美國在推動韓國晶片企業赴美建廠的同時，悄然提出了一項更為直接的訴求——分享利潤。 據韓國時報，美國助理貿易代表(USTR)瑞克·斯威策日前向韓國貿易部長表達了這個想法，認為美國企業大量採購了韓國的半導體產品，尤其是記憶體、HBM、AI晶片等，對三星及SK海力士的驚人業績做出了巨大貢獻。美國認為他們有權分享三星、SK海力士的超額利潤。 市場分析稱，目前美國提出的分享利潤的要求還是試探性的，屬於先禮後兵，名為分享，實際上是要讓韓國上貢，但韓國官方及三星、SK海力士預計不會同意分享利潤。未來可以預期的是這兩家公司會遭到美國反壟斷調查，到時候會有一筆巨額罰款等著三星、SK海力士和解了。 (格隆匯電報)

三星目標價上調50%，海力士目標價上調94%。高盛記憶體研報，數字大得有點誇張了。 他們直接把傳統DRAM在26年的ASP漲幅從200%+拉到了316%，NAND從180%+拉到了256%。而且不只是26年好，缺口預測一直拉到28年——5.9%、4.6%、5.4%，逐年擴大。 史上最短的儲存周期，最短也有過兩年。但這次高盛說，缺口要持續到2028年。 我研究了一下他們列的三個核心差異，確實跟2017年那輪周期不一樣。

調研過程中，專家提及的公司有：三星、海力士、泰瑞達（Teradyne）、DI、Unitest、YIKC、長川科技、悅芯、精智達、致茂電子、華峰、海光、日月光、矽品、長鑫儲存、長江儲存、盛合晶微、MJC、台積電、輝達、蘋果。下面進入正文。 一場關於儲存測試裝置的暗戰正在上演，而你手中的AI晶片正悄悄改變著這場遊戲的規則。 當三星和海力士在HBM領域展開激烈角逐時，一個鮮為人知的市場正在悄然生變——HBM測試裝置。從HBM3E到HBM4，看似只是數字的迭代，背後卻是一場涉及數十億美元投資的技術博弈。這次的大廠專家，為我們深度剖析這個被大多數人忽視，卻決定晶片生死的關鍵環節。 很多人對HBM測試有一個極大的誤解，認為每一代HBM就需要全新的測試裝置。“其實 HBM3E 和 HBM4 的結構本質上是相同的，差異主要體現在 Die 的數量和頻寬上。”專家坦言，真正的變化不在於裝置本身，而在於測試時間的延長。

AI推理浪潮正把存儲器行業推入前所未有的「超級周期」。野村認爲，KV緩存與Agentic AI將推動未來五年存儲需求增長數千倍，而供給僅增5至6倍，長期供不應求格局基本確立。受此驅動，野村大幅上調三星與SK 海力士目標價逾一倍，認爲兩家公司當前約6倍遠期PE嚴重低估，其估值邏輯應逐步向$台積電 (TSM.US)$靠攏，而非繼續被視爲傳統周期股。 AI驅動的存儲器需求正在進入指數級擴張階段，而供給增速遠遠無法跟上。野村證券認爲，這一次的存儲器超級周期與歷史上任何一次都截然不同——結構性供需失衡、長期協議（LTA）鎖定盈利能見度，以及AI自我強化的投資循環，正在從根本上重塑存儲器行業的估值邏輯。 野村於5月15日大幅上調$三星電子 (005930.KR)$和$SK海力士 (000660.KR)$目標價，分別從34萬韓元和234萬韓元提升至59萬韓元和400萬韓元，兩者均維持買入評級，隱含上漲空間均超過118%。 野村認爲，當前兩家公司約6倍的12個月遠期市盈率嚴重低估了其盈利的持續性與穩定性，其風險溢價應向台積電靠攏，而非繼續維持歷史上周期性行業的高折價。

1、市場行情維度：2026年儲存市場呈現極致分化格局，DRAM一季度整體漲幅近翻倍，4月漲幅縮小至低雙位數，剩餘三成漲幅集中在5-6月；消費類DDR5降價10%，伺服器DRAM橫盤走穩，車規級DRAM價格翻倍且持續斷貨；NAND Flash一季度高雙位數上漲、4月再漲低雙位數，2-4TB企業級SSD漲幅近20%，消費端與企業、車規端供需走勢完全背離。 2、原廠策略維度：三星、海力士、美光三大原廠策略差異顯著，三星保守擴產、主打高端製程漲價，二季度計畫DRAM漲20%、NAND漲20%-30%；海力士最為激進，減產35% HBM產能轉向通用DRAM，二季度DRAM、NAND分別計畫漲價50%、80%；美光走勢溫和，4月價格持平/小幅上漲，漲幅延後至5-6月釋放。 3、品牌與管道維度：金士頓消費端定價脫離成本邏輯，靠品牌規模靈活調價避險疲軟需求；HDD漲價15%-20%全系國內管道炒作，原廠無調價動作；中小代理商深陷出貨困境，普遍通過向原廠申請延遲交付、暫緩帳期緩解經營壓力。 4、國產替代維度：長鑫儲存、長江儲存已實現全線盈利並穩定供貨，華為大規模採購長江儲存企業級產品，憑藉錯位競爭切入中小伺服器、政企市場；短板在於產品批次穩定性不足，工藝分選能力與國際頭部原廠存在明顯差距。

很多人問我為什麼三星海力士為何可以為所欲為，一個季度賺1000億美元，這是怎麼回事。 我現在給大家一個計算題。GDDR5或者HBM現在單價100元，成本95元，利潤率只有5%。突然AI爆發，儲存需求暴漲。廠家要求漲價。一個季度，儲存漲價70%。現在單價變成了170元。成本還是95元，那利潤就變成了75元。75÷5＝15。也就是說一個季度漲價70%，利潤卻增長了15倍。那麼股價漲幅大機率會是戴維斯連按兩下，估值提高一倍。15×2等於30倍。也就說這個季度。股價漲30倍才合理。 如果第二季度儲存再漲70%，170×1.7=289。289－100＝189。189÷5=37.8。利潤就是增長37.8。37.8÷15=2.52。也就說二季度儲存如果再漲70%，那利潤會在一季度的基礎上再漲1.52倍。大家看清楚儲存股票的邏輯了吧？只要儲存漲價，那股價就會指數級增長，那怕只漲價10%，那利潤率也是倍數增長。 所以我的結論是，儲存漲價＝股價十倍價格漲幅。什麼時候股票會跌？儲存價格跌的時候（目前看不到會降價）。 (AI芯界)

受全球儲存晶片需求激增影響，三星和海力士正加快本土及中國市場的擴產步伐。據韓國財經媒體 SeDaily 援引兩家企業最新發佈的 2025 年經營報告，三星對其西安工廠的投資額同比大增 67.5%，而 SK 海力士去年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體生產基地的注資總額超 1 兆韓元。三星轉變對華投資策略據 SeDaily 援引三星 2025 年經營報告顯示，該公司 2025 年對西安工廠的投資額增至 4654 億韓元，較 2024 年的 2778 億韓元同比增長 67.5%。與此同時，在大舉擴產的背景下，三星（中國）半導體有限公司 2025 年發展勢頭強勁，全年營收約達 8.64 兆韓元，淨利潤攀升至 1.11 兆韓元。這一舉措標誌著三星的投資策略出現顯著轉變。SeDaily 指出，三星 2019 年對西安工廠完成約 6984 億韓元的初始投資後，2020 年至 2023 年期間，基本未對該工廠進行大規模資本投入。如今，面對本土產能難以消化的全球儲存晶片需求激增現狀，三星正加大在華佈局力度。報告顯示，依託新增投資，三星計畫將西安 NAND 快閃記憶體工廠的產線從 128 層（第六代）升級至 236 層（第八代），同時計畫 2026 年在韓國本土實現 400 層（第十代）NAND 快閃記憶體的量產。集邦諮詢的資料凸顯出中國作為三星核心 NAND 快閃記憶體生產基地的重要地位，該機構預估，2025 年三星中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 30% 至 35%。海力士投資超兆韓元，無錫DRAM產線向高附加值升級與此同時，SeDaily 指出，SK 海力士 2025 年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體子公司的投資總額超 1 兆韓元。其經營報告顯示，僅無錫 DRAM 晶圓廠就獲得 5810 億韓元投資，較 2024 年的 2773 億韓元同比增長 102%；大連 NAND 快閃記憶體工廠投資額達 4406 億韓元，同比增長 52%。據悉，這是 SK 海力士 2022 年收購英特爾大連 NAND 快閃記憶體工廠後，首次對其在華工廠進行兆韓元規模的投資。無錫和大連兩大工廠仍是 SK 海力士的核心生產基地。集邦諮詢資料顯示，2025 年 SK 海力士中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 40% 至 45%，DRAM 記憶體產能佔比也達到 35% 至 40%。韓國《中央日報》報導了一組值得關注的資料：2025 年 SK 海力士對其在華半導體工廠的裝置投資較上一年增長 9 倍。此舉是該企業在遵守美國製裁規定的前提下，最佳化在華生產設施的重要舉措，具體包括將韓國本土工廠的裝置運往中國，同時把中國工廠的老舊裝置運回韓國。《中央日報》還指出，2025 年 SK 海力士約 90% 的裝置交易都集中在無錫 DRAM 晶圓廠。此外 SeDaily 稱，SK 海力士通過此次新增投資，將無錫工廠的 DRAM 工藝節點從 1z 升級至 1a，為 DDR5 等更高附加值產品的量產鋪平了道路，也為企業實現業績增長提供了支撐。 (銳芯聞)

紅溫台媒工商時報報導，儘管人工智慧熱潮持續，全球兩大儲存巨頭，三星電子與SK海力士卻選擇在2026年進行反向操作，持續削減NAND快閃記憶體產量。根據韓國《朝鮮日報》引用市場調研機構Omidia的資料報導，三星電子在今年（2026）的NAND快閃記憶體產量，預計從2025年的490萬片下滑至468萬片，甚至低於2024年因營收不佳而實施的減產後的產量；SK海力士的NAND產量也從約190萬片下降至170萬片。三星電子與SK海力士，佔據了全球超過60%的NAND供應市場，因此這兩家公司的生產供應策略舉動，都會對市場具有決定性的影響力。市場分析認為，這兩家公司的舉措，將在今年進一步提升NAND顆粒的價格，並且可能導致這一業務的獲利結構出現改變。這一供應縮減效應已經反映在了價格預期上，TrendForce集邦諮詢指出，今年第一季度的NAND快閃記憶體合約價格，季度增幅高達33~38%，這也徹底宣告NAND市場進入熱火上漲期。然而，這一減產並非因需求疲軟所致，眾所周知，目前AI熱潮算力競爭極速升溫，正在推動NAND需求同步急速增長。花旗銀行的資料顯示，輝達預計於今年下半年量產的新AI加速器方案Vera Rubin，單機架節點的SSD容量就高達1152TB，相比現在的Blackwell方案暴增超過10倍。而Vera Rubin方案預計在今年出貨超過3萬套，2027年則會達到10萬套，將在今明兩年分別創造出3450萬TB和1.152億TB的NAND快閃記憶體需求。可以說，三星和海力士的這番操作，無疑是反直覺，違反市場供給規律的。不過業內也有解讀，工商時報表示，業內分析認為關鍵在於兩大公司的資本配置策略的轉移。兩家儲存行業巨頭目前已經明顯轉移向獲利能力更高的DRAM，儘管在我們消費端，看到SSD又重回一塊錢1GB的高價，但實際上NAND市場業務的毛利率低、價格波動劇烈的本質並沒有改變。這些因素使得供應商頻繁陷入價格戰，就例如2023年上半年固態硬碟一度降至200/1TB的冰點價格，那時候消費級市場固態硬碟採購火熱，但實則在供應企業一片冰涼，生產出的晶片賣不上價。而如今在儲存晶片超級周期加持下，兩家公司選擇控制產量換取價格和利潤的最大化，只能說商人的本質是逐利的。市場調研機構IDC預測，今年全球NAND供應增長率約為17%，明顯低於過去幾年的平均水平。而同時分析指出，在資料中心、PC和移動產品需求同步時，NAND市場的短缺情況還將延續，價格上漲趨勢恐怕要延伸到今年下半年。 (AMP實驗室)