什麼時候股票會跌？儲存價格跌的時候（目前看不到會降價）。 (AI芯界)

受全球儲存晶片需求激增影響，三星和海力士正加快本土及中國市場的擴產步伐。據韓國財經媒體 SeDaily 援引兩家企業最新發佈的 2025 年經營報告，三星對其西安工廠的投資額同比大增 67.5%，而 SK 海力士去年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體生產基地的注資總額超 1 兆韓元。三星轉變對華投資策略據 SeDaily 援引三星 2025 年經營報告顯示，該公司 2025 年對西安工廠的投資額增至 4654 億韓元，較 2024 年的 2778 億韓元同比增長 67.5%。與此同時，在大舉擴產的背景下，三星（中國）半導體有限公司 2025 年發展勢頭強勁，全年營收約達 8.64 兆韓元，淨利潤攀升至 1.11 兆韓元。這一舉措標誌著三星的投資策略出現顯著轉變。SeDaily 指出，三星 2019 年對西安工廠完成約 6984 億韓元的初始投資後，2020 年至 2023 年期間，基本未對該工廠進行大規模資本投入。如今，面對本土產能難以消化的全球儲存晶片需求激增現狀，三星正加大在華佈局力度。報告顯示，依託新增投資，三星計畫將西安 NAND 快閃記憶體工廠的產線從 128 層（第六代）升級至 236 層（第八代），同時計畫 2026 年在韓國本土實現 400 層（第十代）NAND 快閃記憶體的量產。集邦諮詢的資料凸顯出中國作為三星核心 NAND 快閃記憶體生產基地的重要地位，該機構預估，2025 年三星中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 30% 至 35%。海力士投資超兆韓元，無錫DRAM產線向高附加值升級與此同時，SeDaily 指出，SK 海力士 2025 年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體子公司的投資總額超 1 兆韓元。其經營報告顯示，僅無錫 DRAM 晶圓廠就獲得 5810 億韓元投資，較 2024 年的 2773 億韓元同比增長 102%；大連 NAND 快閃記憶體工廠投資額達 4406 億韓元，同比增長 52%。據悉，這是 SK 海力士 2022 年收購英特爾大連 NAND 快閃記憶體工廠後，首次對其在華工廠進行兆韓元規模的投資。無錫和大連兩大工廠仍是 SK 海力士的核心生產基地。集邦諮詢資料顯示，2025 年 SK 海力士中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 40% 至 45%，DRAM 記憶體產能佔比也達到 35% 至 40%。韓國《中央日報》報導了一組值得關注的資料：2025 年 SK 海力士對其在華半導體工廠的裝置投資較上一年增長 9 倍。此舉是該企業在遵守美國製裁規定的前提下，最佳化在華生產設施的重要舉措，具體包括將韓國本土工廠的裝置運往中國，同時把中國工廠的老舊裝置運回韓國。《中央日報》還指出，2025 年 SK 海力士約 90% 的裝置交易都集中在無錫 DRAM 晶圓廠。此外 SeDaily 稱，SK 海力士通過此次新增投資，將無錫工廠的 DRAM 工藝節點從 1z 升級至 1a，為 DDR5 等更高附加值產品的量產鋪平了道路，也為企業實現業績增長提供了支撐。 (銳芯聞)

紅溫台媒工商時報報導，儘管人工智慧熱潮持續，全球兩大儲存巨頭，三星電子與SK海力士卻選擇在2026年進行反向操作，持續削減NAND快閃記憶體產量。根據韓國《朝鮮日報》引用市場調研機構Omidia的資料報導，三星電子在今年（2026）的NAND快閃記憶體產量，預計從2025年的490萬片下滑至468萬片，甚至低於2024年因營收不佳而實施的減產後的產量；SK海力士的NAND產量也從約190萬片下降至170萬片。三星電子與SK海力士，佔據了全球超過60%的NAND供應市場，因此這兩家公司的生產供應策略舉動，都會對市場具有決定性的影響力。市場分析認為，這兩家公司的舉措，將在今年進一步提升NAND顆粒的價格，並且可能導致這一業務的獲利結構出現改變。這一供應縮減效應已經反映在了價格預期上，TrendForce集邦諮詢指出，今年第一季度的NAND快閃記憶體合約價格，季度增幅高達33~38%，這也徹底宣告NAND市場進入熱火上漲期。然而，這一減產並非因需求疲軟所致，眾所周知，目前AI熱潮算力競爭極速升溫，正在推動NAND需求同步急速增長。花旗銀行的資料顯示，輝達預計於今年下半年量產的新AI加速器方案Vera Rubin，單機架節點的SSD容量就高達1152TB，相比現在的Blackwell方案暴增超過10倍。而Vera Rubin方案預計在今年出貨超過3萬套，2027年則會達到10萬套，將在今明兩年分別創造出3450萬TB和1.152億TB的NAND快閃記憶體需求。可以說，三星和海力士的這番操作，無疑是反直覺，違反市場供給規律的。不過業內也有解讀，工商時報表示，業內分析認為關鍵在於兩大公司的資本配置策略的轉移。兩家儲存行業巨頭目前已經明顯轉移向獲利能力更高的DRAM，儘管在我們消費端，看到SSD又重回一塊錢1GB的高價，但實際上NAND市場業務的毛利率低、價格波動劇烈的本質並沒有改變。這些因素使得供應商頻繁陷入價格戰，就例如2023年上半年固態硬碟一度降至200/1TB的冰點價格，那時候消費級市場固態硬碟採購火熱，但實則在供應企業一片冰涼，生產出的晶片賣不上價。而如今在儲存晶片超級周期加持下，兩家公司選擇控制產量換取價格和利潤的最大化，只能說商人的本質是逐利的。市場調研機構IDC預測，今年全球NAND供應增長率約為17%，明顯低於過去幾年的平均水平。而同時分析指出，在資料中心、PC和移動產品需求同步時，NAND市場的短缺情況還將延續，價格上漲趨勢恐怕要延伸到今年下半年。 (AMP實驗室)

隨著台積電南京晶圓廠的VEU身份（經驗證終端使用者，是美國在出口管制下的預先授權機制，取消後企業採購美國裝置需逐單申請許可證）將於2025年12月31日到期，該公司已明確了其立場。據MyDrivers和愛極微報導，台積電中國總裁羅永平（Roger Luo）表示，供應鏈仍然是安全的，只要符合監管要求，中國客戶可以通過台積電的全球網路使用先進的工藝，而不僅僅是南京工廠的16nm或28nm生產線，以小米的3nm XRING O1晶片為例，證明中國企業可以在全球範圍內獲得台積電的先進節點產能。同時，羅補充說，台積電正在與供應商協調，以確保材料和裝置的審批。雖然合規變得更加嚴格，但流程仍然可控，南京晶圓廠的營運和供應鏈繼續正常運行。台灣經濟部通過《商業時報》指出，南京工廠約佔該公司全球代工產能的3%。此前的《經濟日報》報導稱，該晶圓廠每月生產約2萬片16/12nm晶圓，每月生產4萬片28/22nm晶圓，主要服務於汽車晶片等專業需求。另外，今年8月，美國商務部突然撤銷了對三星和SK海力士中國工廠的全面VEU授權。當120天的寬限期在12月31日結束時，兩家公司必須從1月1日開始獲得美國的裝置出貨許可。據環球經濟報導，在台積電對南京晶圓廠的穩定性表現出信心的同時，韓國晶片製造商正在中國從擴張轉向生存。報告援引的一位市場專家指出，他們現在優先考慮傳統工藝的產量和利用率上，而不是晶圓廠的升級。三星西安廠生產128/236 層NAND，現在升級V9 （286 層）和投資 50 億美元的西安新廠項目都存在不確定性；海力士無錫DRAM廠投資周期延長至 2025-2030 年；對華年度投資從 6.8 兆韓元縮減至 2.8 兆韓元。 (銳芯聞)

據韓國《朝鮮日報》今日消息，三星電子、SK海力士等儲存供應商已上調明年HBM3E價格，漲幅接近20%。一般而言，在新一代HBM產品面世之前，供應商往往會下調前一代產品價格，因此本次漲價在業內較為罕見。在這背後，是供需兩端的共同作用。供應方面，儲存廠商預計明年第六代HBM（即HBM4）需求將增加，加大對其產能投入，導致HBM3E產能遭到積壓。需求方面，除了輝達之外，來自Google、亞馬遜等公司的訂單量也大幅增加。其中，輝達H200晶片每顆搭載6顆HBM3E；搭載HBM3E的Google第七代TPU和亞馬遜Trainium將於明年開始出貨，兩款產品HBM搭載量均較上一代產品增加約20%至30%，前者每顆搭載8顆HBM3E，後者搭載4顆HBM3E。KB Securities指出，由於ASIC需求激增，以ASIC為主要客戶的三星，2026年HBM總出貨量將有望較2025年暴增3倍，預估將達111億Gb。且其預計明年HBM市場的營收佔比將為HBM4佔55%、HBM3E佔45%；從明年第三季度起，HBM4將快速吸收HBM3E的需求。值得注意的是，美光在上周的業績會上，同樣對HBM給出了樂觀預期。公司高管透露，公司2026年（日歷年）全年HBM的供應量已就價格和數量與客戶達成協議，全部售罄；預計HBM總潛在市場（TAM）將在2028年將達到1000億美元（2025年為350億美元），復合年增長率約40%。美光預計2026年資本支出將達200億元，用於支援HBM和1-gamma DRAM供應。招商證券表示，預計儲存產業後續DRAM和NAND資本開支將會持續增長，但對2026年產能助力有限，預計2026年DRAM和NAND資本開支分別同比增長14%和5%，但擴產次序還是優先AI高端儲存，NAND類相對靠後。 (科創板日報)

01 DRAM儲存的三國格局 世界DRAM儲存市場很有特點，很有意思。它是一個幾乎被壟斷的市場，主角有三家：三星、海力士以及美光。然而，DRAM儲存市場的三國格局因一場技術革命發生巨變。人工智慧這個顛覆性的技術革命，在看似風平浪靜的DRAM儲存江湖，正掀起一場腥風血雨。 今天，我們首先瞭解一下過去幾年DRAM儲存市場的基本格局；然後看看現階段因技術革命而產生的行業變化；最後一起預測未來DRAM三巨頭的未來走勢。 02 DRAM“御三家”的市場份額

2011年9月，英特爾開發者論壇（IDF）的最後一天，英特爾首席技術長賈斯汀-拉特納（Justin Rattner）在長達一小時的演講中，抽出了大約一分鐘的時間介紹了一項革命性的技術－HMC（Hybrid Memory Cube，混合記憶體立方體）。 這項技術由美光和英特爾共同合作開發，雖然被一筆帶過，但它的重要性，其實並不比處理器架構迭代要差多少，因為這是內存產業又一次的革命，有望徹底解決過往DDR3所面臨的頻寬問題。 實際上，早在IDF開始前的8月，美光研究員兼首席技術專家Thomas Pawlowski就在Hot Chips 上詳細介紹了HMC，當時雖然沒有透露與英特爾的合作，但他表示，HMC是一種三維集成電路創新，它超越了三星等公司展示的處理器-記憶體晶片堆疊技術，是一種全新的記憶體-處理器介面架構。 對美光來說，HMC就是反殺三星海力士兩大韓廠最有力的武器。